三星已將下一代嵌入式半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)品MRAM納入生產(chǎn)制造范疇，并在韓國器興廠區(qū)率先進入大規(guī)模生產(chǎn)。MRAM號稱是次世代記憶體，是繼半導(dǎo)體存儲器DRAM和NAND Flash之后又一劃時代的創(chuàng)新存儲器
2019-03-06 16:43:28
7573 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。僅僅一個禮拜的時間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤。
2013-08-15 09:11:161488 NAND Flash存儲器在移動設(shè)備應(yīng)用市場的需求趨緩。根據(jù)IHS初步統(tǒng)計資料顯示，受到品牌廠與網(wǎng)絡(luò)廠商大舉推出云端儲存服務(wù)影響，第三季智能手機與平板設(shè)備內(nèi)建NAND Flash存儲器的需求已開始減少。
2013-11-26 11:16:171709 
報導(dǎo)，存儲器三強三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速為10納米DRAM時代做準備。因存儲器削價競爭結(jié)束后，三大廠認為以25
2014-04-04 09:08:421577 據(jù)海外媒體報道，傳三星電子于2017~2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。
2017-02-07 07:50:011519 受益于智能手機搭載的NAND Flash存儲容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長，各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進
2017-02-07 17:34:129182 
借由此案進入3D NAND代工，更說服東芝在臺灣設(shè)廠生產(chǎn)，此舉目的是擊破三星電子長期來以存儲器利潤補貼邏輯虧損的策略，一報大客戶高通（Qualcomm）被搶之仇。
2017-03-02 07:51:24844 市調(diào)機構(gòu)集邦科技預(yù)期，今年儲存型快閃存儲器（NAND Flash）整年都將維持供應(yīng)吃緊的情況，NAND Flash廠商業(yè)績可望逐季攀高。
2017-03-08 10:11:39759 之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續(xù)，取決于存儲器龍頭三星電子，要是三星擴產(chǎn)，好景恐怕無法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤誘人，傳出決定擴產(chǎn)，新產(chǎn)線預(yù)計兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15876 丁文武指出，全球存儲器的獲利幾乎都集中在南韓三星電子（Samsung Electronics），獲利甚至優(yōu)于蘋果（Apple）和英特爾（Intel），從2016年至今NAND Flash價格狂飆
2017-09-13 07:36:001665 NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機存儲等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:322839 
NOR Flash。 全球 NOR Flash 廠商主要有美光科技、飛索半導(dǎo)體(Spansion）、旺宏、華邦等 IDM 企業(yè)。全球 NAND Flash 廠商主要有三星電子、東芝、SK 海力士、美光科技四家 IDM 企業(yè)。
2023-11-23 09:36:173656 
NAND Flash是什么？NAND Flash（閃存）是一種非易失性存儲器技術(shù)，主要用于數(shù)據(jù)存儲。與傳統(tǒng)的DRAM或SRAM不同，NAND Flash在斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它通過電荷的存儲與釋放來實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲。
2025-09-08 09:51:206275 
Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
`CFMS2018近日成功舉辦，來自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長江存儲等全球存儲業(yè)大咖，與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來。我們來看看他們都說了什么。三星：看好在UFS市場的絕對優(yōu)勢
2018-09-20 17:57:05
對DRAM價格帶來不利的影響。三星打什么算盤頗堪玩味，而更多人擔(dān)心，存儲器產(chǎn)業(yè)也許在未來幾年會有一個大的翻轉(zhuǎn)，已經(jīng)主導(dǎo)需求超過30年的DRAM、Flash組成存儲器產(chǎn)業(yè)，會不會在MRAM等新技術(shù)出現(xiàn)后
2018-12-25 14:31:36
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
隨機存儲器，DynamicRandomAccessMemory)VLSI芯片，并因此成為世界半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)導(dǎo)者。在此之前，三星只是為本國市場生產(chǎn)半導(dǎo)體。 在八十年代中期，三星開始進入系統(tǒng)開發(fā)業(yè)務(wù)領(lǐng)域，在
2019-04-24 17:17:53
`這幾年以來，國內(nèi)巨頭都在花大力氣研發(fā)內(nèi)存，以期打破壟斷，尤其是三星的壟斷。就移動DRAM而言，三星占了全球80%的份額，成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的焦點。日前，三星一反常態(tài)，放緩了存儲器半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的擴張
2018-10-12 14:46:09
NAND Flash分為SLC(Single-Level Cell)、MLC(Multi-Level Cell)、TLC(Triple-Level Cell)等三種。早期NAND Flash應(yīng)用是
2018-06-14 14:26:38
保存代碼及數(shù)據(jù)，分為閃型存儲器 （Flash Memory）與只讀存儲器（Read-OnlyMemory），其中閃型存儲器是主流，而閃型存儲器又主要是NAND Flash 和NOR Flash
2024-12-17 17:34:06
專業(yè)收購三星ddr帝歐電子高價回收三星ddr，長期求購三星ddr，帶板的也收，大量收購！?。〉蹥W趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。求購三星（K9
2021-04-06 18:09:48
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2021-10-26 19:13:52
flash中運行。嵌入式系統(tǒng)多用一個小容量的nor flash存儲引導(dǎo)代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
歐電子長期全國回收品原裝存儲芯片：三星samsung，海力士SK hynix，現(xiàn)代hyniy，展訊SPREADTRUM，微芯MICROCHIP，閃迪SANDISK芯片,東芝 TOSHIBA芯片,南亞
2021-08-20 19:11:25
2018年上半進入96層的技術(shù)規(guī)格，2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高，美日韓存儲器大廠都卯盡全力，在96層的堆棧技術(shù)上尋求突破。三星指出，第五代的96層V NAND量產(chǎn)
2018-12-24 14:28:00
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手冊說有Unique ID可以用，但是沒有說明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊中有看到OTP區(qū)域，可以來保存Unique
2017-03-21 09:22:02
未來DDR4、NAND Flash存儲器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
。
Nand-flash存儲器是flash存儲器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于
2024-06-05 17:57:26
較為詳細地介紹嵌入式操作系統(tǒng)uClinux 平臺下的Flash 存儲技術(shù)，并給出基于三星S3C4510 系統(tǒng)下Flash 存儲器的具體設(shè)計實例。
2009-05-15 15:47:24
10 TCL AT25286深圳三星純(25英寸)存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:21:2213 TCL AT29128三星存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:24:3643 TCL AT29211A三星純存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:28:5634 NAND FLASH開始廣泛應(yīng)用于星載存儲器,針對FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲特點,引入文件系統(tǒng)的概
2010-02-24 14:41:2610 NAND FLASH開始廣泛應(yīng)用于星載存儲器,針對FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲特點,引入文件系統(tǒng)的概
2010-07-17 18:06:2914 蘋果NAND Flash減單 三星、新帝策略轉(zhuǎn)向
由于傳出大客戶蘋果(Apple)開始減少下單，加上原本三星電子(Samsung Electronics)供應(yīng)NAND Flash數(shù)量相當(dāng)有限，12月供應(yīng)量控制亦開始
2009-11-28 15:59:33568 Flash 存儲器的簡介
在眾多的單片機中都集成了 Flash 存儲器系統(tǒng)，該存儲器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)
2010-11-11 18:25:095395 
上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 Nand Flash存儲器是Flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤等。
2017-10-10 10:54:1126259 
FLASH存儲器（也就是閃存）就 是非易失隨機訪問存儲器（NVRAM），特點是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:469157 FLASH存儲器又稱閃存，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，FLASH存儲器通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出
2017-10-13 16:34:3022518 三星電子、NAND型快閃存儲器商今(2018)年紛紛延遲投產(chǎn)，分析師擔(dān)憂這恐怕會沖擊明年的半導(dǎo)體設(shè)備市況。
2018-07-20 12:55:001169 2018年DRAM、NAND型快閃存儲器供需預(yù)估將持續(xù)呈現(xiàn)吃緊。三星電子27日盤中下跌4.2%，創(chuàng)一年多以來最大跌幅。三星競爭對手SKHynix一度下跌3.6%，創(chuàng)10月底以來最大跌幅。韓國股市27日早盤遭逢來自外資與法人的賣壓，以三星電子為首的科技股領(lǐng)跌。
2017-11-28 12:19:39928 三星手機存儲器最新資料下載
2018-01-19 09:44:541 因2017年存儲器領(lǐng)域遭遇大幅度的內(nèi)存不足，飚價過高，三星等存儲器巨頭借此賺的缽滿盆盈。今年中國廠商將進行大規(guī)模的擴產(chǎn)存儲器，存儲器價格將會有所松動，也就是說三星半導(dǎo)體龍頭將不保。
2018-02-01 09:37:211089 在當(dāng)前NandFlash存儲器仍舊供不應(yīng)求，市場價格依舊居高不下的情況下，日前全球NandFlash存儲器龍頭企業(yè)的韓國三星，日前宣布將在本月底正式動工的中國西安NandFlash存儲器廠的擴建計劃，28日正式動工，預(yù)計將在2019年完工啟用。
2018-07-03 11:10:001213 全球市場調(diào)查公司顧能（Gartner）最新研究報告指出，三星2017年擠下英特爾，成為全球最大的半導(dǎo)體制造商，但隨著大陸存儲器廠大幅擴產(chǎn)，存儲器價格將下調(diào)，三星半導(dǎo)體龍頭寶座恐坐不久。
2018-06-28 11:18:00976 在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產(chǎn)，以補足市場供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:001319 根據(jù)韓國媒體的報導(dǎo)，韓國存儲器大廠三星已經(jīng)確認，將會在韓國平澤市興建一座新的半導(dǎo)體工廠，用于擴大DRAM、NAND Flash快閃存儲器的產(chǎn)能。 之前，韓國媒體《FN News》曾經(jīng)引用業(yè)界人士和平
2018-03-06 18:59:115298 在春節(jié)長假期，國人歡慶佳節(jié)的時候，長江存儲的工廠依然在加緊建設(shè)，以確保今年三季度投產(chǎn)NAND flash，隨著長江存儲投產(chǎn)，中國可望打破當(dāng)前三星在NAND flash行業(yè)獨大的局面。
2018-07-02 12:49:005664 ，存儲器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲。
2018-04-09 15:45:33113864 三星 17 日宣布，量產(chǎn)首批 8GB LPDDR5 存儲器顆粒，速率可達 6，400Mbps，比現(xiàn)有 LPDDR4-4266 存儲器快了 50%，同時功耗降低 30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了 8GB
2018-07-18 17:56:004088 三星在半導(dǎo)體市場的地位舉足輕重，尤其是存儲器更是獨霸一方，但是這也導(dǎo)致三星的業(yè)務(wù)對于存儲器的依賴過于嚴重，而如今最火爆的AI方面，三星有些遲鈍了，該如何追趕成為現(xiàn)在最重要的事。
2018-06-20 09:54:373847 三星17日宣布，量產(chǎn)首批8GB LPDDR5存儲器顆粒，速率可達6,400Mbps，比現(xiàn)有LPDDR4-4266存儲器快了50%，同時功耗降低30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了8GB LPDDR5存儲器的測試。
2018-07-20 10:39:445216 存儲器市場在2017年內(nèi)出現(xiàn)明顯漲價與缺貨問題，NAND存儲器從2017年底開始回穩(wěn)，但DRAM續(xù)漲，使得韓國三星電子（Samsung Electronics）轉(zhuǎn)向強調(diào)DRAM；但日本報導(dǎo)，DRAM缺貨問題已開始緩解，價格可能將回穩(wěn)，問題在虛擬貨幣（virtual coin）。
2018-08-22 17:00:261313 背景知識的情況下，可以比較簡單地使用大容量的NAND Flash存儲器，降低了使用NAND Flash存儲器的難度和成本。
2018-12-31 11:29:004005 
報導(dǎo)進一步指出，雖然針對存儲器的投資總體會減少。但是，在DRAM及NAND Flash快閃存儲器上還是有區(qū)別的。分析師認為，三星在2019年的半導(dǎo)體投資將減少8%，但NAND Flash快閃存儲器
2018-10-10 15:38:114645 據(jù)日媒指出，三星2019年針對存儲器的投資總體會減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出；而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）最新研究顯示，隨著下半年各家原廠最新64層堆棧的3D-NAND Flash產(chǎn)能開出，在三星及美光等領(lǐng)頭羊帶領(lǐng)下，預(yù)估第三季3D-NAND Flash
2018-11-16 08:45:591450 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打！目前3D NAND由三星電子獨家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨大的情況將劃下句點。
2018-12-13 15:07:471294 隨著U盤、數(shù)碼相機、mp3音樂播放器等移動設(shè)備的廣泛應(yīng)用，FLASH存儲器已經(jīng)逐步取代其它半導(dǎo)體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中主要數(shù)據(jù)和程序的載體。NAND FLASH是一種可在線多次擦除
2018-12-18 15:50:533350 
三星在手機市場遭遇一定挫折，不過由于全球手機的出貨量成長以及對更大容量的內(nèi)存和存儲的需求卻讓它在NAND Flash市場成為大贏家，據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示營收同比增長20.6%，市占率提升到36.6%創(chuàng)下新高。
2018-12-29 14:47:391184 2017年7月初，三星公布新的開支計劃：到2021年，三星將在韓國境內(nèi)耗資至少20.4萬億韓元（合186.3億美元）來進一步鞏固公司在存儲器行業(yè)和下代智能手機面板行業(yè)中的領(lǐng)導(dǎo)者地位。其中的14.4萬億韓元會被三星用于升級位于韓國平澤市的（NAND Flash）存儲器制造工廠。
2019-01-23 11:07:541058 
三星上季大砍NAND Flash和DRAM報價后，NAND Flash價格接近虧損邊緣，決定本季起不再降價。
2019-05-08 08:47:554026 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計技術(shù)。
2019-09-03 10:38:04981 據(jù)外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321643 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計技術(shù)。
2019-09-09 16:05:251778 固態(tài)硬盤時代，三星品牌存儲在業(yè)界的地位可以說是無人撼動，無論是傳統(tǒng)的SATA協(xié)議SSD或者是發(fā)展迅速的NVMeSSD，都擁有著極高的市場占有率和用戶口碑，三星在NAND技術(shù)的研發(fā)和生產(chǎn)上，一直是世界一流水平，尤其是3DNAND，更是遙遙領(lǐng)先。
2019-09-30 16:15:342940 根據(jù)韓國媒體報導(dǎo)，在當(dāng)前存儲器價格已經(jīng)觸底反彈，整體市場庫水水位也進一步降低的情況之下，三星決定開始恢復(fù)針對存儲器產(chǎn)業(yè)的投資。而根據(jù)知情人士的消息指出，三星最近為韓國P2晶圓廠訂購了DRAM設(shè)備，也
2019-10-30 15:15:303224 據(jù)韓國業(yè)界 27 日消息，三星電子重啟存儲器投資項目。據(jù)了解，目前新建的平澤存儲器第二工廠和中國西安第二工廠已經(jīng)開始進入半導(dǎo)體設(shè)備訂購階段。
2019-11-19 10:37:46998 今天，集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)發(fā)布了第三季度的全球NAND Flash品牌廠商最新營收排名出爐，三星排名第一，鎧俠第二。
2019-11-25 15:05:492954 據(jù)分析機構(gòu)最新數(shù)據(jù)，因數(shù)據(jù)中心對市場的帶動作用，2019年第四季度NAND Flash總出貨量季增近10%，市場逐漸供不應(yīng)求。經(jīng)歷了一段降價期，NAND Flash存儲器終于迎來一小段上升期。
2020-03-08 18:25:484778 3月18日，據(jù)韓國媒體報道，三星電子已經(jīng)開始批量生產(chǎn)一種512GB的eUSF 3.1高速智能手機存儲器，該存儲器能夠在4秒內(nèi)存儲5GB內(nèi)容，相當(dāng)于一部藍光電影。
2020-03-20 10:51:281830 在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產(chǎn)，以補足市場供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:011016 相信有很多人都對計算機里的各種存儲器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就會存在，內(nèi)存條是 dram 還是 nand？nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么？程序
2020-12-17 14:56:3812674 Nand flash是flash存儲器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND FLASH存儲器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:085421 
Flash（快閃或閃存）由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲器，其快速是相對于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:014410 Flash Memory是一種非易失性的存儲器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應(yīng)用和數(shù)據(jù)等。在PC系統(tǒng)中，則主要用在固態(tài)硬盤以及主板BIOS中。絕大部分的U盤、SDCard等移動存儲設(shè)備也都是
2022-01-25 17:25:1262317 
* 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產(chǎn)品中最高的存儲密度，可更高效地為企業(yè)擴展存儲空間 深圳2020年11月8日 /美通社/ --? 作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會
2022-11-08 13:37:361624 NAND Flash。2007年，東芝推出3D NAND，三星也在2012年發(fā)布其第一代3D NAND。NAND Flash 技術(shù)幾十年發(fā)展保留了相同的概念、堆疊（stack）和架構(gòu)，存儲密度隨時間呈指數(shù)
2022-11-25 14:57:352730 三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認為，三星的nand閃存產(chǎn)量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績中，由于市場持續(xù)低迷，三星電子正式公布了存儲器減產(chǎn)計劃。
2023-08-16 10:23:581255 最近，三星集團援引業(yè)界有關(guān)負責(zé)人的話表示，計劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機存儲等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2023-09-11 14:48:232558 
摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:062633 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點、性能指標及應(yīng)用領(lǐng)域進行詳細解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:175563 為什么Nor Flash可以實現(xiàn)XIP，而Nand flash就不行呢？ Flash存儲器是一種常用的非易失性存儲器，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它們的價值在于它們可以快速讀取和寫入數(shù)據(jù)，同時因為沒有
2023-10-29 16:32:582219 Flash ROM NAND Flash ROM 應(yīng)該是目前最熱門的存儲芯片了。因為我們生活中經(jīng)常使用的電子產(chǎn)品都會涉及到它。比如你買手機，肯定會考慮64GB，還是256GB？
2024-03-01 17:08:451311 
三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判，目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995 非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:152049 
AI技術(shù)的蓬勃發(fā)展正以前所未有的速度推動著存儲器產(chǎn)業(yè)的飛躍，其中，海量數(shù)據(jù)的激增對存儲容量與性能提出了更高要求，使得NAND Flash技術(shù)的重要性日益凸顯。在此背景下，全球存儲巨頭如三星和鎧俠，在深耕DRAM市場的同時，也持續(xù)加大對NAND Flash技術(shù)的投入與創(chuàng)新。
2024-07-05 15:39:371592 NAND Flash作為一種基于NAND技術(shù)的非易失性存儲器，具有多個顯著優(yōu)點，這些優(yōu)點使其在數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對NAND Flash優(yōu)點的詳細闡述，并簡要探討與其他類型存儲器的區(qū)別。
2024-08-20 10:24:441952 三星電子近期調(diào)整了其晶圓代工產(chǎn)能擴充計劃，決定暫緩平澤P4工廠的進一步擴建，轉(zhuǎn)而將重心放在NAND Flash與高頻寬存儲器（HBM）的生產(chǎn)上。這一戰(zhàn)略調(diào)整反映了三星對當(dāng)前市場需求的精準把握與未來技術(shù)趨勢的深刻洞察。
2024-09-19 17:23:331652 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-302：ADSP-BF53x Blackfin處理器與NAND FLASH存儲器的接口.pdf》資料免費下載
2025-01-07 14:03:230 產(chǎn)品價格。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計劃后，全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉，SK海力士計劃將上半年NAND Flash存儲器的產(chǎn)量削減10%。這一決定無疑將對市場產(chǎn)生深遠影響。 根據(jù)機構(gòu)先前發(fā)布的報告，SK海力士在NAND Flash存儲器領(lǐng)
2025-01-20 14:43:551096 如果你現(xiàn)在正面臨三星、美光存儲芯片缺貨的問題,不妨考慮下紫光國芯的產(chǎn)品。我們可以提供樣品測試、技術(shù)支持、批量供貨的全流程服務(wù)。具體產(chǎn)品選型、價格報價、交期確認,歡迎聯(lián)系咨詢貞光科技。海外大廠為什么會
2025-12-16 14:34:16436 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近日有消息稱，三星計劃在今年第四季度將NAND Flash產(chǎn)品的價格提高10%以上，預(yù)計最快會從10月開始漲價。與此同時，為了加速去庫存以配合漲價，三星自今年以來就一直
2023-10-08 09:01:373853
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