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電子發(fā)燒友網>存儲技術>三星未來兩年或追投西安3D NAND廠43億美元

三星未來兩年或追投西安3D NAND廠43億美元

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20178月底,三星電子宣布與陜西省政府達成合作協(xié)議,將擴大西安高新區(qū)工廠的 閃存產能 ,新建二期項目,未來三年投資70美元。 與此同時,三星也在韓國本土不斷加大投資,連續(xù)開建座新工廠,都兼具內存、閃存生產能力。
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隨著原3D技術的快速發(fā)展,2018下半年各家原在96層和QLC技術上競爭激烈,其中,三星已在7月份宣布量產96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES報道稱,東芝存儲器(TMC)96層3D NAND將在Q4擴大出貨,代表著NAND Flash市場霸主之爭正式拉開序幕。
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,同時恐激化各家原展開96層3D NAND技術競爭,然而市場更多的是關心NAND Flash價格走向將如何。
2018-08-22 16:25:462599

隨著3D NAND產出的增加,2018全球SSD出貨量有望沖刺2

隨著64層/72層3D NAND產出的增加,以及原QLC和96層3D技術快速發(fā)展,NAND Flash在經歷2漲價后,2018市場行情從缺貨轉向供應過剩,再加上成本下滑,以及供需雙方博弈刺激下,預計2018全球SSD出貨量將超過1.9臺,甚至有望沖刺2臺。
2018-08-31 16:15:002745

三星三年內斥資220美元投入人工智能

9月3日消息,科技新聞博客GizChina報道,三星首席執(zhí)行官(CEO)對人工智能(AI)持樂觀態(tài)度,他承諾未來三年將向其增220美元資金。
2018-09-05 17:29:014655

3D NAND芯片市場發(fā)展空間巨大,三星電子很難單獨吞下這一片市場

8月28日,三星電子宣布,未來將投資70美元用于擴大西安三星電子NAND芯片的生產。不過,三星稱,“此筆投資意在滿足NAND芯片市場的需求?!笨墒牵?b class="flag-6" style="color: red">三星的投資真的只為滿足NAND芯片市場需求嗎?
2018-10-01 16:12:003303

半導體行業(yè)3D NAND Flash

DIMM插槽的3D XPoint硬盤,現(xiàn)在還不能取代DDR內存,但未來一切皆有可能。?3D NAND技術進展?2016年年下半除東芝(TOSHIBA)就64層3D NAND閃存展開送樣出貨外,三星電子
2018-10-08 15:52:39780

三星未來三年220美元 展開對人工智能領域的研究

近日,據(jù)報道,三星CEO表示對人工智能持樂觀態(tài)度,并承諾將在未來三年內增220美元資金應用于人工智能技術發(fā)展。
2018-11-12 17:28:42794

三星、美光3D-NAND Flash產出比重已逾50%

集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示,隨著下半年各家原最新64層堆棧的3D-NAND Flash產能開出,在三星及美光等領頭羊帶領下,預估第3D-NAND Flash
2018-11-16 08:45:591450

三星將采用ToF 3D面部識別技術 砍掉虹膜識別

根據(jù)韓媒報導,三星預計2019將在新的Galaxy S10及 Galaxy A系列的智能手機上采用ToF 3D面部識別技術,并極有可能砍掉虹膜識別。
2018-11-22 09:26:092163

3D NAND未來需求大好 但紫光在技術上仍存在瓶頸

,紫光將先后啟動大基地生產 3D NAND 芯片,即使合計投資金額高達 1,800 人民幣,花十目標換來比肩巨人三星、東芝的機會,紫光此舉看來大膽但卻值得!
2018-11-30 09:16:252791

3D NAND技術的轉換促進產業(yè)洗牌戰(zhàn) 三星/英特爾/東芝各有應對招數(shù)

NAND Flash產業(yè)在傳統(tǒng)的Floating Gate架構面臨瓶頸后,正式轉進3D NAND Flash時代,目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)的3D
2018-12-03 09:04:572304

三星OLED技術泄露 導致未來3銷售額損失58美元

早些時候,韓國媒體報道稱,三星的一家供應商將三星的曲面屏技術出售給中國競爭對手,而泄密的是能將曲面屏智能手機的玻璃與OLED面板貼合在一起的技術。 對此,三星公開表示,這項技術的泄露將導致該公司未來3銷售額損失58美元,利潤損失8.9美元。
2019-05-10 15:43:471920

3D NAND flash大戰(zhàn)開打 三星獨霸局面打破

記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!目前3D NAND三星電子獨家量產,但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營,如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND,而且已經送樣,三星一家獨大的情況將劃下句點。
2018-12-13 15:07:471294

三星3D相機注冊新商標 Note10或有3D TOF相機?

三星電子近日申請了Depth Vision Lens商標,據(jù)推測這或許將用于三星Galaxy Note 10 的3D ToF攝像頭。
2019-07-04 16:44:103519

西安三星電子閃存芯片項目二期正式啟動 投資達80美元

日前,西安三星電子閃存芯片項目再次取得重要突破。12月10日,該項目二期第二階段80美元投資正式啟動。
2019-12-11 10:52:547136

三星電子閃存芯片項目落戶西安 第二階段投資達80美元

從“尚未決定”到“最終落戶”,三星電子第二階段二期投資終于落戶西安。據(jù)最新消息,三星電子在西安的閃存芯片項目二期投資80美元落地。在今年5月份,三星電子曾表示,尚未決定對中國西安的第二條閃存芯片生產線進行額外投資的計劃,具體情況將取決于市場狀況。
2019-12-16 11:43:234321

三星擴大西安3D NAND工廠設施,新投資數(shù)十億美元

根據(jù)AnandTech的報道,三星計劃投資數(shù)十億美元擴大其在中國西安3D NAND生產設施。
2019-12-18 10:38:203458

三星正在研發(fā)160層及以上的3D閃存

據(jù)了解,136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝,從現(xiàn)在的單堆棧(single-stack)升級到雙堆棧(double-stack),以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776

三星為什么部署3D芯片封裝技術

三星計劃明年開始與臺積電在封裝先進芯片方面展開競爭,因而三星正在加速部署3D芯片封裝技術。
2020-09-20 12:09:163743

三星回應:目前并無在西安建 8 英寸晶圓代工廠的計劃

目前并無在西安建 8 英寸晶圓代工廠的計劃。 IT之家獲悉,三星電子的晶圓廠集中在韓國,且以 12 英寸為主,只有一座 8 英寸晶圓廠。 三星在中國也有晶圓廠,但主要生產自家的存儲芯片。公開資料顯示,三星 2012 落戶西安,2013 投資 108 美元,興建一期
2020-11-11 17:44:042286

未來3D NAND將如何發(fā)展?

NAND 應運而生,可以支持在更小的空間內容納更高的存儲容量,在需要存儲海量數(shù)據(jù)的時代有著重大價值。 依托于先進工藝的 3D NAND,氧化層越來越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來3D NAND 將如何發(fā)展?如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率? 在 2020 的閃存峰
2020-11-20 16:07:133095

未來3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率?

。 3D NAND 路線圖:三星最早入局,長江存儲跨級追趕 Choe 介紹了 2014-2023 的世界領先存儲公司的閃存路線圖,包括三星、鎧俠(原東
2020-11-20 17:15:444306

西安因疫情封鎖將導致三星工廠生產受到影響

時,西安累計陽性感染者43例,在疫情封鎖的影響下,位于西安三星工廠可能會受到一定程度上的影響。 三星西安的工廠是三星唯一的海外存儲芯片制造基地,每月加工25萬片晶圓,NAND閃存產能總量的40%都由西安的工廠提供。 去年12月,因為疫情,三星
2022-04-18 16:18:592612

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227

三星:20303D NAND將進入1000層以上

 三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃,預計在2024推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達到280層
2023-07-04 17:03:293142

三星將于2024量產超300層3D NAND芯片

 最近,三星集團援引業(yè)界有關負責人的話表示,計劃到2024批量生產300段以上的第9代3d nand。預計將采用將nand存儲器制作成個獨立的程序之后,將其一起組裝的dual stack技術。三星將于2020從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術。
2023-08-18 11:09:052015

三星西安工廠將引進236層NAND芯片生產設備

 三星決定升級西安工廠的原因大致有個。第一,在nand閃存市場尚未出現(xiàn)恢復跡象的情況下,在nand閃存市場保持世界領先地位。受從去年年底開始的it景氣低迷和半導體景氣低迷的影響,三星nand的銷量增加,從而使虧損擴大。
2023-10-16 14:36:001975

三星西安計劃將NAND工藝升級為236層 明年初更換設備

據(jù)業(yè)界2日透露,三星電子計劃對中國西安nand閃存工廠進行改造,將目前正在生產的128段(v6) nand閃存生產線擴大到236段(v8)。三星決定從明年初開始更換設備,并向業(yè)界通報了到2025分階段完成的目標。
2023-11-03 11:48:032419

三星2024將推出先進3D芯片封裝技術SAINT

三星計劃在2024先進3D芯片封裝技術SAINT(Samsung Advanced Interconnection Technology,三星高級互連技術),能以更小尺寸的封裝,將AI芯片等高性能芯片的內存和處理器集成。
2023-11-15 11:09:302499

三星將推出GDDR7產品及280層堆疊的3D QLC NAND技術

三星將在IEEE國際固態(tài)電路研討會上展示其GDDR7產品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術。
2024-02-01 10:35:311299

三星西安NAND開工率回升至70%

三星電子,全球半導體產業(yè)的領軍企業(yè),近期在其位于中國西安NAND閃存工廠實現(xiàn)了開工率的顯著回升,從去年的低谷20-30%提升至目前的70%。這一變化不僅反映了三星電子對市場趨勢的敏銳洞察和快速響應,也凸顯了中國智能手機市場回暖以及全球半導體庫存調整對產業(yè)鏈上游的積極影響。
2024-03-14 12:32:261306

美國授予三星64美元補貼 三星建廠投資規(guī)模提升至約450美元

座技術領先的邏輯芯片、一座研發(fā)中心和一個先進封裝設施,同時擴建三星原有的奧斯汀晶圓廠。建廠補貼最高可以達到64美元。 而對應的三星電子在美國半導體工廠的投資額將從170美元提高至近450美元。450美元的資金主要用于三星在德
2024-04-16 18:39:331916

三星將于今年內推出3D HBM芯片封裝服務

近日,據(jù)韓國媒體報道,全球領先的半導體制造商三星即將在今年推出其高帶寬內存(HBM)的3D封裝服務。這一重大舉措是三星在2024三星代工論壇上正式宣布的,同時也得到了業(yè)內消息人士的證實。
2024-06-19 14:35:501643

三星電子將出售中國工廠舊設備,含西安NAND閃存生產線

三星電子即將啟動一項計劃,將其位于中國西安NAND閃存工廠以及其他前端和后端工藝生產線的舊設備進行銷售。這些設備原本因美國政府的壓力而積壓,現(xiàn)預計將通過中國本土企業(yè)方進行出售,過程預計將于2025正式展開。
2024-11-06 14:00:041777

三星MLC NAND閃存面臨停產傳聞

近日,業(yè)界傳出消息稱,三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產能供給,并計劃在2024底停止在現(xiàn)貨市場銷售該類產品,而到了20256月,MLC NAND閃存可能會正式停產。這一消息引起了業(yè)界
2024-11-21 14:16:121474

三星西安NAND閃存工廠將建第九代產線

還將進一步邁出重要一步——建設第九代V-NAND(286層技術)產線。 報道指出,為了實現(xiàn)這一目標,三星西安NAND將在今年上半年引入生產第九代V-NAND所需的新設備。這些先進設備的導入,將為產線建設提供堅實的基礎,確保技術升級順利進行。 據(jù)悉,三星西安NAND的目標
2025-02-14 13:43:271089

三星在存儲領域投資217美元,DDR5蓄勢待發(fā)

(約99美元)。報道稱此次投資將會主要集中在西安二期工廠和平澤P2工廠。據(jù)悉,存儲相關設備的投資已經先行。br /nbsp;br /西安二期為NAND Flash工廠,目前已訂購的設備將在今年6-7月交付產線用于生產128層V6 3D NAND。消息稱,西安二期工廠建成后合計月
2021-01-30 06:27:003363

預期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準備沖擊1000層

電子發(fā)燒友網報道(文/黃山明)近日,鎧俠再次宣布,將在2027實現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊,而此前鎧俠計劃是在2031批量生產超1000層的3D NAND存儲器。三星也在此前表示,將在
2024-06-29 00:03:008061

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