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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>一站式的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器讓低容量快閃存儲(chǔ)器重現(xiàn)商機(jī)

一站式的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器讓低容量快閃存儲(chǔ)器重現(xiàn)商機(jī)

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2013-05-20 10:03:101770

速度是NAND千倍!新型揮發(fā)性存的儲(chǔ)已量產(chǎn)

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2015-07-30 11:38:161394

如何實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)下代阻變存儲(chǔ)器真正超越

目前,閃存芯片存儲(chǔ)技術(shù)以高存儲(chǔ)密度、低功耗、擦寫(xiě)次數(shù)等優(yōu)勢(shì)占據(jù)了揮發(fā)性存儲(chǔ)芯片的壟斷地位,但隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展,閃存芯片存儲(chǔ)技術(shù)遇到了技術(shù)瓶頸,而新存儲(chǔ)技術(shù)——阻變存儲(chǔ)器有望成為閃存芯片存儲(chǔ)技術(shù)的替代者。
2015-10-13 08:24:583387

MRAM接班主流存儲(chǔ)器指日可待

  存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中的每家廠(chǎng)商都想打造種兼具靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(SRAM)的快速、閃存儲(chǔ)的高密度以及如同唯讀存儲(chǔ)(ROM)般低成本等各種優(yōu)勢(shì)的揮發(fā)性存儲(chǔ)。如今,透過(guò)磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)(MRAM),可望解決開(kāi)發(fā)這種“萬(wàn)能”存儲(chǔ)(可取代各種存儲(chǔ))的問(wèn)題。
2016-03-09 09:14:552446

2017年英特爾逾20%的營(yíng)收增長(zhǎng)將來(lái)自揮發(fā)性存儲(chǔ)器

英特爾為提振長(zhǎng)遠(yuǎn)的營(yíng)收增長(zhǎng),現(xiàn)正鎖定非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(non-volatile memory)市場(chǎng),預(yù)期2017年該公司來(lái)自于此的營(yíng)收將增長(zhǎng)逾20%。
2017-03-03 09:46:10973

更小的非易失性存儲(chǔ)器特性分析

目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)有望成為未來(lái)幾年的參考技術(shù)。但是,閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在這種環(huán)境下,業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明種更好
2017-12-18 10:02:216033

存儲(chǔ)器 IC 分類(lèi)的糾結(jié)

存儲(chǔ)器(Volatile memory)。于是,存儲(chǔ)器從大類(lèi)來(lái)分,可以分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。后來(lái)出現(xiàn)的Flash Memory(閃存儲(chǔ),簡(jiǎn)稱(chēng)閃存),掉電后數(shù)據(jù)也不容易丟失,所以也屬于
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存儲(chǔ)器容量的理解

請(qǐng)問(wèn)存儲(chǔ)器容量有N個(gè)字節(jié),是不是就可以定義N個(gè)char型的變量
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存儲(chǔ)器映射介紹

以下均以STM32F429IGT6為例、存儲(chǔ)器映射存儲(chǔ)器本身不具有地址信息,它的地址是由芯片廠(chǎng)商或用戶(hù)分配,給存儲(chǔ)器分配地址的過(guò)程就稱(chēng)為存儲(chǔ)器映射,具體見(jiàn)圖 5-5。如果給存儲(chǔ)器再分配個(gè)地址就叫
2021-08-20 06:29:52

存儲(chǔ)器是什么?有什么作用

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2021-07-16 07:55:26

存儲(chǔ)器的分類(lèi)

存儲(chǔ)器的分類(lèi)存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù),從不同的角度對(duì)存儲(chǔ)器可以做不同的分類(lèi)。1、按存儲(chǔ)介質(zhì)分半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(又稱(chēng)易失性存儲(chǔ)器):體積小,功耗,存取時(shí)間短,電源消失的時(shí)候,所存的信息也隨之消失。磁表面存儲(chǔ)器(...
2021-07-26 08:30:22

存儲(chǔ)器重新映射(Remap)的原因

存儲(chǔ)器重新映射(Remap)的原因:◆使Flash存儲(chǔ)器中的FIQ處理程序不必考慮因?yàn)橹匦掠成渌鶎?dǎo)致的存儲(chǔ)器邊界問(wèn)題;◆用來(lái)處理代碼空間中段邊界仲裁的SRAM和Boot Block向量的使用大大減少
2018-06-10 00:47:17

ARM的存儲(chǔ)器映射與存儲(chǔ)器重映射

[table][tr][td=670][table][tr][td]arm處理本身所產(chǎn)生的地址為虛擬地址,每個(gè)arm芯片內(nèi)都有存儲(chǔ)器,而這個(gè)芯片內(nèi)的存儲(chǔ)器的地址為物理地址。我們寫(xiě)程序的目的是為了
2014-03-24 11:57:18

Flash存儲(chǔ)器的使用壽命有什么辦法延長(zhǎng)嗎?

嵌入系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展,由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫(xiě)入次數(shù)的壽命限制,因此對(duì)于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出個(gè)合理
2019-08-16 07:06:12

Flash存儲(chǔ)器的故障特征

Flash存儲(chǔ)器種基于浮柵技術(shù)的揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類(lèi)型。作為類(lèi)非易失性存儲(chǔ)器 ,Flash存儲(chǔ)器具有自己獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15

MRAM實(shí)現(xiàn)對(duì)車(chē)載MCU中嵌入存儲(chǔ)器的取代

樣具有易失性,即使切斷電源,信息也不會(huì)丟失,而且它和DRAM樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面,自旋注入MRAM的讀取1擦寫(xiě)時(shí)間都很短,均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05

RTOS的存儲(chǔ)器選擇

當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了個(gè)嵌入實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)(RTOS),操作系統(tǒng)通常都是使用易失的存儲(chǔ)器來(lái)運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊,其中包括電池供電的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)儲(chǔ)存),各種各樣的閃存以及串口EEPROM(電可擦的,可編程的只讀存儲(chǔ)器)?! ?/div>
2019-06-28 08:29:29

閃存存儲(chǔ)器啟動(dòng)

啟動(dòng)模式講完了,我們知道是主閃存存儲(chǔ)器啟動(dòng)的。主閃存存儲(chǔ)器被映射到啟動(dòng)空間(0x0000 0000),但仍然能夠在它原有的地址(0x0800 0000)訪(fǎng)問(wèn)它。 接下來(lái),再看下它的啟動(dòng)流程是怎樣
2021-08-20 07:29:53

什么是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤(pán)和光盤(pán)裝置等相比,具有數(shù)據(jù)讀寫(xiě)存儲(chǔ)密度高耗電量少耐震等特點(diǎn)。關(guān)閉電源后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱(chēng)作易失
2019-04-21 22:57:08

什么是基于閃存平臺(tái)的存儲(chǔ)管理策略?

作者:李建勛 樊曉光 禚真福來(lái)源:什么是基于閃存平臺(tái)的存儲(chǔ)管理策略?在嵌入系統(tǒng)中,由于閃存成本、容量大、易失、訪(fǎng)問(wèn)速度高和機(jī)械故障少的優(yōu)勢(shì)已逐漸成為最流行的存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。然而,閃存常見(jiàn)
2019-07-31 08:17:49

關(guān)于外存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)單介紹

?! ?、硬盤(pán)存儲(chǔ)器  信息可以長(zhǎng)期保存,可以讀寫(xiě),容量大,但是不方便攜帶?! ?、移動(dòng)存儲(chǔ)器  主要包括閃存盤(pán)(優(yōu)盤(pán))、移動(dòng)硬盤(pán)、固態(tài)硬盤(pán)(SSD)?! ?、閃存盤(pán)(優(yōu)盤(pán))  采用Flash存儲(chǔ)器閃存
2019-06-05 23:54:02

外部存儲(chǔ)器的相關(guān)資料下載

1. 嵌入的外部存儲(chǔ)器嵌入系統(tǒng)中,外部的存儲(chǔ)器般是Nand flash和Nor flash,都稱(chēng)為易失存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的物理構(gòu)成包含頁(yè)內(nèi)地址,頁(yè)(Page),塊(Block)??梢缘贸?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器
2021-12-10 08:26:49

如何實(shí)現(xiàn)嵌入ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)?

基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器直是許多嵌入設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開(kāi)發(fā)人員所采用的利器,因?yàn)檫@種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程,不需要增添任何額外的工藝步驟。那么究竟怎么樣,才能實(shí)現(xiàn)嵌入ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)呢?
2019-08-02 06:49:22

如何檢測(cè)24c存儲(chǔ)器容量?

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2023-09-25 06:48:32

嵌入存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)方法是什么?

隨著集成電路制造工藝水平的提高,半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能,為了產(chǎn)品有別于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品特性,在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯片的可靠性。隨著對(duì)嵌入存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長(zhǎng),其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加,從而需要提出種專(zhuān)用存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法。
2019-11-01 07:01:17

求助 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的區(qū)別

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別?特點(diǎn)?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶(hù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋下不同。
2011-11-29 09:50:46

汽車(chē)系統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器的選擇

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2019-07-23 06:15:10

相變存儲(chǔ)器(PCM) :新的存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)建 新的存儲(chǔ)器使用模式

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2018-05-17 09:45:35

請(qǐng)問(wèn)怎么設(shè)計(jì)種面向嵌入存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)的IIP?

怎么設(shè)計(jì)種面向嵌入存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)的IIP?如何解決設(shè)計(jì)和制造過(guò)程各個(gè)階段的良品率問(wèn)題?嵌入存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)技術(shù)的未來(lái)趨勢(shì)是什么?STAR存儲(chǔ)器系統(tǒng)的功能是什么?
2021-04-15 06:05:51

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2011-11-21 10:49:57

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NAS網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的最大存儲(chǔ)容量             最存儲(chǔ)存儲(chǔ)容量是指NAS存儲(chǔ)設(shè)備所能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)容量的極限,通俗的講,就是NA
2010-01-09 10:27:542607

單片機(jī)存儲(chǔ)器,單片機(jī)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)原理是什么?

單片機(jī)存儲(chǔ)器,單片機(jī)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)原理是什么? 存儲(chǔ)器是單片機(jī)的又個(gè)重要組成部分,圖6給出了存儲(chǔ)容量為256個(gè)單元的存儲(chǔ)器結(jié)
2010-03-11 09:15:447285

MCP存儲(chǔ)器,MCP存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)原理

MCP存儲(chǔ)器,MCP存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)原理 當(dāng)前給定的MCP的概念為:MCP是在個(gè)塑料封裝外殼內(nèi),垂直堆疊大小不同的各類(lèi)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器芯片,
2010-03-24 16:31:282499

存儲(chǔ)器卡,存儲(chǔ)器卡是什么意思

存儲(chǔ)器卡,存儲(chǔ)器卡是什么意思 存儲(chǔ)器卡(Memory Card)是種用電可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)為核心的,能多次重復(fù)使用的IC卡。沒(méi)
2010-04-01 17:44:073966

便攜存儲(chǔ)器存儲(chǔ)容量

便攜存儲(chǔ)器存儲(chǔ)容量            存儲(chǔ)容量是指該便攜存儲(chǔ)產(chǎn)品最大所能存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量,是便攜存儲(chǔ)產(chǎn)品最為關(guān)鍵的參數(shù)。
2010-01-09 14:51:31852

Farichild降壓轉(zhuǎn)換 有效為高容量SD閃存儲(chǔ)器應(yīng)用

Farichild降壓轉(zhuǎn)換 有效為高容量SD閃存儲(chǔ)器應(yīng)用供電 FAN5362提供優(yōu)化控制功能,適合低電量運(yùn)作 由于擁有
2010-09-30 11:11:201173

相變存儲(chǔ)器(PCM)與存儲(chǔ)器技術(shù)的比較

  相變存儲(chǔ)器(PCM)是新揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)。透過(guò)比較PCM與現(xiàn)有的SLC和
2010-11-11 18:09:422586

嵌入閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)技術(shù)

隨著數(shù)碼時(shí)代的來(lái)臨,除了PC外,越來(lái)越多的數(shù)碼信息產(chǎn)品正在或即將進(jìn)入我們的家庭:移動(dòng)電話(huà)、掌上電腦、數(shù)碼相機(jī)、GPS等等,這些產(chǎn)品越來(lái)越多的使用各種移動(dòng)微存儲(chǔ)器。這些存儲(chǔ)器中很大部分是閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)。
2011-01-23 09:38:034838

華虹NEC開(kāi)發(fā)出嵌入揮發(fā)性存儲(chǔ)器模塊(EEPROM/FlashIP)

上海華虹NEC電子 有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“華虹NEC”)今天宣布,基于公司成熟的0.13微米SONOS嵌入存儲(chǔ)器工藝平臺(tái),已成功地開(kāi)發(fā)出了具有超高可靠性(UHR- UltraHighReliability)的嵌入揮發(fā)性
2012-02-03 09:25:111773

基于閃存的大容量存儲(chǔ)陣列

文中研究并實(shí)現(xiàn)了種基于NAND型Flash的高速大容量固態(tài)存儲(chǔ)系統(tǒng),成果為實(shí)際研制應(yīng)用于星的基于閃存的大容量存儲(chǔ)器奠定了基礎(chǔ),具體較好的指導(dǎo)和借鑒意義。
2012-03-23 11:15:536

Wintel聯(lián)盟將推動(dòng)揮發(fā)性存儲(chǔ)器革命

NAND Flash固態(tài)硬盤(pán)(SSD)襲卷了過(guò)去10年的儲(chǔ)存技術(shù)產(chǎn)業(yè),而非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(NVM)消除了DRAM與儲(chǔ)存硬盤(pán)間的差異,勢(shì)必掀起波更大的革命。由微軟(Microsoft)與英特爾(Intel)所組成的Wintel聯(lián)盟,即將卷土重來(lái),成為這波革命背后最主要的推手。
2016-12-15 10:13:161117

種高可靠星載大容量存儲(chǔ)器的壞塊表存儲(chǔ)方案設(shè)計(jì)

種高可靠星載大容量存儲(chǔ)器的壞塊表存儲(chǔ)方案設(shè)計(jì)_李?yuàn)?/div>
2017-01-03 15:24:450

flash存儲(chǔ)器的作用_flash存儲(chǔ)器有什么用

FLASH存儲(chǔ)器又稱(chēng)閃存 ,是種長(zhǎng)壽命的易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小般為256KB到20MB。閃存
2017-10-11 14:11:3723692

flash存儲(chǔ)器的類(lèi)型

FLASH存儲(chǔ)器(也就是閃存)就 是非易失隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器(NVRAM),特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失,因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器,分為DRAM和SRAM兩大類(lèi),其中常說(shuō)的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:469157

flash存儲(chǔ)器的特點(diǎn)

FLASH存儲(chǔ)器又稱(chēng)閃存,是種長(zhǎng)壽命的易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小般為256KB到20MB。閃存是電子
2017-10-11 15:16:1716975

閃存存儲(chǔ)器是寄存嗎?_寄存存儲(chǔ)器的區(qū)別

閃存存儲(chǔ)器是寄存嗎? 很明顯不是 ,個(gè)屬于儲(chǔ)存,個(gè)是寄存。那么寄存存儲(chǔ)器有什么區(qū)別呢? 1、從范圍來(lái)看 寄存在CPU的內(nèi)部,它的訪(fǎng)問(wèn)速度,但容量?。?086微處理只有14個(gè)16位
2017-10-11 17:12:2112475

flash存儲(chǔ)器在線(xiàn)編程

高、低功耗、成本較低等特點(diǎn)。般我們都認(rèn)為Flash儲(chǔ)存器具備固有不揮發(fā)性、易更新性,可靠性好的基本特性。 從 Flash儲(chǔ)存的基本特點(diǎn)可以看出,在單片機(jī)中,可以利用F1ash存儲(chǔ)器固化程序,般情況下通過(guò)編程來(lái)究成F1ash存儲(chǔ)器工作于這種情況,叫監(jiān)控
2017-10-11 18:57:415324

flash存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)原理及次數(shù)

FLASH存儲(chǔ)器又稱(chēng)閃存,是種長(zhǎng)壽命的易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù),F(xiàn)LASH存儲(chǔ)器通常被用來(lái)保存設(shè)置信息,如在電腦的BIOS(基本輸入輸出
2017-10-13 16:34:3022518

嵌入存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方案匯總

揮發(fā)性存儲(chǔ)集成電路,其主要特點(diǎn)是工作速度、單元面積小、集成度高、可靠性好、可重復(fù)擦寫(xiě)10萬(wàn)次以上,數(shù)據(jù)可靠保持超過(guò)10年。本文為大家介紹嵌入存儲(chǔ)器基于不同存儲(chǔ)單元的設(shè)計(jì)方案。 基于SystemC的通用嵌入存儲(chǔ)器模型設(shè)計(jì) 本文提出了
2017-10-16 17:20:500

4大主流存儲(chǔ)技術(shù)對(duì)比,誰(shuí)是下世代明星

目前存儲(chǔ)依儲(chǔ)存特性,以斷電后資料是否消失可分為揮發(fā)性揮發(fā)性存儲(chǔ)揮發(fā)性存儲(chǔ)斷電后資料不能留存,成本較高但是速度,通常用于資料暫存;揮發(fā)性存儲(chǔ)存取速度較慢,但可長(zhǎng)久保存資料。
2018-06-23 08:37:008105

閃存儲(chǔ)器控制選擇技巧

現(xiàn)代閃存儲(chǔ)器控制中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步,能夠克服閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn),并幫助發(fā)揮出閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存系統(tǒng)而言,控制的選擇比閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存本身更加重要,借由選擇合適的閃存儲(chǔ)器控制進(jìn)行應(yīng)用,可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021646

手機(jī)、pc該怎樣正確選擇閃存儲(chǔ)器

閃存儲(chǔ)器控制中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步,能夠克服閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn),并幫助發(fā)揮出閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存系統(tǒng)而言,控制的選擇比閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存本身更加重要,借由選擇合適的閃存儲(chǔ)器控制進(jìn)行應(yīng)用,可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:004986

存儲(chǔ)器大廠(chǎng)宣布將推 96 層堆棧的 QLC 閃存儲(chǔ)器,性能獲重大提升

日前,東芝(TOSHIBA)、西數(shù)(WD)等存儲(chǔ)器大廠(chǎng)分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC 閃存儲(chǔ)器,核心容量可達(dá) 1.33TB,單模塊就可做到 2.66TB 容量。不過(guò)因 QLC 閃存儲(chǔ)器
2018-07-26 18:01:002759

基于虛擬扇區(qū)管理技術(shù)提高Flash存儲(chǔ)器的應(yīng)用系統(tǒng)性能

隨著嵌入系統(tǒng)的迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用,大量需要種能多次編程,容量大,讀寫(xiě)、擦除快捷、方便、簡(jiǎn)單,外圍器件少,價(jià)格低廉的揮發(fā)存儲(chǔ)器件。閃存Flash存儲(chǔ)介質(zhì)就是在這種背景需求下應(yīng)運(yùn)而生的。它是
2020-05-25 08:01:001772

使用CPLD產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)大容量FLASH存儲(chǔ)器的接口設(shè)計(jì)

FLASH存儲(chǔ)器(FLASH Memory)是非易失存儲(chǔ)器,即使在供電電源關(guān)閉后仍然能保留信 息, 可以對(duì)存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦除和再編程,并且不需要額外的編程電壓。FLASH存儲(chǔ)器具有工 作電壓低、擦寫(xiě)速度、功耗、壽命長(zhǎng)、價(jià)格低廉、控制方法靈活、體積小等優(yōu)點(diǎn)。
2019-08-09 08:00:003972

淺析各類(lèi)新興存儲(chǔ)器的差別

新興存儲(chǔ)器(emerging memory)現(xiàn)在多指的是新的揮發(fā)性存儲(chǔ)器,最主要包括相變半導(dǎo)體(Phase Change Memory;PCM)、可變電阻存儲(chǔ)器(Resistive RAM;ReRAM)以及MRAM。
2018-10-19 10:41:054935

新型的存儲(chǔ)器技術(shù)有哪些 新型存儲(chǔ)器能解決哪些問(wèn)題

盡管ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來(lái),但在這競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng),只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)的列表。然而,無(wú)論哪個(gè)技術(shù)勝出,這些新型易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會(huì)低于現(xiàn)有的嵌入 NOR 閃存和 SRAM,或是,離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3411902

閃存儲(chǔ)器和其它可編程元件的區(qū)別

閃存儲(chǔ)器的編程時(shí)間有時(shí)會(huì)很長(zhǎng)(對(duì)于大的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器組可達(dá)1分鐘)。因此,此時(shí)不容許有其它元件的逆驅(qū)動(dòng),否則閃存儲(chǔ)器可能會(huì)受到損害。
2019-09-13 12:44:001166

存儲(chǔ)器將與晶圓代工跨界經(jīng)營(yíng)全新存儲(chǔ)器

過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說(shuō)是“楚河漢界,井水不犯河水”。但在即將來(lái)臨的時(shí)代,存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的存儲(chǔ)器市場(chǎng),而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND,正逐漸走向磁阻存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:411115

嵌入存儲(chǔ)器如何來(lái)設(shè)計(jì)

獲取嵌入存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的另種方法是利用存儲(chǔ)器編譯,它能夠快捷和廉價(jià)地設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器物理模塊。
2019-10-18 11:52:161386

閃存存儲(chǔ)器你了解多少

人們需要了解閃存存儲(chǔ)器和固態(tài)硬盤(pán)(SSD)正在徹底改變當(dāng)今IT基礎(chǔ)設(shè)施的原因,因?yàn)檫@些超級(jí)快速存儲(chǔ)的設(shè)備可以支持高端應(yīng)用和高性能存儲(chǔ)層。
2019-12-05 09:38:453512

存儲(chǔ)器的發(fā)展及分支-高溫存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)的發(fā)展時(shí)間線(xiàn)對(duì)應(yīng)的產(chǎn)物: 1打卡穿孔、打孔紙帶:在之前人們沒(méi)有電子產(chǎn)品記錄的時(shí)候用的是這種記錄辦法。 2磁鼓存儲(chǔ)器、磁帶:1960年時(shí)代開(kāi)始磁帶興起,磁帶是揮發(fā)性的儲(chǔ)存媒體,由帶有可磁化覆
2020-03-16 15:10:261191

半導(dǎo)體SRAM存儲(chǔ)器綜述

最近30年,隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器也正朝著顯著的方向發(fā)展,由于DRAM具有高密度和每位低價(jià)格的優(yōu)點(diǎn),已成為了生產(chǎn)最多的用于計(jì)算機(jī)主體的易失性存儲(chǔ)器(也稱(chēng)為揮發(fā)性存儲(chǔ)器)。SRAM
2020-05-19 09:27:543009

存儲(chǔ)器和新興非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的特點(diǎn)

的網(wǎng)絡(luò)開(kāi)發(fā)和商業(yè)化,但首先讓我們看下當(dāng)前存儲(chǔ)器和新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的特點(diǎn),并了解為什么MRAM能夠立足出來(lái)。 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的比較下表1比較了各種新興的存儲(chǔ)器技術(shù)與已建立的存儲(chǔ)器(SRAM,DRAM,NOR和NAND閃
2020-06-09 13:46:161487

閃存存儲(chǔ)器為什么是最快捷的長(zhǎng)期存儲(chǔ)器?

因此“內(nèi)部取記憶體”應(yīng)運(yùn)而生,也就是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它通常以六個(gè)聯(lián)結(jié)晶狀體所構(gòu)成,不需要去更新。靜態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中最快的存儲(chǔ)器,但也是最貴的,也占用了比動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:583508

易失性MRAM存儲(chǔ)器在各級(jí)高速緩存中的應(yīng)用

磁阻隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM是種新型存儲(chǔ)器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度和集成度高及揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)中。同時(shí)易失性MRAM存儲(chǔ)器也應(yīng)用于各級(jí)高速緩存
2020-11-09 16:46:481077

未來(lái)MRAM存儲(chǔ)器將占主導(dǎo)地位并取代其它所有類(lèi)型

MRAM是磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Magneto-resistiveRandom Access Memory )的縮寫(xiě)。MRAM是揮發(fā)性電腦存儲(chǔ)器( NVRAM )技術(shù),從20世紀(jì)90年代以來(lái)
2020-11-24 14:45:22941

非易失性存儲(chǔ)器在DDR3速度下具有揮發(fā)性和高耐久性

EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM(STT-MRAM)是非易失性存儲(chǔ)器,在DDR3速度下具有揮發(fā)性和高耐久性。該設(shè)備能夠以高達(dá)1333MT /秒/引腳的速率
2021-03-19 16:23:301003

存儲(chǔ)器介紹

存儲(chǔ)器介紹(嵌入開(kāi)發(fā)英文怎么說(shuō))-存儲(chǔ)器介紹,有需要的可以參考!
2021-07-30 16:10:0218

PLC系統(tǒng)存儲(chǔ)器與用戶(hù)存儲(chǔ)器的功能

PLC系統(tǒng)存儲(chǔ)器與用戶(hù)存儲(chǔ)器的功能(嵌入開(kāi)發(fā)板有哪些功能接口)-該文檔為PLC系統(tǒng)存儲(chǔ)器與用戶(hù)存儲(chǔ)器的功能總結(jié)文檔,是份很不錯(cuò)的參考資料,具有較高參考價(jià)值,感興趣的可以下載看看………………
2021-08-04 09:47:1012

存儲(chǔ)器理解

存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡(jiǎn)單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與或門(mén),之后在此基礎(chǔ)上,形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息,例如R-S鎖存和門(mén)控D鎖存,進(jìn)而進(jìn)步組合復(fù)雜化,形成我們
2021-11-26 19:36:0437

代光盤(pán)存儲(chǔ)器是什么存儲(chǔ)器

光盤(pán)存儲(chǔ)器種采用光存儲(chǔ)技術(shù)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)器,主要聚焦激光束在盤(pán)介質(zhì)上接觸地記錄高密度信息。記錄薄層有非磁性材料和磁性材料兩種,前者構(gòu)成光盤(pán)介質(zhì),后者構(gòu)成磁光盤(pán)介質(zhì)。
2022-01-03 06:37:003334

磁盤(pán)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)容量怎么算

磁盤(pán)存儲(chǔ)器是以磁盤(pán)為存儲(chǔ)介質(zhì)的存儲(chǔ)器,它具備數(shù)據(jù)傳輸率高、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)可以長(zhǎng)期保存以及存儲(chǔ)容量大的優(yōu)點(diǎn),那么個(gè)磁盤(pán)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)容量應(yīng)該怎么去計(jì)算它的大小呢?
2022-01-29 16:37:0014444

存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)分類(lèi)介紹

根據(jù)組成元件的不同,ROM內(nèi)存可以分類(lèi)為掩模型只讀存儲(chǔ)器(MASK ROM)、可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)、可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)。
2022-01-20 14:09:215449

燦芯半導(dǎo)體為高級(jí)存儲(chǔ)器提供完整解決方案

中國(guó)上?!?022年8月5日——一站式定制芯片及IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體日前宣布推出xSPI/Hyperbus/Xcella存儲(chǔ)器閃存、PSRAM、MRAM 等)的控制和PHY解決方案,適用于客
2022-08-05 10:17:43999

STT-MRAM易失存儲(chǔ)器特點(diǎn)及應(yīng)用

STT-MRAM易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器款像SRAM樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪(fǎng)問(wèn)的工作,也可以像ROM/Flash揮發(fā)性,保留時(shí)間長(zhǎng)的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:582187

鐵電存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)和發(fā)展趨勢(shì)分析

兩種最常見(jiàn)的商業(yè)存儲(chǔ)器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快,但需要持續(xù)供電來(lái)維持其信息。閃存是非易失性的,對(duì)于長(zhǎng)期大容量存儲(chǔ)來(lái)說(shuō)足夠穩(wěn)定,但速度不是特別。鐵電存儲(chǔ)器介于兩者之間,并可能提供必要的中間步驟。
2023-01-30 16:10:044097

文了解新型存儲(chǔ)器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是種新型的揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:464760

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的介紹與分類(lèi)

何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤(pán)和光盤(pán)裝置等相比,具有 數(shù)據(jù)讀寫(xiě) 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:132304

FPGA/揮發(fā)性存儲(chǔ)器產(chǎn)品線(xiàn)收入增加 復(fù)旦微電上半年增收不增利

揮發(fā)性存儲(chǔ)器產(chǎn)品線(xiàn)實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售收入約5.88億元。2023年上半年,存儲(chǔ)市場(chǎng)處于循環(huán)低點(diǎn)時(shí)期。本公司存儲(chǔ)產(chǎn)品應(yīng)用范圍廣,以市場(chǎng)需求為導(dǎo)向,及時(shí)調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu),產(chǎn)品線(xiàn)保持較好的增長(zhǎng)勢(shì)頭。該產(chǎn)品線(xiàn)的個(gè)方面
2023-08-29 10:49:251331

為什么選擇一站式PCBA加工?PCBA一站式服務(wù)的優(yōu)勢(shì)

一站式PCBA智造廠(chǎng)家今天為大家講講PCBA一站式服務(wù)是什么?為什么選擇PCBA一站式服務(wù)。隨著科技的不斷更新和發(fā)展,越來(lái)越多的公司開(kāi)始選擇PCBA一站式服務(wù)。那么,為什么越來(lái)越多的客戶(hù)選擇PCBA
2024-01-03 08:49:031341

淺談存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)

通過(guò)多級(jí)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì),存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲(chǔ)容量和訪(fǎng)問(wèn)速度之間找到個(gè)平衡點(diǎn)。高速緩存存儲(chǔ)器和主存儲(chǔ)器提供了快速的訪(fǎng)問(wèn)速度,而輔助存儲(chǔ)器則提供了大量的存儲(chǔ)空間。
2024-02-19 13:54:421912

ram存儲(chǔ)器和rom存儲(chǔ)器的區(qū)別是什么

定義: RAM(Random Access Memory):隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是種易失性存儲(chǔ)器,主要用于計(jì)算機(jī)和其他設(shè)備的臨時(shí)存儲(chǔ)。 ROM(Read-Only Memory):只讀存儲(chǔ)器,是
2024-08-06 09:17:482549

內(nèi)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是速度快成本容量小對(duì)嗎

內(nèi)存儲(chǔ)器,通常指的是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM),是計(jì)算機(jī)硬件的重要組成部分。它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)運(yùn)行時(shí)的數(shù)據(jù)和程序,以便處理快速訪(fǎng)問(wèn)。內(nèi)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)包括速度、容量相對(duì)較小,但成本并不是
2024-10-14 10:05:472280

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