啟動(dòng)模式講完了,我們知道是主閃存存儲(chǔ)器啟動(dòng)的。主閃存存儲(chǔ)器被映射到啟動(dòng)空間(0x0000 0000),但仍然能夠在它原有的地址(0x0800 0000)訪(fǎng)問(wèn)它。 接下來(lái),再看一下它的啟動(dòng)流程是怎樣
2021-08-20 07:29:53
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤(pán)和光盤(pán)裝置等相比,具有數(shù)據(jù)讀寫(xiě)快存儲(chǔ)密度高耗電量少耐震等特點(diǎn)。關(guān)閉電源后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱(chēng)作易失
2019-04-21 22:57:08
作者:李建勛 樊曉光 禚真福來(lái)源:什么是基于閃存平臺(tái)的存儲(chǔ)管理策略?在嵌入式系統(tǒng)中,由于閃存成本低、容量大、非易失、訪(fǎng)問(wèn)速度高和機(jī)械故障少的優(yōu)勢(shì)已逐漸成為最流行的存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。然而,閃存常見(jiàn)
2019-07-31 08:17:49
?! ?、硬盤(pán)存儲(chǔ)器 信息可以長(zhǎng)期保存,可以讀寫(xiě),容量大,但是不方便攜帶?! ?、移動(dòng)存儲(chǔ)器 主要包括閃存盤(pán)(優(yōu)盤(pán))、移動(dòng)硬盤(pán)、固態(tài)硬盤(pán)(SSD)?! ?、閃存盤(pán)(優(yōu)盤(pán)) 采用Flash存儲(chǔ)器(閃存
2019-06-05 23:54:02
1. 嵌入式的外部存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)中,外部的存儲(chǔ)器一般是Nand flash和Nor flash,都稱(chēng)為非易失存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的物理構(gòu)成包含頁(yè)內(nèi)地址,頁(yè)(Page),塊(Block)??梢缘贸?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器
2021-12-10 08:26:49
基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開(kāi)發(fā)人員所采用的利器,因?yàn)檫@種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程,不需要增添任何額外的工藝步驟。那么究竟怎么樣,才能實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)呢?
2019-08-02 06:49:22
隨著集成電路制造工藝水平的提高,半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能,為了讓產(chǎn)品有別于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品特性,在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯片的可靠性。隨著對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長(zhǎng),其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加,從而需要提出一種專(zhuān)用存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法。
2019-11-01 07:01:17
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別?特點(diǎn)?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶(hù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
、NAND 閃存、EEPROM(可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器)、FRAM(鐵電存儲(chǔ)器),MRAM(磁性 RAM)和 NVSRAM(非易失性靜態(tài)存儲(chǔ)器)等。每種類(lèi)型存儲(chǔ)器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì):存儲(chǔ)器
2019-07-23 06:15:10
方便移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用.存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)必須支持增長(zhǎng)的帶寬需求及更少的功耗.非易失性固態(tài)存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)的NOR閃存相比,被證實(shí)可以減少功耗。存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)是嵌入式設(shè)計(jì)者面臨的主要挑戰(zhàn).存儲(chǔ)器參數(shù)
2018-05-17 09:45:35
怎么設(shè)計(jì)一種面向嵌入式存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)的IIP?如何解決設(shè)計(jì)和制造過(guò)程各個(gè)階段的良品率問(wèn)題?嵌入式存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)技術(shù)的未來(lái)趨勢(shì)是什么?STAR存儲(chǔ)器系統(tǒng)的功能是什么?
2021-04-15 06:05:51
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術(shù)一樣,是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類(lèi)存儲(chǔ)類(lèi)型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類(lèi)型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術(shù)一樣,是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類(lèi)存儲(chǔ)類(lèi)型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類(lèi)型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
的寫(xiě)入次數(shù)、并為開(kāi)發(fā)人員提供了一個(gè)全新的靈活度(允許其通過(guò)軟件變更來(lái)完成數(shù)據(jù)內(nèi)存與程序內(nèi)存的分區(qū))。鐵電存儲(chǔ)器相比SRAM、FLASH和EEPROM優(yōu)點(diǎn)多多:非易失性,寫(xiě)入速度快,無(wú)限次寫(xiě)入,最關(guān)鍵是
2021-11-10 08:28:08
存儲(chǔ)器的分類(lèi)及原理,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,只讀存儲(chǔ)器,其他存儲(chǔ)器和技術(shù).
2008-08-17 22:29:43
20 水產(chǎn)魚(yú)蝦揮發(fā)性鹽基氮速測(cè)儀深圳市芬析儀器制造有限公司生產(chǎn)的CSY-DS803水產(chǎn)魚(yú)蝦揮發(fā)性鹽基氮速測(cè)儀可快速檢測(cè)肉類(lèi)、肉制品、魚(yú)類(lèi)等樣品中揮發(fā)性鹽基氮含量檢測(cè)下限:20mg/kg線(xiàn)性范圍
2022-05-17 19:37:29
本文設(shè)計(jì)了一種基于0.13 微米CMOS 工藝的FPGA 芯片中的嵌入式存儲(chǔ)器模塊。該容量為18Kb 的同步雙端口存儲(chǔ)模塊,可以配置成為只讀存儲(chǔ)器或靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,每個(gè)端口有6 種數(shù)據(jù)寬
2009-12-19 16:19:50
24 文章中簡(jiǎn)要介紹了嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展歷程,詳細(xì)地介紹了基于標(biāo)準(zhǔn)工藝上嵌入式存儲(chǔ)器的技術(shù)關(guān)鍵詞:IP SOC 存儲(chǔ)器 eDRAM OTP MTP 嵌入式閃存 1T-SRAM2T-SRAMAbstract: Paper reviews h
2009-12-21 10:38:17
32 摘要:磁電存儲(chǔ)器不僅存取速度快、功耗小,而且集動(dòng)態(tài)RAM、磁盤(pán)存儲(chǔ)和高速緩沖存儲(chǔ)器功能于一身,因而已成為動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器研究領(lǐng)域的一個(gè)熱點(diǎn)。文章總結(jié)了磁電
2006-03-24 13:01:37
2315 
旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲(chǔ)器
全球最大的序列式快閃存儲(chǔ)器(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司宣布,領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01
892 非接觸式存儲(chǔ)器IC
意法半導(dǎo)體推出一款全新2-Kbit非接觸式門(mén)票IC SRi2K。新IC有助于服務(wù)提供商對(duì)各種服務(wù)的通行門(mén)禁進(jìn)行高效管理,為提高電子票務(wù)的應(yīng)用靈活性、使用
2009-11-21 08:37:02
637 相變存儲(chǔ)器:能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器
從下面的幾個(gè)重要特性看,相變存儲(chǔ)器(PCM)技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求:
容量
2009-12-31 10:09:30
1360 NAS網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的最大存儲(chǔ)容量 最存儲(chǔ)大存儲(chǔ)容量是指NAS存儲(chǔ)設(shè)備所能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)容量的極限,通俗的講,就是NA
2010-01-09 10:27:54
2607 單片機(jī)存儲(chǔ)器,單片機(jī)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)原理是什么?
存儲(chǔ)器是單片機(jī)的又一個(gè)重要組成部分,圖6給出了一種存儲(chǔ)容量為256個(gè)單元的存儲(chǔ)器結(jié)
2010-03-11 09:15:44
7285 
MCP存儲(chǔ)器,MCP存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)原理
當(dāng)前給定的MCP的概念為:MCP是在一個(gè)塑料封裝外殼內(nèi),垂直堆疊大小不同的各類(lèi)存儲(chǔ)器或非存儲(chǔ)器芯片,
2010-03-24 16:31:28
2499 存儲(chǔ)器卡,存儲(chǔ)器卡是什么意思
存儲(chǔ)器卡(Memory Card)是一種用電可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)為核心的,能多次重復(fù)使用的IC卡。沒(méi)
2010-04-01 17:44:07
3966 便攜存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量 存儲(chǔ)容量是指該便攜存儲(chǔ)產(chǎn)品最大所能存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量,是便攜存儲(chǔ)產(chǎn)品最為關(guān)鍵的參數(shù)。一
2010-01-09 14:51:31
852 Farichild降壓轉(zhuǎn)換器 有效為高容量SD快閃存儲(chǔ)器應(yīng)用供電
FAN5362提供優(yōu)化控制功能,適合低電量運(yùn)作
由于擁有
2010-09-30 11:11:20
1173 相變存儲(chǔ)器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)。透過(guò)比較PCM與現(xiàn)有的SLC和
2010-11-11 18:09:42
2586 隨著數(shù)碼時(shí)代的來(lái)臨,除了PC外,越來(lái)越多的數(shù)碼信息產(chǎn)品正在或即將進(jìn)入我們的家庭:移動(dòng)電話(huà)、掌上電腦、數(shù)碼相機(jī)、GPS等等,這些產(chǎn)品越來(lái)越多的使用各種移動(dòng)微存儲(chǔ)器。這些存儲(chǔ)器中很大部分是快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)。
2011-01-23 09:38:03
4838 
上海華虹NEC電子 有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“華虹NEC”)今天宣布,基于公司成熟的0.13微米SONOS嵌入式存儲(chǔ)器工藝平臺(tái),已成功地開(kāi)發(fā)出了具有超高可靠性(UHR- UltraHighReliability)的嵌入式非揮發(fā)性
2012-02-03 09:25:11
1773 文中研究并實(shí)現(xiàn)了一種基于NAND型Flash的高速大容量固態(tài)存儲(chǔ)系統(tǒng),成果為實(shí)際研制應(yīng)用于星的基于閃存的大容量存儲(chǔ)器奠定了基礎(chǔ),具體較好的指導(dǎo)和借鑒意義。
2012-03-23 11:15:53
6 NAND Flash固態(tài)硬盤(pán)(SSD)襲卷了過(guò)去10年的儲(chǔ)存技術(shù)產(chǎn)業(yè),而非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(NVM)消除了DRAM與儲(chǔ)存硬盤(pán)間的差異,勢(shì)必掀起一波更大的革命。由微軟(Microsoft)與英特爾(Intel)所組成的Wintel聯(lián)盟,即將卷土重來(lái),成為這波革命背后最主要的推手。
2016-12-15 10:13:16
1117 一種高可靠星載大
容量存儲(chǔ)器的壞塊表
存儲(chǔ)方案設(shè)計(jì)_李?yuàn)?/div>
2017-01-03 15:24:45
0 FLASH存儲(chǔ)器又稱(chēng)閃存 ,是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存
2017-10-11 14:11:37
23692 FLASH存儲(chǔ)器(也就是閃存)就 是非易失隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器(NVRAM),特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失,因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器,分為DRAM和SRAM兩大類(lèi),其中常說(shuō)的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:46
9157 FLASH存儲(chǔ)器又稱(chēng)閃存,是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子
2017-10-11 15:16:17
16975 閃存存儲(chǔ)器是寄存器嗎? 很明顯不是 ,一個(gè)屬于儲(chǔ)存器,一個(gè)是寄存器。那么寄存器和存儲(chǔ)器有什么區(qū)別呢? 1、從范圍來(lái)看 寄存器在CPU的內(nèi)部,它的訪(fǎng)問(wèn)速度快,但容量?。?086微處理器只有14個(gè)16位
2017-10-11 17:12:21
12475 高、低功耗、成本較低等特點(diǎn)。一般我們都認(rèn)為Flash儲(chǔ)存器具備固有不揮發(fā)性、易更新性,可靠性好的基本特性。 從 Flash儲(chǔ)存器的基本特點(diǎn)可以看出,在單片機(jī)中,可以利用F1ash存儲(chǔ)器固化程序,一般情況下通過(guò)編程器來(lái)究成F1ash存儲(chǔ)器工作于這種情況,叫監(jiān)控
2017-10-11 18:57:41
5324 
FLASH存儲(chǔ)器又稱(chēng)閃存,是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù),F(xiàn)LASH存儲(chǔ)器通常被用來(lái)保存設(shè)置信息,如在電腦的BIOS(基本輸入輸出
2017-10-13 16:34:30
22518 的非揮發(fā)性存儲(chǔ)集成電路,其主要特點(diǎn)是工作速度快、單元面積小、集成度高、可靠性好、可重復(fù)擦寫(xiě)10萬(wàn)次以上,數(shù)據(jù)可靠保持超過(guò)10年。本文為大家介紹嵌入式存儲(chǔ)器基于不同存儲(chǔ)單元的設(shè)計(jì)方案。 基于SystemC的通用嵌入式存儲(chǔ)器模型設(shè)計(jì) 本文提出了
2017-10-16 17:20:50
0 目前存儲(chǔ)依儲(chǔ)存特性,以斷電后資料是否消失可分為揮發(fā)性和非揮發(fā)性存儲(chǔ),揮發(fā)性存儲(chǔ)斷電后資料不能留存,成本較高但是速度快,通常用于資料暫存;非揮發(fā)性存儲(chǔ)存取速度較慢,但可長(zhǎng)久保存資料。
2018-06-23 08:37:00
8105 現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步,能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn),并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言,控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要,借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用,可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:02
1646 代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步,能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn),并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言,控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要,借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用,可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:00
4986 日前,東芝(TOSHIBA)、西數(shù)(WD)等存儲(chǔ)器大廠(chǎng)分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲(chǔ)器,核心容量可達(dá) 1.33TB,單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過(guò)因 QLC 快閃存儲(chǔ)器
2018-07-26 18:01:00
2759 隨著嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用,大量需要一種能多次編程,容量大,讀寫(xiě)、擦除快捷、方便、簡(jiǎn)單,外圍器件少,價(jià)格低廉的非易揮發(fā)存儲(chǔ)器件。閃存Flash存儲(chǔ)介質(zhì)就是在這種背景需求下應(yīng)運(yùn)而生的。它是一
2020-05-25 08:01:00
1772 
FLASH存儲(chǔ)器(FLASH Memory)是非易失存儲(chǔ)器,即使在供電電源關(guān)閉后仍然能保留信 息, 可以對(duì)存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦除和再編程,并且不需要額外的編程電壓。FLASH存儲(chǔ)器具有工 作電壓低、擦寫(xiě)速度快、功耗低、壽命長(zhǎng)、價(jià)格低廉、控制方法靈活、體積小等優(yōu)點(diǎn)。
2019-08-09 08:00:00
3972 
新興存儲(chǔ)器(emerging memory)現(xiàn)在多指的是新的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器,最主要包括相變半導(dǎo)體(Phase Change Memory;PCM)、可變電阻式存儲(chǔ)器(Resistive RAM;ReRAM)以及MRAM。
2018-10-19 10:41:05
4935 盡管ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來(lái),但在這競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng),只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)的列表。然而,無(wú)論哪一個(gè)技術(shù)勝出,這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會(huì)低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM,或是,離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:34
11902 
快閃存儲(chǔ)器的編程時(shí)間有時(shí)會(huì)很長(zhǎng)(對(duì)于大的存儲(chǔ)器或存儲(chǔ)器組可達(dá)1分鐘)。因此,此時(shí)不容許有其它元件的逆驅(qū)動(dòng),否則快閃存儲(chǔ)器可能會(huì)受到損害。
2019-09-13 12:44:00
1166 過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說(shuō)是“楚河漢界,井水不犯河水”。但在即將來(lái)臨的時(shí)代,存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng),而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND,正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:41
1115 獲取嵌入式存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的另一種方法是利用存儲(chǔ)器編譯器,它能夠快捷和廉價(jià)地設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器物理模塊。
2019-10-18 11:52:16
1386 
人們需要了解閃存存儲(chǔ)器和固態(tài)硬盤(pán)(SSD)正在徹底改變當(dāng)今IT基礎(chǔ)設(shè)施的原因,因?yàn)檫@些超級(jí)快速存儲(chǔ)的設(shè)備可以支持高端應(yīng)用和高性能存儲(chǔ)層。
2019-12-05 09:38:45
3512 存儲(chǔ)的發(fā)展時(shí)間線(xiàn)對(duì)應(yīng)的產(chǎn)物: 1打卡穿孔、打孔紙帶:在之前人們沒(méi)有電子產(chǎn)品記錄的時(shí)候用的是這種記錄辦法。 2磁鼓存儲(chǔ)器、磁帶:1960年時(shí)代開(kāi)始磁帶興起,磁帶是一種非揮發(fā)性的儲(chǔ)存媒體,由帶有可磁化覆
2020-03-16 15:10:26
1191 最近30年,隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器也正朝著顯著的方向發(fā)展,由于DRAM具有高密度和每位低價(jià)格的優(yōu)點(diǎn),已成為了生產(chǎn)最多的用于計(jì)算機(jī)主體的易失性存儲(chǔ)器(也稱(chēng)為揮發(fā)性存儲(chǔ)器)。SRAM
2020-05-19 09:27:54
3009 的網(wǎng)絡(luò)開(kāi)發(fā)和商業(yè)化,但首先讓我們看一下當(dāng)前存儲(chǔ)器和新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的特點(diǎn),并了解為什么MRAM能夠立足出來(lái)。 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的比較下表1比較了各種新興的非存儲(chǔ)器技術(shù)與已建立的存儲(chǔ)器(SRAM,DRAM,NOR和NAND閃
2020-06-09 13:46:16
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因此“內(nèi)部快取記憶體”應(yīng)運(yùn)而生,也就是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它通常以六個(gè)聯(lián)結(jié)晶狀體所構(gòu)成,不需要去更新。靜態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中最快的存儲(chǔ)器,但也是最貴的,也占用了比動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:58
3508 磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM是一種新型存儲(chǔ)器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)中。同時(shí)非易失性MRAM存儲(chǔ)器也應(yīng)用于各級(jí)高速緩存
2020-11-09 16:46:48
1077 MRAM是磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Magneto-resistiveRandom Access Memory )的縮寫(xiě)。MRAM是一種非揮發(fā)性電腦存儲(chǔ)器( NVRAM )技術(shù),從20世紀(jì)90年代以來(lái)
2020-11-24 14:45:22
941 EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM(STT-MRAM)是非易失性存儲(chǔ)器,在DDR3速度下具有非揮發(fā)性和高耐久性。該設(shè)備能夠以高達(dá)1333MT /秒/引腳的速率
2021-03-19 16:23:30
1003 存儲(chǔ)器介紹(嵌入式開(kāi)發(fā)英文怎么說(shuō))-存儲(chǔ)器介紹,有需要的可以參考!
2021-07-30 16:10:02
18 PLC系統(tǒng)存儲(chǔ)器與用戶(hù)存儲(chǔ)器的功能(嵌入式開(kāi)發(fā)板有哪些功能接口)-該文檔為PLC系統(tǒng)存儲(chǔ)器與用戶(hù)存儲(chǔ)器的功能總結(jié)文檔,是一份很不錯(cuò)的參考資料,具有較高參考價(jià)值,感興趣的可以下載看看………………
2021-08-04 09:47:10
12 存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡(jiǎn)單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門(mén),之后在此基礎(chǔ)上,形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息,例如R-S鎖存器和門(mén)控D鎖存器,進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化,形成我們
2021-11-26 19:36:04
37 光盤(pán)存儲(chǔ)器是一種采用光存儲(chǔ)技術(shù)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)器,主要聚焦激光束在盤(pán)式介質(zhì)上非接觸地記錄高密度信息。記錄薄層有非磁性材料和磁性材料兩種,前者構(gòu)成光盤(pán)介質(zhì),后者構(gòu)成磁光盤(pán)介質(zhì)。
2022-01-03 06:37:00
3334 磁盤(pán)存儲(chǔ)器是以磁盤(pán)為存儲(chǔ)介質(zhì)的存儲(chǔ)器,它具備數(shù)據(jù)傳輸率高、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)可以長(zhǎng)期保存以及存儲(chǔ)容量大的優(yōu)點(diǎn),那么一個(gè)磁盤(pán)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量應(yīng)該怎么去計(jì)算它的大小呢?
2022-01-29 16:37:00
14444 根據(jù)組成元件的不同,ROM內(nèi)存可以分類(lèi)為掩模型只讀存儲(chǔ)器(MASK ROM)、可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)、可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)。
2022-01-20 14:09:21
5449 中國(guó)上?!?022年8月5日——一站式定制芯片及IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體日前宣布推出xSPI/Hyperbus/Xcella存儲(chǔ)器(閃存、PSRAM、MRAM 等)的控制器和PHY解決方案,適用于客
2022-08-05 10:17:43
999 STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪(fǎng)問(wèn)的工作,也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性,保留時(shí)間長(zhǎng)的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:58
2187 兩種最常見(jiàn)的商業(yè)存儲(chǔ)器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快,但需要持續(xù)供電來(lái)維持其信息。閃存是非易失性的,對(duì)于長(zhǎng)期大容量存儲(chǔ)來(lái)說(shuō)足夠穩(wěn)定,但速度不是特別快。鐵電存儲(chǔ)器介于兩者之間,并可能提供必要的中間步驟。
2023-01-30 16:10:04
4097 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:46
4760 何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤(pán)和光盤(pán)裝置等相比,具有 數(shù)據(jù)讀寫(xiě)快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:13
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非揮發(fā)性存儲(chǔ)器產(chǎn)品線(xiàn)實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售收入約5.88億元。2023年上半年,存儲(chǔ)市場(chǎng)處于循環(huán)低點(diǎn)時(shí)期。本公司存儲(chǔ)產(chǎn)品應(yīng)用范圍廣,以市場(chǎng)需求為導(dǎo)向,及時(shí)調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu),產(chǎn)品線(xiàn)保持較好的增長(zhǎng)勢(shì)頭。該產(chǎn)品線(xiàn)的一個(gè)方面
2023-08-29 10:49:25
1331 一站式PCBA智造廠(chǎng)家今天為大家講講PCBA一站式服務(wù)是什么?為什么選擇PCBA一站式服務(wù)。隨著科技的不斷更新和發(fā)展,越來(lái)越多的公司開(kāi)始選擇PCBA一站式服務(wù)。那么,為什么越來(lái)越多的客戶(hù)選擇PCBA
2024-01-03 08:49:03
1341 通過(guò)多級(jí)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì),存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲(chǔ)容量和訪(fǎng)問(wèn)速度之間找到一個(gè)平衡點(diǎn)。高速緩存存儲(chǔ)器和主存儲(chǔ)器提供了快速的訪(fǎng)問(wèn)速度,而輔助存儲(chǔ)器則提供了大量的存儲(chǔ)空間。
2024-02-19 13:54:42
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定義: RAM(Random Access Memory):隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是一種易失性存儲(chǔ)器,主要用于計(jì)算機(jī)和其他設(shè)備的臨時(shí)存儲(chǔ)。 ROM(Read-Only Memory):只讀存儲(chǔ)器,是一
2024-08-06 09:17:48
2549 內(nèi)存儲(chǔ)器,通常指的是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM),是計(jì)算機(jī)硬件的重要組成部分。它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)運(yùn)行時(shí)的數(shù)據(jù)和程序,以便處理器快速訪(fǎng)問(wèn)。內(nèi)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)包括速度快、容量相對(duì)較小,但成本并不是
2024-10-14 10:05:47
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評(píng)論