過(guò)程中一般會(huì)怎么處理這種DDRx問(wèn)題。
某客戶(hù)在調(diào)試過(guò)程中發(fā)現(xiàn)他們的DDR3只能在低頻下單片正常工作，多片沒(méi)法同時(shí)正常運(yùn)行，調(diào)試了好久也沒(méi)有找到問(wèn)題在哪里，最后來(lái)求助我們，希望我們查一下PCB設(shè)計(jì)，或者
2026-01-05 15:46:16
的 10000 小時(shí)耐久性，這意味著它可以在惡劣的環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作。而且，它的 ESR 比同類(lèi)產(chǎn)品低 70% 以上，紋波電流高 100%，這使得它非常適合用于需要高
2025-12-12 17:44:25
可靠性是測(cè)量或方法的一致性?？煽?b class="flag-6" style="color: red">性對(duì)我們行業(yè)的重要性再怎么強(qiáng)調(diào)也不為過(guò)。然而，一個(gè)必要的、可以帶來(lái)可靠性階躍式提升的概念討論得較少：即我們 Wolfspeed 所強(qiáng)調(diào)的"耐久性"
2025-12-09 14:03:58
3293 
在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器扮演著數(shù)據(jù)臨時(shí)存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品，更憑借其高效傳輸機(jī)制，廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及各類(lèi)嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44293 在嵌入式系統(tǒng)與智能設(shè)備中，小容量、可重復(fù)擦寫(xiě)的非易失性存儲(chǔ)器始終扮演著關(guān)鍵角色。芯伯樂(lè)24Cxx系列串行EEPROM憑借其標(biāo)準(zhǔn)化的接口、穩(wěn)定的性能與極低的功耗，成為存儲(chǔ)配置參數(shù)、用戶(hù)設(shè)置、運(yùn)行日志等
2025-11-28 18:32:58317 
CP測(cè)試采用華虹128 通道同測(cè)技術(shù)
04取得嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案廠商Cypress 90nm SONOS工藝技術(shù) License 授權(quán)
05多種小型化的封裝類(lèi)型等行業(yè)中，其中 WLCSP封裝面積僅為 665umx676um泛用于消費(fèi)、工業(yè)、通訊、醫(yī)療
2025-11-28 06:43:14
在各類(lèi)存儲(chǔ)設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì)，在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44275 電解液大多具有強(qiáng)腐蝕性、高導(dǎo)電性，部分還存在揮發(fā)性強(qiáng)、對(duì)潔凈度要求高的特點(diǎn)，這使得液位傳感器選型需重點(diǎn)攻克
防腐蝕、防污染、適配工況精度三大核心難題。選型時(shí)需先明確電解液特性與使用場(chǎng)景，再?gòu)膫鞲?b class="flag-6" style="color: red">器類(lèi)型、材質(zhì)、防護(hù)性能等維度篩選，以下是詳細(xì)的選型指南：
2025-11-24 15:17:39871 在嵌入式存儲(chǔ)應(yīng)用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)的代表，Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車(chē)電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41146 在需要高速數(shù)據(jù)讀寫(xiě)與高可靠性的現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)往往面臨寫(xiě)入速度慢、耐久性有限等挑戰(zhàn)。Everspin公司推出的MR25H256系列MRAM芯片，以其獨(dú)特的磁阻存儲(chǔ)技術(shù)，為工業(yè)控制、汽車(chē)
2025-11-13 11:23:46210 片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成：主FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。
●● 主 FLASH 存儲(chǔ)器，共 64KB，地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-11-12 07:34:35
下面是HummingBird EV Kit給的版圖，其中DDR3_D0對(duì)應(yīng)的應(yīng)該是板子上的FPGA的C2引腳：?
不過(guò)我在配置MIG的時(shí)候，通過(guò)讀入ucf文件的方式配置DDR3 SDRAM的引腳
2025-11-06 07:57:09
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設(shè)計(jì)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-11-05 17:04:01
4 由于FPGA內(nèi)部存儲(chǔ)資源有限，很多時(shí)候不能滿(mǎn)足需求，因此可以利用DDR對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行存儲(chǔ)擴(kuò)展。由于DDR3內(nèi)部控制十分復(fù)雜，因此可以基于AXI總線，利用Vivado提供的MIG IP對(duì)DDR3進(jìn)行控制
2025-10-29 07:16:34
文件夾內(nèi)，打開(kāi)文件夾。閱讀readme說(shuō)明文檔，我們能夠知道，原作者采用了vivado MIG IP來(lái)控制開(kāi)發(fā)板上的DDR3，由于芯來(lái)科技的E203平臺(tái)系統(tǒng)片內(nèi)總線是icb總線，所以我們需要做跨時(shí)鐘域
2025-10-28 07:25:32
DDR使用
在我們的項(xiàng)目中，我們使用的是芯來(lái)科技的DDR200T開(kāi)發(fā)板，我們通過(guò)調(diào)用板上的DDR3 IP核完成如下表的配置，配置完成后例化該DDR3，然后利用DMA和VDMA作為數(shù)據(jù)的緩沖模塊，將
2025-10-28 07:24:01
非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，如NAND、NOR Flash，數(shù)據(jù)在掉電后不會(huì)丟失。這類(lèi)存儲(chǔ)器通常速度比較慢，可以做資料和大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2025-10-27 15:14:39310 在需要高速數(shù)據(jù)寫(xiě)入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹(shù)立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)器，以高達(dá)35
2025-10-24 16:36:03532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來(lái)存儲(chǔ)信息的非易失性存儲(chǔ)器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫(xiě)特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時(shí)具備無(wú)限次擦寫(xiě)、無(wú)磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實(shí)現(xiàn)了高速、可靠與長(zhǎng)壽命的統(tǒng)一，是存儲(chǔ)技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44411 下載程序，需要修改鏈接文件）
該擴(kuò)展方案支持程序的下載方式兩種：
（1）ILM下載方式，程序先下載到ITCM中，溢出的部分則下載到DDR3里頭。
在鏈接文件gcc_hbirdv2_ilm.ld中ITCM
2025-10-23 06:16:44
DDR控制協(xié)議
DDR3讀寫(xiě)控制器主要用于生成片外存儲(chǔ)器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫(xiě)操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對(duì)片外存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)訪問(wèn)。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲(chǔ)資源
2025-10-21 14:30:16
由于e203內(nèi)部DTCM空間較小，所以本隊(duì)針對(duì)DDR200T開(kāi)發(fā)板進(jìn)行針對(duì)e203的DDR3存儲(chǔ)器擴(kuò)展。
論壇中所給出的e203擴(kuò)展DDR的方法大致分為兩種，一種是直接將DDR存儲(chǔ)器的接口使用ICB
2025-10-21 12:43:40
蜂鳥(niǎo)DDR200T中DDR3的ip配置案列，提供DDR3引腳配置。具體參數(shù)可更具項(xiàng)目實(shí)際更改。
這里選用的axi接口
在賽靈思的IP配置中沒(méi)有MT41K28M6JT-125K內(nèi)存的信息，因此選用
2025-10-21 11:19:08
DDR3讀寫(xiě)控制器主要用于生成片外存儲(chǔ)器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫(xiě)操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對(duì)片外存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)訪問(wèn)。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲(chǔ)資源難以實(shí)現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 10:40:28
一次性可編程（OTP）非易失性存儲(chǔ)器問(wèn)世已久。與其他非易失性存儲(chǔ)技術(shù)相比，OTP的占用面積更小，且無(wú)需額外的制造工序，因此成為存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門(mén)選擇。盡管聽(tīng)起來(lái)簡(jiǎn)單，但隨著人工智能（AI）的大規(guī)模部署和對(duì)更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增長(zhǎng)，平衡OTP的各項(xiàng)需求變得極具挑戰(zhàn)性。
2025-10-21 10:38:111440 
DDR3讀寫(xiě)控制器主要用于生成片外存儲(chǔ)器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫(xiě)操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對(duì)片外存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)訪問(wèn)。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲(chǔ)資源難以實(shí)現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 08:43:39
汽車(chē)物理接口的堅(jiān)固性與耐久性評(píng)估是一個(gè)多學(xué)科、系統(tǒng)化的工程。它融合了機(jī)械工程、材料科學(xué)和電氣工程的知識(shí)，通過(guò)一系列嚴(yán)苛的、可重復(fù)的測(cè)試，模擬車(chē)輛在整個(gè)生命周期內(nèi)可能遇到的最?lèi)毫庸r。
2025-09-27 08:00:004146 
富士通256Kbit FRAM MB85RS256BPNF-G-JNERE1為L(zhǎng)ED顯示系統(tǒng)提供高速、高耐久性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方案，支持納秒級(jí)寫(xiě)入與10^12次擦寫(xiě)，解決傳統(tǒng)存儲(chǔ)器延遲高、壽命短問(wèn)題，適用于智能交通、戶(hù)外廣告等嚴(yán)苛環(huán)境，顯著提升系統(tǒng)響應(yīng)與可靠性。
2025-09-11 09:45:00480 
該TPS7H3302支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應(yīng)用。TPS7H3302 VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應(yīng)允許在讀/寫(xiě)條件下提供非常穩(wěn)定的電源
2025-09-09 13:48:37756 
一次只能啟用一個(gè)驅(qū)動(dòng)器。
LED 驅(qū)動(dòng)器輸出電流設(shè)置可以存儲(chǔ)到集成的非易失性存儲(chǔ)器中，允許獨(dú)立運(yùn)行，無(wú)需 I^2^C 接口。非易失性存儲(chǔ)器是可重寫(xiě)的，因此可以根據(jù)需要更改當(dāng)前設(shè)置。
2025-09-01 11:31:57787 
的合作伙伴。在汽車(chē)電子不斷升級(jí)的背景下，存儲(chǔ)產(chǎn)品的性能與穩(wěn)定性成為車(chē)企和Tier1供應(yīng)商的核心關(guān)注點(diǎn)。貞光科技作為紫光國(guó)芯產(chǎn)品的專(zhuān)業(yè)代理商，專(zhuān)注于為客戶(hù)提供DDR3、L
2025-08-26 16:12:151426 
智能座椅動(dòng)態(tài)壓力分布與疲勞耐久性綜合測(cè)試技術(shù)是推動(dòng)智能座椅行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。通過(guò)對(duì)座椅舒適性和耐久性的精準(zhǔn)把控，為座椅的設(shè)計(jì)優(yōu)化、材料選擇和質(zhì)量提升提供了堅(jiān)實(shí)的數(shù)據(jù)支持，為用戶(hù)帶來(lái)更加舒適、健康
2025-08-21 09:19:571004 
在智能座艙的安全矩陣中，座椅骨架是連接駕乘者與車(chē)輛的核心紐帶。智能座艙座椅骨架承重物理測(cè)試（極限載荷下結(jié)構(gòu)變形量與耐久性驗(yàn)證），正以科學(xué)量化的方式，為這一紐帶劃定不可逾越的安全紅線。
2025-08-13 09:15:361648 
超浸潤(rùn)表面因在液滴運(yùn)輸、防污染等領(lǐng)域的巨大潛力成為研究熱點(diǎn)，不銹鋼作為常用工程材料，其表面潤(rùn)濕性調(diào)控對(duì)拓展應(yīng)用至關(guān)重要。納秒激光技術(shù)為不銹鋼表面超浸潤(rùn)改性提供了有效途徑，而機(jī)械耐久性是其實(shí)
2025-08-12 18:03:13564 
隨著全球二氧化碳減排的推進(jìn)，可再生能源，尤其是太陽(yáng)能發(fā)電的重要性日益凸顯。光伏逆變器又稱(chēng)功率調(diào)節(jié)器可將太陽(yáng)能板產(chǎn)生的電壓轉(zhuǎn)換成正確的電流及電壓波形并入電網(wǎng)。由于需要連接到電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施，因此對(duì)可靠性、易維護(hù)性和使用壽命有所要求，F(xiàn)eRAM(鐵電體存儲(chǔ)器)的優(yōu)異特性得以發(fā)揮。
2025-08-08 14:41:061506 
DDR3 作為第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，在內(nèi)存發(fā)展歷程中具有重要地位。它采用了8n預(yù)取架構(gòu)，即每個(gè)時(shí)鐘周期能夠傳輸8倍于數(shù)據(jù)位寬的數(shù)據(jù)量，這使得數(shù)據(jù)傳輸效率大幅提升 。
2025-08-04 13:42:342911 
車(chē)載智能終端的可靠性檢測(cè)是一個(gè)多維度、嚴(yán)苛的過(guò)程，需結(jié)合環(huán)境模擬、性能驗(yàn)證、長(zhǎng)期耐久性測(cè)試等手段，并依據(jù)國(guó)際車(chē)規(guī)標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。通過(guò)全面檢測(cè)，可提前暴露設(shè)計(jì)、材料或工藝缺陷，確保設(shè)備在車(chē)輛全生命周期內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行，為智能駕駛、車(chē)聯(lián)網(wǎng)等功能提供安全保障。
2025-07-31 09:29:271205 
本文緊接著前一個(gè)文檔《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧-數(shù)據(jù)線等長(zhǎng) 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號(hào)線等長(zhǎng)設(shè)計(jì)，因?yàn)榈刂肪€、控制信號(hào)線有分支，SOC有可能帶有2片DDR或者更多，我們叫做T型分支
2025-07-29 16:14:512 的講解數(shù)據(jù)線等長(zhǎng)設(shè)計(jì)。? ? ? 在另一個(gè)文件《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧-地址線T型等長(zhǎng)》中著重講解使用AD設(shè)計(jì)DDR地址線走線T型走線等長(zhǎng)處理的方法和技巧。
2025-07-28 16:33:124 在綠色制造趨勢(shì)下，三防漆的環(huán)保升級(jí)需兼顧防護(hù)性能與環(huán)境友好性，核心從材料、工藝、循環(huán)利用三方面突破，結(jié)合政策與技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展。一、材料革新：從有害到綠色傳統(tǒng)三防漆含揮發(fā)性有機(jī)化合物，污染性強(qiáng)
2025-07-28 10:12:03389 
在航天航空領(lǐng)域，極端空間環(huán)境考驗(yàn)裝備性能，作為能夠精準(zhǔn)復(fù)現(xiàn)太陽(yáng)光譜和輻照條件的高科技設(shè)備，太陽(yáng)能模擬器已成為突破航天航空技術(shù)瓶頸的關(guān)鍵工具，在航天器設(shè)計(jì)優(yōu)化、材料耐久性驗(yàn)證及空間科學(xué)實(shí)驗(yàn)中發(fā)
2025-07-24 11:28:38629 
HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲(chǔ)器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。其核心設(shè)計(jì)是通過(guò)硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122949 的總線寬度共為 16bit。DDR3 SDRAM 的最高數(shù)據(jù)速率 1066Mbps。
2.1. DDR3 控制器簡(jiǎn)介
PG2L50H 為用戶(hù)提供一套完整的 DDR memory 控制器解決方案，配置
2025-07-10 10:46:48
在當(dāng)今競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)中，產(chǎn)品的
耐久性和可靠
性成為了消費(fèi)者選擇的重要因素。無(wú)論是汽車(chē)、建筑材料，還是電子設(shè)備，都需要在極端環(huán)境
下保持性能穩(wěn)定。那么，如何確保產(chǎn)品
在各種氣候條件
下都能經(jīng)得起考驗(yàn)?zāi)兀看鸢?/div>
2025-07-09 18:17:52369 
什么是還原氣體？簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，還原氣體是指在加熱表面（如SGP4x傳感器的金屬氧化物層）上與大氣中的氧氣發(fā)生反應(yīng)的化合物。常見(jiàn)的還原氣體包括氫氣（H2）、揮發(fā)性有機(jī)化合物（揮發(fā)性有機(jī)物）、一氧化碳（CO
2025-07-09 15:44:57506 
”。閃存則是一種非易失性（ Non-Volatile ）內(nèi)存，在沒(méi)有電流供應(yīng)的條件下也能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù)，其存儲(chǔ)特性相當(dāng)于硬盤(pán)，這項(xiàng)特性正是閃存得以成為各類(lèi)便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì)的基礎(chǔ)。
各類(lèi) DDR
2025-07-03 14:33:09
。 ? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按照斷電后數(shù)據(jù)是否繼續(xù)保存，可分為易失性(Volatile)存儲(chǔ)和非易失性(Non-Volatile)存儲(chǔ)。利基型DRAM屬于易失性存儲(chǔ)，NOR?Flash、SLC?NAND?Flash屬于非
2025-06-29 06:43:001768 
DDR內(nèi)存占據(jù)主導(dǎo)地位。全球DDR內(nèi)存市場(chǎng)正經(jīng)歷一場(chǎng)前所未有的價(jià)格風(fēng)暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR4市場(chǎng)，轉(zhuǎn)向DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）生產(chǎn)，DDR3和DDR4市場(chǎng)呈現(xiàn)供不應(yīng)求、供需失衡、漲勢(shì)延續(xù)的局面。未來(lái)，DDR5滲透率將呈現(xiàn)快速提升，市場(chǎng)份額增長(zhǎng)的趨勢(shì)。
2025-06-25 11:21:152010 
，是信息時(shí)代的基石。
2. 核心分類(lèi)：斷電后數(shù)據(jù)還在嗎？
這是最根本的分類(lèi)依據(jù)：
易失性存儲(chǔ)器：斷電后數(shù)據(jù)立刻消失。
特點(diǎn)：速度快，通常用作系統(tǒng)運(yùn)行的“工作臺(tái)”。
代表：DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
2025-06-24 09:09:39
在高海拔地區(qū)使用控制變壓器，您是否擔(dān)心其散熱和絕緣性能會(huì)大打折扣？是否憂(yōu)慮設(shè)備頻繁故障，影響正常的生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)，甚至帶來(lái)安全隱患？今天，就讓我們深入探究控制變壓器廠家BK產(chǎn)品的耐久性測(cè)試與壽命預(yù)測(cè)方法
2025-06-23 10:03:57495 
隨著汽車(chē)產(chǎn)業(yè)向智能化、網(wǎng)聯(lián)化加速轉(zhuǎn)型，高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和智能駕駛技術(shù)已成為現(xiàn)代汽車(chē)不可或缺的核心組件。紫光國(guó)芯作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片制造商，其車(chē)規(guī)級(jí)DDR3存儲(chǔ)產(chǎn)品在智能駕駛和ADAS
2025-06-05 16:50:171225 
DS4510是CPU監(jiān)控電路，具有內(nèi)部集成的64字節(jié)EEPROM存儲(chǔ)器和四個(gè)可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)I2C接口，使用快速模式(400kbps)或標(biāo)準(zhǔn)模式(100kbps
2025-05-26 10:13:41748 
下面是調(diào)用的DDR3模塊的，模塊的倒數(shù)第二行是，模塊的時(shí)鐘輸入，時(shí)鐘源來(lái)自PLL產(chǎn)生的系統(tǒng)時(shí)鐘的倍頻。
2025-05-03 10:21:001339 
在物聯(lián)網(wǎng)和智能化應(yīng)用飛速發(fā)展的今天，RFID技術(shù)作為數(shù)據(jù)采集與身份識(shí)別的核心手段，其性能、安全性與可靠性愈發(fā)受到重視。然而，傳統(tǒng)基于EEPROM或Flash存儲(chǔ)的RFID標(biāo)簽在寫(xiě)入速度、耐久性和功耗
2025-04-30 13:51:59925 TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:021031 
在高速PCB設(shè)計(jì)中，DDR模塊是絕對(duì)繞不過(guò)去的一關(guān)。無(wú)論你用的是DDR、DDR2還是DDR3，只要設(shè)計(jì)不規(guī)范，后果就是——信號(hào)反射、時(shí)序混亂、系統(tǒng)頻繁死機(jī)。
2025-04-29 13:51:032491 
僅為 20 μF。該TPS51200支持遠(yuǎn)程感應(yīng)功能以及 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-29 09:59:251345 
只需要 20 μF 的最小輸出電容。TPS51200-Q1 器件支持遠(yuǎn)程感應(yīng)功能以及 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-28 16:21:07852 
TPS59116 為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 內(nèi)存提供完整的電源 系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉電流跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩沖低噪聲基準(zhǔn)集成在一起
2025-04-28 13:54:45814 
TPS51216 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-28 11:09:05663 
TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ），具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲基準(zhǔn) （VTTREF）。
2025-04-28 10:58:44657 
能力為 ±2A 峰值。該器件支持所有 DDR 電源狀態(tài)，在 S3 狀態(tài)下將 VTT 置于高阻態(tài)（掛起到 RAM），并在 S4 或 S5 狀態(tài)下將 VTT 和 VTTREF 放電（掛起到磁盤(pán)）。
2025-04-28 10:04:48685 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、 和 LPDDR3 內(nèi)存系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 1A 灌電流/拉電流集成在一起 跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩
2025-04-27 13:35:32741 
TPS51716為 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 提供完整的電源 以最低的總成本和最小空間實(shí)現(xiàn)內(nèi)存系統(tǒng)。它集成了一個(gè)同步降壓 具有 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO
2025-04-27 11:36:05763 
LP2996A 線性穩(wěn)壓器旨在滿(mǎn)足 JEDEC SSTL-2 規(guī)范 DDR-SDRAM 終止。該器件還支持 DDR2、DDR3 和 DDR3L VTT 總線端接，帶 V~DDQ~最小為 1.35V
2025-04-26 15:02:50746 
TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-26 11:12:30681 
只需要最小輸出 電容為 20 μF。TPS51200-EP 支持遙感功能和所有功率要求 用于 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端。
2025-04-26 10:26:351335 
的最小輸出電容。該器件支持遠(yuǎn)程感應(yīng)功能以及 DDR、DDR2、DDR3 以及低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-25 10:07:151053 
在電動(dòng)車(chē)輛及新型動(dòng)力系統(tǒng)的耐久性測(cè)試中，精確測(cè)量車(chē)輪與路面之間的相互作用力、扭矩及振動(dòng)響應(yīng)至關(guān)重要。DaimlerTruck在其位于德國(guó)W?rth的EVZ研發(fā)測(cè)試中心，針對(duì)eActros進(jìn)行了全面的耐久性測(cè)試，以確保電動(dòng)卡車(chē)在復(fù)雜路況下的可靠性。整個(gè)測(cè)試過(guò)程中，需要采集作用于車(chē)輪
2025-04-23 10:03:11579 
在全球科技競(jìng)爭(zhēng)加劇、國(guó)產(chǎn)替代加速推進(jìn)的背景下，紫光國(guó)芯憑借其在DDR3與RDIMM等高端內(nèi)存芯片領(lǐng)域的技術(shù)積累，不斷實(shí)現(xiàn)突破，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片向高端市場(chǎng)邁進(jìn)。作為其核心代理商，貞光科技在市場(chǎng)推廣
2025-04-16 16:39:301342 ，廣泛應(yīng)用于多種高精度、高可靠性需求的場(chǎng)景。 核心特性：可靠性與耐久性 1.?高可靠性——穩(wěn)定性能的基石 光頡晶圓電阻的可靠性體現(xiàn)在其能夠在長(zhǎng)期使用過(guò)程中保持設(shè)計(jì)性能的穩(wěn)定，不會(huì)出現(xiàn)漂移或失效等問(wèn)題。以下是其可靠性的具體
2025-04-10 17:52:32671 
非易失性存儲(chǔ)器（NVM）芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中，從智能手機(jī)、個(gè)人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng)，都是不可或缺的關(guān)鍵組件，它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，還極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。此外，為了滿(mǎn)足
2025-04-10 14:02:241333 DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
內(nèi)部的離子會(huì)發(fā)生遷移，從而導(dǎo)致材料的電阻狀態(tài)發(fā)生改變，一般可分為高阻態(tài)和低阻態(tài)，分別對(duì)應(yīng)邏輯 “0” 和 “1”。通過(guò)檢測(cè)存儲(chǔ)單元的電阻值來(lái)讀取存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。 ? RRAM具有讀寫(xiě)速度較快、低功耗、高密度、耐久性等特點(diǎn)，能夠滿(mǎn)足
2025-04-10 00:07:002088 和音頻應(yīng)用提供了有效的解決方案。 *附件：支持DDR存儲(chǔ)器、內(nèi)置充電器和RTC的RAA215300高性能9通道PMIC數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性 輸入工作
2025-04-09 15:31:25657 
過(guò)程中能夠輕松識(shí)別和解決潛在問(wèn)題。這種設(shè)計(jì)提高了維修效率，降低了維修成本。高耐久性：D-602-46采用高質(zhì)量的材料制造，具有出色的耐久性和抗腐蝕性。這使得D-602-46焊接觸點(diǎn)插針能夠在惡劣的環(huán)境條件下長(zhǎng)時(shí)間使用，保持穩(wěn)定的連接性能。
2025-03-26 09:48:22
燦芯半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（燦芯股份，688691）宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺(tái)的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協(xié)議兼容性，支持DDR3
2025-03-21 16:20:03984 特性64 千比特鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（F - RAM），邏輯上組織為 8K×8高達(dá) 100 萬(wàn)億次（\(10^{14}\)）讀 / 寫(xiě)耐久性151 年的數(shù)據(jù)保存期限（詳見(jiàn) “數(shù)據(jù)保存期限和耐久性表
2025-03-19 11:35:49
在現(xiàn)代生產(chǎn)生活中，揮發(fā)性有機(jī)化合物(VOCs)的危害不容忽視。這些物質(zhì)不僅對(duì)人體健康具有潛在威脅，還可能對(duì)環(huán)境造成污染。
2025-03-18 15:50:21668 DDR內(nèi)存控制器是一個(gè)高度集成的組件，支持多種DDR內(nèi)存類(lèi)型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過(guò)精心設(shè)計(jì)的架構(gòu)來(lái)優(yōu)化內(nèi)存訪問(wèn)效率。
2025-03-05 13:47:403573 
在電動(dòng)車(chē)輛及新型動(dòng)力系統(tǒng)的耐久性測(cè)試中，精確測(cè)量車(chē)輪與路面之間的相互作用力、扭矩及振動(dòng)響應(yīng)至關(guān)重要。Daimler Truck在其位于德國(guó)W?rth的EVZ研發(fā)測(cè)試中心，針對(duì)eActros進(jìn)行了全面的耐久性測(cè)試，以確保電動(dòng)卡車(chē)在復(fù)雜路況下的可靠性。
2025-03-04 14:30:07737 
智能化的決策支持，不僅提升了施工效率，還有效提高了道路的質(zhì)量和耐久性。 ???????1、施工設(shè)備監(jiān)測(cè)保障施工精度 ???????智能攤鋪壓實(shí)監(jiān)測(cè)管理系統(tǒng)的核心功能之一是對(duì)施工設(shè)備進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。通過(guò)對(duì)攤鋪機(jī)、壓實(shí)機(jī)等設(shè)備的精
2025-03-03 14:03:49532 MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標(biāo)準(zhǔn)（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器。它還會(huì)持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時(shí)提供RAM寫(xiě)保護(hù)。當(dāng)電源開(kāi)始出現(xiàn)故障時(shí)，RAM受到寫(xiě)保護(hù)，并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16917 
我看了一下所購(gòu)買(mǎi)的評(píng)估開(kāi)發(fā)板，上面帶有DDR2的接口，我想使用DDR2來(lái)進(jìn)行存儲(chǔ)，但是沒(méi)有找到接口相關(guān)的引腳文件，ucf文件中也沒(méi)有DDR2相關(guān)的引腳
2025-02-28 08:42:16
DS28E80是一款用戶(hù)可編程的非易失性存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比，DS28E80采用了抗伽馬輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80有248字節(jié)的用戶(hù)內(nèi)存，這些內(nèi)存以8字節(jié)為單位進(jìn)行組織。單個(gè)塊可以
2025-02-26 11:43:101138 
DS1992/DS1993內(nèi)存iButtons（以下簡(jiǎn)稱(chēng)DS199x）是堅(jiān)固的讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)載體，充當(dāng)本地化數(shù)據(jù)庫(kù)，易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲(chǔ)器和可選的計(jì)時(shí)功能為存儲(chǔ)和檢索與iButton所連接
2025-02-26 10:39:06821 
據(jù)報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級(jí)平臺(tái)的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513465 MT53E1G32D2FW-046 WT:B是一款高性能的DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專(zhuān)為滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高速存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)
2025-02-14 07:46:46
? ? 非易失性存儲(chǔ)器是一種應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲(chǔ)裝置（存儲(chǔ)器），在沒(méi)有外部電源提供的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。 現(xiàn)今的計(jì)算機(jī)中央處理器（CPU：Central Processing Unit）中，直接、高速處理的數(shù)據(jù)通常保存在易失性存儲(chǔ)器中（
2025-02-13 12:42:142470 
;MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存模塊，專(zhuān)為滿(mǎn)足現(xiàn)代計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品以其高帶寬和低功耗的特性，廣泛應(yīng)用于個(gè)人電腦、服務(wù)器和嵌入式系統(tǒng)中，成為市場(chǎng)上備
2025-02-10 20:10:39
初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲(chǔ)器分類(lèi)。按照存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)功能劃分，可將其分為RAM 和 ROM 兩大類(lèi)。
2025-02-08 11:24:513961 
在數(shù)字存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展中，閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory）以其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了連接隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）與只讀存儲(chǔ)器（ROM）之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲(chǔ)器的技術(shù)特性、分類(lèi)及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:001683 閃速存儲(chǔ)器之所以得名“閃速”，主要源于其擦除操作的高效性。傳統(tǒng)的EPROM（可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器）和EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器）在擦除數(shù)據(jù)時(shí)，往往需要較長(zhǎng)的時(shí)間，且操作相對(duì)繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:001378 在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天，閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的重要成員。而U盤(pán)，作為閃速存儲(chǔ)器的一種常見(jiàn)應(yīng)用形式，更是憑借其便攜性和易用性，在
2025-01-29 15:12:001452 高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache）是內(nèi)存的一種特殊形式，但它與通常所說(shuō)的主存儲(chǔ)器（RAM）有所不同。在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體系中，Cache位于CPU和主存儲(chǔ)器之間，用于存儲(chǔ)CPU近期訪問(wèn)過(guò)的數(shù)據(jù)或指令，以加快數(shù)據(jù)的訪問(wèn)速度。
2025-01-29 11:48:003395 隨著AI技術(shù)的快速發(fā)展，特別是大規(guī)模語(yǔ)言模型（如ChatGPT和Sora）的出現(xiàn)，對(duì)數(shù)據(jù)處理能力和存儲(chǔ)技術(shù)提出了全新的需求。傳統(tǒng)存儲(chǔ)器架構(gòu)在能效比和計(jì)算效率上的限制，逐漸成為瓶頸。如何實(shí)現(xiàn)更高
2025-01-23 17:30:312078 
。 據(jù)悉，此次訂單中的固態(tài)硬盤(pán)采用了綠芯行業(yè)領(lǐng)先的EnduroSLC?技術(shù)設(shè)計(jì)，具有極高的耐久性和可靠性。其中，GLS85LS SATA NANDrive固態(tài)硬盤(pán)作為客戶(hù)加固計(jì)算機(jī)中的固態(tài)存儲(chǔ)解決方案，將用于嚴(yán)苛環(huán)境下的關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用。 綠芯的SATA NANDrive? EX系列BGA固態(tài)硬盤(pán)以其出色
2025-01-20 11:35:32903 特點(diǎn)16-Kbit 鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM)為 2 K × 8 ? 高耐久性 100 萬(wàn)億次（1014）讀/寫(xiě) ? 151 年數(shù)據(jù)保留期（請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)保留期
2025-01-16 14:14:37
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-271: 高速緩沖存儲(chǔ)器在Blackfin處理器中的應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-07 14:18:170 
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