三星電子宣布，將從本月開始在全球率先量產(chǎn)30納米級4Gb(bit) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM基板的32GB(byte)內(nèi)存模塊
2011-06-01 08:55:55
2760 Micron近日宣布將推出2GB和4GB的DDR3-2133內(nèi)存芯片，采用30nm制造工藝，這種芯片能夠進一步融入到SoC芯片和顯卡芯片中提供“超性能”的強悍表現(xiàn)
2012-06-13 10:11:341791 本文主要使用了Cadence公司的時域分析工具對DDR3設(shè)計進行量化分析，介紹了影響信號完整性的主要因素對DDR3進行時序分析，通過分析結(jié)果進行改進及優(yōu)化設(shè)計，提升信號質(zhì)量使其可靠性和安全性大大提高。##時序分析。##PCB設(shè)計。
2014-07-24 11:11:216350 
就在前幾天，網(wǎng)上曝光出具有紫光國芯標識的PC DDR4內(nèi)存條，是完全自主研發(fā)的DRAM顆粒。單條容量為4GB，具體參數(shù)不詳。在今年一月份，紫光集團投資2000億元在南京建設(shè)半導體基地，建成后將成
2017-12-28 16:53:272777 ,Column和Bank的地址位寬。開發(fā)板選用的MT41K128M16 DDR3的容量為16Megx16x8banks=2048Mb=2Gb。 1.1 DDR3命名 ? ? 我們通過Configuration,Package,Speed...等DDR3的命名可知道DDR3的容量，封裝，速度等級等信息
2021-01-01 10:09:005268 
為了更好地管理各類DDR3內(nèi)存的特性，并提供一種簡便的、帶寬效率高的自動化方式來初始化和使用內(nèi)存，我們需要一款高效DDR3內(nèi)存控制器。
2021-02-09 10:08:0014491 
本實驗為后續(xù)使用DDR3內(nèi)存的實驗做鋪墊，通過循環(huán)讀寫DDR3內(nèi)存，了解其工作原理和DDR3控制器的寫法，由于DDR3控制復雜，控制器的編寫難度高，這里筆者介紹采用第三方的DDR3 IP控制器情況下的應(yīng)用，是后續(xù)音頻、視頻等需要用到DDR3實驗的基礎(chǔ)。
2021-02-05 13:27:0010988 
、512Mb-2Gb LP DDR2，以及?LP DDR4x、LP DDR3、LP DDR、SDRAM，適用于需配備4Gb 或以下容量DRAM 的應(yīng)用，?如人工智能加速器、物聯(lián)網(wǎng)、汽車、工業(yè)用、電信、
2022-04-20 16:04:033594 
相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡，這樣的設(shè)計可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:446127 
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533931 
DDR內(nèi)存條經(jīng)歷了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條三個時代。這里給出了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條的對比分析。
2011-12-29 14:21:564586 外部內(nèi)存。3.使用DDR3內(nèi)存控制器3.1. 連接DDR3內(nèi)存控制器到DDR3 SDRAM圖11，圖12，圖13表示三種內(nèi)存拓撲圖。圖11 2個16MB*16*8BANK（4Gb）圖12 1個8MB
2018-01-18 22:04:33
嗨，我是FPGA領(lǐng)域的新手?，F(xiàn)在我正在使用Genesys2。我必須控制DDR3內(nèi)存。我在Digilent網(wǎng)站上找到了一些使用micrlaze處理器的DDR3示例。但是，在我的情況下，我不必
2019-05-05 15:29:38
---------0—8G DDR/SD---------0—4G內(nèi)存識別: 自動識別內(nèi)存種類,(SD,DDR,DDR2,DDR3)顯示方式:64位數(shù)據(jù)線路故障獨立顯示。  
2009-08-17 22:58:49
/SD---------0—4G內(nèi)存識別: 自動識別內(nèi)存種類,(SD,DDR,DDR2,DDR3)顯示方式:64位數(shù)據(jù)線路故障獨立顯示。 64位數(shù)據(jù)位壞區(qū)檢測獨立
2009-02-10 22:53:43
/SD---------0—4G內(nèi)存識別: 自動識別內(nèi)存種類,(SD,DDR,DDR2,DDR3)顯示方式:64位數(shù)據(jù)線路故障獨立顯示。 64位數(shù)據(jù)位壞區(qū)檢測獨立
2009-03-12 16:05:56
;DDR/SD---------0—4G內(nèi)存識別: 自動識別內(nèi)存種類,(SD,DDR,DDR2,DDR3)顯示方式:64位數(shù)據(jù)線路故障獨立顯示。 64位數(shù)據(jù)位壞
2009-03-13 15:46:57
---------0—8G DDR/SD---------0—4G內(nèi)存識別: 自動識別內(nèi)存種類,(SD,DDR,DDR2,DDR3)顯示方式:64位數(shù)據(jù)線路故障獨立顯示。  
2009-08-17 23:00:19
/SD---------0—4G內(nèi)存識別: 自動識別內(nèi)存種類,(SD,DDR,DDR2,DDR3)顯示方式:64位數(shù)據(jù)線路故障獨立顯示。 64位數(shù)據(jù)位壞區(qū)檢測獨立
2009-02-10 22:50:27
/SD---------0—4G內(nèi)存識別: 自動識別內(nèi)存種類,(SD,DDR,DDR2,DDR3)顯示方式:64位數(shù)據(jù)線路故障獨立顯示。 64位數(shù)據(jù)位壞區(qū)檢測獨立
2009-02-10 22:55:45
轉(zhuǎn)載DDR3內(nèi)存詳解，存儲器結(jié)構(gòu)+時序+初始化過程2017-06-17 16:10:33a_chinese_man閱讀數(shù) 23423更多分類專欄：硬件開發(fā)基礎(chǔ)轉(zhuǎn)自：首先，我們先了解一下內(nèi)存的大體結(jié)構(gòu)工作流程，這樣會比較容量理解這些參數(shù)在其...
2021-07-27 07:10:34
HI，我的FPGA是Kintex-7的XC7K410T-2FFG900。我的DDR3是2Gb，由128Mb * 16組成。 DDR3數(shù)據(jù)速率為1600Mbps，因此我必須在HP BANK中使用VRN
2020-07-21 14:47:06
DDR3芯片讀寫控制及調(diào)試總結(jié)，1. 器件選型及原理圖設(shè)計（1） 由于是直接購買現(xiàn)成的開發(fā)板作為項目前期開發(fā)調(diào)試使用，故DDR3芯片已板載，其型號為MT41J256M16HA-125，美光公司生產(chǎn)的4Gb容量DDR3芯片。采...
2021-07-22 08:33:54
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
這一突發(fā)模式。而且需要指出的是，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制（如4bit順序突發(fā)）?！ ?b class="flag-6" style="color: red">2.尋址時序（Timing） 就像DDR2從
2011-02-27 16:47:17
ddr3內(nèi)存顆粒編碼規(guī)則
2021-07-22 06:02:39
效能，不會在零售市場成為技術(shù)主流）當市場需求超過4GB的時候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時也就是DDR3內(nèi)存的普及時期。2、從外觀上說：DDR2代的是240PIN的 （中間部分有凹槽
2014-12-30 14:35:58
效能，不會在零售市場成為技術(shù)主流）當市場需求超過4GB的時候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時也就是DDR3內(nèi)存的普及時期。2、從外觀上說：DDR2代的是240PIN的 （中間部分有凹槽
2014-12-30 14:36:44
嗨，我正在設(shè)計一個定制FPGA板＆amp;我將使用帶有Kintex（XC7K160T-2FFG676C）FPGA的DDR3 RAM。我閱讀了xilinx＆amp; amp; amp; amp
2020-04-17 07:54:29
就在前幾天，網(wǎng)上曝光出具有紫光國芯標識的PC DDR4內(nèi)存條，是完全自主研發(fā)的DRAM顆粒。單條容量為4GB，具體參數(shù)不詳。在今年一月份，紫光集團投資2000億元在南京建設(shè)半導體基地，建成后將成
2018-03-28 23:42:26
，DDR4相比DDR3提升很大。帶寬方面，DDR4內(nèi)存的每個針腳都可以提供2Gbps（256MB/S）的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70%。綜合來看
2019-07-25 14:08:13
主流）當市場需求超過4GB的時候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時也就是DDR3內(nèi)存的普及時期。DDR3 UB DIMM 2007進入市場，成為主流時間點多數(shù)廠商預(yù)計會是到2010年。一
2011-12-13 11:29:47
我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理器 DDR 控制器。
我嘗試了這個序列，但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗錯誤：
步驟1：
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
大家好，我們的定制板上焊接了定制的DDR3架構(gòu)：16 x（256Mb x 8b）MT41J256M8 IC = 4GB，32b數(shù)據(jù)總線和4個等級，連接到Virtex-6設(shè)備。我們剛剛注意到
2020-06-15 06:59:58
樹莓派3的內(nèi)存是不是DDR3的？
2016-03-26 16:00:58
DDR4和DDR3的區(qū)別在哪里？DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存相比，有哪些優(yōu)勢呢？
2021-06-18 08:58:23
臺灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3
2010年P(guān)C主流內(nèi)存標準從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實。據(jù)臺灣媒體報道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺系DRAM芯片
2010-01-18 09:25:13795 IDT推出DDR3內(nèi)存模塊高精度溫度傳感器
IDT公司推出首款針對DDR2和DDR3內(nèi)存模塊、固態(tài)硬盤和電腦主板市場的高精度溫度傳感器。新器件有助于企業(yè)、
2010-01-26 16:53:321048 Atom/DDR3首次聯(lián)姻 華擎迷你ION主板上市
支持DDR3內(nèi)存的Atom N4x5系列處理器要到第三季度才會面世，因此在那之前想要在Atom平臺上使用DDR3內(nèi)存，就只能
2010-02-10 09:22:11735 鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片
鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱下一代30nm制程級別
2010-02-10 09:40:501422 三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 金士頓：DDR2/DDR3價格可能會繼續(xù)上漲
據(jù)報道，存儲大廠金士頓亞太地區(qū)副總裁Scott Chen近日表示，雖然1Gb DDR2/DDR3的芯片價格已經(jīng)超過了3美元大關(guān)，
2010-04-09 09:11:05904 從那時起，采用DDR2、甚至最新的DDR3 SDRAM的新設(shè)計讓DDR SDRAM技術(shù)黯然失色。DDR內(nèi)存主要以IC或模塊的形式出現(xiàn)。如今，DDR4雛形初現(xiàn)。但是在我們利用這些新技術(shù)前，設(shè)計人員必須了解如何
2011-07-11 11:17:146408 
海力士開發(fā)出采用“晶圓級封裝（WLP, Wafer Level Package）”技術(shù)的4GB DDR2微型服務(wù)器專用模塊，在全球尚屬首例。
2011-08-28 11:15:131113 目前推出單條8GB DDR3內(nèi)存的廠商也逐漸增多，但低電壓版DDR3L規(guī)格的內(nèi)存還是首次現(xiàn)身：這款產(chǎn)品出自臺灣廠商Avexir(宇帷)之手，默認頻率DDR3-1333。Avexir這款低電壓版8GB內(nèi)存屬于旗下Gre
2011-11-01 09:04:241369 總結(jié)了DDR和DDR2，DDR3三者的區(qū)別，對于初學者有很大的幫助
2015-11-10 17:05:37
36 內(nèi)存顆粒廠家提供的，DDR3內(nèi)存條電路圖。onboard內(nèi)存的板子可以參考。
2015-12-31 14:15:39494 上揚，DDR3／4 的 4Gb 顆粒價格分別來到 2.6／2.53 美元，月漲幅為 6% 與 2%，表示市場普遍預(yù)期未來價格仍將走升。
2016-12-08 11:12:40990 
華芯半導體DDR3內(nèi)存顆粒 datasheet
2016-12-17 21:59:120 索尼將于MWC2017大會上推出多款手機，其中一款旗艦機型將搭載4GB內(nèi)存，這也意味著索尼手機終于不再是祖?zhèn)?b class="flag-6" style="color: red">3GB內(nèi)存了。@科技美學昨晚曝光了號稱是索尼新旗艦的圖片，圖片證實了該機搭載4GB內(nèi)存。
2017-02-10 10:37:151370 DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達2133～3200MT/s。DDR4 新增了4 個Bank Group 數(shù)據(jù)組的設(shè)計，各個Bank
2017-11-07 10:48:5155968 
這段時間，DDR4內(nèi)存條價格持續(xù)處于高位，于是不少廠商和需求不高的用戶開始將目光轉(zhuǎn)向老一代的DDR3，畢竟無論是DDR3內(nèi)存本身還是相應(yīng)主板，都已經(jīng)十分廉價，組個入門機還挺合適。
2017-11-07 13:21:264947 雖然新一代電腦/智能手機用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項核心改變：
2017-11-08 15:42:2332470 DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：為雙信道三次同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存。
DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth
2017-11-17 13:15:4928010 針對采用DDR3接口來設(shè)計的新一代閃存固態(tài)盤（SSD）需要完成與內(nèi)存控制器進行通信與交互的特點，提出了基于現(xiàn)場可編程門陣列（ FPGA）的DDR3協(xié)議解析邏輯方案。首先，介紹了DDR3內(nèi)存工作原理
2017-12-05 09:34:4410 涉及國產(chǎn)DDR4的還是紫光集團的子公司紫光國芯，旗下?lián)碛形靼?b class="flag-6" style="color: red">紫光國芯、深圳國微、紫光同創(chuàng)等公司。根據(jù)官網(wǎng)介紹，“紫光國芯是紫光集團旗下半導體行業(yè)上市公司，專注于集成電路芯片設(shè)計開發(fā)領(lǐng)域，堅持穩(wěn)健經(jīng)營
2018-03-19 18:35:002713 甚至放棄了核心與顯存捆綁出貨的利潤，讓利給了AIC廠商自行采購顯存。 那還有什么可以阻止這種無恥的寡頭行為？從最近內(nèi)存SSD出現(xiàn)降價就可以看到還是會有的，那就是國產(chǎn)的紫光內(nèi)存正式發(fā)布。雖然目前只有DDR3用上了國產(chǎn)顆粒，但這畢竟是一個開端。
2018-03-18 20:56:001264 突發(fā)長度，由于DDR3的預(yù)期為8bit,所以突發(fā)傳輸周期（BL，Burst Length）也固定位8，而對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個
2018-06-21 09:20:5416120 
安卓手機起步都是2GB內(nèi)存，高端或頂配機型會配備3GB甚至4GB內(nèi)存，不過大多都是LPDDR3，而非最新的LPDDR4。
2018-07-19 09:00:008939 這一年來有關(guān)國內(nèi)公司進軍內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的消息甚囂塵上，紫光公司憑借原有的英飛凌、奇夢達基礎(chǔ)在DDR3內(nèi)存上已經(jīng)作出了突破，小批量生產(chǎn)了DDR3內(nèi)存，下半年還會推出更主流的DDR4內(nèi)存芯片，正在努力追趕國際主流水平。
2018-12-11 09:23:161952 DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲器2個部分，都采用源同步時序，即選通信號(時鐘)不是獨立的時鐘源發(fā)送，而是由驅(qū)動芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率，最高可達1866Mbps；DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù)，明顯提高了存儲帶寬；其工作電壓為1.5V，保證相同頻率下功耗更低。
2019-06-25 15:49:232336 H5TQ4G43AFR-xxC， H5TQ4G83AFR-xxC和H5TQ4G63AFR xxC是4GB CMOS雙數(shù)據(jù)速率III（DDR3）同步DRAM，非常適合需要大內(nèi)存密度和高帶寬的主內(nèi)存
2019-08-20 08:00:0028 DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲器2個部分，都采用源同步時序，即選通信號（時鐘）不是獨立的時鐘源發(fā)送，而是由驅(qū)動芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率，最高可達1866Mbps；DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù)，明顯提高了存儲帶寬；其工作電壓為1.5V，保證相同頻率下功耗更低。
2019-09-18 14:27:032005 
CPU : SAMSUNG S5P4418
架構(gòu)： Cortex-A9
主頻：1.4GHz 四核
內(nèi)存：1GB DDR3，可定制4GB DDR3
2019-10-08 11:06:371583 
CPU : Rockchip RK3288
架構(gòu)：Cortex-A17
主頻：1.8GHz 四核
內(nèi)存：2GB DDR3，可定制4GB DDR3
Flash：4GB/8GB/16GB
2019-10-09 11:01:273383 
CPU : Rockchip RK3399
架構(gòu)：雙核Cortex-A72+四核Cortex-A53
主頻：2.0GHz 六核
內(nèi)存：2GB DDR3，可定制4GB DDR3
2019-10-09 11:03:033411 
CPU : NVIDIA Tegra K1
架構(gòu)： Cortex-A15
主頻：2.3GHz 四核
內(nèi)存：2GB DDR3，可定制4GB DDR3
Flash：4GB/8GB/16GB
2019-10-09 11:04:331598 
CPU : Rockchip RK3288
架構(gòu)：Cortex-A17
主頻：1.8GHz 四核
內(nèi)存：2GB DDR3，可定制4GB DDR3
2019-10-12 11:02:181473 
CPU : Rockchip RK3399
架構(gòu)：Cortex-A72
主頻：2.0GHz 六核
內(nèi)存：2GB DDR3，可定制4GB DDR3
2019-10-12 11:05:534727 
CPU : Rockchip RK3288
架構(gòu)：Cortex-A17
主頻：1.8GHz 四核
內(nèi)存：2GB DDR3，可定制4GB DDR3
2019-10-12 11:09:162698 
隨著紫光、合肥長鑫正式進軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國產(chǎn)自主的DRAM芯片未來也會迎來一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上公開展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 09:37:095571 DDR3 SDRAM是DDR3的全稱，它針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上。DDR3是在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計，與DDR2 SDRAM相比具有功耗和發(fā)熱量較小、工作頻率更高、降低顯卡整體成本、通用性好的優(yōu)勢。
2019-10-29 08:00:000 隨著紫光、合肥長鑫正式進軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國產(chǎn)自主的DRAM芯片未來也會迎來一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上公開展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 14:54:145108 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是DDR和DDR2與DDR3的設(shè)計資料總結(jié)包括了：一、DDR的布線分析與設(shè)計，二、DDR電路的信號完整性，三、DDR Layout Guide，四、DDR設(shè)計建議，六、DDR design checklist，七、DDR信號完整性
2020-05-29 08:00:000 從成本的角度來看，DDR3也許的確要比DDR4低一些，所以從這個角度可以講通。
2020-09-08 16:28:235268 2021年還在研發(fā)DDR3內(nèi)存？別急，雖然明年DDR3內(nèi)存已經(jīng)不是什么新東西了，DDR5都要上市了，但DDR3還不會被淘汰，而且兆易創(chuàng)新主要是用于利基市場，也就是消費電子產(chǎn)品，對內(nèi)存的性能、容量等要求不高。
2020-11-03 10:10:213186 DDR3內(nèi)存。 兆易創(chuàng)新在電話會議中透露，自研DRAM現(xiàn)在還在按照原計劃進行，目前研發(fā)進度跟預(yù)期基本一樣，預(yù)期明年上半年會有產(chǎn)品出來。 兆易創(chuàng)新表示，自研第一個產(chǎn)品會是DDR3， 4Gb，面向利基市場。 2021年還在研發(fā)DDR3內(nèi)存？別急，雖然明年DDR3內(nèi)存已經(jīng)不是什么新東
2020-11-03 11:13:592688 H5TQ4G43AFR xxC、H5TQ4G83AFR xxC和H5TQ4G63AFR xxC是4Gb CMOS雙數(shù)據(jù)速率III（DDR3）同步DRAM，非常適合需要大內(nèi)存密度和高帶寬的主內(nèi)存
2020-12-09 08:00:0013 4Gb DDR3 SDRAM E-die是一個32Mbit x 16 I/Os x 8個存儲單元的設(shè)備。這種同步設(shè)備實現(xiàn)高速雙數(shù)據(jù)傳輸率高達2133Mb/秒/引腳（DDR3-2133）的一般應(yīng)用。該
2021-01-22 08:00:0013 ，DDR4 8Gb 及 4Gb 顆粒的價格企穩(wěn)，與 10 月份相比沒有發(fā)生變化。 不過，更低端的 DDR3 內(nèi)存價格發(fā)生了變化
2021-02-01 18:00:332959 了，未來幾年被取代是水到渠成的，不過DDR3內(nèi)存反而可能熱了。 目前DDR3內(nèi)存主要用于一些低端、嵌入式領(lǐng)域，比如Wi-Fi路由等，它們不需要多高端、多大容量的內(nèi)存，相比DDR4便宜不少，可以降低成本。 目前三星、美光、SK海力士等公司已經(jīng)停產(chǎn)或者減少DDR3內(nèi)存產(chǎn)能，現(xiàn)在主要廠商是臺灣的
2021-02-02 11:27:394194 2021 年，DDR3內(nèi)存價格受缺貨影響預(yù)上漲 40%-50%，春節(jié)之后的價格就已經(jīng)上漲至3.3美元以上；三星2Gb DDR3價格再創(chuàng)歷史新高，從0.95美元漲至3美元左右。
2021-03-15 15:18:142890 EE-387：將DDR3/DDR2/LPDDR內(nèi)存連接到ADSP-SC5xx/ADSP-215xx處理器
2021-04-20 15:44:562 DDR4意義就是把入門級內(nèi)存提升到了4GB，更大的容量...
2021-10-09 15:39:3715692 DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別作者：AirCity 2019.12.17Aircity007@sina.com 本文所有權(quán)歸作者Aircity所有1 什么是DDRDDR
2021-11-10 09:51:03163 帶來太大的影響。 三星對客戶通知2022年年終之前仍會繼續(xù)接受且在2023年年末之前完成DDR3內(nèi)存的訂單，并將停止1GB、2GB、4GB的DDR3內(nèi)存生產(chǎn)。繼三星之后，SK海力士、華邦電子等制造商也表示將停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)，不對客戶繼續(xù)提供DDR3內(nèi)存，不過三大芯片供應(yīng)商中的美光
2022-04-06 12:22:566223 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費下載
2023-07-24 09:50:473 摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進行詳細的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:106055 是目前使用最為廣泛的計算機內(nèi)存標準，它已經(jīng)服務(wù)了計算機用戶多年。但是，DDR4內(nèi)存隨著技術(shù)的進步，成為了更好的內(nèi)存選擇。本文將詳細介紹DDR4和DDR3內(nèi)存的各種區(qū)別。 1. 工作頻率 DDR3內(nèi)存的標準工作頻率為1600MHz，而DDR4內(nèi)存標準則為2133MHz。這意味著DDR4內(nèi)存的傳輸速度
2023-10-30 09:22:0013842 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 10:16:451 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:58:120 隨著技術(shù)的不斷進步，計算機內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展。DDR（Double Data Rate）內(nèi)存條作為計算機的重要組成部分，其性能直接影響到電腦的運行速度和穩(wěn)定性。DDR3和DDR4是目前市場上最常
2024-11-20 14:24:2211362 DDR3、DDR4、DDR5是計算機內(nèi)存類型的不同階段，分別代表第三代、第四代和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）。以下是它們之間的性能對比： 一、速度與帶寬 DDR3 ：速度
2024-11-29 15:08:2819716 據(jù)報道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進步和消費級平臺的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513468
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