為了要延長(zhǎng)DRAM這種內(nèi)存的壽命，在短時(shí)間內(nèi)必須要采用3D DRAM解決方案。什么是3D超級(jí)DRAM （Super-DRAM）？為何我們需要這種技術(shù)？以下請(qǐng)見(jiàn)筆者的解釋。
2017-03-17 09:42:04
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從2018年開(kāi)始，世界的局勢(shì)越來(lái)越緊張，米國(guó)尤其在以芯片為代表的高科技行業(yè)對(duì)我們?nèi)矫娴膹棄?，所以保證芯片的自立自主呼聲越來(lái)越高。之前我們也測(cè)試過(guò)一對(duì)紫光的DDR3內(nèi)存，不過(guò)從國(guó)產(chǎn)率和產(chǎn)品的先進(jìn)
2020-07-29 14:59:1110373 DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片，其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:066090 
HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，打破內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸。HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲(chǔ)器，通過(guò)使用先進(jìn)封裝(如TSV硅通孔、微凸塊)將多個(gè)DRAM芯片進(jìn)行堆疊，并與GPU一同進(jìn)行封裝，形成大容量、高帶寬的DDR組合陣列。
2024-01-02 09:59:1311509 
DDR內(nèi)存控制器是一個(gè)高度集成的組件，支持多種DDR內(nèi)存類型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過(guò)精心設(shè)計(jì)的架構(gòu)來(lái)優(yōu)化內(nèi)存訪問(wèn)效率。
2025-03-05 13:47:403578 
DDR內(nèi)存條經(jīng)歷了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條三個(gè)時(shí)代。這里給出了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條的對(duì)比分析。
2011-12-29 14:21:564586 ，這是第一顆國(guó)產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片。 根據(jù)產(chǎn)品介紹，目前兩款 DDR4 顆粒單顆容量均為 8Gb（1GB），頻率 2666MHz，工作電壓 1.2V，工作溫度 0℃ 到 95 ℃，采用 78-ball
2020-02-27 09:01:1110349 這幾年，國(guó)產(chǎn)軟硬件都在突飛猛進(jìn)，硬件方面處理器、內(nèi)存、閃存存儲(chǔ)紛紛取得新突破，但由于產(chǎn)能、應(yīng)用領(lǐng)域等各種原因，普通消費(fèi)市場(chǎng)上是不太容易看到的。 不久前，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)開(kāi)始在官方網(wǎng)站上銷售DDR4臺(tái)式機(jī)
2020-04-24 09:58:247106 今年2月底，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方宣布，符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的自產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4內(nèi)存芯片全面開(kāi)始供貨，這也是DDR4內(nèi)存第一次實(shí)現(xiàn)真正國(guó)產(chǎn)，并采用國(guó)產(chǎn)第一代10nm級(jí)工藝制造
2020-05-22 11:47:379678 由于最近歐洲疫情比較嚴(yán)重且短時(shí)間內(nèi)不會(huì)恢復(fù)，我司產(chǎn)品所用的MCU供應(yīng)受到影響。想知道國(guó)產(chǎn)有沒(méi)有M0+內(nèi)核的32位MCU，最好現(xiàn)貨充足。
2020-03-23 16:32:54
會(huì)短時(shí)間達(dá)到0.9V（近DDC264模擬輸入引腳端波形如圖2）且客戶并沒(méi)有給模擬輸入引腳與地之間正向串聯(lián)二極管以達(dá)到鉗位0.7V。
圖1
圖2
由于項(xiàng)目周期原因，客戶想先測(cè)量看是否可以達(dá)到他目的再重新設(shè)計(jì)。
那這種情況下，是否能正常測(cè)量并不會(huì)造成DDC264永久性損傷呢？
期待你的建議。
2024-11-19 07:02:26
如何在短時(shí)間內(nèi)學(xué)好LABVIEW
2013-05-24 13:58:47
LVDT位移不發(fā)生變化時(shí)，AD698所產(chǎn)生的輸出電壓在短時(shí)間內(nèi)不會(huì)發(fā)生變化，但時(shí)間一長(zhǎng)就會(huì)有20mv~40mv的變化，電壓變大變小的情況都有。并且，在不接LVDT的情況下，把手指搭在AD698芯片上
2023-11-17 06:01:30
PCB板短時(shí)間內(nèi)重復(fù)開(kāi)關(guān)機(jī)，導(dǎo)致ADS8328初始化失敗，看PDF，有POR復(fù)位和CFR_D0復(fù)位。選擇CFR_D0復(fù)位
程序如下，但是沒(méi)有
2025-01-01 06:39:54
我最近設(shè)計(jì)了一個(gè)RT1176系統(tǒng)。它使用 SDRAM 控制器。我可以運(yùn)行示例驅(qū)動(dòng)程序應(yīng)用程序并且內(nèi)存通過(guò)讀/寫測(cè)試。我想以 166MHZ 運(yùn)行內(nèi)存。時(shí)鐘樹(shù)非常復(fù)雜，很難在短時(shí)間內(nèi)掌握。誰(shuí)能告訴我如何將內(nèi)存時(shí)鐘更改為 166MHZ。謝謝
2023-03-20 07:40:15
？例如：中斷A在短時(shí)間內(nèi)觸發(fā)了3次，但是CPU來(lái)不及響應(yīng)（中斷A的執(zhí)行函數(shù)時(shí)間長(zhǎng)，或者正在執(zhí)行更高優(yōu)先級(jí)的中斷），CPU能否記住這3次中斷？如果有，目前最多支持緩存幾次中斷標(biāo)志？
2.如果沒(méi)有中斷標(biāo)志
2025-12-05 07:07:05
Type-C是近幾年大規(guī)模普及的充電接口，目前所發(fā)布的手機(jī)基本上都是該接口，而原來(lái)的Micro USB接口也逐漸減少使用，那為什么Type-C接口能在短時(shí)間內(nèi)迅速取代Micro USB接口呢？筆者
2021-09-14 07:34:39
的數(shù)據(jù)，而DDR2是4bit，因此其單位時(shí)間內(nèi)的數(shù)據(jù)傳輸量是DDR2的2倍。DDR3的速度從800MHz起跳，最高可以達(dá)到1600MHz。DDR3內(nèi)存與DDR2一樣是240Pin DIMM接口，不過(guò)兩者
2022-10-26 16:37:40
（較新的加速度計(jì)）的數(shù)據(jù)表中讀到，“為了確保擁有與所選 ODR 同步的第一個(gè) DRDY 上升沿（避免圖 2 中的情況：“DRDY 信號(hào)同步”）在啟用 ODR 之前將 I1_ ZYXDA 位設(shè)置為“1”。沒(méi)有運(yùn)氣。你能給我一個(gè)建議，如何在開(kāi)機(jī)后的最短時(shí)間內(nèi)從 LIS2DH 讀取有效數(shù)據(jù)嗎？先感謝您！
2023-01-04 08:48:17
上運(yùn)行舊版固件時(shí)，RTC 非常準(zhǔn)確。有沒(méi)有一種方法可以使 RTC 在短時(shí)間內(nèi)停止計(jì)數(shù)的地方“中斷”，因?yàn)槠渌蛘跁和?LSE？TouchGFX 是否在后臺(tái)執(zhí)行任何可能導(dǎo)致此類問(wèn)題的操作？感謝您的任何和所有輸入。我們現(xiàn)在很困惑。
2023-01-04 07:44:07
目前有一個(gè)項(xiàng)目需要使用DDR3作為顯示緩存，VGA作為顯示器，F(xiàn)PGA作為主控器，來(lái)刷圖片到VGA上。VGA部分已經(jīng)完成，唯獨(dú)這個(gè)DDR3以前沒(méi)有使用過(guò)，時(shí)序又比較復(fù)雜，所以短時(shí)間內(nèi)難以完成，希望做過(guò)DDR3控制器的大神指點(diǎn)一二。急求?。。?！
2015-11-16 09:18:59
DDR內(nèi)存SPD資料,DDR8X16 266,DDR16X8 266,DDR16X8 333,DDR16X16 266,DDR32X8 266,DDR32X8 400,DDR64X4 266,DDR 8X16.
2008-10-27 21:02:37
205 針對(duì)當(dāng)今電子系統(tǒng)對(duì)高速大容量內(nèi)存的需要，本文闡述了使用DDR 控制器IP 核來(lái)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存接口的方法。該方法能使設(shè)計(jì)盡可能簡(jiǎn)單，讓設(shè)計(jì)者更專注于關(guān)鍵邏輯設(shè)計(jì)，以便達(dá)到
2009-08-11 09:42:5121 ddr內(nèi)存針腳定義圖
2008-04-28 13:45:414928 
DDR內(nèi)存插槽及測(cè)試點(diǎn)
一、實(shí)物圖上圖就是DDR內(nèi)存插槽實(shí)物圖
2009-04-26 15:36:516424 
DDR 內(nèi)存兼容性列表
主板名稱 主板型號(hào) 芯片組 內(nèi)存插槽規(guī)格 ASUS A7A266 ALI 3DDR+2SDRAM A7M266 AMD760 3DDRCUV266 VIA266 3DDR+2SDR
2009-05-22 08:57:082211 什么是DDR SDRAM內(nèi)存
DDR是一種繼SDRAM后產(chǎn)生的內(nèi)存技術(shù)，DDR，英文原意為“DoubleDataRate”，顧名思義，就是雙數(shù)據(jù)傳輸模式。之所以稱其為“雙”，也
2009-12-17 11:15:532129 DDR SDRAM內(nèi)存
DDR SDRAM是Double Dat
2009-12-17 16:20:33954 當(dāng)晚上突然遇到停電，周圍漆黑一片，這時(shí)就要用到 應(yīng)急燈 啦！這種應(yīng)急燈的作用時(shí)間很短，即當(dāng)你在1min(分鐘)內(nèi)從容不迫地點(diǎn)亮蠟燭后，這盞燈才會(huì)慢慢熄滅。 一、短時(shí)間應(yīng)急燈工
2012-06-05 14:34:315641 
SD-DDR-DDR2內(nèi)存條標(biāo)準(zhǔn)尺寸
2013-09-13 15:19:42163 內(nèi)存顆粒廠家提供的，DDR3內(nèi)存條電路圖。onboard內(nèi)存的板子可以參考。
2015-12-31 14:15:39494 內(nèi)存的漲價(jià)短時(shí)間內(nèi)還將繼續(xù)，再結(jié)合挖礦導(dǎo)致的卡荒，今年真是一個(gè)不適合裝機(jī)的年份。
2017-08-09 15:41:205010 雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們?cè)賮?lái)看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變：
2017-11-08 15:42:2332470 DRAM內(nèi)存制造技術(shù)一直都是國(guó)家最為關(guān)注的重要戰(zhàn)略之一。在內(nèi)存市場(chǎng)中國(guó)沒(méi)有足夠的話語(yǔ)權(quán)，都被三星、SK海力士、美光幾家企業(yè)幾乎壟斷。據(jù)報(bào)道，紫光打造的中國(guó)第一款自主的PC DDR4內(nèi)存條終于問(wèn)世，讓我們看到了國(guó)產(chǎn)內(nèi)存崛起的希望。
2017-12-22 16:00:261933 涉及國(guó)產(chǎn)DDR4的還是紫光集團(tuán)的子公司紫光國(guó)芯，旗下?lián)碛形靼沧瞎鈬?guó)芯、深圳國(guó)微、紫光同創(chuàng)等公司。根據(jù)官網(wǎng)介紹，“紫光國(guó)芯是紫光集團(tuán)旗下半導(dǎo)體行業(yè)上市公司，專注于集成電路芯片設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)領(lǐng)域，堅(jiān)持穩(wěn)健經(jīng)營(yíng)
2018-03-19 18:35:002713 目前中國(guó)正在大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，但是在內(nèi)存市場(chǎng)卻有一些缺憾，全球內(nèi)存市場(chǎng)幾乎被美國(guó)、韓國(guó)壟斷，去年的內(nèi)存價(jià)格居高不下。現(xiàn)在目前國(guó)內(nèi)正在發(fā)展存儲(chǔ)芯片，國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存邁出第一步。
2018-03-01 10:12:0530615 目前在售的紫光DDR4內(nèi)存并沒(méi)有使用國(guó)產(chǎn)顆粒，而是SK Hynix顆粒，是韓國(guó)公司的顆粒，也就是說(shuō)現(xiàn)在的國(guó)內(nèi)DDR4內(nèi)存依然是掛羊頭賣狗肉，跟市場(chǎng)上其他內(nèi)存條沒(méi)有什么區(qū)別，國(guó)產(chǎn)的只是PCB之類的。不過(guò)店家也很坦誠(chéng)，說(shuō)紫光顆粒的DDR4內(nèi)存下半年問(wèn)世。
2018-03-05 09:36:013569 國(guó)產(chǎn)紫光內(nèi)存DDR3顆粒的性能如何呢？值得入手嗎？為了解決大家的疑問(wèn)，我們?yōu)榇蠹規(guī)?lái)了紫光DDR3 4GB*2 1600內(nèi)存的評(píng)測(cè)，幫助大家了解紫光內(nèi)存的真實(shí)性能。
2018-03-12 13:56:0012354 
見(jiàn)識(shí)過(guò)HBM的玩家對(duì)該技術(shù)肯定印象深刻，那么未來(lái)它又該如何發(fā)展呢？HPE（惠普企業(yè)級(jí)）公司的Nicolas Dube日前分享了他的一些觀點(diǎn)，在他看來(lái)DDR內(nèi)存要走到盡頭了（DDR is Over），特別是一些需求高帶寬的場(chǎng)合中。
2018-03-22 08:54:485402 
早在2017年，國(guó)內(nèi)公司進(jìn)軍 內(nèi)存 產(chǎn)業(yè)的消息便一直甚囂塵上，其中的代表便是紫光公司，擁有國(guó)家政策與資金的扶持之下，終于做出了重要的突破。在今年上半年，憑借英飛凌、奇夢(mèng)達(dá)的基礎(chǔ)在 DDR 3內(nèi)存上
2018-04-05 15:47:005202 劉愛(ài)力表示，中國(guó)電信雖然大部分業(yè)務(wù)均在內(nèi)地，但如果不是能與用戶分享公司的發(fā)展，再加上要考慮公司未來(lái)股價(jià)走勢(shì)等諸多問(wèn)題，故而公司短時(shí)間內(nèi)未有回A 股上市的決定。
但中電信是有計(jì)劃將旗下子公司如翼支付或一些資管公司分拆上市，只是還沒(méi)有決定在A股或者赴港上市。劉愛(ài)力表示，翼支付剛完成了新一輪融資。
2018-05-29 09:51:001125 據(jù)e公司的直播（本文主要內(nèi)容來(lái)源于e公司直播），中興通訊總裁趙先明指出，絕大多數(shù)客戶耐心等待著中興通訊恢復(fù)運(yùn)營(yíng)，公司市場(chǎng)一線的同事堅(jiān)持在一線，盡可能短時(shí)間內(nèi)恢復(fù)生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)，把耽誤掉的時(shí)間追趕回來(lái)，力爭(zhēng)
2018-07-27 10:25:245684 電源設(shè)計(jì)小貼士 41：DDR 內(nèi)存電源
2018-08-08 01:33:006580 紫光國(guó)微表示，公司的DRAM芯片與三星等國(guó)際知名企業(yè)還是有很大差距，我們還處于學(xué)習(xí)和追趕的過(guò)程中。一段時(shí)間內(nèi)，DDR4仍將是市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品，短時(shí)間不會(huì)有太大影響。
2018-09-19 09:43:426394 ，并成功實(shí)現(xiàn)無(wú)束縛飛行。就外觀而言，該飛行器有兩大特色：一對(duì)額外的翅膀（四翼）和頂部的太陽(yáng)能電池。它可以在短時(shí)間內(nèi)不受束縛地飛行。
2019-07-07 10:38:264816 雖然深圳的企業(yè)運(yùn)營(yíng)成本在不斷上漲，但是深圳的優(yōu)勢(shì)在于制造業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈非常的齊全，這不是其他城市短時(shí)間內(nèi)能夠趕上的。
2019-07-29 15:17:324346 任何關(guān)于電源完整性的討論都包括對(duì)目標(biāo)阻抗和平坦阻抗要求的概念的大量強(qiáng)調(diào)。但我們?nèi)绾卧O(shè)計(jì)專門用于平坦阻抗的穩(wěn)壓器模塊(VRM)?本文不僅將討論該特定問(wèn)題，還將解決如何在5秒或更短時(shí)間內(nèi)完成該問(wèn)題。
2019-08-12 10:34:553274 
隨著紫光、合肥長(zhǎng)鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國(guó)產(chǎn)自主的DRAM芯片未來(lái)也會(huì)迎來(lái)一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國(guó)芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)上公開(kāi)展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 09:37:095571 9 月份合肥長(zhǎng)鑫宣布量產(chǎn) 8Gb 顆粒的國(guó)產(chǎn) DDR4 內(nèi)存。對(duì)于國(guó)產(chǎn)內(nèi)存，市場(chǎng)預(yù)期不會(huì)對(duì)三星、SK 海力士及美光三大內(nèi)存巨頭帶來(lái)太大影響，但是會(huì)擠壓第四大內(nèi)存廠商南亞科的空間。對(duì)此南亞科予以否認(rèn)，表示短時(shí)間內(nèi)沒(méi)什么大影響。
2019-11-19 10:44:313626 隨著紫光、合肥長(zhǎng)鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國(guó)產(chǎn)自主的DRAM芯片未來(lái)也會(huì)迎來(lái)一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國(guó)芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)上公開(kāi)展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 14:54:145108 嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，合肥長(zhǎng)鑫的內(nèi)存不是第一款國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片，紫光旗下的紫光國(guó)微之前也有DDR內(nèi)存研發(fā)，也曾少量用于國(guó)產(chǎn)的服務(wù)器等產(chǎn)品中，但是紫光國(guó)微沒(méi)有生產(chǎn)能力，DDR內(nèi)存無(wú)法大量供應(yīng)。
2020-03-01 10:15:113548 2 月 28 日訊，國(guó)產(chǎn)首枚 DDR4 內(nèi)存現(xiàn)已面世。在長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的官方網(wǎng)站上，目前已經(jīng)公開(kāi)列出了自家的 DDR4 內(nèi)存芯片、DDR4 內(nèi)存條、LPDDR4X 內(nèi)存芯片，全部產(chǎn)品都符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
2020-03-02 11:18:281708 與時(shí)間賽跑，爭(zhēng)取短時(shí)間內(nèi)搶占市場(chǎng)資源，贏取商業(yè)上的成功，已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)市場(chǎng)最真實(shí)的寫照。而當(dāng)長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布128層3D FLASH即將邁入量產(chǎn)之際，這場(chǎng)圍繞國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)市場(chǎng)的爭(zhēng)奪戰(zhàn)逐步浮出水面，進(jìn)而轉(zhuǎn)向白熱化。
2020-04-13 15:08:463633 
江波龍嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE推出了3款國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存，分別為DDR4SODIMM 8GB、DDR4UDIMM 8GB、DDR4UDIMM 16GB，核心DRAM均采用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的顆粒，這標(biāo)志著中國(guó)
2020-05-22 15:24:523650 今年，小米10等智能手機(jī)都開(kāi)始用上了LPDDR5內(nèi)存，此后，這樣規(guī)格的內(nèi)存應(yīng)該也會(huì)成為新一代旗艦手機(jī)的標(biāo)配。不過(guò)在PC端，DDR5內(nèi)存還是需要等待的，英特爾和AMD的下一代消費(fèi)級(jí)處理器和主板產(chǎn)品中
2020-07-30 15:27:123275 通過(guò)復(fù)雜的設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)人員正在采用先進(jìn)的PCB布局方法。
2021-03-08 11:41:022104 DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時(shí)間了，算算迭代的速度，DDR5也該來(lái)了，而國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)品牌的龍頭之一，嘉合勁威最近也是宣布，正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù)，將在2021年于深圳坪山率先實(shí)現(xiàn)DDR5的量產(chǎn)。
2020-12-09 10:19:553059 12月25日消息 根據(jù)網(wǎng)易暴雪游戲客服團(tuán)隊(duì)的消息，暴雪游戲平臺(tái)近期受到了持續(xù) DDOS 攻擊，官方稱無(wú)法斷言能在短時(shí)間內(nèi)完全解決該問(wèn)題。 暴雪表示，近期受到的一系列大型惡意“分布式拒絕服務(wù)（DDOS
2020-12-25 15:14:172226 2021年的內(nèi)存市場(chǎng)，此前三星等大廠給出的預(yù)期是明年Q1季度繼續(xù)跌，Q2季度持平，下半年才會(huì)開(kāi)始反彈。 不過(guò)這段時(shí)間內(nèi)存市場(chǎng)變數(shù)頗多，三星、SK海力士、美光三大廠商繼續(xù)削減2021年的內(nèi)存投資，供應(yīng)量會(huì)比預(yù)期減少，再加上DDR3等低端內(nèi)存產(chǎn)能逐漸退出
2020-12-31 16:27:013435 大漲30%。 對(duì)于2021年的內(nèi)存市場(chǎng)，此前三星等大廠給出的預(yù)期是明年Q1季度繼續(xù)跌，Q2季度持平，下半年才會(huì)開(kāi)始反彈。 不過(guò)這段時(shí)間內(nèi)存市場(chǎng)變數(shù)頗多，三星、SK海力士、美光三大廠商繼續(xù)削減2021年的內(nèi)存投資，供應(yīng)量會(huì)比預(yù)期減少，再加上DDR3等低端內(nèi)存產(chǎn)能逐漸退
2021-01-08 10:18:304428 最快在2021年9月份，隨著Intel的十二代酷睿Alder Lake的到來(lái)，DDR5內(nèi)存也要商用了，今年會(huì)是DDR5元年。 DDR5內(nèi)存來(lái)了，DDR4內(nèi)存當(dāng)然不會(huì)馬上被淘汰，但前景肯定不會(huì)多好
2021-02-02 11:27:394194 2021年將是DDR內(nèi)存技術(shù)升級(jí)換代元年，DDR5內(nèi)存下半年就會(huì)正式亮相。今天國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)品牌阿斯加特宣布了旗下首款DDR5內(nèi)存，起步頻率就達(dá)到DDR5-4800MHz。
2021-02-22 16:31:204212 終止科創(chuàng)板上市”，這意味著，聯(lián)想的科創(chuàng)板IPO之路，只走了短短一個(gè)工作日。 為何聯(lián)想會(huì)選擇在這么短時(shí)間內(nèi)提交就撤回申請(qǐng)？這個(gè)問(wèn)題在當(dāng)時(shí)眾說(shuō)紛紜，有人猜測(cè)聯(lián)想達(dá)不到科創(chuàng)板上市標(biāo)準(zhǔn)，有人猜測(cè)是因?yàn)槁?lián)想負(fù)債率過(guò)高，也有機(jī)構(gòu)報(bào)告
2021-11-08 14:38:301887 日前，世界著名硬件網(wǎng)站TomsHardware上有消息表示，多家大廠都在考慮停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)。DDR3內(nèi)存早在2007年就被引入，至今已長(zhǎng)達(dá)15年，因?yàn)槠洳辉俜河糜谥髁髌脚_(tái)，即便退出市場(chǎng)也不會(huì)
2022-04-06 12:22:566223 如何在短時(shí)間內(nèi)解決電廠鍋爐風(fēng)機(jī)軸修復(fù)問(wèn)題？
2022-05-25 16:10:500 華強(qiáng)北眾生相2021年，受到國(guó)內(nèi)外疫情的影響，加上2020年被壓抑的需求得到釋放，導(dǎo)致消費(fèi)電子銷量大幅上漲，繼而使芯片需求在短時(shí)間內(nèi)暴漲，而本地芯片供應(yīng)也很難跟上，大多只能向海外求購(gòu)，但疫情導(dǎo)致物流受阻，芯片供應(yīng)減少，市場(chǎng)中開(kāi)始掀起炒作的浪潮，很多人的夢(mèng)從這一刻開(kāi)始。
2022-08-22 09:32:313558 如果你的Linux服務(wù)器突然負(fù)載暴增，告警短信快發(fā)爆你的手機(jī)，如何在最短時(shí)間內(nèi)找出Linux性能問(wèn)題所在？來(lái)看Netflix性能工程團(tuán)隊(duì)的這篇博文，看它們通過(guò)十條命令在一分鐘內(nèi)對(duì)機(jī)器性能問(wèn)題進(jìn)行診斷。
2022-12-28 09:21:36418 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來(lái)越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開(kāi)始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:0013842 DDR內(nèi)存條的設(shè)計(jì)
2022-12-30 09:20:0331 再談DDR內(nèi)存布線
2022-12-30 09:21:085 需求方面，2023下半年移動(dòng)DRAM（內(nèi)存）及NAND Flash閃存（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動(dòng)，華為Mate 60系列等也刺激其他中國(guó)智能手機(jī)品牌擴(kuò)大生產(chǎn)目標(biāo)，短時(shí)間內(nèi)涌入的需求也成為推動(dòng)第四季度合約價(jià)漲勢(shì)的原因之一。
2023-11-09 16:15:271095 Java虛擬機(jī)（JVM）內(nèi)存是Java程序執(zhí)行時(shí)所使用的內(nèi)存空間的總稱，包括了Java堆、方法區(qū)、本地方法棧、虛擬機(jī)棧和程序計(jì)數(shù)器等多個(gè)部分。在這些內(nèi)存空間中，并不包含“遠(yuǎn)空間內(nèi)存”的概念。下面將
2023-12-05 14:15:57921 DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù)，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點(diǎn)。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù)，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:0513400 在電力系統(tǒng)中，電容器是一種重要的電氣設(shè)備，常用于提高功率因數(shù)、改善電網(wǎng)穩(wěn)定性等方面。然而，電容器作為一種電壓敏感的元件，對(duì)于電壓波動(dòng)非常敏感，特別是在短時(shí)間內(nèi)的過(guò)電壓情況下，可能引發(fā)嚴(yán)重的問(wèn)題。為什么電力電容器不允許短時(shí)間內(nèi)過(guò)電壓運(yùn)行？
2024-02-26 14:30:262214 。
該問(wèn)題的出現(xiàn)若不及時(shí)處理腐蝕的配合面將進(jìn)一步擴(kuò)大，并將影響成品質(zhì)量，傳統(tǒng)修復(fù)工藝無(wú)法在短時(shí)間內(nèi)快速高效的針對(duì)這些問(wèn)題進(jìn)行修復(fù)，因此企業(yè)使用福世藍(lán)軋機(jī)牌坊修復(fù)工藝，
2024-04-30 13:45:05864 
近日，三星和SK海力士宣布，將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存，轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
2024-05-17 10:12:211563 產(chǎn)能布局，將大量資源轉(zhuǎn)向生產(chǎn)面向AI需求的高頻寬內(nèi)存（HBM），導(dǎo)致DDR5等常規(guī)內(nèi)存規(guī)格的生產(chǎn)量急劇減少。
2024-08-15 10:19:212762 DDR4內(nèi)存模塊是計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)的一項(xiàng)重要進(jìn)步，它是Double Data Rate（雙倍數(shù)據(jù)速率）第四代內(nèi)存技術(shù)的具體實(shí)現(xiàn)形式。
2024-09-04 12:35:503948 DDR4內(nèi)存的傳輸速率是衡量其性能的重要指標(biāo)之一，它直接決定了內(nèi)存模塊在單位時(shí)間內(nèi)能夠傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量。
2024-09-04 12:44:256008 DDR4內(nèi)存的工作頻率是指DDR4內(nèi)存條在運(yùn)行時(shí)所能達(dá)到的速度，它是衡量DDR4內(nèi)存性能的一個(gè)重要指標(biāo)。DDR4內(nèi)存作為目前廣泛使用的內(nèi)存類型之一，其工作頻率經(jīng)歷了從最初的低頻率到當(dāng)前的高頻率的不斷發(fā)展。
2024-09-04 12:45:396941 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展。DDR（Double Data Rate）內(nèi)存條作為計(jì)算機(jī)的重要組成部分，其性能直接影響到電腦的運(yùn)行速度和穩(wěn)定性。DDR3和DDR4是目前市場(chǎng)上最常
2024-11-20 14:24:2211362 DDR內(nèi)存頻率對(duì)性能的影響主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面： 一、數(shù)據(jù)傳輸速度 內(nèi)存條的頻率（MHz）代表每秒的傳輸速度，即內(nèi)存每秒能夠執(zhí)行操作的次數(shù)。頻率越高，意味著數(shù)據(jù)傳輸速度越快。這有助于提升系統(tǒng)
2024-11-20 14:25:556042 隨著計(jì)算機(jī)硬件技術(shù)的快速發(fā)展，內(nèi)存的性能越來(lái)越受到重視。DDR內(nèi)存作為計(jì)算機(jī)運(yùn)行不可或缺的一部分，其性能直接影響到計(jì)算機(jī)的響應(yīng)速度和數(shù)據(jù)處理能力。超頻，作為一種提升硬件性能的方法，被許多硬件愛(ài)好者所
2024-11-20 14:27:165524 檢測(cè)DDR內(nèi)存性能是一個(gè)涉及硬件和軟件的綜合過(guò)程，可以通過(guò)以下幾個(gè)步驟來(lái)進(jìn)行： 1. 硬件檢查 1.1 確認(rèn)內(nèi)存規(guī)格 查看內(nèi)存條標(biāo)簽 ：檢查內(nèi)存條上的標(biāo)簽，確認(rèn)其規(guī)格，包括DDR類型（如DDR
2024-11-20 14:30:104839 DDR內(nèi)存，全稱為Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory（雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存），是一種用于計(jì)算機(jī)和其他
2024-11-20 14:32:504135 隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的飛速發(fā)展，內(nèi)存作為計(jì)算機(jī)的核心組件之一，其穩(wěn)定性和可靠性對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行至關(guān)重要。DDR（Double Data Rate）內(nèi)存以其高速的數(shù)據(jù)傳輸率和較高的性價(jià)比被廣泛應(yīng)用于個(gè)人電腦
2024-11-20 14:34:065058 在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，內(nèi)存是至關(guān)重要的組件之一，它直接影響到數(shù)據(jù)的處理速度和系統(tǒng)的響應(yīng)時(shí)間。DDR內(nèi)存作為一種高效的內(nèi)存技術(shù)，其數(shù)據(jù)傳輸速度是衡量其性能的關(guān)鍵指標(biāo)。 DDR內(nèi)存技術(shù)概述 DDR內(nèi)存技術(shù)是在
2024-11-20 14:35:283496 DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡(jiǎn)介 DDR5（Double Data Rate 5）是第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）。它是DDR4的后續(xù)產(chǎn)品，提供更高
2024-11-22 15:38:037928 DDR內(nèi)存與SDRAM的區(qū)別 1. 定義與起源 SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) ：同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是一種早期的內(nèi)存技術(shù)，它與
2024-11-29 14:57:275093 據(jù)傳輸速率相較于DDR4內(nèi)存有了顯著提升。DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)起始速率為2133MT/s，而DDR5內(nèi)存的起始速率為4800MT/s。這意味著DDR5內(nèi)存在相同的時(shí)間內(nèi)可以傳輸更多的數(shù)據(jù)，從而提高系統(tǒng)的處理
2024-11-29 14:58:405418 測(cè)試DDR內(nèi)存的穩(wěn)定性是確保計(jì)算機(jī)系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的重要步驟。以下是一些常用的測(cè)試DDR內(nèi)存穩(wěn)定性的方法： 一、使用專業(yè)測(cè)試軟件 MemTest86 ： 功能：MemTest86是一款優(yōu)秀的內(nèi)存測(cè)試
2024-11-29 15:01:244758 DDR內(nèi)存的工作原理 DDR（Double Data Rate）內(nèi)存，即雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是一種高速的內(nèi)存技術(shù)。它允許在時(shí)鐘周期的上升沿和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸速率的翻倍
2024-11-29 15:05:163598 隨著國(guó)產(chǎn)DDR5內(nèi)存的上市，內(nèi)存市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)即將迎來(lái)新的變化。DRAM內(nèi)存作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的明星產(chǎn)品，據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Trendforce預(yù)估，2024年全球DRAM內(nèi)存的產(chǎn)值將達(dá)到約907億美元。
2025-01-07 15:53:292425 據(jù)報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級(jí)平臺(tái)的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513468 DDR內(nèi)存占據(jù)主導(dǎo)地位。全球DDR內(nèi)存市場(chǎng)正經(jīng)歷一場(chǎng)前所未有的價(jià)格風(fēng)暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR4市場(chǎng)，轉(zhuǎn)向DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）生產(chǎn)，DDR3和DDR4市場(chǎng)呈現(xiàn)供不應(yīng)求、供需失衡、漲勢(shì)延續(xù)的局面。未來(lái)，DDR5滲透率將呈現(xiàn)快速提升，市場(chǎng)份額增長(zhǎng)的趨勢(shì)。
2025-06-25 11:21:152015 
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