據(jù)報道，臺積電傳有主管跳槽至大陸晶圓代工廠泉芯，對此，臺積電28日回應(yīng)，對于任何可能違反離職后競業(yè)禁止約定行為，秉持毋枉毋縱態(tài)度，經(jīng)確認(rèn)屬實者，將立即追究其違約責(zé)任等作為。

臺積電傳出曾任職蝕刻及擴散部門的主管，跳槽至大陸晶圓代工廠泉芯，并擔(dān)任高階主管，且手上都有多篇專利。

對此，臺積電回應(yīng)，對此不予評論，但對于任何可能違反離職后競業(yè)禁止約定之行為，一向秉持毋枉毋縱的嚴(yán)謹(jǐn)態(tài)度，經(jīng)確認(rèn)屬實者，將立即追究其違約責(zé)任等作為決不寬貸妥協(xié)。

臺積電并強調(diào)，除采取必要法律措施外，也持續(xù)透過組織人員、流程及科技保護(hù)知識產(chǎn)權(quán)，以確保公司競爭力。

此前日經(jīng)報道，中國大陸的泉芯和武漢弘芯兩個項目共聘請了來自臺積電的100余名工程師和主管。臺媒經(jīng)濟(jì)日報指出，對于這一傳聞，臺積電董事長劉德音表示，與事實不符，近半年來疫情嚴(yán)重，沒有人會離島。

泉芯集成電路制造（濟(jì)南）有限公司于2019年1月成立，公開消息顯示，該項目將建設(shè)12英寸12nm邏輯集成電路制造線，項目總投資598億元。

今年年初，中國二冶集團(tuán)宣布中標(biāo)濟(jì)南泉芯集成電路制造產(chǎn)業(yè)園區(qū)施工總承包項目。該項目位于濟(jì)南高新區(qū)，占地面積585畝，總建筑面積約59.27萬平方米。承包范圍包括新建芯片生產(chǎn)廠房、光罩廠、生產(chǎn)調(diào)度及研發(fā)廠房、動力中心、大宗氣站、化學(xué)品庫及變電站、公輔設(shè)施等工程。該項目建成后年產(chǎn)多媒體芯片48萬片。
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