三星有望超車臺積電

3月15日消息，三星在IEEE ISSCC國際固態(tài)電路大會上首次展示采用3nm的256Mb（32MB）容量SRAM存儲芯片。并使用MBCFET技術，寫入電壓僅0.23V，是三星實現新工藝量產的一次重大進步。

三星的3nm工藝采用了GAAFET（環(huán)繞柵極場效應晶體管）技術，與上一代7LPP FinFET工藝相比，晶體管密度可以提高80%，性能可提升30%，或功耗降低50%。有消息稱，臺積電也在研發(fā)3nm工藝，可惜新工藝仍將采用FinFET立體晶體管技術，與5nm工藝相比，晶體管密度將提高70%，性能可提升11%，或功耗降低27%。

從上面的參數來看，三星貌似有望實現彎道超車。但三星未公布3nm訂單情況，臺積電則基本確認，客戶會包括蘋果、AMD、NVIDIA、聯發(fā)科、賽靈思、博通、高通等。

三星這次能否全面反超臺積電，我們拭目以待。

高通將優(yōu)先保證高端SoC芯片供應

據路透社報道，全球芯片產能緊張的狀況進一步擴大，高通向三星供貨已被影響。報道稱，本次不僅影響到了中低端芯片，高通向三星 Galaxy S21 系列手機供應驍龍 888 SoC 的能力也受到了限制。目前高通產能受影響的程度未知，而高通仍有信心實現第二季度目標。

高通表示，“將優(yōu)先保證高端 SoC 芯片的供應，而不是低價的入門級芯片。”稱有一家知名手機制造商向路透社表示，高通公司芯片都供應緊張，所以只能削減智能手機的產能。

小米盧偉冰也表示過，目前智能手機的芯片是非常短缺的。高通即將上任的 CEO Cristiano Amon 表示，目前芯片短缺的情況有一部分原因是美國對華為的限制，導致手機廠商（如榮耀）只能選擇其它公司的芯片。

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