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      NP30P10G(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFE)

      batai ? 來源：batai ? 作者：batai ? 2022-07-14 09:53 ? 次閱讀
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      1.描述
      NP30P10G采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)并設(shè)計為提供出色的RDS(ON)

      2.一般特征
      * 帶低門
      * 沖鋒。它可以用于廣泛的應(yīng)用。
      VDS=-100V ID
      R=-30a
      DS(ON)（典型值）=36 MΩ@VGS
      R=-10V
      DS(ON)（典型值）=40 MΩ@VGS
      * 高功率和電流處理能力
      =-4.5V
      * 獲得無鉛產(chǎn)品
      * 表面貼裝封裝

      3.應(yīng)用程序
      * 負(fù)荷開關(guān)

      4.包裝
      TO-252-2L

      5.示意圖

      poYBAGLPdxKAaNo6AAFn9HGsI1I782.png




      審核編輯 黃昊宇

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