本項目是一個電機電源控制板，主要功能是控制4個200W的大功率直流電機的供電電源，電機供電電源24V，4個電機的工作電流大約30A左右。由于是在電源正極對電機負載進行開關控制，所以最適合的就是選擇P溝道MOSFET作為電源開關控制器件。

對于P溝道MOS器件的選型，首先需要確定的是系統(tǒng)最大的連續(xù)工作電流，在本項目中需要選擇連續(xù)電流大于30A的P溝道MOS；考慮到電機工作時會產(chǎn)生比較大的瞬時電流，在P溝道MOS選型的過程中一定要留夠負載電流余量。另外在大電流負載的情況下，還需要考慮系統(tǒng)的散熱設計。通過選型對比最終選擇安森德的ASDM60P25KQ作為電機電源的控制開關。

ASDM60P25KQ主要電氣性能參數(shù)：

●BVDSS：-60V

●RDS(on),Typ@VGS=-10V：32m?

●ID：-25A

●Vgs=±20V

●PD為60W(TC =25oC)

●R?JA為50oC/W (最大值)。

ASDM60P25KQ基本特征：

●高密度電池設計可實現(xiàn)超低RDS(ON)

●具有高可靠性、高效率、高EAS能力●溝道功率低壓MOSFET技術●出色的散熱封裝●100%雪崩測試●提供TO-252-2L封裝通過上面的電氣參數(shù)和器件特征可以得知ASDM60P25KQ的導通電阻小，持續(xù)過流能力可以達到25A，當VGS=-10V的時候導通電阻RDS的典型值為32mΩ；另外對于大功率器件散熱是必須要做好的，否則一方面會有損壞器件的風險，另一方面電子產(chǎn)品長期在高溫條件下工作也會影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性和使用壽命。對比國外品牌萬代的AOD407電氣性能參數(shù)：ASDM60P25KQ具有更低的導通電阻，更大的耗散功率，相當于在同樣的負載電流情況下ASDM60P25KQ的發(fā)熱量會低10%左右。ASDM60P25KQ是國產(chǎn)器件，具有貨源好和更高的性價比，適合應用于各種新產(chǎn)品設計以及老產(chǎn)品的更新?lián)Q代。實際測試中，器件在30A負載條件下不做散熱處理不能長期運行，會損壞器件，工程師設計需增加一塊大的散熱器，器件溫度長期穩(wěn)定在70oC左右。下圖是安森德的P溝道功率MOS管ASDM60P25KQ實物圖：

安森德ASDM60P25KQ可替代萬代AOD407、臺灣微碧2SJ601-Z，