開始實現大規(guī)模生產。這一進展將使得三星參與到下一階段HBM訂單的有力競爭。 ? 三星還在HBM3E上提供了非常具有吸引力的報價,傳聞向英偉達提供比SK海力士低20%至30%的報價,
發(fā)表于 08-23 00:28
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成為了全球存儲芯片巨頭們角逐的焦點。三星電子作為行業(yè)的領軍企業(yè),一直致力于推動 HBM 技術的革新。近日有消息傳出,三星電子準備從 16 層 HBM 開始引入混合鍵合技術,這一舉措無疑
發(fā)表于 07-24 17:31
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電子發(fā)燒友網綜合報道,據韓媒報道,三星電子近期已完成與博通就12層HBM3E產品的質量測試,正就量產供應展開磋商。當前協(xié)商的供應量按容量計算約為10億Gb級別左右,量產時間預計最早從今年下半年延續(xù)至
發(fā)表于 07-12 00:16
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三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在
發(fā)表于 04-18 10:52
其高帶寬存儲器HBM3E產品中的初始缺陷問題,并就三星第五代HBM3E產品向英偉達供應的相關事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發(fā)了外界的廣泛關注。據推測,三星8層
發(fā)表于 02-18 11:00
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三星電子在近期舉行的業(yè)績電話會議中,透露了其高帶寬內存(HBM)的最新發(fā)展動態(tài)。據悉,該公司的第五代HBM3E產品已在2024年第三季度實現大規(guī)模生產和銷售,并在第四季度成功向多家GP
發(fā)表于 02-06 17:59
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領域邁出了重要一步。16-Hi HBM3E內存以其高帶寬、低功耗的特性,在數據中心、人工智能、機器學習等領域具有廣泛的應用前景。隨著技術的不斷進步,市場對高性能內存的需求日益增加,美光的加入無疑將加劇市場競爭,推動整個行業(yè)的進步
發(fā)表于 01-17 14:14
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近日,SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內存的量產準備工作。這一創(chuàng)新產品的全面生產測試已經正式啟動,為明年初的樣品出樣乃至2025年上半年的大規(guī)模量產與供應奠定了
發(fā)表于 12-26 14:46
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近日,英偉達公司正在積極推進對三星AI內存芯片的認證工作。據英偉達CEO透露,他們正在不遺余力地加速這一進程,旨在盡快將三星的內存解決方案融入其產品中。 此次認證工作的焦點在于
發(fā)表于 11-25 14:34
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在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中,SK hynix(SK海力士)透露了一項令人矚目的新產品計劃。據悉,該公司正在積極開發(fā)HBM3e 16hi產品,這款產品的每顆HBM芯片容量高達48GB,將為用戶帶來前所未有的存儲體驗。
發(fā)表于 11-14 18:20
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在近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產品。這一產品的推出,標志著SK海力士在高端存儲技術領域的又一次重大突破。
發(fā)表于 11-13 14:35
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三星電子公司近日宣布了一項重大投資決策,計劃擴建其位于韓國忠清南道的半導體封裝設施,以提高高帶寬存儲器(HBM)的產量。這一舉措標志著三星在HBM市場
發(fā)表于 11-13 14:14
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近日在一次科技展覽上,SK海力士驚艷亮相,展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產品。這一突破性產品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術領域
發(fā)表于 11-05 15:01
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領域的競爭對手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。據悉,SK海力士已經開始量產業(yè)界領先的12層HBM3E芯片。這一消息無疑加劇了HBM市場的競爭態(tài)勢。 然而,對于三星電子來說,向英偉
發(fā)表于 11-04 10:39
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近日,業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進程遲緩的消息,據稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關。具體而言,1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉達提供
發(fā)表于 10-23 17:15
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