3E/HBM4有了新進展,SK海力士的HBM4性能更強。同時,DDR4的陸續(xù)減產(chǎn),更多資源投向了DDR5和HBM。 ? AI服務(wù)器帶動業(yè)績增長 ? 戴爾科技發(fā)布2026財年第一財季(截
發(fā)表于 06-02 06:54
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在積極配合這一客戶需求。從HMB4的加速量產(chǎn)、HBM4E演進到邏輯裸芯片的定制化等HBM技術(shù)正在創(chuàng)新中發(fā)展。 ? HBM4 E的 基礎(chǔ)裸片
發(fā)表于 11-30 00:31
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文 / 吳子鵬)近日,SK 海力士宣布全球率先完成第六代高帶寬存儲器(HBM4)的開發(fā),并同步進入量產(chǎn)階段,成為首家向英偉達等核心客戶交付 HBM4 的存儲廠商。 ? 據(jù)悉,SK
發(fā)表于 09-17 09:29
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近日,Cadence(NASDAQ:CDNS)近日宣布推出業(yè)界速度最快的 HBM4 12.8Gbps 內(nèi)存 IP 解決方案,以滿足新一代 AI 訓(xùn)練和 HPC 硬件系統(tǒng)對 SoC 日益增長的內(nèi)存帶寬
發(fā)表于 05-26 10:45
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較為激進的技術(shù)路線,以挽回局面。
4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當?shù)貢r間 16 日報道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試
發(fā)表于 04-18 10:52
。改造完成后AP8 廠將是臺積電目前最大的先進封裝廠,面積約是此前 AP5 廠的四倍,無塵室面積達 10 萬平方米。 臺積
發(fā)表于 04-07 17:48
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據(jù)韓國媒體報道,三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn),為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn),公司決定對設(shè)計進行重大調(diào)整。
發(fā)表于 02-13 16:42
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近日,據(jù)外媒報道,臺積電已確認其位于美國亞利桑那州的Fab 21晶圓廠將在2024年第四季度正式進入大批量生產(chǎn)階段,主要生產(chǎn)
發(fā)表于 01-20 14:49
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近日,臺積電在美國亞利桑那州新建的先進半導(dǎo)體工廠即將邁入大規(guī)模生產(chǎn)階段,目標鎖定為制造蘋果的A系列芯片。這一里程碑事件意味著,蘋果設(shè)備的關(guān)鍵
發(fā)表于 01-15 11:13
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據(jù)臺灣《聯(lián)合報》的消息,美國商務(wù)部長雷蒙多近日對英國路透社透露,臺積電最近幾周已開始在美國亞利桑那州廠為美國客戶生產(chǎn)先進的4納米
發(fā)表于 01-13 15:18
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近日,據(jù)最新報道,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺積電已正式在美國亞利桑那州的工廠啟動了先進的4納米芯片的生產(chǎn)
發(fā)表于 01-13 14:42
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芯片代工伙伴。上一次高通選擇三星代工,還要追溯到2021年的驍龍8第一代芯片,當時采用的是三星的4納米制程。 據(jù)悉,臺積
發(fā)表于 12-30 11:31
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2048位接口,這一技術(shù)革新將大幅提升數(shù)據(jù)傳輸速度和存儲效率。美光計劃于2026年開始大規(guī)模生產(chǎn)HBM4,以滿足日益增長的高性能計算需求。 除了HBM4,美光還透露了HBM4E的研發(fā)計
發(fā)表于 12-23 14:20
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人工智能芯片。 BLACKWELL芯片作為NVIDIA在人工智能領(lǐng)域的重要產(chǎn)品,其性能卓越,廣受市場好評。此次臺積電與NVIDIA的會談,預(yù)
發(fā)表于 12-06 10:54
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圓上芯片)封裝技術(shù),該技術(shù)將提供高達9個掩模尺寸的中介層尺寸和12個HBM4內(nèi)存堆棧。新的封裝方法將解決性能要求最高的應(yīng)用,并讓AI(人工智能)和HPC(高性能計算)芯片設(shè)計人員能夠構(gòu)建手掌大小的處理器。
發(fā)表于 12-03 09:27
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