今日，半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項(xiàng)業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑，該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)?；a(chǎn)，此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度，更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在AI應(yīng)用存儲器市場的領(lǐng)軍地位。

SK海力士通過其卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力，成功地將12顆高性能3GB DRAM芯片精妙地堆疊于單一封裝之內(nèi)，而令人驚嘆的是，這一壯舉并未增加產(chǎn)品的整體厚度，相較于傳統(tǒng)的8層產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)了容量上的飛躍性增長，增幅高達(dá)50%。這一成就的背后，是SK海力士對DRAM制造工藝的極致精研，每片芯片被精心打磨至前所未有的纖薄程度，較以往縮減了40%，同時(shí)借助先進(jìn)的硅通孔（TSV）技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了高效的垂直堆疊，極大提升了空間利用效率。

尤為值得關(guān)注的是，SK海力士在追求高容量的同時(shí)，也成功克服了堆疊更多超薄芯片所帶來的復(fù)雜挑戰(zhàn)。公司獨(dú)有的先進(jìn)MR-MUF工藝不僅讓新產(chǎn)品的散熱性能較上一代提升了10%，還有效控制了翹曲現(xiàn)象，確保了產(chǎn)品的卓越穩(wěn)定性和可靠性，為AI應(yīng)用的長久高效運(yùn)行奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

自2013年首代HBM產(chǎn)品問世以來，SK海力士始終引領(lǐng)行業(yè)潮流，作為唯一一家能提供全系列HBM解決方案的供應(yīng)商，其在該領(lǐng)域的深耕細(xì)作有目共睹。此次12層HBM3E芯片的量產(chǎn)，不僅是SK海力士在HBM技術(shù)上的又一次重大突破，更是對AI時(shí)代對存儲性能極限需求的精準(zhǔn)回應(yīng)。

該芯片在性能上同樣令人矚目，其數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)9.6Gbps，在支持四個(gè)HBM的GPU平臺上，能夠以前所未有的速度處理大型AI模型如“Llama 3 70B”的巨量數(shù)據(jù)，每秒可完成35次高達(dá)700億參數(shù)的讀取操作，為AI模型的訓(xùn)練與推理提供了強(qiáng)大的數(shù)據(jù)吞吐能力。

市場對此反應(yīng)熱烈，SK海力士股價(jià)在韓國市場迅速攀升，漲幅超過8%，公司總市值也躍升至120.34萬億韓元（約合6351.55億元人民幣），彰顯了資本市場對公司技術(shù)創(chuàng)新能力及未來發(fā)展?jié)摿Φ母叨日J(rèn)可。

展望未來，SK海力士表示將繼續(xù)深耕HBM技術(shù)領(lǐng)域，不斷探索前沿科技，為全球AI產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展注入新的活力。隨著12層HBM3E芯片的廣泛應(yīng)用，一個(gè)以高效存儲為核心驅(qū)動(dòng)力的全新AI時(shí)代正加速向我們走來。