DS1225Y 64K非易失SRAM

　　DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態(tài)非易失RAM，按照8位、8192字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)、寫保護(hù)將無(wú)條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。NV SRAM可以直接替代現(xiàn)有的8k x 8 SRAM，符合通用的單字節(jié)寬、28引腳DIP標(biāo)準(zhǔn)。DS1225Y還與2764 EPROM及2864 EEPROM的引腳匹配，可直接替換并增強(qiáng)其性能。該器件沒(méi)有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。

　　關(guān)鍵特性

　　在沒(méi)有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)10年

　　掉電期間數(shù)據(jù)被自動(dòng)保護(hù)

　　直接替代2k x 8易失靜態(tài)RAM或EEPROM

　　沒(méi)有寫次數(shù)限制

　　低功耗CMOS操作

　　JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的28引腳DIP封裝

　　150ns的讀寫時(shí)間

　　±10%工作范圍

　　可選的-40°C至+85°C工業(yè)級(jí)溫度范圍，指定為IND

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非易(7872) 非易(7872)
DS1225Y(6724) DS1225Y(6724)

評(píng)論

真正非易失性FPGA的優(yōu)勢(shì)

并非所有非易失性或閃存 FPGA 器件都是一樣的。本文探討了真正的非易失性FPGA的優(yōu)勢(shì) - 包括顯著降低功耗、更快的響應(yīng)時(shí)間、無(wú)與倫比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是無(wú)法復(fù)制的。

2022-11-14 15:34:19

2378

英飛凌推出第二代高可靠非易失性SRAM

新一代器件已通過(guò)QML-Q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認(rèn)證，支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用，包括航天和工業(yè)應(yīng)用。

2021-04-01 11:10:54

3054

0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的性能

0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能

2021-02-04 07:15:14

DS1243, DS1243Y資料介紹_64k NV SRAM，帶有隱含時(shí)鐘

DS1243, DS1243Y資料介紹,64k NV SRAM，帶有隱含時(shí)鐘DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock

2012-01-04 12:11:06

非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？

2021-05-08 08:17:26

非易失性MRAM基礎(chǔ)知識(shí)匯總

MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。

2020-12-16 07:21:39

非易失性MRAM的基礎(chǔ)知識(shí)匯總

2020-12-10 07:20:20

非易失性內(nèi)存有寫入限制嗎？

我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來(lái)測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問(wèn)題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。

2023-05-30 08:48:06

Cypress非易失性SRAM技術(shù)

非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和時(shí)序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行

2020-04-08 14:58:44

Dallas DS1230 - FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器

描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來(lái)自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會(huì)忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過(guò)這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級(jí)，您可以放心，因?yàn)樵谑覝叵?，它的?shù)據(jù)保留時(shí)間為 150 年，無(wú)需任何電池供電。

2022-07-14 07:51:06

Psoc6 SRAM在DS模式中只保留64K的SRAM應(yīng)該設(shè)置哪種模式

大家好：關(guān)于PSoC6SRAM在DS模式下的保留，我有一些問(wèn)題要問(wèn)：1：如果我想在DS模式中只保留64K的SRAM，應(yīng)該設(shè)置哪種模式，“保留模式”？如果在上電后將pWRYL模式控制位設(shè)置為0x02

2018-09-26 10:01:35

TPL1401數(shù)字電位器易失性和非易失性的區(qū)別是什么？

數(shù)字電位器存儲(chǔ)類型標(biāo)注具有“易失性”，他的意思是不是說(shuō)，假設(shè)當(dāng)前已經(jīng)調(diào)節(jié)好電位器處于3.5kΩ這個(gè)位置，那么斷電再上電后，電位器就回到初始狀態(tài)位置，不再是3.5kΩ這個(gè)位置了。“非易失性”就是斷電再上電后還是3.5KΩ這個(gè)位置。是這個(gè)意思嗎

2024-11-21 07:15:57

雙路非易失可變電阻器DS3902相關(guān)資料下載

概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻，提供256級(jí)用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作，通過(guò)I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設(shè)置功能通過(guò)編程使DS3902從地址置為128個(gè)可用地址之

2021-05-17 07:29:10

怎么能使用最大64k的閃存？

嗨，沒(méi)有任何一個(gè)有如“代碼銀行“我FX2（高達(dá)16K的代碼/數(shù)據(jù)）和閃光（24LC64）64 kb的我如何能使用的最大閃光64K？帕斯卡以上來(lái)自于百度翻譯以下為原文 Hi, Does any

2019-03-01 06:22:12

請(qǐng)問(wèn)STM32F4中的192K SRAM與64K DATA RAM有何不同？

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2018-08-27 09:27:43

DS1225是一款芯片

DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦

2023-07-21 15:29:48

DS1230是一款芯片

DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍

2023-07-21 15:37:16

DS1245是一款芯片

DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否

2023-07-21 15:38:54

DS1250是一款芯片

DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容

2023-07-21 15:41:00

DS4301非易失、32抽頭數(shù)字電位器

DS4301非易失、32抽頭數(shù)字電位器 DS4301是一款單32抽頭線性數(shù)字電位器，具有200kΩ端到端電阻。滑動(dòng)端位置存儲(chǔ)在EEPROM中，因此DS4301上電時(shí)就處于最近

2008-10-01 23:49:53

1158

充分利用MAXQ®處理器的非易失存儲(chǔ)服務(wù)

充分利用MAXQ®處理器的非易失存儲(chǔ)服務(wù) 摘要：需要非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用通常都需要使用外部串行EEPROM。這篇文章介紹了僅使用MAXQ微控制器中已有的閃存提供非易失

2009-05-02 09:28:54

1079

非易失Y2K兼容時(shí)鐘RAM DS1557

　　該DS1557是一個(gè)全功能實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC的同一個(gè)RTC報(bào)警，看門狗定時(shí)器，上電復(fù)位，電池監(jiān)控)，以及512K的× 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶訪問(wèn)DS1557內(nèi)部所有寄存器完成了一個(gè)字節(jié)寬

2010-09-15 09:51:32

1001

非易失性SRAM DS1747

　　DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過(guò)如圖1所示的單字節(jié)寬

2010-09-28 08:58:30

1444

Y2K兼容、非易失時(shí)鐘SRAM DS1744

　　DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過(guò)如完整數(shù)據(jù)資料中的圖1所示的單字

2010-09-28 09:05:42

1307

256k非易失、Y2K兼容時(shí)鐘RAM DS1554

　　DS1554是一個(gè)全功能的，2000年兼容(Y2KC)，實(shí)時(shí)時(shí)鐘RTC的鬧鐘，看門狗定時(shí)器/日歷(RTC)上電復(fù)位，電池監(jiān)控，和32K × 8非易失

2010-09-28 09:11:08

1867

DS1220Y 16k非易失SRAM

　　DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態(tài)非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路

2010-10-20 09:04:42

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DS1350 4096k非易失(NV) SRAM

　　DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，

2010-10-21 09:01:27

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DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM

　　DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電

2010-10-21 09:03:59

1214

DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM

　　DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控

2010-10-21 09:06:32

1445

DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM

　　DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM，包括一個(gè)完備的實(shí)時(shí)時(shí)鐘，兩者均以字節(jié)寬度格式訪問(wèn)。非易失性時(shí)間保持RAM功能等

2010-10-22 08:52:09

1601

DS1646是一個(gè)128K的× 8非易失性與全功能實(shí)時(shí)時(shí)鐘

　　DS1646是一個(gè)128K的× 8非易失性與全功能實(shí)時(shí)時(shí)鐘，都在一個(gè)字節(jié)寬的格式訪問(wèn)靜態(tài)RAM。非易失性RAM是計(jì)時(shí)功能等同于

2010-10-22 08:55:09

1169

DS1345 1024k非易失(NV) SRAM

　　DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，

2010-10-22 08:58:38

1165

DS1330 256k非易失(NV) SRAM

　　DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電

2010-10-22 09:00:58

1904

DS1330W 256k全靜態(tài)非易失SRAM

　　DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制

2010-10-22 09:04:04

1281

DS3065WP非易失(NV)PowerCap SRAM模塊

　　MXIM推出DS3065WP，一個(gè)1米x 8非易失(NV)與一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)和電池包在一個(gè)PowerCap

2010-10-28 08:46:50

900

DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

　　DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按

2010-11-07 09:37:51

992

DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM

　　DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控

2010-11-10 09:31:52

1000

DS1225AB及DS1225AD全靜態(tài)非易失(NV) SR

　　DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照

2010-11-10 09:36:27

1689

DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM

　　DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控

2010-11-24 09:43:53

1078

DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM

　　DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路

2010-11-24 09:47:28

1161

DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM

　　DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控

2010-11-24 09:53:31

2113

DS1250 4096k、非易失SRAM

　　DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及

2010-12-07 10:18:01

1741

DS1250W 3.3V 4096k全靜態(tài)非易失SRAM

　　DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控

2010-12-07 10:21:02

1215

DS1851雙路溫度控制非易失性(NV)DAC

DS1851雙路溫度控制非易失性(NV) DAC由兩路DAC，兩個(gè)EEPROM查詢表，和一個(gè)數(shù)字式溫度傳感器組成。兩個(gè)DAC可以編程為任意的溫度系數(shù)，這意味著無(wú)需任何外部器件，就可以修正任何系統(tǒng)的溫度影響。

2011-01-22 09:29:11

735

DS3605 非易失(NV)SRAM控制器(中文資料)

DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)、CPU監(jiān)控電路和溫度傳感器，可以為加密交易終端和其它安全敏感應(yīng)用提供篡改保護(hù)

2011-04-27 10:23:37

1201

DS3911 非易失(NV)控制器

DS3911是一款四，10位Δ-Σ輸出，非易失(NV)控制器，具有片上溫度傳感器和相關(guān)的模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)

2011-06-30 10:05:02

1915

DS1500 看門狗RTC,帶有非易失控制

DS1500為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有報(bào)警、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)內(nèi)置非易失(NV) SRAM、為備份外圍SRAM提供NV控制以及一個(gè)32.768kHz頻率的輸出

2011-12-19 11:08:18

2147

DS1244,DS1244P 256k NV SRAM,帶有隱含時(shí)鐘

DS1244,DS1244P具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘

2011-12-19 11:15:39

2071

DS1251,DS1251P全靜態(tài)非易失RAM

具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。

2012-01-04 10:41:50

1101

DS1248,DS1248P帶有隱含時(shí)鐘非易失RAM

具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。

2012-01-04 10:49:18

1560

DS1243Y 64K非易失SRAM

DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時(shí)鐘是一個(gè)內(nèi)置的實(shí)時(shí)時(shí)鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存。

2012-01-04 10:53:26

1584

DS1243,DS1243Y 64k 非易失SRAM

The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192

2012-01-04 11:23:28

DS1251,DS1251P 4096k NV SRAM

The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K

2012-01-04 11:30:52

DS1746,DS1746P非易失時(shí)鐘RAM

DS1746是一個(gè)全功能的，2000年的兼容(Y2KC)，實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和128K×8非易失性靜態(tài)RAM

2012-03-19 16:28:12

2685

DS1323設(shè)計(jì)靈活的非易失控制器

DS1323設(shè)計(jì)靈活的非易失控制器帶有鋰電池監(jiān)測(cè)器，采用CMOS電路設(shè)計(jì)，用于解決CMOS SRAM轉(zhuǎn)換成非易失存儲(chǔ)器的實(shí)際應(yīng)用問(wèn)題。

2012-04-16 12:11:02

2664

DS1314非易失控制器,帶有鋰電池監(jiān)測(cè)器

DS1314非易失控制器，帶有電池監(jiān)視器是一個(gè)CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問(wèn)題。

2012-07-19 14:21:12

1865

DS1312非易失控制器

DS1312電池監(jiān)視器非易失控制器是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問(wèn)題。

2012-07-19 14:26:37

1109

DS1218非易失控制器芯片

DS1218非易失控制器芯片供應(yīng)電路要求提供標(biāo)準(zhǔn)CMOS RAM非易失性。

2012-07-19 14:28:14

1883

DS1210非易失控制器芯片

DS1210非易失控制器芯片是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問(wèn)題。

2012-07-19 14:30:07

4121

DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器

DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器和安全存儲(chǔ)器由一個(gè)100級(jí)線性變化電位器、一個(gè)256級(jí)線性變化電阻器、256字節(jié)EEPROM存貯器、和2線接口組成。

2013-02-19 16:53:30

2864

使用賽道存儲(chǔ)單元的近閾值非易失SRAM

使用賽道存儲(chǔ)單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南

2017-01-07 21:45:57

64k（8K×8）并行EEPROM頁(yè)寫和軟件數(shù)據(jù)保護(hù)at28c64b

）。 Its 64K of memory is organized as 8，192 words by 8 bits. Manufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology

2017-09-15 11:06:16

新型非易失存儲(chǔ)MVM數(shù)據(jù)管理

為適應(yīng)底層存儲(chǔ)架構(gòu)的變化，上層數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)已經(jīng)經(jīng)歷了多輪的演化與變革．在大數(shù)據(jù)環(huán)境下，以非易失、大容量、低延遲、按字節(jié)尋址等為特征的新型非易失存儲(chǔ)器件（NVM）的出現(xiàn)，勢(shì)必對(duì)數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)帶來(lái)重大

2018-01-02 19:04:40

非易失可重復(fù)編程FPGA解決方案的應(yīng)用

事實(shí)上，除了這些傳統(tǒng)要求，在前兩代非易失FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)上，萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor）公司還認(rèn)識(shí)到需要靈活的片上非易失存儲(chǔ)器，以及作為非易失FPGA新要求的用于現(xiàn)場(chǎng)邏輯更新的全面解決方案。

2019-06-16 09:48:47

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關(guān)于非易失性NV-SRAM的簡(jiǎn)介，它的用途是什么

。本文存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子先帶大家認(rèn)識(shí)一下非易失性NV-SRAM。 NV-SRAM簡(jiǎn)介在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，存在大量?jī)?nèi)存。其中大多數(shù)是名稱不合時(shí)宜的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）。這個(gè)名稱意義不大，因?yàn)楫?dāng)今所有內(nèi)存都是隨機(jī)訪問(wèn)的。當(dāng)工程

2020-09-11 16:09:32

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非易失性NVSRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)講解

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2020-11-25 11:12:00

如何選擇非易失性SRAM，如何解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問(wèn)題

一種由普通SRAM、后備電池以及相應(yīng)控制電路集成的新型存儲(chǔ)器：非易失性SRAM（NVSRAM）。為解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問(wèn)題，國(guó)外著名半導(dǎo)體公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列產(chǎn)品，國(guó)內(nèi)也有同類產(chǎn)品相繼問(wèn)世。面對(duì)眾多的NVSRAM產(chǎn)品，廣大用戶如何選擇質(zhì)優(yōu)價(jià)廉的產(chǎn)品呢？建議用戶根據(jù)以

2021-01-11 16:44:20

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AD5110/AD5112/AD5114：?jiǎn)瓮ǖ馈?28/64/32位、I2C、±8%電阻容差、非易失性數(shù)字電位計(jì)

2021-03-19 09:37:21

AD5111/AD5113/AD5115：?jiǎn)瓮ǖ馈?28/64/32位、升/降接口、±8%電阻容差、非易失性數(shù)字電位計(jì)

2021-03-21 06:43:00

AD5258：非易失性I<sup>2</sup>C<sup>?</sup>兼容64位數(shù)字電位器產(chǎn)品手冊(cè)

AD5258：非易失性I2C?兼容64位數(shù)字電位器產(chǎn)品手冊(cè)

2021-05-12 17:43:54

AD5258非易失性、兼容I2C?的64位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表

2021-06-16 17:24:02

AD5116單通道，64位，按鈕，±8%電阻容差，非易失性數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表

2021-06-18 09:12:06

串行FRAM存儲(chǔ)器64K MB85RS64概述及特點(diǎn)

應(yīng)用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用。本篇文章代理商英尚微電子介紹富士通串行FRAM存儲(chǔ)器64K MB85RS64。

2021-06-28 15:50:41

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64Kbit非易失性鐵電存儲(chǔ)器FM25640B的功能及特征

低功耗設(shè)計(jì)的植入人體的增強(qiáng)生命的患者監(jiān)護(hù)設(shè)備，小尺寸內(nèi)存，賽普拉斯FRAM 提供即時(shí)非易失性和幾乎無(wú)限的耐用性，而不會(huì)影響速度或能源效率。本篇文章介紹64Kbit非易失性鐵電存儲(chǔ)器FM25640B。

2021-06-30 15:42:46

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非易失性閃存內(nèi)存模塊VDRF64M16xS54xx1V90用戶手冊(cè)

VDRF64M16XS54XX1V90是64Mbit高密度同時(shí)讀/寫非易失性閃存內(nèi)存模塊組織為4M×16位。

2022-06-08 10:57:40

FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器

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2022-07-12 10:20:41

STT-MRAM非易失存儲(chǔ)器特點(diǎn)及應(yīng)用

STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣高速、高耐久性、單字節(jié)訪問(wèn)的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時(shí)間長(zhǎng)的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。

2022-11-29 15:57:58

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簡(jiǎn)單的非易失性門控

作為使用PAL、GAL或CPLD器件實(shí)現(xiàn)非易失性門控功能的替代方案，這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位器（MAX5427或MAX5527）存儲(chǔ)門控信號(hào)（模塊或發(fā)送）。

2023-01-12 11:30:52

1731

Netsol并口STT-MRAM非易失存儲(chǔ)S3R8016

其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無(wú)限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。

2023-05-12 16:31:39

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達(dá)拉斯DS1225Y FRAM適配器開源

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2023-06-09 14:24:31

使用XOD訪問(wèn)ESP32非易失性存儲(chǔ)

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2023-06-15 14:35:41

DS1249AB 2048k非易失SRAM技術(shù)手冊(cè)

DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否

2025-02-27 09:09:09

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DS1265AB 8M非易失SRAM技術(shù)手冊(cè)

DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍

2025-02-27 09:19:54

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DS1244系列256k NV SRAM，帶有隱含時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC

2025-02-27 10:10:50

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DS1248 1024k NV SRAM，帶有隱含時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)，寫保護(hù)將無(wú)條件使能、以防存儲(chǔ)器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘數(shù)據(jù)被破壞。

2025-02-27 15:38:41

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DS1251 4096k NV SRAM，帶有隱含時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)，寫保護(hù)將無(wú)條件使能、以防存儲(chǔ)器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘數(shù)據(jù)被破壞。

2025-02-27 15:44:58

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DS1747 Y2K兼容、非易失時(shí)鐘RAM技術(shù)手冊(cè)

DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過(guò)如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對(duì)DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問(wèn)。RTC

2025-02-27 15:51:09

873

DS1554 256k非易失、Y2K兼容時(shí)鐘RAM技術(shù)手冊(cè)

DS1554是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和32k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1554內(nèi)所有

2025-02-27 16:54:35

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DS1557 4M非易失、Y2K兼容時(shí)鐘RAM技術(shù)手冊(cè)

DS1557是一款全功能、符合-2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和512k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1557內(nèi)所有

2025-02-27 17:11:32

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DS1746 Y2K兼容、非易失時(shí)鐘RAM技術(shù)手冊(cè)

DS1746是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和128k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1746內(nèi)所有寄存器的訪問(wèn)都通過(guò)字節(jié)寬接口實(shí)現(xiàn)，如圖1所示。RTC

2025-02-27 17:20:04

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DS1243 64k NV SRAM，帶有隱含時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

帶幻象時(shí)鐘的DS1243Y 64K NV SRAM是一款內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘、完全靜態(tài)的非易失性RAM（結(jié)構(gòu)為8192個(gè)字x 8位）。DS1243Y具有獨(dú)立的鋰能源和控制電路，可持續(xù)監(jiān)控VCC是否發(fā)生超出容

2025-02-28 10:31:43

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DS1225Y 64K非易失SRAM

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