LM74670-Q1 是一款控制器器件，可與交流發(fā)電機全橋或半橋整流器架構中的 N 溝道 MOSFET 一起使用。它旨在驅動外部 MOSFET 以模擬理想二極管。該方案的一個獨特優(yōu)點是它沒有接地參考，因此它的 I 為零 Q .全橋或半橋整流器和交流發(fā)電機中的肖特基二極管可以用 LM74670-Q1 解決方案代替，以避免正向導通二極管損耗并生產(chǎn)更高效的 AC-DC 轉換器。
*附件：lm74670-q1.pdf

LM74670-Q1 控制器為外部 N 溝道 MOSFET 提供柵極驅動，并提供快速響應內部比較器，以便在極性相反的情況下下拉 MOSFET 柵極。該設備可支持高達 300Hz 的交流信號頻率。

特性

• 符合 AEC-Q100 標準，結果如下：
  • 器件溫度等級 1：-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 超過 HBM ESD 分類 2 級
  • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
• 峰值輸入交流電壓：42 V
• 零 IQ
• 用于外部 N 溝道 MOSFET 的電荷泵柵極驅動器
• 與肖特基二極管相比，低正向壓降和更低的功率耗散
• 能夠處理頻率高達 300 Hz 的交流信號

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：LM74670-Q1
• ?類型?：智能二極管整流器控制器
• ?特點?：AEC-Q100認證，零靜態(tài)電流（Iq），適用于AC整流器、交流發(fā)電機、電動工具及反向極性保護等應用

2. 主要特性

• ?零Iq設計?：非接地參考設計，無靜態(tài)電流損耗
• ?電荷泵門驅動?：為外部N溝道MOSFET提供門驅動
• ?低正向電壓降?：相比肖特基二極管，減少功率損耗
• ?反向極性保護?：內置快速響應比較器，在反向極性時拉低MOSFET門
• ?高頻支持?：可處理高達300Hz的AC信號

3. 應用領域

• AC整流器
• 交流發(fā)電機
• 電動工具
• 反向極性保護

4. 關鍵規(guī)格

• ?峰值輸入AC電壓?：42V
• ?環(huán)境溫度范圍?：-40°C至+125°C
• ?人體模型（HBM）ESD分類?：2級
• ?充電泵電容器驅動閾值?：VcapH 6.3V，VcapL 5.15V
• ?反向恢復時間?：典型值2.2μs
• ?占空比?：典型值98%（25°C時）

5. 功能描述

• ?啟動過程?：通過MOSFET體二極管充電電荷泵電容器，當電壓達到閾值時，MOSFET導通。
• ?工作模式?：
  • ?體二極管導電模式?：MOSFET關斷，電流通過體二極管，僅占2%的占空比。
  • ?MOSFET導電模式?：MOSFET導通，提供低阻通路，減少功率損耗。
• ?反向極性保護?：檢測到反向電壓時，快速拉低MOSFET門，防止反向電流。

6. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：8引腳VSSOP
• ?尺寸?：3.00mm × 5.00mm

7. 典型應用電路

• 提供了全橋整流器應用電路示例，詳細說明了如何選擇合適的MOSFET和電容器。

8. 設計考慮

• ?MOSFET選擇?：需考慮最大連續(xù)漏極電流、漏源擊穿電壓、柵源閾值電壓及導通電阻。
• ?電容器選擇?：推薦使用220nF至2.2μF的陶瓷電容器，X7R/COG特性，電壓等級不低于16V。

9. 布局指南

• ?電源去耦?：建議在VIN端使用低ESR陶瓷旁路電容器。
• ?高電流路徑?：MOSFET的源極和漏極需使用粗線連接。
• ?電荷泵電容器布局?：遠離MOSFET以降低熱效應對電容值的影響。

10. 文檔與支持

• 提供了詳細的數(shù)據(jù)手冊，包括引腳配置、功能框圖、電氣特性、應用曲線及設計指南。
• TI社區(qū)資源鏈接，方便工程師獲取進一步的技術支持和設計幫助。

LM74670-Q1是一款專為提高AC-DC轉換效率而設計的智能二極管整流器控制器，通過替換傳統(tǒng)肖特基二極管并結合外部N溝道MOSFET，實現(xiàn)了更低的功率損耗和更高的系統(tǒng)效率。