LM7480x-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動(dòng)和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET，以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)功能的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源可保護(hù)和控制 12V 和 24V 汽車電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –65 V 的負(fù)電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 （DGATE） 驅(qū)動(dòng)第一個(gè) MOSFET，以取代肖特基二極管，用于反向輸入保護(hù)和輸出電壓保持。該器件在電源路徑中具有第二個(gè) MOSFET，允許使用 HGATE 控制進(jìn)行負(fù)載斷開（ON/OFF 控制）和過壓保護(hù)。該器件具有可調(diào)節(jié)的過壓截止保護(hù)功能。LM7480-Q1 有兩個(gè)變體，LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。LM74800-Q1 采用使用線性穩(wěn)壓和比較器方案的反向電流阻斷，而 LM74801-Q1 支持基于比較器的方案。通過功率 MOSFET 的共漏極配置，中點(diǎn)可用于使用另一個(gè)理想二極管的 OR-ing 設(shè)計(jì)。LM7480x-Q1 的最大額定電壓為 65V。通過在共源拓?fù)渲信渲闷骷耐獠?MOSFET，可以保護(hù)負(fù)載免受擴(kuò)展過壓瞬變的影響，例如 24V 電池系統(tǒng)中的 200V 非抑制負(fù)載突降。
*附件：lm7480-q1.pdf

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車應(yīng)用
  • 器件溫度等級(jí) 1：-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類 2 級(jí)
  • 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C4B
• 3V 至 65V 輸入范圍
• 低至 –65 V 的反向輸入保護(hù)
• 在共漏極和共源極配置中驅(qū)動(dòng)外部背靠背 N 溝道 MOSFET
• 具有 10.5mV A 至 C 正向壓降調(diào)節(jié) （LM74800-Q1） 的理想二極管作
• 低反向檢測(cè)閾值 （–4.5 mV），具有快速響應(yīng) （0.5 μs）
• 20mA 峰值柵極 （DGATE） 導(dǎo)通電流
• 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
• 可調(diào)過壓保護(hù)
• 2.87μA 的低關(guān)斷電流 （EN/UVLO=Low）
• 通過合適的 TVS 二極管滿足汽車ISO7637瞬態(tài)要求
• 采用節(jié)省空間的 12 引腳 WSON 封裝

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：LM7480-Q1 理想二極管控制器
• ?應(yīng)用領(lǐng)域?：
  • 汽車電池保護(hù)，如ADAS域控制器、攝像頭ECU、頭單元、USB HUB等
  • 冗余電源的有源ORing
• ?特點(diǎn)?：
  • AEC-Q100認(rèn)證，適用于汽車應(yīng)用
  • 輸入電壓范圍寬（3V至65V）
  • 反向輸入保護(hù)（低至-65V）
  • 驅(qū)動(dòng)外部背對(duì)背N溝道MOSFET，模擬理想二極管
  • 可調(diào)過壓保護(hù)
  • 低關(guān)機(jī)電流（2.87μA）
  • 符合汽車ISO7637瞬態(tài)要求

2. 功能特點(diǎn)

• ?理想二極管操作?：
  • 前向電壓降調(diào)節(jié)至10.5mV（LM74800-Q1）
  • 低反向檢測(cè)閾值（-4.5mV），快速響應(yīng)（0.5μs）
• ?過壓保護(hù)?：
  • 可調(diào)過壓切斷保護(hù)
  • 通過外部電阻設(shè)置過壓閾值
• ?電源路徑控制?：
  • 通過HGATE控制實(shí)現(xiàn)負(fù)載斷開和過壓保護(hù)
  • 支持常見漏極和常見源極配置
• ?熱關(guān)斷和能量限制?：
  • 保護(hù)開關(guān)免受過度應(yīng)力
  • 自動(dòng)禁用開關(guān)以防止損壞

3. 技術(shù)規(guī)格

• ?工作溫度范圍?：-40°C至+125°C
• ?靜電放電（ESD）等級(jí)?：
  • HBM：±2000V
  • CDM：±750V（角引腳），±500V（其他引腳）
• ?電氣特性?：
  • 總系統(tǒng)靜態(tài)電流：397μA（典型值）
  • 反向極性期間泄漏電流：1μA
  • 使能閾值電壓：0.3V至0.93V
  • 過壓閾值輸入電壓：1.195V至1.267V（上升），1.091V至1.159V（下降）

4. 應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)

• ?典型應(yīng)用?：
  • 12V反向電池保護(hù)
  • 200V無抑制負(fù)載轉(zhuǎn)儲(chǔ)保護(hù)
• ?設(shè)計(jì)考慮?：
  • MOSFET選型：基于最大連續(xù)漏極電流、漏源電壓、柵源電壓等參數(shù)
  • TVS二極管選型：用于輸入瞬態(tài)鉗位和保護(hù)
  • 電容選型：包括輸入電容、輸出電容、電荷泵電容等
• ?布局指導(dǎo)?：
  • 推薦將關(guān)鍵引腳（如A、DGATE、C、HGATE、OUT等）靠近相應(yīng)的MOSFET引腳放置
  • 使用短而粗的走線以減少電阻損耗

5. 文檔與支持

• ?相關(guān)文檔?：提供了應(yīng)用報(bào)告、設(shè)計(jì)指南等鏈接
• ?支持資源?：TI E2E?支持論壇，提供快速驗(yàn)證的答案和設(shè)計(jì)幫助

6. 封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：12引腳WSON包裝
• ?訂購信息?：包括狀態(tài)、材料類型、封裝、引腳數(shù)、載帶、RoHS合規(guī)性、引腳鍍層/球材料、MSL等級(jí)、峰值回流溫度和工作溫度范圍等詳細(xì)信息

7. 注意事項(xiàng)

• ?靜電放電（ESD）警告?：處理集成電路時(shí)應(yīng)采取適當(dāng)?shù)念A(yù)防措施
• ?安全信息?：用戶應(yīng)負(fù)責(zé)選擇合適的產(chǎn)品，并驗(yàn)證和測(cè)試其設(shè)計(jì)實(shí)施，以確保系統(tǒng)功能性

這份文件詳細(xì)描述了LM7480-Q1理想二極管控制器的功能特點(diǎn)、技術(shù)規(guī)格、應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)、文檔與支持、封裝與訂購信息以及注意事項(xiàng)，為用戶提供了全面的產(chǎn)品信息和設(shè)計(jì)指導(dǎo)。