傾佳電子賦能AI革命：AIDC電源架構(gòu)趨勢及基本半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品組合的戰(zhàn)略價值

傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

執(zhí)行摘要

傾佳電子旨在深入剖析人工智能數(shù)據(jù)中心（AIDC）電源的技術(shù)分類與發(fā)展趨勢，并系統(tǒng)性評估深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“基本半導(dǎo)體”）的全系列碳化硅（SiC）功率器件在其中所能發(fā)揮的關(guān)鍵作用。首先需要明確，本文語境中的“AIDC”特指為人工智能算力服務(wù)的數(shù)據(jù)中心（Artificial Intelligence Data Centers），而非傳統(tǒng)的自動識別與數(shù)據(jù)采集（Automatic Identification and Data Capture）技術(shù) 。隨著人工智能模型的復(fù)雜度呈指數(shù)級增長，AIDC正面臨前所未有的功率密度挑戰(zhàn)，這不僅推動了數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)向高壓直流（HVDC）的根本性轉(zhuǎn)變，也催生了圖騰柱功率因數(shù)校正（Totem-Pole PFC）和LLC諧振變換等先進拓撲的廣泛應(yīng)用 。在這一技術(shù)浪潮中，以碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體已成為不可或缺的核心使能技術(shù)。傾佳電子將詳細論述這些趨勢，并結(jié)合對基本半導(dǎo)體產(chǎn)品組合的分析，為其在AIDC電源市場的戰(zhàn)略定位提供深度洞察。

第一章：數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)的新前沿

1.1 功率密度劇增：從千瓦到兆瓦的跨越

人工智能數(shù)據(jù)中心的電力消耗正在經(jīng)歷一場從量變到質(zhì)變的飛躍，其增長根源于從芯片到機柜乃至整個數(shù)據(jù)中心層面的功率需求劇增。

在核心的計算單元層面，單個AI芯片（如圖形處理器GPU）的功耗已從A100的400W，增長到H100的700W，并預(yù)計在Blackwell架構(gòu)下達到1000W至1200W（B200），而GB200超級芯片的功率更是高達2700W。這一功耗水平是傳統(tǒng)通用服務(wù)器CPU的6到8倍 。

這種芯片級的功耗激增直接傳導(dǎo)至服務(wù)器機柜層面，導(dǎo)致機柜功率密度爆炸式增長。傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心的機柜功率密度平均為5kW至8kW，而AI機柜的平均功率需求已普遍達到30kW 。超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運營商更是在推動50kW、100kW甚至更高功率密度的部署，未來的技術(shù)路線圖已將目標(biāo)設(shè)定在600kW乃至1MW的單機柜功率水平 。以英偉達的NVL72機柜為例，其整體功耗約為120kW，相較于上一代產(chǎn)品提升了近10倍 。

機柜功率的急劇攀升并非簡單的線性疊加，而是數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施性質(zhì)發(fā)生根本性轉(zhuǎn)變的標(biāo)志。這一轉(zhuǎn)變的背后，是AI性能提升的物理基礎(chǔ)：為了最大化數(shù)據(jù)吞吐量并最小化延遲，必須將大量高性能處理器以極高的密度封裝在一起，并通過高速互聯(lián)技術(shù)緊密連接 。這種設(shè)計理念將數(shù)據(jù)中心從傳統(tǒng)的IT設(shè)施轉(zhuǎn)變?yōu)橐粋€“工業(yè)級規(guī)模的運營實體” 。其本質(zhì)是將相當(dāng)于數(shù)百個家庭的電力需求，集中到一個文件柜大小的空間內(nèi)進行處理和散熱 。因此，當(dāng)前面臨的挑戰(zhàn)已不再是單純地提供更多電力，而是在IT設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)形態(tài)內(nèi)，管理工業(yè)級別的能量流與熱流密度，這對于傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)中心供電與散熱架構(gòu)而言，是前所未有的挑戰(zhàn)。

1.2 范式轉(zhuǎn)移：邁向高壓直流（HVDC）供電架構(gòu)

面對AI帶來的極端功率密度，傳統(tǒng)以交流不間斷電源（AC UPS）為核心的供電架構(gòu)因其固有的效率瓶頸而日益顯得力不從心，高壓直流（HVDC）供電架構(gòu)正作為一種更優(yōu)越的替代方案迅速崛起。

傳統(tǒng)AC UPS架構(gòu)涉及多次交直流轉(zhuǎn)換（AC-DC-AC-DC），能量在每個環(huán)節(jié)都存在損耗，導(dǎo)致其端到端效率通常僅為90%至94.5% 。相比之下，HVDC架構(gòu)通過在前端設(shè)置集中式整流系統(tǒng)，將輸入的交流電一次性轉(zhuǎn)換為400V或800V等高壓直流電，然后直接分配至各個服務(wù)器機柜 。這種架構(gòu)的優(yōu)勢在于：

提升效率與可靠性：通過大幅簡化電力轉(zhuǎn)換鏈條，HVDC將系統(tǒng)故障點減少了超過50%，同時將端到端效率提升至95%以上，部分先進系統(tǒng)甚至可以達到97.5% 。

優(yōu)化成本與空間：HVDC系統(tǒng)占用的物理空間比傳統(tǒng)UPS方案減少30%至40%，設(shè)備采購成本可降低15%至20%。采用800V HVDC方案更能將銅纜用量減少45%，顯著降低了基礎(chǔ)設(shè)施的物料成本 。

采用HVDC不僅是出于對能效的追求，更是一項符合現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心整體運營戰(zhàn)略的決策。首先，效率的提升直接降低了電能使用效率（PUE）值和運營成本（OPEX） 。其次，物理空間的節(jié)約對于寸土寸金的數(shù)據(jù)中心而言至關(guān)重要，能夠為部署更多可產(chǎn)生收益的計算設(shè)備騰出寶貴空間 。更重要的是，HVDC架構(gòu)能夠與光伏等可再生能源發(fā)電系統(tǒng)和電池儲能系統(tǒng)（BESS）無縫集成 。正如行業(yè)趨勢所示，“新能源發(fā)電+儲能+智能調(diào)度”的一體化能源體系正成為數(shù)據(jù)中心滿足綠色低碳需求的主流方向 。因此，HVDC不僅是提升效率的技術(shù)手段，更是支撐數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)更高計算密度、更低資本支出（CAPEX）以及可持續(xù)能源整合的架構(gòu)基石。

1.3 重新定義效率：80 PLUS鈦金與紅寶石認證標(biāo)準(zhǔn)

在AIDC的嚴苛要求下，服務(wù)器電源供應(yīng)單元（PSU）的能效認證標(biāo)準(zhǔn)也達到了新的高度，80 PLUS鈦金級（Titanium）和新推出的紅寶石級（Ruby）認證成為衡量頂級PSU性能的標(biāo)桿。

80 PLUS認證體系旨在評估電源在不同負載點下的能量轉(zhuǎn)換效率 。

80 PLUS鈦金級：針對數(shù)據(jù)中心冗余電源，要求其在50%負載下的峰值效率不低于96%，在100%負載下不低于91%，同時功率因數(shù)（PF）需達到0.95以上 。

80 PLUS紅寶石級：于2025年初新增的最高等級認證，要求更為嚴苛，在50%負載下的效率需達到96.5%，且功率因數(shù)不低于0.96 。

目前，行業(yè)領(lǐng)先的電源制造商（如臺達）已經(jīng)為其最新的5500W高功率AI服務(wù)器電源取得了紅寶石級認證，這標(biāo)志著行業(yè)技術(shù)水平的又一次飛躍 。

追求鈦金級或紅寶石級的極致效率，并非單純?yōu)榱耸袌鲂麄?，而是?yīng)對極端功率密度所引發(fā)的熱管理危機的工程必然。效率與熱管理是同一問題的兩個方面。電源的無功損耗會100%轉(zhuǎn)化為廢熱。以一個3kW的PSU為例，在94%效率（金牌級）下，其自身產(chǎn)生的熱量為180W；而當(dāng)效率提升至96%（鈦金級）時，廢熱降至120W，減少了33%。在一個部署了多臺PSU的高密度機柜中（例如，一個120kW的NVL72機柜可能需要總?cè)萘拷咏?00kW的電源模組），這種廢熱的差異會被急劇放大，為機柜內(nèi)部增加數(shù)百瓦甚至上千瓦的額外熱負荷。這部分熱量疊加在GPU自身巨大的發(fā)熱量之上，給數(shù)據(jù)中心的冷卻系統(tǒng)帶來了巨大壓力，甚至迫使運營商轉(zhuǎn)向成本高昂的液冷方案 。因此，追求紅寶石級的效率是降低PSU自身發(fā)熱、減輕整個數(shù)據(jù)中心冷卻負擔(dān)和PUE的第一道防線，已成為AIDC電源設(shè)計中一項不可妥協(xié)的強制性要求。

第二章：下一代電源的關(guān)鍵使能技術(shù)

2.1 拓撲演進：追求極致性能

現(xiàn)代AIDC電源內(nèi)部主要包含兩個核心功率轉(zhuǎn)換級：前端的功率因數(shù)校正（PFC）級和后端的隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換級。為了滿足前所未有的效率和功率密度要求，這-S47兩個級聯(lián)的電路拓撲均在經(jīng)歷深刻的技術(shù)變革。

2.1.1 圖騰柱PFC的優(yōu)勢

PFC電路的核心功能是確保電源從電網(wǎng)吸收的電流波形與電壓波形同相，從而使功率因數(shù)接近于1，減少對電網(wǎng)的諧波污染 。無橋圖騰柱（Totem-Pole）PFC拓撲因其高效率特性，已成為大功率AC/DC變換器的首選方案。該拓撲通過取消傳統(tǒng)PFC電路中作為主要損耗源之一的輸入整流橋，顯著提升了轉(zhuǎn)換效率 。其結(jié)構(gòu)包含一個工作在電網(wǎng)頻率的“慢速橋臂”和一個工作在數(shù)十至數(shù)百千赫茲的“快速橋臂”。為了在快速橋臂上實現(xiàn)高頻、高效的開關(guān)操作，采用碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體器件是必不可少的 。行業(yè)內(nèi)主流廠商針對3kW、8kW及更高功率等級的電源參考設(shè)計，已普遍采用圖騰柱PFC拓撲 。

2.1.2 高頻LLC諧振變換器

LLC變換器是一種高效的隔離式DC/DC拓撲，廣泛用于將PFC級輸出的約400V高壓直流電轉(zhuǎn)換為服務(wù)器主板所需的48V或50V穩(wěn)定直流電 。其核心優(yōu)勢在于能夠利用諧振原理實現(xiàn)開關(guān)管的零電壓開通（ZVS），從而極大地降低開關(guān)損耗。這一特性使得LLC變換器能夠工作在非常高的開關(guān)頻率（例如超過300 kHz）。根據(jù)電磁學(xué)原理，更高的開關(guān)頻率意味著可以使用尺寸更小的變壓器和電感等磁性元件，這對于提升電源的功率密度（單位體積內(nèi)的輸出功率，W/in3）至關(guān)重要 。因此，圖騰柱PFC與全橋LLC的組合已成為當(dāng)前高性能AIDC電源設(shè)計的黃金架構(gòu) 。

在先進的AIDC電源設(shè)計中，一個重要的趨勢是并非采用單一的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，而是根據(jù)不同拓撲的工作特性，構(gòu)建一種碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）協(xié)同工作的混合架構(gòu)。圖騰柱PFC級通常工作在連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM），涉及硬開關(guān)和高峰值電流，這對功率器件的堅固性、導(dǎo)通電阻和熱性能提出了極高要求。SiC MOSFET憑借其卓越的耐壓能力、低導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)和出色的導(dǎo)熱性，成為該應(yīng)用場景的理想選擇 。相比之下，LLC級是軟開關(guān)拓撲，其核心目標(biāo)是通過超高開關(guān)頻率來極限壓縮磁性元件的體積。

2.2 寬禁帶革命：碳化硅（SiC）為何不可或缺

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的代表材料，其優(yōu)越的物理特性是實現(xiàn)上述先進電源拓撲和滿足AIDC嚴苛性能指標(biāo)的根本保障。

從材料本身來看，SiC擁有約3倍于硅（Si）的禁帶寬度和約10倍于硅的臨界擊穿場強，同時其導(dǎo)熱率也遠高于硅 。這些基礎(chǔ)物理優(yōu)勢轉(zhuǎn)化為器件層面的顯著性能提升：

更低的導(dǎo)通損耗：SiC器件具有極低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)?），且其隨溫度升高而惡化的幅度遠小于硅器件 。

更快的開關(guān)速度：得益于更小的寄生電容和柵極電荷，SiC器件的開關(guān)速度更快，開關(guān)損耗更低 。

更優(yōu)的耐高溫高壓性能：SiC器件可在高達200°C的結(jié)溫下可靠工作，并能承受更高的阻斷電壓 。

在系統(tǒng)層面，采用SiC器件能夠帶來革命性的改變。首先，其高效率特性可使PSU的整體效率輕松突破97%，滿足80 PLUS鈦金級乃至紅寶石級標(biāo)準(zhǔn)，從而減少能量浪費和廢熱產(chǎn)生 。其次，高開關(guān)頻率的實現(xiàn)使得電感、變壓器等無源元件的體積大幅縮小，進而顯著提升電源的功率密度 。

盡管單個SiC器件的成本目前仍高于同規(guī)格的硅器件，但在系統(tǒng)層面，其應(yīng)用卻能帶來總擁有成本（TCO）的降低。電源系統(tǒng)工程師的物料清單（BOM）中，成本占比較大的通常是磁性元件和散熱系統(tǒng)（散熱器、風(fēng)扇等）。SiC的高頻特性直接縮小了磁性元件的尺寸和成本 。同時，SiC的高效率和優(yōu)異的導(dǎo)熱性減少了廢熱，使得散熱器可以設(shè)計得更小、更便宜，甚至降低對風(fēng)扇性能的要求 。因此，SiC器件較高的初始采購成本，完全可以被系統(tǒng)其他部分的成本節(jié)約所抵消，最終實現(xiàn)一個體積更小、重量更輕、功率密度更高，且總體成本更具競爭力的電源解決方案。這一系統(tǒng)級的成本優(yōu)勢，是推動SiC技術(shù)在成本敏感的服務(wù)器電源市場中快速普及的核心驅(qū)動力。

第三章：基本半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品組合的戰(zhàn)略價值分析

基本半導(dǎo)體作為國內(nèi)第三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍企業(yè)，其圍繞碳化硅技術(shù)構(gòu)建的完整產(chǎn)品生態(tài)系統(tǒng)，為AIDC電源制造商提供了強大而全面的解決方案 。

3.1 完備的碳化硅產(chǎn)品生態(tài)

基本半導(dǎo)體提供了從分立器件到功率模塊，再到配套驅(qū)動芯片的完整產(chǎn)品矩陣，能夠全面覆蓋AIDC電源設(shè)計的各項需求。

表 1：適用于AIDC電源的基本半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合

表 2：適用于AIDC電源的基本半導(dǎo)體SiC肖特基二極管（SBD）產(chǎn)品組合

表 3：適用于AIDC電源的基本半導(dǎo)體工業(yè)級SiC功率模塊產(chǎn)品組合

表 4：適用于AIDC電源的基本半導(dǎo)體門極驅(qū)動芯片產(chǎn)品組合

3.2 基于基本半導(dǎo)體器件的5kW+ AIDC電源設(shè)計藍圖

結(jié)合前文對先進拓撲的分析，可以為AIDC電源設(shè)計者勾勒出一幅采用基本半導(dǎo)體全系列器件的設(shè)計藍圖。

PFC級實現(xiàn)（圖騰柱）：

快速橋臂：此部分是決定PFC效率和頻率的關(guān)鍵。基本半導(dǎo)體的650V SiC MOSFET系列是理想選擇。例如，B3M040065Z（650V, 40mΩ, TO-247-4）和B3M040065L（650V, 40mΩ, TOLL）性能優(yōu)異 。其中，B3M040065L采用的TOLL封裝具有極低的源極電感，對于抑制開關(guān)振鈴、實現(xiàn)干凈快速的開關(guān)至關(guān)重要。

慢速橋臂：雖然通常可使用高性能硅器件，但選用一款低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET，如B3M025065系列（650V, 25mΩ），可以進一步降低導(dǎo)通損耗，提升滿載效率 。

CCM升壓二極管：在連續(xù)導(dǎo)通模式下，一顆快速且無反向恢復(fù)的二極管至關(guān)重要?；景雽?dǎo)體的SiC SBD產(chǎn)品，如B3D20065H（650V, 20A），憑借其“零反向恢復(fù)”特性，能顯著降低開關(guān)管的開通損耗和系統(tǒng)的電磁干擾（EMI）。

LLC級實現(xiàn)（全橋）：

原邊開關(guān)：LLC級的輸入為PFC輸出的約400V直流母線，因此需要耐壓等級為750V或1200V的器件。

對于分立式設(shè)計，B3M010C075Z（750V, 10mΩ, 240A）提供了極低的導(dǎo)通電阻，可大幅降低大電流下的導(dǎo)通損耗 。

對于更高功率或追求更高集成度的設(shè)計，采用半橋功率模塊是更優(yōu)選擇。例如，BMF011MR12E1G3（1200V, 11mΩ, 120A）半橋模塊是理想的構(gòu)建單元，使用兩顆即可輕松搭建一個完整的全橋，極大簡化了PCB布局和熱設(shè)計 。

驅(qū)動與保護：

SiC MOSFET的驅(qū)動是設(shè)計中的難點?；景雽?dǎo)體的BTD5350系列隔離驅(qū)動芯片，提供了高達5000V的絕緣能力和關(guān)鍵的米勒鉗位功能（如BTD5350MBPR），可有效防止高dV/dt下的寄生導(dǎo)通，確保系統(tǒng)可靠性 。

對于可靠性要求極高的系統(tǒng)，集成了退飽和短路保護和軟關(guān)斷功能的BTD3011R驅(qū)動芯片，能夠為昂貴的SiC器件提供及時的保護，避免災(zāi)難性失效 。

基本半導(dǎo)體的核心競爭力不僅在于其單個器件的卓越性能，更在于其提供了一個經(jīng)過驗證、協(xié)同優(yōu)化的“完整生態(tài)系統(tǒng)”。在SiC應(yīng)用中，功率器件與驅(qū)動電路的匹配至關(guān)重要。一個通用的驅(qū)動器可能無法完全發(fā)揮SiC MOSFET的性能，甚至引發(fā)振蕩、過熱等問題?；景雽?dǎo)體通過同時提供高性能的SiC開關(guān)（分立器件和模塊）和為其量身定制的智能驅(qū)動芯片（具備米勒鉗位、短路保護等關(guān)鍵功能），為客戶提供了一套“匹配組合”。這極大地縮短了電源系統(tǒng)架構(gòu)師的設(shè)計、驗證和調(diào)試周期，有效降低了采用SiC新技術(shù)的風(fēng)險，將價值主張從“提供一個元器件”提升到“提供一套成熟的解決方案”。

第四章：市場定位與戰(zhàn)略建議

4.1 競爭格局與性能對標(biāo)

通過分析行業(yè)內(nèi)主要競爭對手發(fā)布的參考設(shè)計，可以清晰地看到基本半導(dǎo)體產(chǎn)品的市場定位。

英飛凌（Infineon）的8kW PSU參考設(shè)計中，PFC快速橋臂采用了650V、40mΩ的SiC MOSFET，LLC級則采用了650V、35mΩ的GaN器件 。

納微（Navitas）的4.5kW PSU參考設(shè)計同樣采用了650V G3F SiC MOSFET用于PFC級，GaNSafe功率IC用于LLC級 。

基于此，基本半導(dǎo)體的B3M040065Z/L（650V, 40mΩ）系列產(chǎn)品在PFC應(yīng)用中，與國際一線品牌的產(chǎn)品在關(guān)鍵規(guī)格上形成了直接對位。雖然基本半導(dǎo)體目前產(chǎn)品線未突出GaN器件，但其高性能、超低導(dǎo)通電阻的750V和1200V SiC MOSFET產(chǎn)品（如B3M010C075Z和B3M040120Z）為LLC級提供了一種極具吸引力的“全SiC”方案。對于希望在整個系統(tǒng)中統(tǒng)一采用一種寬禁帶技術(shù)以簡化供應(yīng)鏈和提升魯棒性的設(shè)計者而言，這是一個重要的差異化優(yōu)勢。此外，基本半導(dǎo)體擁有如BMF240R12E2G3（1200V, 5.5mΩ, 240A）等大功率模塊，使其具備了在8kW以上更高功率市場與競爭對手展開競爭的實力 。

4.2 未來展望與戰(zhàn)略要務(wù)

深圳市傾佳電子有限公司（簡稱“傾佳電子”）是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動者：
傾佳電子成立于2018年，總部位于深圳福田區(qū)，定位于功率半導(dǎo)體與新能源汽車連接器的專業(yè)分銷商，業(yè)務(wù)聚焦三大方向：
新能源：覆蓋光伏、儲能、充電基礎(chǔ)設(shè)施；
交通電動化：服務(wù)新能源汽車三電系統(tǒng)（電控、電池、電機）及高壓平臺升級；
數(shù)字化轉(zhuǎn)型：支持AI算力電源、數(shù)據(jù)中心等新型電力電子應(yīng)用。
公司以“推動國產(chǎn)SiC替代進口、加速能源低碳轉(zhuǎn)型”為使命，響應(yīng)國家“雙碳”政策（碳達峰、碳中和），致力于降低電力電子系統(tǒng)能耗。
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展望未來，AIDC電源市場將呈現(xiàn)出功率持續(xù)攀升、電壓等級提高和集成化、模塊化三大趨勢。PSU的功率等級正從3-5kW向8-12kW甚至更高邁進，而機柜總功率則向120kW以上規(guī)模擴展 。為降低大電流下的I2R損耗，數(shù)據(jù)中心的母線電壓也可能從400V DC向800V DC演進 。

應(yīng)對100kW+級別的機柜功率需求，單純依靠分立器件搭建電源已變得極具挑戰(zhàn)，高集成度的功率模塊成為必然選擇?；景雽?dǎo)體現(xiàn)有的Pcore?系列工業(yè)級模塊，如電流高達360A的BMF360R12KA3和540A的BMF540R12KA3，正是為滿足這種可擴展性需求而設(shè)計的理想構(gòu)建模塊 。它們解決了大電流設(shè)計中的均流、寄生電感和熱管理等難題。同時，隨著數(shù)據(jù)中心向800V DC架構(gòu)遷移，系統(tǒng)將需要1700V甚至更高耐壓等級的功率器件?；景雽?dǎo)體的產(chǎn)品組合中已包含

1700V SiC MOSFET，這使其在應(yīng)對下一代供電架構(gòu)變革時占據(jù)了先發(fā)優(yōu)勢 。

基本半導(dǎo)體采取以下戰(zhàn)略鞏固并擴大在AIDC電源市場的領(lǐng)先地位：

聚焦模塊化產(chǎn)品組合：積極推廣Pcore?系列工業(yè)模塊，將其定位為客戶設(shè)計5kW至12kW及以上功率等級AIDC電源的首選可擴展解決方案。

布局高壓技術(shù)路線圖：持續(xù)擴充1700V SiC MOSFET產(chǎn)品線，提供更多導(dǎo)通電阻規(guī)格選項，并同步開發(fā)相應(yīng)的1700V等級功率模塊，為未來的800V DC架構(gòu)做好技術(shù)儲備。

強化生態(tài)系統(tǒng)優(yōu)勢：繼續(xù)開發(fā)針對大功率、高頻率SiC模塊應(yīng)用的先進驅(qū)動芯片，進一步強化“完整解決方案”的價值主張。

深化應(yīng)用市場滲透：基于本文提出的設(shè)計藍圖，開發(fā)針對圖騰柱PFC和LLC拓撲的詳細應(yīng)用筆記和參考設(shè)計，以實際案例展示基本半導(dǎo)體完整生態(tài)系統(tǒng)的卓越性能和設(shè)計便利性。

審核編輯 黃宇