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MIC2129評(píng)估板核心技術(shù)解析與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-10-09 15:10 ? 次閱讀
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Microchip Technology EV23R43A評(píng)估板完全組裝,設(shè)計(jì)用于評(píng)估和演示MIC2129的功能。 這些MIC2129是降壓同步直流-直流控制器,采用自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間控制架構(gòu)。MIC2129采用24引腳4mm x 4mm VQFN和24引腳7.8mm x 6.4mm TSSOP封裝。該評(píng)估板具有內(nèi)部自舉二極管、內(nèi)部自舉LDO和可選的輕負(fù)載工作模式。EV23R43A評(píng)估板具有4.5V至100V寬輸入范圍、100kHz至800kHz可調(diào)開(kāi)關(guān)頻率以及-40°C至125°C結(jié)溫范圍。該評(píng)估板用于通信、汽車和工業(yè)應(yīng)用。

數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:Microchip Technology EV23R43A 評(píng)估板數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

  • 輸出電壓遠(yuǎn)程檢測(cè)
  • 精密使能
  • 內(nèi)部自舉二極管
  • 內(nèi)部自舉LDO
  • 可選擇的輕負(fù)載工作模式
  • 可調(diào)軟啟動(dòng)時(shí)間
  • 可調(diào)正負(fù)電流限制閾值
  • 可選限流模式(斷續(xù)、鎖存、逐周期)
  • 輸出過(guò)壓保護(hù)
  • 內(nèi)部補(bǔ)償
  • 電源良好 (PG) 輸出

規(guī)范

  • 寬輸入范圍:4.5 V至100 V
  • 可調(diào)開(kāi)關(guān)頻率:100kHz至800kHz
  • -40 °C至125 °C結(jié)溫范圍
  • 可調(diào)輸出電壓:0.6V至DMAX x VIN
  • 可選柵極驅(qū)動(dòng)器電壓:5.2V/7.5V/10.5V

評(píng)估板的信息

1.png

原理圖

2.png

MIC2129評(píng)估板核心技術(shù)解析與應(yīng)用指南?

?一、核心器件特性?

  1. ?MIC2129控制器?
    • ?寬輸入范圍?:4.5V-100V,適用于工業(yè)/汽車高壓場(chǎng)景(如48V電池系統(tǒng))。
    • ?自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間控制?:支持0.6V至DMAX×VIN可調(diào)輸出,±1%基準(zhǔn)精度。
    • ?多模式驅(qū)動(dòng)?:可選5.2V/7.5V/10.5V柵極驅(qū)動(dòng)電壓,兼容邏輯電平與標(biāo)準(zhǔn)MOSFET。
    • ?保護(hù)功能?:集成過(guò)壓/過(guò)流保護(hù)(打嗝、鎖存、逐周期模式可選)。
  2. ?評(píng)估板硬件配置?
    • ?拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)?:同步Buck轉(zhuǎn)換器,預(yù)設(shè)12V/10A輸出(輸入18V-60V)。
    • ?關(guān)鍵元件?:
      • 電感:15μH/22A(Coilcraft XAL1513-153MED)
      • MOSFET:Infineon BSC0805LS(100V/79A)與Vishay SIR170DP(100V/95A)
      • 輸入電容:220μF/100V鋁電解(Nichicon UBT2A221MHD8)

二、實(shí)測(cè)性能數(shù)據(jù)?

  1. ?效率曲線?
    • ?CCM模式?:48V輸入時(shí)峰值效率達(dá)95%(PVDD=10.5V,負(fù)載5A)。
    • ?HLL模式?:輕載(0.2A)效率提升12% vs CCM。
  2. ?動(dòng)態(tài)響應(yīng)?
    • 0A→10A負(fù)載階躍下,輸出電壓波動(dòng)<200mV(恢復(fù)時(shí)間40μs)。

?三、典型應(yīng)用建議?

  1. ?汽車電子?
    • 利用100V耐壓特性,適配12V/24V/48V總線系統(tǒng)(如車載信息娛樂(lè)電源)。
    • 遠(yuǎn)程電壓檢測(cè)補(bǔ)償大電流地線壓降。
  2. ?工業(yè)電源?
    • 通過(guò)J5選擇高壓LDO,簡(jiǎn)化4.6V-14V輔助電源設(shè)計(jì)。

?四、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?

  1. ?散熱管理?
    • 持續(xù)10A輸出時(shí),MOSFET溫升需控制在70°C以內(nèi)(參考熱成像圖)。
  2. ?布局優(yōu)化?
    • 關(guān)鍵路徑:SW節(jié)點(diǎn)(Appendix A-3拓?fù)鋵樱┬枳疃袒詼p少EMI。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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