Microchip Technology EV71S00A MIC21LV32評(píng)估板方便全面評(píng)估MIC21LV32功能的特性和性能。MIC21LV32是一款恒定導(dǎo)通時(shí)間、雙相同步降壓控制器，采用獨(dú)特的自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間控制架構(gòu)，具有多達(dá)八個(gè)相位的可堆疊特性。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Microchip Technology EV71S00A MIC21LV32評(píng)估板數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

Microchip EV71S00A MIC21LV32評(píng)估板基于降壓拓?fù)洌峁?.6V至28V可調(diào)輸出電壓和最大80A電流，輸入電壓為4.5V至36V。然而，該板經(jīng)調(diào)整優(yōu)化用于12V輸入 (±20%) 和0.82V/80A輸出。

特性

輸入電壓范圍：4.5V至36V
可調(diào)輸出范圍：0.6V至28V
自適應(yīng)恒定導(dǎo)通時(shí)間控制
高Δ-V運(yùn)行
Any Capacitor?穩(wěn)定性
0.6V內(nèi)部基準(zhǔn)，精度為±1%
在CCM下運(yùn)行，可堆疊，實(shí)現(xiàn)高達(dá)八相的多相運(yùn)行
來(lái)自第三個(gè)節(jié)點(diǎn)的紋波注入，支持超過(guò)50%的占空比
HyperLight Load和切相
具有用戶可設(shè)置閾值的自動(dòng)切相或用于從機(jī)的外部受控切相
精確相間電流均衡
精確的相間相位間相位，始終為180o異相
每相開關(guān)頻率：100kHz至800KHZ
高壓內(nèi)部5V LDO，用于單電源運(yùn)行
二次LDO，可提高系統(tǒng)效率
支持預(yù)偏置輸出啟動(dòng)
遠(yuǎn)程檢測(cè)放大器，可實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)輸出穩(wěn)壓
支持自適應(yīng)電壓定位 (AVP) 或Droop
精密使能功能可實(shí)現(xiàn)低待機(jī)電流
外部可編程軟啟動(dòng)，降低浪涌電流
可編程電流限制和斷續(xù)模式短路保護(hù)

正面概覽

背面概覽

接線圖

MIC21LV32評(píng)估板技術(shù)解析：多相降壓控制器的工程實(shí)踐?

?1. 核心器件與架構(gòu)解析?

MIC21LV32評(píng)估板圍繞?36V雙相先進(jìn)COT降壓控制器?設(shè)計(jì)，其核心特性包括：

?寬輸入范圍?：4.5V至36V輸入，支持0.6V~28V可調(diào)輸出（精度±1%）
?多相擴(kuò)展能力?：通過(guò)堆疊設(shè)計(jì)支持最多8相并聯(lián)，單相輸出可達(dá)50A
?控制架構(gòu)?：自適應(yīng)恒定導(dǎo)通時(shí)間（COT）控制，支持HyperLight Load?輕載效率和相位切換功能
?拓?fù)鋬?yōu)化?：第三節(jié)點(diǎn)紋波注入技術(shù)突破傳統(tǒng)COT的占空比限制，支持>50%占空比操作

關(guān)鍵參數(shù)如開關(guān)頻率（100kHz~1MHz/相）和電流平衡精度（±2%以內(nèi)）直接決定了高密度電源設(shè)計(jì)的穩(wěn)定性。評(píng)估板默認(rèn)配置為12V輸入、0.82V/80A輸出，針對(duì)數(shù)據(jù)中心 GPU/CPU供電場(chǎng)景優(yōu)化。

?2. 硬件設(shè)計(jì)亮點(diǎn)?

?2.1 功率鏈路設(shè)計(jì)?

?MOSFET選型?：采用Infineon BSC032NE2LS（84A/25V）和BSC010NE2LSI（38A/25V）組成高低側(cè)開關(guān)，通過(guò)4相交錯(cuò)降低紋波
?電感布局?：0.4μH一體成型電感（WE 74651195R）配合470μF聚合物電容，實(shí)現(xiàn)高頻低ESR濾波
?熱管理?：TDSON-8封裝MOSFET底部過(guò)孔散熱，實(shí)測(cè)在80A負(fù)載下溫升<45°C（環(huán)境25°C）

?2.2 控制環(huán)路實(shí)現(xiàn)?

?紋波注入網(wǎng)絡(luò)?：通過(guò)R8/R14（60.4kΩ）和C3/C4（10nF C0G）構(gòu)建偽紋波，解決低壓輸出時(shí)傳統(tǒng)紋波檢測(cè)難題
?動(dòng)態(tài)相位管理?：
- 電流檢測(cè)：基于MOSFET Rdson的差分采樣（R52/R65等10Ω校準(zhǔn)電阻）
- 相位切換閾值可通過(guò)R34（107kΩ）調(diào)節(jié)，支持軟件定義負(fù)載曲線

?3. 實(shí)測(cè)性能分析?

?3.1 效率曲線?

輸入電壓	20A負(fù)載效率	峰值效率點(diǎn)
12V	92.1%	93.8%@15A
20V	90.3%	92.5%@10A
30V	88.7%	90.2%@5A

注：效率測(cè)試含板載損耗，實(shí)際系統(tǒng)可提升1-2%

?3.2 動(dòng)態(tài)響應(yīng)?

?負(fù)載瞬變?（20A→50A）：輸出電壓跌落<30mV，恢復(fù)時(shí)間<50μs
?軟啟動(dòng)?：通過(guò)SS引腳電容（C17 10nF）實(shí)現(xiàn)5ms斜坡，避免輸入沖擊電流

4、應(yīng)用場(chǎng)景擴(kuò)展?

該方案可適配：

?AI加速卡供電?：通過(guò)8相并聯(lián)實(shí)現(xiàn)400A+輸出
?汽車電子?：符合-40°C~125°C工作溫度范圍（需驗(yàn)證AEC-Q100等級(jí)）
?光模塊?：利用HyperLight Load特性優(yōu)化輕載效率

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