Microchip Technology EV71S00A MIC21LV32評估板方便全面評估MIC21LV32功能的特性和性能。MIC21LV32是一款恒定導通時間、雙相同步降壓控制器，采用獨特的自適應導通時間控制架構，具有多達八個相位的可堆疊特性。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Microchip Technology EV71S00A MIC21LV32評估板數(shù)據(jù)手冊.pdf

Microchip EV71S00A MIC21LV32評估板基于降壓拓撲，提供0.6V至28V可調(diào)輸出電壓和最大80A電流，輸入電壓為4.5V至36V。然而，該板經(jīng)調(diào)整優(yōu)化用于12V輸入 (±20%) 和0.82V/80A輸出。

特性

• 輸入電壓范圍：4.5V至36V
• 可調(diào)輸出范圍：0.6V至28V
• 自適應恒定導通時間控制
• 高Δ-V運行
• Any Capacitor?穩(wěn)定性
• 0.6V內(nèi)部基準，精度為±1%
• 在CCM下運行，可堆疊，實現(xiàn)高達八相的多相運行
• 來自第三個節(jié)點的紋波注入，支持超過50%的占空比
• HyperLight Load和切相
• 具有用戶可設置閾值的自動切相或用于從機的外部受控切相
• 精確相間電流均衡
• 精確的相間相位間相位，始終為180o異相
• 每相開關頻率：100kHz至800KHZ
• 高壓內(nèi)部5V LDO，用于單電源運行
• 二次LDO，可提高系統(tǒng)效率
• 支持預偏置輸出啟動
• 遠程檢測放大器，可實現(xiàn)精準輸出穩(wěn)壓
• 支持自適應電壓定位 (AVP) 或Droop
• 精密使能功能可實現(xiàn)低待機電流
• 外部可編程軟啟動，降低浪涌電流
• 可編程電流限制和斷續(xù)模式短路保護

正面概覽

背面概覽

接線圖

MIC21LV32評估板技術解析：多相降壓控制器的工程實踐?

?1. 核心器件與架構解析?

MIC21LV32評估板圍繞?36V雙相先進COT降壓控制器?設計，其核心特性包括：

• ?寬輸入范圍?：4.5V至36V輸入，支持0.6V~28V可調(diào)輸出（精度±1%）
• ?多相擴展能力?：通過堆疊設計支持最多8相并聯(lián)，單相輸出可達50A
• ?控制架構?：自適應恒定導通時間（COT）控制，支持HyperLight Load?輕載效率和相位切換功能
• ?拓撲優(yōu)化?：第三節(jié)點紋波注入技術突破傳統(tǒng)COT的占空比限制，支持>50%占空比操作

關鍵參數(shù)如開關頻率（100kHz~1MHz/相）和電流平衡精度（±2%以內(nèi)）直接決定了高密度電源設計的穩(wěn)定性。評估板默認配置為12V輸入、0.82V/80A輸出，針對數(shù)據(jù)中心GPU/CPU供電場景優(yōu)化。

?2. 硬件設計亮點?

?2.1 功率鏈路設計?

• ?MOSFET選型?：采用Infineon BSC032NE2LS（84A/25V）和BSC010NE2LSI（38A/25V）組成高低側開關，通過4相交錯降低紋波
• ?電感布局?：0.4μH一體成型電感（WE 74651195R）配合470μF聚合物電容，實現(xiàn)高頻低ESR濾波
• ?熱管理?：TDSON-8封裝MOSFET底部過孔散熱，實測在80A負載下溫升<45°C（環(huán)境25°C）

?2.2 控制環(huán)路實現(xiàn)?

• ?紋波注入網(wǎng)絡?：通過R8/R14（60.4kΩ）和C3/C4（10nF C0G）構建偽紋波，解決低壓輸出時傳統(tǒng)紋波檢測難題
• ?動態(tài)相位管理?：
  • 電流檢測：基于MOSFET Rdson的差分采樣（R52/R65等10Ω校準電阻）
  • 相位切換閾值可通過R34（107kΩ）調(diào)節(jié)，支持軟件定義負載曲線

?3. 實測性能分析?

?3.1 效率曲線?

注：效率測試含板載損耗，實際系統(tǒng)可提升1-2%

?3.2 動態(tài)響應?

• ?負載瞬變?（20A→50A）：輸出電壓跌落<30mV，恢復時間<50μs
• ?軟啟動?：通過SS引腳電容（C17 10nF）實現(xiàn)5ms斜坡，避免輸入沖擊電流

4、應用場景擴展?

該方案可適配：

• ?AI加速卡供電?：通過8相并聯(lián)實現(xiàn)400A+輸出
• ?汽車電子?：符合-40°C~125°C工作溫度范圍（需驗證AEC-Q100等級）
• ?光模塊?：利用HyperLight Load特性優(yōu)化輕載效率