固態(tài)繼任：傾佳電子SiC MOSFET為何是現(xiàn)代電力系統(tǒng)中機(jī)械繼電器的理想替代品的分析報告

傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

摘要

電力電子領(lǐng)域正經(jīng)歷一場從傳統(tǒng)的機(jī)電開關(guān)（機(jī)械繼電器）到基于寬禁帶半導(dǎo)體的固態(tài)開關(guān)（碳化硅MOSFET）的根本性轉(zhuǎn)變。盡管機(jī)械繼電器在電力控制歷史上扮演了基礎(chǔ)性角色，但其固有的機(jī)械局限性，如開關(guān)速度慢、壽命有限、存在電弧磨損等，已無法滿足現(xiàn)代電力系統(tǒng)對高頻率、高效率、高功率密度和高可靠性的嚴(yán)苛要求。傾佳電子旨在深入論證，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其在開關(guān)速度、能量效率、運(yùn)行可靠性和使用壽命方面實(shí)現(xiàn)的數(shù)量級提升，不僅是機(jī)械繼電器的可行替代方案，更是其在技術(shù)演進(jìn)路徑上的必然繼任者。通過剖析在電動汽車、可再生能源及先進(jìn)工業(yè)系統(tǒng)等關(guān)鍵領(lǐng)域的應(yīng)用案例，傾佳電子將揭示這一技術(shù)更迭的必然性及其為電力電子系統(tǒng)設(shè)計帶來的革命性影響。

1. 基礎(chǔ)分析：機(jī)電開關(guān)與半導(dǎo)體開關(guān)的原理對比

1.1. 機(jī)械繼電器：電磁學(xué)的遺產(chǎn)及其固有約束

機(jī)械繼電器，或稱機(jī)電繼電器（EMR），其工作原理基于基礎(chǔ)的電磁感應(yīng)。當(dāng)電流通過線圈時，會產(chǎn)生一個磁場，該磁場吸引一個可移動的銜鐵，銜鐵的機(jī)械運(yùn)動帶動一組或多組金屬觸點(diǎn)閉合或斷開，從而實(shí)現(xiàn)電路的通斷控制 。這一過程本質(zhì)上是機(jī)械式的，其性能受到物理運(yùn)動部件的根本性制約。

其關(guān)鍵局限性體現(xiàn)在以下幾個方面：

開關(guān)速度： 繼電器的動作依賴于線圈勵磁、銜鐵吸合和觸點(diǎn)移動等一系列物理過程，這使其開關(guān)速度非常緩慢，響應(yīng)時間通常以毫秒（ms）為單位，典型值在5 ms至20 ms之間 。這種物理慣性使其完全不適用于任何需要高頻切換的應(yīng)用。

機(jī)械磨損與有限壽命： 銜鐵和觸點(diǎn)的反復(fù)物理運(yùn)動會導(dǎo)致機(jī)械疲勞和磨損，這決定了繼電器的使用壽命僅限于有限的開關(guān)次數(shù) 。雖然高質(zhì)量繼電器的機(jī)械壽命可達(dá)數(shù)百萬次，但在高頻次開關(guān)的應(yīng)用中，這一壽命會迅速耗盡。

觸點(diǎn)電弧與性能退化： 在帶載分?jǐn)嚯娐窌r，尤其是在直流（DC）或感性負(fù)載下，分離的金屬觸點(diǎn)間會產(chǎn)生電弧。電弧產(chǎn)生的高溫會侵蝕觸點(diǎn)材料，隨時間推移導(dǎo)致接觸電阻增大，嚴(yán)重時甚至?xí)褂|點(diǎn)熔焊在一起，造成永久性閉合的致命故障 。

物理尺寸與噪聲： 機(jī)械動作會產(chǎn)生清晰可聞的“咔嗒”聲 。同時，線圈、銜鐵、彈簧和觸點(diǎn)等組件需要占據(jù)相當(dāng)大的物理空間，這限制了系統(tǒng)的功率密度和小型化 。

功耗： 對于非自鎖型繼電器，線圈需要持續(xù)通電以維持其吸合狀態(tài)，這部分能量消耗會累積為系統(tǒng)級的靜態(tài)損耗 。

在這些局限性中，直流電弧問題尤為突出，它構(gòu)成了機(jī)械繼電器在現(xiàn)代高壓直流應(yīng)用中的一道難以逾越的物理屏障。交流電（AC）每個周期會自然過零，有助于熄滅觸點(diǎn)分離時產(chǎn)生的電弧 。然而，直流電是連續(xù)的，一旦在分?jǐn)鄷r形成電弧，電弧將持續(xù)燃燒，產(chǎn)生極高溫度，迅速熔化和侵蝕觸點(diǎn)材料 。為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，專用的高壓直流接觸器不得不采用復(fù)雜的滅弧結(jié)構(gòu)，如磁吹滅弧或在真空中/惰性氣體中封裝觸點(diǎn)，但這不僅大幅增加了器件的體積和成本，也無法從根本上消除觸點(diǎn)磨損問題 。隨著電動汽車、數(shù)據(jù)中心和可再生能源系統(tǒng)越來越多地采用高壓直流架構(gòu)，機(jī)械繼電器在直流分?jǐn)嗄芰ι系倪@一核心弱點(diǎn)使其成為系統(tǒng)安全性和可靠性的關(guān)鍵瓶頸，其被取代不僅是性能優(yōu)化的選擇，更是保障系統(tǒng)安全的必然要求。

1.2. SiC MOSFET：材料科學(xué)驅(qū)動的性能范式轉(zhuǎn)移

碳化硅（SiC）MOSFET的出現(xiàn)，代表了功率開關(guān)技術(shù)從物理驅(qū)動到材料科學(xué)驅(qū)動的范式轉(zhuǎn)移。其卓越性能根植于SiC這種寬禁帶半導(dǎo)體材料的獨(dú)特物理特性。

寬禁帶隙（Wide Bandgap）： SiC的禁帶寬度約為3.3電子伏特（eV），遠(yuǎn)高于硅（Si）的1.1 eV。這使其能夠在更高的結(jié)溫（超過200°C）下穩(wěn)定工作，同時具有極低的漏電流 。

高臨界擊穿場強(qiáng)（High Breakdown Electric Field）： SiC的臨界擊穿場強(qiáng)是硅的近10倍，這意味著在承受相同電壓時，SiC器件的漂移層可以做得更薄，從而大幅降低器件的導(dǎo)通電阻（RDS(on)?） 。

高熱導(dǎo)率（High Thermal Conductivity）： SiC的熱導(dǎo)率約為硅的3倍，能夠更高效地將器件內(nèi)部產(chǎn)生的熱量導(dǎo)出，從而簡化散熱系統(tǒng)，提高功率密度 。

其工作原理是純粹的固態(tài)電子行為：通過向柵極施加電壓，在半導(dǎo)體內(nèi)部形成一個電場，從而控制源極和漏極之間導(dǎo)電溝道的形成或關(guān)閉。整個開關(guān)過程沒有宏觀的機(jī)械運(yùn)動，完全由電子狀態(tài)的改變完成 。

這些材料和原理上的優(yōu)勢轉(zhuǎn)化為以下器件級性能：

超高速開關(guān)： 開關(guān)轉(zhuǎn)換在納秒（ns）級別完成，使得系統(tǒng)工作頻率可以輕松達(dá)到數(shù)百千赫茲（kHz）甚至兆赫茲（MHz）的水平 。

極低損耗： 極低的$R_{DS(on)}$最大限度地減少了導(dǎo)通損耗，而超快的開關(guān)速度則顯著降低了開關(guān)過程中的能量損耗，兩者結(jié)合使SiC MOSFET的整體效率極高 。

固態(tài)可靠性： 由于沒有機(jī)械運(yùn)動部件，SiC MOSFET不存在磨損、疲勞等機(jī)械故障模式。在適當(dāng)?shù)碾?、熱管理下，其理論工作壽命幾乎是無限的 。

SiC MOSFET的真正價值并不僅僅在于其作為單個開關(guān)器件的性能優(yōu)越，更在于它如何系統(tǒng)性地解鎖了全新的電力電子系統(tǒng)架構(gòu)。機(jī)械繼電器是一個緩慢的、二元性的組件，系統(tǒng)設(shè)計必須圍繞其局限性（如低頻、大體積）展開。而SiC MOSFET的納秒級開關(guān)速度 使得高頻工作成為可能 。根據(jù)電力電子基本原理，更高的開關(guān)頻率允許使用體積更小、重量更輕、成本更低的電感和電容等無源器件 。結(jié)合SiC優(yōu)異的熱性能所帶來的散熱系統(tǒng)小型化 ，最終實(shí)現(xiàn)了整個功率變換系統(tǒng)功率密度的巨大飛躍 。此外，快速而精確的控制能力也催生了更先進(jìn)的電路拓?fù)洌鐭o橋圖騰柱PFC和多電平逆變器，進(jìn)一步提升了系統(tǒng)效率 。因此，用SiC MOSFET取代機(jī)械繼電器，并非簡單的元件替換，而是一場架構(gòu)革命，它使工程師能夠擺脫傳統(tǒng)設(shè)計的束縛，構(gòu)建出前所未有的緊湊、高效和智能化的電力變換系統(tǒng)。

2. 核心性能指標(biāo)的量化對比

為了更直觀地展示兩種技術(shù)的差異，下文將對各項(xiàng)關(guān)鍵性能指標(biāo)進(jìn)行量化分析。

2.1. 速度與動態(tài)性能：從毫秒到納秒的飛躍

機(jī)械繼電器的開關(guān)時間通常在5 ms至20 ms范圍內(nèi) 。相比之下，以基本半導(dǎo)體的B3M040120ZL為例，其開通延遲時間（td(on)?）和上升時間（tr?）等參數(shù)均在納秒級別，總開關(guān)時間遠(yuǎn)低于50 ns 。這意味著SiC MOSFET的開關(guān)速度比機(jī)械繼電器快5到6個數(shù)量級（即10萬至100萬倍）。這一巨大的速度鴻溝是實(shí)現(xiàn)高頻功率變換的根本前提，而機(jī)械繼電器則完全無法企及。此外，固態(tài)開關(guān)沒有機(jī)械觸點(diǎn)抖動問題，確保了每次開關(guān)都是干凈、瞬時的，避免了機(jī)械繼電器在閉合瞬間因觸點(diǎn)彈跳而產(chǎn)生的噪聲和不穩(wěn)定狀態(tài) 。

2.2. 效率、損耗與熱性能

繼電器的損耗主要來自兩部分：維持線圈勵磁的恒定功率（數(shù)百毫瓦級別）和流過觸點(diǎn)的可變導(dǎo)通損耗（I2×Rcontact?） 。SiC MOSFET的主要損耗則包括導(dǎo)通損耗（I2×RDS(on)?）和開關(guān)損耗。在低電流下，繼電器的線圈功耗可能成為主要損耗源；而在高電流下，現(xiàn)代SiC MOSFET極低的導(dǎo)通電阻（例如基本半導(dǎo)體B3M010C075Z的$R_{DS(on)}$僅為10 mΩ ）通常使其導(dǎo)通損耗低于同等電流等級的繼電器觸點(diǎn)損耗 。更重要的是，在任何需要頻繁開關(guān)的應(yīng)用中，SiC MOSFET極低的開關(guān)能量損耗（Eon? 和 Eoff? 通常在微焦耳μJ級別 ）使其總效率遠(yuǎn)超機(jī)械繼電器。高效率直接意味著更少的發(fā)熱，從而簡化甚至取消了龐大的散熱系統(tǒng)，進(jìn)一步提升了系統(tǒng)的緊湊性和可靠性 。

2.3. 可靠性與工作壽命

機(jī)械繼電器的壽命由有限的機(jī)械開關(guān)次數(shù)決定 。而SiC MOSFET作為固態(tài)器件，沒有物理磨損機(jī)制，其壽命由半導(dǎo)體材料的老化過程決定，在正常工作條件下幾乎是無限的 ?；景雽?dǎo)體等廠商進(jìn)行的加嚴(yán)可靠性測試，如在110%額定電壓下進(jìn)行超過2500小時的高溫反偏（HTRB）測試，驗(yàn)證了其在遠(yuǎn)超行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的嚴(yán)苛條件下的長期穩(wěn)定性 。繼電器的常見失效模式是觸點(diǎn)磨損或熔焊導(dǎo)致的永久性故障 ，而MOSFET的失效通常與可控的電或熱過應(yīng)力有關(guān)，可以通過精密的驅(qū)動和保護(hù)電路來預(yù)防。對于要求數(shù)十億次開關(guān)循環(huán)或極高可靠性的應(yīng)用（如汽車電子、工業(yè)自動化），固態(tài)器件是唯一選擇。

2.4. 功率密度與系統(tǒng)小型化

SiC MOSFET帶來的高開關(guān)頻率是系統(tǒng)小型化的核心驅(qū)動力。例如，將開關(guān)頻率從硅基器件的100 kHz提升到SiC的250 kHz，可以使磁性元件和電容器的尺寸大幅減小，從而實(shí)現(xiàn)約30%的系統(tǒng)空間節(jié)省 。器件本身也更加緊湊 。這種由速度和效率提升帶來的系統(tǒng)級優(yōu)勢，是推動SiC技術(shù)普及的強(qiáng)大動力，其價值往往能夠抵消SiC器件本身較高的初始成本。

表1：性能矩陣對比：SiC MOSFET vs. 機(jī)械繼電器

3. 應(yīng)用場景深度剖析：技術(shù)替代的實(shí)踐案例

SiC MOSFET對機(jī)械繼電器的取代并非理論上的推演，而是在多個前沿行業(yè)中正在發(fā)生的深刻變革。以下案例研究將具體展示這種技術(shù)替代的實(shí)際價值。

3.1. 電動汽車：賦能更安全、更高效的電氣化

案例研究一：固態(tài)電池斷路單元（E-Fuse/固態(tài)接觸器）

應(yīng)用挑戰(zhàn)： 電動汽車的高壓電池包需要一個極其可靠的斷路開關(guān)，用于在故障、碰撞或維修時安全地切斷電源。傳統(tǒng)的機(jī)械式高壓直流接觸器在分?jǐn)啻箅娏鲿r會產(chǎn)生強(qiáng)烈的直流電弧，這不僅會嚴(yán)重侵蝕觸點(diǎn)，限制其使用壽命，還可能在極端情況下導(dǎo)致觸點(diǎn)熔焊而無法斷開，構(gòu)成嚴(yán)重的安全隱患 。

SiC MOSFET解決方案： 采用SiC MOSFET構(gòu)建的固態(tài)斷路器（也稱為電子熔絲E-Fuse或固態(tài)接觸器）能夠完美解決上述問題。通常采用兩個SiC MOSFET背靠背連接，以實(shí)現(xiàn)雙向電流的通斷和阻斷 。

核心優(yōu)勢：

無電弧開關(guān)： 固態(tài)開關(guān)的本質(zhì)決定了其在分?jǐn)嚯娏鲿r不會產(chǎn)生任何電弧，從根本上消除了觸點(diǎn)磨損和熔焊的風(fēng)險，極大地提升了安全性和可靠性 。

微秒級快速響應(yīng)： 固態(tài)斷路器能夠在微秒級別內(nèi)響應(yīng)短路故障，比傳統(tǒng)熔絲或機(jī)械接觸器的響應(yīng)速度快數(shù)百倍，從而在故障電流造成損害前迅速切斷電路，保護(hù)電池包和昂貴的下游部件 。

可復(fù)位與智能控制： 與一次性的熔絲不同，電子熔絲在故障排除后可以通過軟件指令復(fù)位，無需物理更換，大大降低了維修成本和復(fù)雜性 。其跳閘閾值和響應(yīng)特性還可以通過軟件靈活配置，實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的負(fù)載管理，例如在電池電量低時優(yōu)先切斷空調(diào)、座椅加熱等非關(guān)鍵負(fù)載。

長壽命與小型化： 無機(jī)械磨損帶來了超長的使用壽命，同時固態(tài)方案比笨重的高壓直流接觸器體積更小、重量更輕，有助于整車的輕量化和空間優(yōu)化 。

相關(guān)產(chǎn)品： 基本半導(dǎo)體的車規(guī)級（AEC-Q101認(rèn)證）SiC MOSFET產(chǎn)品，如AB3M和AB2M系列，正是為這類嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用而設(shè)計 。

3.2. 可再生能源與現(xiàn)代電網(wǎng)

案例研究：光伏逆變器直流拉弧與固態(tài)斷路器（SSCB）

應(yīng)用挑戰(zhàn)： 光伏陣列產(chǎn)生高壓直流電，需要一個可靠的直流斷路器用于安全和維護(hù)。機(jī)械式斷路器響應(yīng)慢，且同樣面臨直流拉弧的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，是光伏電站火災(zāi)的主要隱患之一。在直流微電網(wǎng)中，快速的故障隔離對于防止系統(tǒng)崩潰至關(guān)重要 。

SiC MOSFET解決方案： SiC MOSFET被用于構(gòu)建固態(tài)斷路器（Solid-State Circuit Breaker, SSCB），作為光伏系統(tǒng)中的直流快速開關(guān)和保護(hù)裝置 。

核心優(yōu)勢：

微秒級故障隔離： SSCB能在微秒內(nèi)檢測并切斷故障電流，比機(jī)械斷路器的毫秒級響應(yīng)快數(shù)千倍，有效保護(hù)逆變器等核心設(shè)備免受損壞 。

本質(zhì)安全： 無電弧分?jǐn)嗵匦詮氐紫酥绷骼∵@一火災(zāi)隱患，顯著提升了光伏系統(tǒng)的安全性 。

更高系統(tǒng)效率： SiC MOSFET的低導(dǎo)通電阻意味著在正常工作時，SSCB自身的功率損耗遠(yuǎn)低于基于硅器件的方案或存在接觸電阻的機(jī)械開關(guān)，從而提升了整個系統(tǒng)的發(fā)電效率 。

相關(guān)產(chǎn)品： 基本半導(dǎo)體提供的1200V等高壓等級分立器件（如B3M040120Z ）和工業(yè)級功率模塊（如BMF系列 ）非常適合此類應(yīng)用，其產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域明確包括光伏逆變器和儲能系統(tǒng) 。

3.3. 先進(jìn)工業(yè)電力系統(tǒng)

相關(guān)產(chǎn)品： 基本半導(dǎo)體的Pcore? 34mm封裝模塊（如BMF80R12RA3）和Pcore? E2B系列模塊（如BMF240R12E2G3）等工業(yè)級產(chǎn)品，其應(yīng)用領(lǐng)域明確指向了高端電焊機(jī)、大功率充電樁和PCS等 。

表2：應(yīng)用對比 - 電動汽車電池斷路單元

4. 戰(zhàn)略意義與未來展望

4.1. 使能生態(tài)系統(tǒng)：超越開關(guān)本身

將機(jī)械繼電器替換為SiC MOSFET并非簡單的“即插即用”。繼電器本身是一個集成了線圈和開關(guān)的獨(dú)立系統(tǒng)，而SiC MOSFET則是一個需要復(fù)雜支持生態(tài)系統(tǒng)才能發(fā)揮其全部潛能的核心組件。這個生態(tài)系統(tǒng)包括：

專用柵極驅(qū)動器： 為了實(shí)現(xiàn)納秒級的快速開關(guān)，需要能夠提供精確驅(qū)動電壓（如-4V/+18V）、強(qiáng)大驅(qū)動電流，并集成米勒鉗位、退飽和保護(hù)（DESAT）等高級功能的專用驅(qū)動芯片 。例如，基本半導(dǎo)體的BTD系列驅(qū)動芯片就是為此類應(yīng)用而設(shè)計 。

控制與傳感電路： 需要微控制器（MCU）產(chǎn)生高頻PWM信號進(jìn)行精確控制，并配合電流、電壓和溫度傳感器進(jìn)行實(shí)時監(jiān)控，以實(shí)現(xiàn)完善的保護(hù)和智能管理功能 。

從繼電器到SiC MOSFET的轉(zhuǎn)變，實(shí)質(zhì)上是從簡單的電氣控制設(shè)計轉(zhuǎn)向了復(fù)雜的電力電子系統(tǒng)工程。這雖然提升了設(shè)計的復(fù)雜度，但也解鎖了前所未有的系統(tǒng)性能和功能。

4.2. “全面取代”的路徑

深圳市傾佳電子有限公司（簡稱“傾佳電子”）是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動者：
傾佳電子成立于2018年，總部位于深圳福田區(qū)，定位于功率半導(dǎo)體與新能源汽車連接器的專業(yè)分銷商，業(yè)務(wù)聚焦三大方向：
新能源：覆蓋光伏、儲能、充電基礎(chǔ)設(shè)施；
交通電動化：服務(wù)新能源汽車三電系統(tǒng)（電控、電池、電機(jī)）及高壓平臺升級；
數(shù)字化轉(zhuǎn)型：支持AI算力電源、數(shù)據(jù)中心等新型電力電子應(yīng)用。
公司以“推動國產(chǎn)SiC替代進(jìn)口、加速能源低碳轉(zhuǎn)型”為使命，響應(yīng)國家“雙碳”政策（碳達(dá)峰、碳中和），致力于降低電力電子系統(tǒng)能耗。
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盡管SiC MOSFET在性能驅(qū)動型應(yīng)用中優(yōu)勢明顯。在可預(yù)見的未來，機(jī)械繼電器仍將在某些特定領(lǐng)域保持其存在價值：

極端成本敏感型應(yīng)用： 對于開關(guān)頻率極低、性能要求不高的非關(guān)鍵應(yīng)用，機(jī)械繼電器的初始采購成本仍然具有優(yōu)勢 。

追求“真實(shí)”電氣隔離的場合： 某些傳統(tǒng)或特定的安全標(biāo)準(zhǔn)強(qiáng)制要求物理氣隙隔離。盡管固態(tài)方案通過光電或磁隔離技術(shù)同樣能實(shí)現(xiàn)高等級的絕緣，但一些工程師仍然偏好機(jī)械繼電器所提供的直觀物理斷點(diǎn) 。

然而，技術(shù)發(fā)展的趨勢是明確的。隨著SiC制造工藝的成熟和規(guī)模化生產(chǎn)，其成本正持續(xù)下降 。當(dāng)系統(tǒng)設(shè)計者越來越多地從系統(tǒng)總成本（Total Cost of Ownership, TCO）而非單個元件成本的角度進(jìn)行考量時，SiC方案的優(yōu)勢將愈發(fā)凸顯。

4.3. 結(jié)論：向固態(tài)主導(dǎo)地位的必然演進(jìn)

綜上所述，SiC MOSFET在開關(guān)速度、效率、可靠性、功率密度等所有關(guān)鍵性能維度上均對機(jī)械繼電器構(gòu)成了壓倒性優(yōu)勢。應(yīng)用案例清晰地表明，這種優(yōu)勢并非停留在理論層面，而是正在驅(qū)動電動汽車、可再生能源和高端工業(yè)等最具活力和挑戰(zhàn)性的行業(yè)發(fā)生深刻變革。

雖然SiC MOSFET的單體價格目前仍高于機(jī)械繼電器，但從系統(tǒng)全生命周期的總成本（TCO）來看，其帶來的能源節(jié)約、散熱和無源元件成本的降低、以及可靠性提升所減少的維護(hù)和更換成本，使其成為現(xiàn)代高性能電力系統(tǒng)的更經(jīng)濟(jì)、更理想的選擇 。因此，從機(jī)械繼電器到SiC MOSFET的過渡，不僅是一種技術(shù)選擇，更是電力電子技術(shù)邁向更高效率、更高密度和更高可靠性的必然進(jìn)化路徑。在功率開關(guān)領(lǐng)域，固態(tài)化已是大勢所趨。

審核編輯 黃宇