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選型手冊:MOT15N50HF 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

深圳市首質(zhì)誠科技有限公司 ? 2025-10-31 17:17 ? 次閱讀
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仁懋電子(MOT)推出的MOT15N50HF是一款面向 500V 高壓高頻場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET,憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及 500V 耐壓,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED 電源等領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。

一、產(chǎn)品基本信息

  • 核心參數(shù)
    • 漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):500V
    • 導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\),\(V_{GS}=10V\)):典型值0.36Ω
    • 連續(xù)漏極電流(\(I_D\)):15A(\(T_c=25^\circ\text{C}\))
  • 封裝形式TO-220F,包裝規(guī)格為 50 片 / 管。

二、核心特性

  • 開關(guān)性能:具備快速開關(guān)能力,適配高頻開關(guān)電源(如 LLC、反激拓撲)及半橋式電子鎮(zhèn)流器等對開關(guān)速度敏感的場景。
  • 雪崩可靠性:通過雪崩能量測試,單脈沖雪崩能量(\(E_{AS}\))達637mJ,在感性負載開關(guān)、異常過壓工況下可靠性強。
  • dv/dt 魯棒性:優(yōu)化 dv/dt 耐受能力,峰值反向恢復(fù) dv/dt 達4.5V/ns,適應(yīng)高壓高頻環(huán)境的嚴苛工作條件。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T_c=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)

1. 絕對最大額定值

參數(shù)符號額定值單位
漏源極電壓

\(V_{DSS}\)

500VV
柵源極電壓

\(V_{GS}\)

±30VV
連續(xù)漏極電流

\(I_D\)

15AA
脈沖漏極電流(\(t_p≤300μs\))

\(I_{DM}\)

60AA
單脈沖雪崩能量

\(E_{AS}\)

637mJmJ
功耗(TO-220F 封裝)

\(P_D\)

38.5WW
結(jié)溫范圍

\(T_J\)

-55~+150℃

四、封裝與應(yīng)用場景

  • 封裝:TO-220F 直插封裝,適配傳統(tǒng)插裝式高壓電路設(shè)計,每管 50 片。
  • 典型應(yīng)用
    • 高頻開關(guān)模式電源(如服務(wù)器電源、工業(yè) AC-DC 轉(zhuǎn)換器);
    • 半橋式電子鎮(zhèn)流器(熒光燈、高壓氣體放電燈驅(qū)動);
    • LED 電源(高壓 LED 驅(qū)動的主開關(guān)管)。

五、信息來源

仁懋電子(MOT)官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理,實際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。)

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