仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50BD是一款面向 500V 高壓高頻場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及 500V 耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED 電源等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：500V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值2.4Ω，在高壓場景下平衡導通損耗與開關(guān)性能；
  • 柵極電荷（\(Q_g\)）：典型值18nC，降低驅(qū)動電路功耗，提升開關(guān)頻率適配性；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：5A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達15A，滿足負載瞬間啟動與持續(xù)工作需求。

二、核心特性

• 快速開關(guān)能力：具備優(yōu)異的開關(guān)速度，適配高頻開關(guān)電源（如 LLC 拓撲、反激拓撲）及電子鎮(zhèn)流器等對開關(guān)速度敏感的應用場景，可提升系統(tǒng)能量轉(zhuǎn)換效率；
• 雪崩可靠性：單脈沖雪崩能量（\(E_{AS}\)）達60mJ，在感性負載開關(guān)、異常過壓工況下可靠性強；
• dv/dt 魯棒性：優(yōu)化 dv/dt 耐受能力，適應高壓高頻環(huán)境的嚴苛工作條件。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±30V，柵極驅(qū)動需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 功耗（\(P_D\)）：32.9W，實際應用需搭配散熱措施（如散熱片、PCB 敷銅）保障長期可靠工作；
• 熱特性：結(jié)到環(huán)境熱阻（\(R_{JA}\)）62.5℃/W，結(jié)到外殼熱阻（\(R_{JC}\)）6.25℃/W，需通過封裝與 PCB 設(shè)計優(yōu)化熱管理；
• 工作 / 存儲結(jié)溫范圍：-55~+150℃。

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：采用TO-252 貼片封裝，為無鹵版本，每卷 2500 片，適配高密度電路板的高頻設(shè)計需求；
• 典型應用：
  • 高頻開關(guān)模式電源：如服務器電源、工業(yè) AC-DC 轉(zhuǎn)換器的 LLC、反激拓撲中，作為主開關(guān)管實現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換；
  • 電子鎮(zhèn)流器：用于熒光燈、高壓氣體放電燈的驅(qū)動電路，通過快速開關(guān)實現(xiàn)燈光穩(wěn)定控制；
  • LED 電源：在高壓 LED 驅(qū)動電源中作為主開關(guān)管，兼顧 500V 耐壓與高頻開關(guān)需求。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。）