chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

探索 onsemi NVHL025N065SC1:碳化硅 MOSFET 的卓越之選

h1654155282.3538 ? 來源:未知 ? 作者:陳翠 ? 2025-12-01 09:58 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

探索 onsemi NVHL025N065SC1:碳化硅 MOSFET 的卓越之選

電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,選擇合適的功率器件至關(guān)重要。今天,我們將深入探討 onsemi 的 NVHL025N065SC1 碳化硅(SiC)功率 MOSFET,這是一款專為高性能應(yīng)用而設(shè)計(jì)的 N 溝道單管 MOSFET,采用 TO247 - 3L 封裝。

文件下載:onsemi NVHL025N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET.pdf

核心參數(shù)亮點(diǎn)

耐壓與電流能力

NVHL025N065SC1 的漏源擊穿電壓(V(BR)DSS)高達(dá) 650V,這使其能夠在較高電壓的應(yīng)用場景中穩(wěn)定工作。連續(xù)漏極電流(ID)在不同溫度下表現(xiàn)出色,在 25°C 時(shí)可達(dá) 99A,100°C 時(shí)為 70A,脈沖漏極電流(IDM)在 25°C 時(shí)更是高達(dá) 323A,能夠滿足大電流的瞬間需求。

低導(dǎo)通電阻

導(dǎo)通電阻(RDS(ON))是衡量 MOSFET 性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一。該器件在 VGS = 18V 時(shí),典型導(dǎo)通電阻為 19mΩ;在 VGS = 15V 時(shí),典型導(dǎo)通電阻為 25mΩ。低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,器件的功率損耗更小,能夠提高系統(tǒng)的效率。

應(yīng)用電路圖

獨(dú)特特性解析

低柵極電荷與電容

超低的柵極總電荷(QG(tot) = 164nC)和低電容(Coss = 278pF)特性,使得該 MOSFET 在開關(guān)過程中所需的驅(qū)動能量更少,從而降低了驅(qū)動電路的功耗,提高了開關(guān)速度。這對于高頻應(yīng)用尤為重要,能夠有效減少開關(guān)損耗,提升系統(tǒng)的整體性能。

雪崩測試與可靠性

該器件經(jīng)過 100% 雪崩測試,這意味著它在承受雪崩能量時(shí)具有較高的可靠性,能夠在異常情況下保護(hù)自身和整個電路系統(tǒng)。此外,它還通過了 AEC - Q101 認(rèn)證,具備 PPAP 能力,符合汽車級應(yīng)用的嚴(yán)格要求,適用于汽車車載充電器、電動汽車/混合動力汽車的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用場景。

電氣特性詳解

靜態(tài)特性

  • 擊穿電壓與溫度系數(shù):漏源擊穿電壓溫度系數(shù)為 - 0.15V/°C,這表明隨著溫度的升高,擊穿電壓會略有下降。在設(shè)計(jì)時(shí),需要考慮溫度對擊穿電壓的影響,確保器件在不同溫度環(huán)境下都能安全工作。
  • 零柵壓漏電流:在 VGS = 0V,VDS = 650V 時(shí),25°C 下的零柵壓漏電流(IDSS)為 10μA,175°C 下為 1mA。較低的漏電流有助于降低靜態(tài)功耗,提高系統(tǒng)的能效。

動態(tài)特性

  • 開關(guān)時(shí)間:開關(guān)特性方面,開啟延遲時(shí)間(td(ON))為 18ns,上升時(shí)間(tr)為 51ns,關(guān)斷延遲時(shí)間(td(OFF))為 34ns,下降時(shí)間(tf)為 9ns。快速的開關(guān)時(shí)間使得該 MOSFET 能夠在高頻下工作,減少開關(guān)損耗。
  • 開關(guān)損耗:開啟開關(guān)損耗(EON)為 560mJ,關(guān)斷開關(guān)損耗(EOFF)為 112mJ,總開關(guān)損耗(Etot)為 672mJ。較低的開關(guān)損耗有助于提高系統(tǒng)的效率和可靠性。

熱阻與散熱設(shè)計(jì)

熱阻是衡量器件散熱能力的重要指標(biāo)。該 MOSFET 的結(jié)到殼穩(wěn)態(tài)熱阻(RθJC)為 0.43°C/W,結(jié)到環(huán)境穩(wěn)態(tài)熱阻(RθJA)為 40°C/W。在實(shí)際應(yīng)用中,需要根據(jù)系統(tǒng)的功率損耗和工作環(huán)境溫度,合理設(shè)計(jì)散熱方案,確保器件的結(jié)溫在安全范圍內(nèi)。

典型應(yīng)用案例

汽車車載充電器

在汽車車載充電器中,NVHL025N065SC1 的高耐壓、大電流和低導(dǎo)通電阻特性,能夠有效提高充電效率,減少發(fā)熱,延長充電器的使用壽命。同時(shí),其符合汽車級標(biāo)準(zhǔn)的可靠性,能夠滿足汽車電子系統(tǒng)的嚴(yán)格要求。

電動汽車/混合動力汽車 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

在 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中,該 MOSFET 的快速開關(guān)特性和低開關(guān)損耗,有助于提高轉(zhuǎn)換器的效率和功率密度,為電動汽車的動力系統(tǒng)提供穩(wěn)定的電源

封裝與訂購信息

NVHL025N065SC1 采用 TO247 - 3L 封裝,這種封裝具有良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性。訂購時(shí),每管包含 30 個器件。

在實(shí)際設(shè)計(jì)中,電子工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,綜合考慮器件的各項(xiàng)參數(shù)和特性,合理選擇和使用 NVHL025N065SC1。你在使用類似 MOSFET 時(shí),遇到過哪些挑戰(zhàn)呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    9343

    瀏覽量

    229269
  • N溝道
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    479

    瀏覽量

    19839
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3275

    瀏覽量

    51694
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性
    發(fā)表于 01-04 12:37

    碳化硅深層的特性

    電磁性。因碳化硅是一種共價(jià)鍵化合物,原子間結(jié)合的鍵很強(qiáng),它具有以下一些獨(dú)特的性能,因而得以廣泛應(yīng)用。1)高熔點(diǎn)。關(guān)于碳化硅熔點(diǎn)的數(shù)據(jù).不同資料取法不一,有2100℃。2)高硬度。碳化硅
    發(fā)表于 07-04 04:20

    碳化硅MOSFET的SCT怎么樣?

    本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測量,并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測量值,對短路行為的動態(tài)變化進(jìn)行深度評估。
    發(fā)表于 08-02 08:44

    創(chuàng)能動力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

    能動力碳化硅二極管ACD06PS065G已經(jīng)在倍思120W氮化鎵快充中商用,與納微GaNFast高頻優(yōu)勢組合,高頻開關(guān)減小磁性元件體積,提高適配器功率密度。創(chuàng)能動力是香港華智科技有限公司孵化出來的公司
    發(fā)表于 02-22 15:27

    淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動的區(qū)別

    風(fēng)險(xiǎn),配置合適的短路保護(hù)電路,可以有效減少開關(guān)器件在使用過程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比,碳化硅MOSFET短路耐受時(shí)間更短。  1)硅IGBT:  硅IGBT的承受退保和短路的時(shí)間一般小于
    發(fā)表于 02-27 16:03

    TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性

    ,TO-247-4這種帶輔助源極管腳的封裝形式對碳化硅MOSFET這種高速功率開關(guān)帶來的優(yōu)勢?! ?2 從數(shù)據(jù)的角度去分析共源雜散電感對開關(guān)損耗的影響 ?。?b class='flag-5'>1)雙脈沖測試時(shí)的重要注意事項(xiàng)---電流探頭的相位
    發(fā)表于 02-27 16:14

    圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

    的效率也會更高。當(dāng)客戶選擇碳化硅MOSFET為主開關(guān)管后,通常也會愿意多花額外的成本將工頻整流二極管D3和D4換成普通的低導(dǎo)通電阻(Rdson)的硅-MOSFET [B1] ,降低整流
    發(fā)表于 02-28 16:48

    碳化硅MOSFET什么意思

    碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,"
    的頭像 發(fā)表于 06-02 15:33 ?2505次閱讀

    SiC MOSFET碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

    來源:碳化硅芯觀察對于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言,高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎(chǔ),高性
    的頭像 發(fā)表于 04-07 11:16 ?3816次閱讀
    SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>芯片的設(shè)計(jì)和制造

    探索 onsemi NXH008P120M3F1碳化硅功率模塊的卓越

    在當(dāng)今的電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)憑借其出色的性能優(yōu)勢,正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。onsemi 的 NXH008P120M3F1 功率模塊,作為 SiC 技術(shù)的杰出代表,為工程師們帶來了新的設(shè)計(jì)思路和解決方案。今天,我們
    的頭像 發(fā)表于 11-26 16:33 ?309次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b> <b class='flag-5'>onsemi</b> NXH008P120M3F<b class='flag-5'>1</b>:<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率模塊的<b class='flag-5'>卓越</b><b class='flag-5'>之</b><b class='flag-5'>選</b>

    探索 onsemi NTBG023N065M3S SiC MOSFET卓越性能

    在電子工程師的設(shè)計(jì)工具箱中,功率半導(dǎo)體器件的選擇至關(guān)重要。今天,我們將深入探討 onsemi 的 NTBG023N065M3S 碳化硅(SiC)MOSFET,這款器件以其出色的性能和廣
    的頭像 發(fā)表于 11-27 10:18 ?114次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b> <b class='flag-5'>onsemi</b> NTBG023<b class='flag-5'>N065</b>M3S SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的<b class='flag-5'>卓越</b>性能

    Onsemi碳化硅MOSFET NTH4L018N075SC1:高效能與可靠性的完美結(jié)合

    在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其卓越的性能,正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天,我們就來深入了解Onsemi推出的一款優(yōu)秀的
    的頭像 發(fā)表于 11-27 10:46 ?134次閱讀
    <b class='flag-5'>Onsemi</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b> NTH4L018<b class='flag-5'>N075SC1</b>:高效能與可靠性的完美結(jié)合

    探索 onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET:高性能開關(guān)的理想

    作為電子工程師,我們一直在尋找性能卓越、能滿足各種復(fù)雜應(yīng)用需求的電子元件。今天要給大家介紹的是 onsemi 的 NTH4L023N065M3S 碳化硅(SiC)
    的頭像 發(fā)表于 11-27 10:55 ?140次閱讀

    探索 onsemi NVHL015N065SC1 SiC MOSFET:高效能與可靠性的完美結(jié)合

    在電子工程領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能對系統(tǒng)的效率、可靠性和成本有著至關(guān)重要的影響。今天,我們將深入探討 onsemiNVHL015N065SC1 碳化硅(SiC)MOSFET,這
    的頭像 發(fā)表于 11-28 16:34 ?432次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b> <b class='flag-5'>onsemi</b> <b class='flag-5'>NVHL015N065SC1</b> SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>:高效能與可靠性的完美結(jié)合

    深入解析 onsemi NVHL060N065SC1 N 溝道 MOSFET

    在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,MOSFET 是不可或缺的重要元件。今天,我們就來深入探討 onsemi 推出的 NVHL060N065SC1 N 溝道
    的頭像 發(fā)表于 12-01 09:28 ?135次閱讀
    深入解析 <b class='flag-5'>onsemi</b> <b class='flag-5'>NVHL060N065SC1</b> <b class='flag-5'>N</b> 溝道 <b class='flag-5'>MOSFET</b>