onsemi NTMT045N065SC1碳化硅MOSFET深度解析

在電源管理和功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET以其卓越的性能逐漸成為電子工程師的首選。今天，我們就來深入探討一下安森美（onsemi）的NTMT045N065SC1碳化硅MOSFET。

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1. 產(chǎn)品概述

NTMT045N065SC1是一款650V的碳化硅MOSFET，采用TDFN4 8x8 2P封裝。它具有低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷和低有效輸出電容等特性，適用于多種電源應(yīng)用。

主要參數(shù)

參數(shù)	數(shù)值
最大漏源導(dǎo)通電阻（$R_{DS(ON)}$）	50mΩ @ 18V
最大連續(xù)漏極電流（$I_D$）	55A
總柵極電荷（$Q_{G(tot)}$）	105nC
有效輸出電容（$C_{oss}$）	162pF

2. 產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻

典型的$R{DS(on)}$在$V{GS}=18V$時為33mΩ，在$V_{GS}=15V$時為45mΩ。低導(dǎo)通電阻可以降低導(dǎo)通損耗，提高電源效率。大家在實際應(yīng)用中，有沒有感受到低導(dǎo)通電阻帶來的效率提升呢？

超低柵極電荷

$Q_{G(tot)} = 105nC$，這意味著在開關(guān)過程中，驅(qū)動該MOSFET所需的能量較少，從而降低了驅(qū)動損耗，提高了開關(guān)速度。

低有效輸出電容

$C_{oss}=162pF$，低輸出電容有助于減少開關(guān)損耗，特別是在高頻應(yīng)用中。

雪崩測試

該器件經(jīng)過100%雪崩測試，具有良好的可靠性和抗雪崩能力，能夠在惡劣的工作環(huán)境下穩(wěn)定工作。

寬溫度范圍

工作結(jié)溫和存儲溫度范圍為 -55°C 至 +175°C，適用于各種工業(yè)和汽車應(yīng)用。

3. 最大額定值

參數(shù)	條件	數(shù)值	單位
漏源電壓（$V_{DSS}$）	-	650	V
柵源電壓（$V_{GS}$）	-	-8/+22	V
推薦柵源電壓（$V_{GSop}$）	$T_c < 175°C$	-5/+18	V
連續(xù)漏極電流（$I_D$）	$T_c = 25°C$，穩(wěn)態(tài)	55	A
$T_c = 100°C$，穩(wěn)態(tài)	39	A
脈沖漏極電流（$I_{DM}$）	$T_c = 25°C$	197	A
功率耗散（$P_D$）	$T_c = 25°C$	187	W
$T_c = 100°C$	94	W

在設(shè)計電路時，一定要注意這些最大額定值，避免器件因過壓、過流等情況而損壞。大家在實際設(shè)計中，有沒有遇到過因為超過額定值而導(dǎo)致器件損壞的情況呢？

4. 電氣特性

關(guān)斷特性

包括漏源擊穿電壓、漏源擊穿電壓溫度系數(shù)、零柵壓漏極電流和柵源泄漏電流等參數(shù)。這些參數(shù)反映了器件在關(guān)斷狀態(tài)下的性能。

導(dǎo)通特性

$R{DS(on)}$會隨著柵源電壓和溫度的變化而變化。在$V{GS}=15V$，$I_D = 25A$，$TJ = 25°C$時，$R{DS(on)}$為45mΩ；在$V_{GS}=18V$，$I_D = 25A$，$TJ = 25°C$時，$R{DS(on)}$為33mΩ。大家在選擇柵源電壓時，是如何考慮$R_{DS(on)}$的變化的呢？

電荷、電容和柵極電阻

輸入電容$C{Iss}$、輸出電容$C{oss}$、反向傳輸電容$C{Rss}$、總柵極電荷$Q{G(tot)}$等參數(shù)對于開關(guān)特性和驅(qū)動設(shè)計非常重要。

開關(guān)特性

包括開通延遲時間、上升時間、關(guān)斷延遲時間、下降時間、開通開關(guān)損耗和關(guān)斷開關(guān)損耗等。這些參數(shù)決定了器件的開關(guān)速度和開關(guān)損耗。

源 - 漏二極管特性

包括連續(xù)源 - 漏二極管正向電流、脈沖源 - 漏二極管正向電流、正向二極管電壓、反向恢復(fù)時間、反向恢復(fù)電荷等參數(shù)。

5. 典型特性曲線

文檔中提供了多個典型特性曲線，如導(dǎo)通區(qū)域特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、導(dǎo)通電阻與柵源電壓的關(guān)系等。這些曲線可以幫助工程師更好地理解器件的性能，優(yōu)化電路設(shè)計。大家在設(shè)計電路時，會經(jīng)常參考這些典型特性曲線嗎？

6. 機(jī)械尺寸和封裝

該器件采用TDFN4 8.00x8.00x1.00, 2.00P CASE 520AB封裝，文檔中提供了詳細(xì)的封裝尺寸和推薦焊盤圖案。在進(jìn)行PCB布局時，一定要注意封裝尺寸和引腳間距，確保焊接質(zhì)量和電氣性能。

7. 應(yīng)用領(lǐng)域

NTMT045N065SC1適用于多種電源應(yīng)用，如開關(guān)模式電源（SMPS）、太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）和能量存儲等。這些應(yīng)用對電源效率、功率密度和可靠性要求較高，而該器件的特性正好滿足這些需求。

8. 總結(jié)

NTMT045N065SC1碳化硅MOSFET具有低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷、低有效輸出電容和寬溫度范圍等優(yōu)點(diǎn)，適用于多種電源應(yīng)用。在設(shè)計電路時，工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，合理選擇器件參數(shù)，注意最大額定值，參考典型特性曲線，優(yōu)化PCB布局，以確保電路的性能和可靠性。大家在使用這款器件時，有沒有什么獨(dú)特的設(shè)計經(jīng)驗可以分享呢？

希望這篇文章對大家了解和使用NTMT045N065SC1碳化硅MOSFET有所幫助。如果大家有任何問題或建議，歡迎在評論區(qū)留言交流。

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