在普迪飛（PDF Solutions）年度用戶大會上，安森美（onsemi）良率提升系統(tǒng)團隊分享了其依托 Exensio 平臺實現(xiàn)制造分析能力全面躍升的深度實踐。作為全球領先的智能電源與傳感解決方案提供商，安森美通過數(shù)據(jù)標準化、平臺云化、模板自動化、用戶體系化賦能四大核心策略，徹底打通全球多工廠數(shù)據(jù)壁壘，顯著提升工程師分析效率，平臺用戶規(guī)模實現(xiàn) 300% 爆發(fā)式增長，為半導體 IDM 企業(yè)數(shù)字化轉型提供了可復制的標桿范式。

轉型背景：從數(shù)據(jù)孤島到統(tǒng)一智能，破局 IDM 大規(guī)模制造痛點

安森美作為垂直整合的 IDM 巨頭，在全球運營10 座前端晶圓與襯底工廠、9 座后端封測工廠，業(yè)務覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈，海量、多源、異構的制造數(shù)據(jù)長期面臨嚴重割裂：

2016 年前，前端工廠采用多套獨立 Oracle 數(shù)據(jù)庫，跨廠數(shù)據(jù)整合難度極高、效率低下；

收購仙童半導體后，同時運維傳統(tǒng)數(shù)據(jù)平臺與 Exensio 兩套系統(tǒng)，后端團隊與分析工具脫節(jié)，協(xié)同受阻；

工程師80% 時間耗費在找數(shù)據(jù)、清洗數(shù)據(jù)、合并數(shù)據(jù)，真正用于決策分析的時間被嚴重壓縮。

為突破瓶頸，安森美啟動全面云化與數(shù)據(jù)標準化戰(zhàn)略，過去五年完成全球工廠向 Exensio 平臺的統(tǒng)一遷移，構建單一、集中、標準化的大數(shù)據(jù)架構，實現(xiàn)所有工廠數(shù)據(jù)格式、結構、口徑完全一致。這一變革成為其加速分析、提質增效的核心基石。

核心路徑：四大舉措，構建高效、可擴展的制造分析體系

針對自身大規(guī)模制造的核心痛點，安森美基于普迪飛 Exensio 平臺的技術特性，量身打造貼合量產(chǎn)需求的落地方案，構建高效可擴展的制造分析體系，實現(xiàn)四大核心突破：

1

統(tǒng)一數(shù)據(jù)治理：從分散到集中，夯實智能分析底座

廢除多廠獨立 Schema，建立全球統(tǒng)一數(shù)據(jù)模型，徹底消除跨廠分析壁壘；

團隊作為數(shù)據(jù)管理者（Data Stewards），牽頭定義數(shù)據(jù)質量、元數(shù)據(jù)標準，全程負責數(shù)據(jù)集成、加載與驗證，確保高完整性、高質量、全量數(shù)據(jù)集；

打通制造、產(chǎn)品工程、技術研發(fā)全域數(shù)據(jù)，支撐快速、精準、數(shù)據(jù)驅動決策。

2

標準化模板賦能：減少重復勞動，讓工程師 “一鍵直達分析”

安森美團隊開發(fā)50+ 企業(yè)級通用模板，覆蓋核心制造場景，全面替代傳統(tǒng) adhoc 分析，大幅減少點擊操作、縮短分析周期：

批次定位（Locate Lots）模板：快速定位晶圓 / 批次數(shù)據(jù)位置，解決 “數(shù)據(jù)在哪” 的高頻痛點；

批次對比模板：一鍵復制參數(shù)、自動獲取數(shù)據(jù)、內置分析邏輯，極簡操作、高效對比；

SPAT 計算 / 良率模擬模板：實時評估工藝變更（如良率檢測機制）對芯片良率的影響，提前預判風險、優(yōu)化決策；

SiC 全流程譜系與缺陷分析模板：針對碳化硅復雜制程，實現(xiàn)【晶圓-外延-芯片】全鏈路追溯與多源缺陷數(shù)據(jù)自動對齊，支撐 DSA 缺陷源分析。

3

許可證優(yōu)化：Web 化優(yōu)先，支撐全球大規(guī)模并發(fā)訪問

面對全球用戶并發(fā)與許可證資源約束，安森美采用 “Web 模板優(yōu)先” 策略：

推動桌面客戶端用戶向 Exensio - Web Player遷移，在滿足數(shù)據(jù)檢索、可視化、下載核心需求的同時，顯著優(yōu)化許可證占用、提升資源利用率；

核心模板全面兼容 Web 端，實現(xiàn)隨時隨地、跨設備高效分析，支撐全球多時區(qū)、大規(guī)模用戶并發(fā)。

4

體系化用戶賦能：從培訓到社區(qū)，構建自主創(chuàng)新的分析生態(tài)

全維度培訓體系：制作文檔、FAQ、視頻教程，推出碎片化點播課程，滿足 “即學即用”；

進階能力培養(yǎng)：開展 Spotfire/Exensio 深度培訓，提供 IronPython、Python 代碼庫與最佳實踐，培育超級用戶，支持自主腳本與模板開發(fā)；

定制化可視化 Mods：基于 Spotfire 12 開發(fā)12–14 款自定義交互可視化模塊（如分布散點圖、專業(yè)直方圖），復刻 JMP 用戶習慣，大幅降低遷移門檻、推動 Excel/JMP 用戶向 Exensio 全面遷移。

戰(zhàn)略聚焦：SiC 碳化硅制造分析，破解新材料核心瓶頸

碳化硅（SiC）作為下一代功率半導體核心材料，工藝復雜、成熟度低、全鏈路追溯要求極高。安森美依托 Exensio 平臺構建專屬能力：

自主開發(fā) SiC 全譜系追蹤系統(tǒng)，實現(xiàn)供應鏈全域晶圓與芯片追溯，并與 Exensio 深度集成；

定制 SiC 缺陷分析模板，自動整合襯底、外延、芯片多源數(shù)據(jù)，完成非圖形化缺陷與圖形化芯片精準對齊，支撐高效 DSA 分析；

全程深度支持 SiC 工程團隊，加速良率爬坡、穩(wěn)定工藝、提升規(guī)?；圃炷芰?/strong>。

成效與未來：用戶規(guī)模三年增 300%，持續(xù)深化 AI 與數(shù)據(jù)智能

基于 Exensio 平臺的數(shù)字化轉型實踐，為安森美制造分析能力帶來全方位提升：

1. 顯著成效

用戶爆發(fā)式增長：2022 年至今，Exensio 平臺新增獨立用戶增長 300%，覆蓋全球所有工廠與核心工程團隊；

效率革命性提升：工程師數(shù)據(jù)準備時間從 80% 壓縮至極低水平，分析周期大幅縮短，決策更快速、精準；

全域價值釋放：從前端制造到后端封測、從硅基到碳化硅，數(shù)據(jù)智能全面滲透、良率與效率持續(xù)優(yōu)化。

2. 未來規(guī)劃

持續(xù)深化 Exensio 平臺，拓展 E142 譜系、新型客戶端、可擴展分析模塊；

加速 AIP/AI/ML 技術落地，基于 Exensio 平臺探索更高階自動化、預測性分析、智能決策；

保持數(shù)據(jù)高質量、標準強管控，以數(shù)據(jù)智能持續(xù)驅動制造競爭力躍升。

結語

安森美的實踐證明：以統(tǒng)一數(shù)據(jù)平臺為底座、以標準化模板為抓手、以體系化賦能為支撐、以用戶為中心，是 IDM 突破數(shù)據(jù)孤島、實現(xiàn)制造分析規(guī)?；?、高效化的關鍵路徑。

作為半導體數(shù)據(jù)智能的領軍者，普迪飛 Exensio 大數(shù)據(jù)智能分析平臺持續(xù)助力全球客戶打破數(shù)據(jù)壁壘、釋放數(shù)據(jù)價值、加速良率與效率提升。未來，普迪飛將與安森美及更多生態(tài)伙伴攜手，以數(shù)據(jù)智能 + AI雙輪驅動，共創(chuàng)半導體智能制造新未來。