動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2022-07-19 13:40
劃片機(jī)：晶圓加工第八篇—半導(dǎo)體芯片封裝完結(jié)篇
封裝經(jīng)過(guò)之前幾個(gè)工藝處理的晶圓上會(huì)形成大小相等的方形芯片（又稱“單個(gè)晶片”）。下面要做的就是通過(guò)切割獲得單獨(dú)的芯片。剛切割下來(lái)的芯片很脆弱且不能交換電信號(hào)，需要單獨(dú)進(jìn)行處理。這一處理過(guò)程就是封裝，包括在半導(dǎo)體芯片外部形成保護(hù)殼和讓它們能夠與外部交換電信號(hào)。整個(gè)封裝制程分為五步，即晶圓鋸切、單個(gè)晶片附著、互連、成型和封裝測(cè)試。1、晶圓鋸切要想從晶圓上切出無(wú)數(shù)致1.8k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-07-18 14:05
國(guó)內(nèi)陸芯劃片機(jī)：晶圓加工第七篇—如何對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行測(cè)試
測(cè)試測(cè)試的主要目標(biāo)是檢驗(yàn)半導(dǎo)體芯片的質(zhì)量是否達(dá)到一定標(biāo)準(zhǔn)，從而消除不良產(chǎn)品、并提高芯片的可靠性。另外，經(jīng)測(cè)試有缺陷的產(chǎn)品不會(huì)進(jìn)入封裝步驟，有助于節(jié)省成本和時(shí)間。電子管芯分選(EDS)就是一種針對(duì)晶圓的測(cè)試方法。EDS是一種檢驗(yàn)晶圓狀態(tài)中各芯片的電氣特性并由此提升半導(dǎo)體良率的工藝。EDS可分為五步，具體如下：1、電氣參數(shù)監(jiān)控(EPM)EPM是半導(dǎo)體芯片測(cè)試的第1.8k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-07-14 09:21
陸芯劃片機(jī)：晶圓加工第五篇—如何在晶圓表面形成薄膜？
薄膜沉積為了創(chuàng)建芯片內(nèi)部的微型器件，我們需要不斷地沉積一層層的薄膜并通過(guò)刻蝕去除掉其中多余的部分，另外還要添加一些材料將不同的器件分離開(kāi)來(lái)。每個(gè)晶體管或存儲(chǔ)單元就是通過(guò)上述過(guò)程一步步構(gòu)建起來(lái)的。我們這里所說(shuō)的“薄膜”是指厚度小于1微米（μm，百萬(wàn)分之一米）、無(wú)法通過(guò)普通機(jī)械加工方法制造出來(lái)的“膜”。將包含所需分子或原子單元的薄膜放到晶圓上的過(guò)程就是“沉積”。1.4k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-07-12 14:56
劃片機(jī)：晶圓加工第四篇—刻蝕的兩種方法
刻蝕在晶圓上完成電路圖的光刻后，就要用刻蝕工藝來(lái)去除任何多余的氧化膜且只留下半導(dǎo)體電路圖。要做到這一點(diǎn)需要利用液體、氣體或等離子體來(lái)去除選定的多余部分?？涛g的方法主要分為兩種，取決于所使用的物質(zhì)：使用特定的化學(xué)溶液進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)來(lái)去除氧化膜的濕法刻蝕，以及使用氣體或等離子體的干法刻蝕。1、濕法刻蝕使用化學(xué)溶液去除氧化膜的濕法刻蝕具有成本低、刻蝕速度快和生產(chǎn)率高3.1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-07-11 10:35
劃片機(jī)：晶圓加工第三篇—光刻技術(shù)分為三個(gè)步驟
光刻光刻是通過(guò)光線將電路圖案“印刷”到晶圓上，我們可以將其理解為在晶圓表面繪制半導(dǎo)體制造所需的平面圖。電路圖案的精細(xì)度越高，成品芯片的集成度就越高，必須通過(guò)先進(jìn)的光刻技術(shù)才能實(shí)現(xiàn)。具體來(lái)說(shuō)，光刻可分為涂覆光刻膠、曝光和顯影三個(gè)步驟。1、涂覆光刻膠在晶圓上繪制電路的第一步是在氧化層上涂覆光刻膠。光刻膠通過(guò)改變化學(xué)性質(zhì)的方式讓晶圓成為“相紙”。晶圓表面的光刻膠層2.6k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-07-09 13:45
劃片機(jī)：晶圓加工第二篇—關(guān)于晶圓氧化過(guò)程，這些變量會(huì)影響它的厚度
氧化氧化過(guò)程的作用是在晶圓表面形成保護(hù)膜。它可以保護(hù)晶圓不受化學(xué)雜質(zhì)影響、避免漏電流進(jìn)入電路、預(yù)防離子植入過(guò)程中的擴(kuò)散以及防止晶圓在刻蝕時(shí)滑脫。氧化過(guò)程的第一步是去除雜質(zhì)和污染物，需要通過(guò)四步去除有機(jī)物、金屬等雜質(zhì)及蒸發(fā)殘留的水分。清潔完成后就可以將晶圓置于800至1200攝氏度的高溫環(huán)境下，通過(guò)氧氣或蒸氣在晶圓表面的流動(dòng)形成二氧化硅（即“氧化物”）層。氧氣2.2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-07-08 10:58
劃片機(jī)：晶圓加工第一篇—所有半導(dǎo)體工藝都始于一粒沙子！
一、晶圓加工所有半導(dǎo)體工藝都始于一粒沙子！因?yàn)樯匙铀墓枋巧a(chǎn)晶圓所需要的原材料。晶圓是將硅(Si)或砷化鎵(GaAs)制成的單晶柱體切割形成的圓薄片。要提取高純度的硅材料需要用到硅砂，一種二氧化硅含量高達(dá)95%的特殊材料，也是制作晶圓的主要原材料。晶圓加工就是制作獲取上述晶圓的過(guò)程。1、鑄錠首先需將沙子加熱，分離其中的一氧化碳和硅，并不斷重復(fù)該過(guò)程直至獲1.3w瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-07-05 11:01
「陸芯半導(dǎo)體」精密劃片機(jī)在鉭酸鋰晶圓切割案例
鉭酸鋰是重要的多功能晶體材料，具有壓電、介電、熱電、電光效應(yīng)、非線性光學(xué)效應(yīng)和聲光效應(yīng)等重要特性。鉭酸鋰晶圓的主要原料是高純度氧化鉭和碳酸鋰，它們是制作微波聲學(xué)器件的良好材料。鉭酸鋰晶圓，鉭酸鋰的直徑為100±0.2mm，厚度為0.2～0.25mm。應(yīng)用：拋光LT芯片因其良好的機(jī)電耦合，廣泛用于制造諧振器、濾波器、傳感器等電子通信器件，尤其是高頻表面波器件，1.3w瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-06-28 14:10
6英寸劃片機(jī) 陸芯3252半自動(dòng)單軸晶圓切割機(jī)
公司創(chuàng)辦至今，一直將自主創(chuàng)新放在重要位置，并高度重視研發(fā)工作。2018年，國(guó)內(nèi)外主流6英寸劃片機(jī)一直采用同步帶、渦輪蝸桿等機(jī)械輔助傳動(dòng)轉(zhuǎn)臺(tái)方案。經(jīng)過(guò)數(shù)月的調(diào)查和不斷的試驗(yàn)，通過(guò)大量的數(shù)據(jù)積累和不斷的設(shè)計(jì)改進(jìn)，陸芯團(tuán)隊(duì)成功地攻克了直驅(qū)電機(jī)轉(zhuǎn)角結(jié)構(gòu)方案，使轉(zhuǎn)角定位精度及穩(wěn)定性大幅度提高，一舉達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。在以公司精密劃片機(jī)型號(hào)LX-6366為代表（兼容6?11.2w瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-06-21 08:57
陸芯半導(dǎo)體-精密劃片機(jī)切割工藝案例應(yīng)用
陸芯精密劃片機(jī)設(shè)備有多種類(lèi)型：LX32526英寸精密劃片機(jī)、LX335212英寸精密劃片機(jī)、LX33568-12英寸兼容精密劃片機(jī)、LX6366全自動(dòng)雙軸劃片機(jī)、LX6636全自動(dòng)單軸劃片機(jī)。晶圓劃片機(jī)切割應(yīng)用行業(yè)主要用于半導(dǎo)體晶圓、集成電路、QFN、發(fā)光二極管、miniLED、太陽(yáng)能電池、電子基片等的劃切，適用于包括硅、石英、氧化鋁、氧化鐵、砷化鎵、鈮酸鋰1.3k瀏覽量
