電子束光刻的參數(shù)優(yōu)化及常見(jiàn)問(wèn)題介紹
本文從光刻圖案設(shè)計(jì)、特征尺寸、電鏡參數(shù)優(yōu)化等方面介紹電子束光刻的參數(shù)優(yōu)化，最后介紹了一些常見(jiàn)問(wèn)題。
波長(zhǎng)與波數(shù)相互轉(zhuǎn)換的方法介紹
光的“顏色”通常通過(guò)作為波長(zhǎng) λ 函數(shù)的功率或強(qiáng)度分布來(lái)識(shí)別?？梢?jiàn)光的波長(zhǎng)范圍為約 400 nm 至....
可以用鋁或多晶硅做柵極材料，是什么原因呢？
柵（Gate）是一種控制元件，通常用于場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）中，比如金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管....
CMOS工藝技術(shù)的概念、發(fā)展歷程、優(yōu)點(diǎn)以及應(yīng)用場(chǎng)景介紹
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor， 互補(bǔ)金屬....
集成電路基礎(chǔ)知識(shí)介紹：從原子結(jié)構(gòu)到晶體管
在19世紀(jì)末期，消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品包括照明、加熱、電話和電報(bào)等一些簡(jiǎn)單的電路。但是無(wú)線電的發(fā)明和對(duì)于能夠整流....
噪聲對(duì)相位解包裹的影響及其抑制方法研究
當(dāng)光學(xué)粗糙表面被擴(kuò)展的激光束照射時(shí)，形成的圖像是斑點(diǎn)圖案（亮斑和暗斑）。噪聲對(duì)相位展開(kāi)過(guò)程產(chǎn)生了災(zāi)難....
半導(dǎo)體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器
氮化鎵（GaN）基材料被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體，其光譜范圍覆蓋了近紅外、可見(jiàn)光和紫外全波段，在光電子學(xué)領(lǐng)域....
在SPICE模擬器中應(yīng)該調(diào)諧優(yōu)化哪些模型參數(shù)？需要全部調(diào)優(yōu)嗎？
在SPICE模擬器中有幾十種標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體器件模型，例如，用于GaN器件的最新ASM-HEMT模型有近....
MCU、DSP、PLC三者的比較和分析
PLC廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中，包括機(jī)床控制、流水線控制、機(jī)器人控制、電力系統(tǒng)控制等領(lǐng)域。PL....
如何在芯片中減少光刻膠的使用量
光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來(lái)定。比如對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場(chǎng)景，較厚的光刻膠層....
在芯片級(jí)的薄膜電阻和板級(jí)的厚膜電阻都是如何進(jìn)行修調(diào)呢？
在MEMS某些器件設(shè)計(jì)中，常常需要用到可調(diào)電阻，在板級(jí)電路上可以通過(guò)電位器對(duì)貼片電阻進(jìn)行調(diào)阻，但在芯....
薄膜和厚膜的區(qū)別以及不同的制備工藝介紹
相對(duì)于塊體材料，膜一般為二維材料。薄膜和厚膜從字面上區(qū)分，主要是厚度。薄膜一般厚度為5nm至2.5μ....
提拉法生長(zhǎng)晶體的概念和應(yīng)用
在外加電場(chǎng)作用下折射率發(fā)生變化，從而使通過(guò)晶體的一束激光分解為兩束偏振方向相互垂直的偏振光，并產(chǎn)生一....
多層石墨烯中的分?jǐn)?shù)量子霍爾效應(yīng)解析
霍爾效應(yīng)在普通的導(dǎo)體中是線性的，即霍爾電阻和磁場(chǎng)強(qiáng)度成正比。但是，在一些特殊的材料中，當(dāng)磁場(chǎng)很強(qiáng)時(shí)，....
腦機(jī)接口的物理原理與技術(shù)探索
在電磁波譜中，近紅外光(NIR)的波長(zhǎng)在700—1400 nm之間，只要功率密度控制在每平方厘米毫瓦....
什么是薄膜與厚膜？薄膜與厚膜有什么區(qū)別？
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，我們經(jīng)常聽(tīng)到“薄膜制備技術(shù)”，“薄膜區(qū)”，“薄膜工藝”等詞匯，那么有厚膜嗎？答案是....
die，device和chip的定義和區(qū)別
在半導(dǎo)體行業(yè)中，“die”，“device”，和“chip”這三個(gè)術(shù)語(yǔ)都可以用來(lái)指代芯片。
工商網(wǎng)監(jiān)