裝片工序完成后，芯片雖已穩(wěn)固于載體（基板或框架）之上，但其表面預(yù)設(shè)的焊盤尚未與封裝體構(gòu)建電氣連接，因....

張量處理單元（TPU，Tensor Processing Unit）是一種專門為深度學(xué)習(xí)應(yīng)用設(shè)計的硬....

本文介紹了倒裝芯片鍵合技術(shù)的特點和實現(xiàn)過程以及詳細工藝等。

文介紹了高壓CMOS技術(shù)與基礎(chǔ)CMOS技術(shù)的區(qū)別與其應(yīng)用場景。

激光劃片作為新興材料加工技術(shù)，近年來憑借非接觸式加工特性實現(xiàn)快速發(fā)展。其工作機制是將高峰值功率激光束....

本文介紹了用抗反射涂層來保證光刻精度的原理。

SiC的物理特性決定了其生長難度。在常壓環(huán)境下，SiC并無熔點，一旦溫度攀升至2000℃以上，便會直....

裝片（Die Bond）作為半導(dǎo)體封裝關(guān)鍵工序，指通過導(dǎo)電或絕緣連接方式，將裸芯片精準(zhǔn)固定至基板或引....

在集成電路設(shè)計中，CPU的指令是指計算機中央處理單元（CPU）用來執(zhí)行計算任務(wù)的基本操作指令集。這些....

本主要講解了芯片封裝中銀燒結(jié)工藝的原理、優(yōu)勢、工程化應(yīng)用以及未來展望。

本文從多個角度分析了在晶圓襯底上生長外延層的必要性。

本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測試三個關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

本文介紹了在芯片制造中的應(yīng)變硅技術(shù)的原理、材料選擇和核心方法。

本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。

激光束的輸出實際上由在寬頻率范圍內(nèi)的許多不同頻率的緊密間隔的光譜線組成。離散光譜分量稱為激光模式la....

從某種層面來說，氣密封裝存在理論與現(xiàn)實的矛盾，正如中國古話“沒有不透風(fēng)的墻”所描述的那樣，絕對密封難....

半導(dǎo)體元素是芯片制造的主要材料，芯片運算主要是用二進制進行運算。所以在電流來代表二進制的0和1，即0....

本文通過介紹傳統(tǒng)平面晶體管的局限性，從而引入FinFET技術(shù)的原理、工藝和優(yōu)勢。

SAW（聲表面波）和BAW（體聲波）是兩種常用于射頻濾波器中的技術(shù)，它們在頻率響應(yīng)、損耗、適用頻段等....

深入理解設(shè)計規(guī)則，設(shè)計者可在可靠性測試結(jié)構(gòu)優(yōu)化中兼顧性能、成本與質(zhì)量，推動半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新。

半導(dǎo)體是一種介于導(dǎo)體和絕緣體之間的導(dǎo)電性，半導(dǎo)體通過參雜可以使得能夠精確地控制電流的流動。通過基于晶....

二氧化硅是芯片制造中最基礎(chǔ)且關(guān)鍵的絕緣材料。本文介紹其常見沉積方法與應(yīng)用場景，解析SiO?在柵極氧化....

金鋁效應(yīng)是集成電路封裝中常見的失效問題，嚴(yán)重影響器件的可靠性。本文系統(tǒng)解析其成因、表現(xiàn)與演化機制，并....

本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹，重點解析LPCVD方....

本文深入解析了焊盤起皮的成因、機制及其與工藝參數(shù)之間的關(guān)系，結(jié)合微觀形貌圖和仿真分析，系統(tǒng)探討了劈刀....

激光固化技術(shù)采用紅外激光器，首先使靜電噴涂在零件表面的粉末涂料顆?？焖倌z化，隨后完成最終固化。熔化....

粘片作為芯片與管殼間實現(xiàn)連接和固定的關(guān)鍵工序，達成了封裝對于芯片的固定功能，以及芯片背面電連接功能。....

當(dāng)加斯頓·普朗特在160多年前發(fā)明鉛酸電池時，他可能未曾預(yù)料到這一發(fā)明將催生一個價值數(shù)十億美元的產(chǎn)業(yè)....

封裝方案制定是集成電路（IC）封裝設(shè)計中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，涉及從芯片設(shè)計需求出發(fā)，制定出滿足功能、電氣性能....

PA（Power Amplifier，功率放大器）通信系統(tǒng)的重要組成模塊，負責(zé)將射頻信號的放大與功率....