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      中科院半導(dǎo)體所

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      CMOS第一層互聯(lián)的結(jié)構(gòu)與作用

      芯片中的晶體管（如NMOS和PMOS）需要通過(guò)金屬線連接才能形成完整電路。 第一層互聯(lián) （通常稱為M....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-24 15:22 ?1057次閱讀
      CMOS第一層互聯(lián)的結(jié)構(gòu)與作用

      氮氧化鎵材料的基本性質(zhì)和制備方法

      氮氧化鎵(Gallium Oxynitride，GaOxNy)是一種介于晶態(tài)與非晶態(tài)之間的化合物。其....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-23 16:33 ?878次閱讀
      氮氧化鎵材料的基本性質(zhì)和制備方法

      玻璃通孔技術(shù)的五個(gè)獨(dú)特優(yōu)勢(shì)

      TGV（Through Glass Via）工藝之所以選擇在玻璃上打孔，主要是因?yàn)椴Ａг谝韵挛鍌€(gè)方面....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-23 16:32 ?500次閱讀
      玻璃通孔技術(shù)的五個(gè)獨(dú)特優(yōu)勢(shì)

      CMOS工藝流程簡(jiǎn)介

      互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）技術(shù)是現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)的核心，它利用了N型和P型MOSFET（金屬氧....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-23 16:30 ?1255次閱讀

      低功耗熱發(fā)射極晶體管的工作原理與制備方法

      集成電路是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，而晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發(fā)展，現(xiàn)代集成電路的集成度....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-22 16:06 ?533次閱讀
      低功耗熱發(fā)射極晶體管的工作原理與制備方法

      一文詳解快速熱處理技術(shù)

      在納米尺度集成電路制造領(lǐng)域，快速熱處理（RTP）技術(shù)已成為實(shí)現(xiàn)器件性能突破與工藝優(yōu)化的核心工具。相較....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-22 16:04 ?1032次閱讀
      一文詳解快速熱處理技術(shù)

      超聲波T-SAM與C-SAM模式的區(qū)別

      本文介紹了超聲波的T-SAM與C-SAM兩種模式的區(qū)別。
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-21 15:26 ?667次閱讀
      超聲波T-SAM與C-SAM模式的區(qū)別

      定向自組裝光刻技術(shù)的基本原理和實(shí)現(xiàn)方法

      定向自組裝光刻技術(shù)通過(guò)材料科學(xué)與自組裝工藝的深度融合，正在重構(gòu)納米制造的工藝組成。主要內(nèi)容包含圖形結(jié)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-21 15:24 ?1075次閱讀
      定向自組裝光刻技術(shù)的基本原理和實(shí)現(xiàn)方法

      芯片制造多重曝光中的套刻精度要求

      本文介紹了先進(jìn)集成電路制造多重曝光中的套刻精度要求。
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-21 10:55 ?684次閱讀
      芯片制造多重曝光中的套刻精度要求

      FinFET與GAA結(jié)構(gòu)的差異及其影響

      本文介紹了當(dāng)半導(dǎo)體技術(shù)從FinFET轉(zhuǎn)向GAA（Gate-All-Around）時(shí)工藝面臨的影響。
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-21 10:51 ?1732次閱讀
      FinFET與GAA結(jié)構(gòu)的差異及其影響

      一文詳解球柵陣列封裝技術(shù)

      在集成電路封裝技術(shù)的演進(jìn)歷程中，球柵陣列封裝（Ball Grid Array，BGA）憑借卓越性能與....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-21 10:05 ?1346次閱讀
      一文詳解球柵陣列封裝技術(shù)

      芯片制造中自對(duì)準(zhǔn)接觸技術(shù)介紹

      但當(dāng)芯片做到22納米時(shí)，工程師遇到了大麻煩——用光刻機(jī)畫接觸孔時(shí)，稍有一點(diǎn)偏差就會(huì)導(dǎo)致芯片報(bào)廢。 自....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-19 11:11 ?595次閱讀
      芯片制造中自對(duì)準(zhǔn)接觸技術(shù)介紹

      為什么芯片制造常用P型硅

      從早期的平面 CMOS 工藝到先進(jìn)的 FinFET，p 型襯底在集成電路設(shè)計(jì)中持續(xù)被廣泛采用。為什么....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-16 14:58 ?532次閱讀
      為什么芯片制造常用P型硅

      芯片前端設(shè)計(jì)與后端設(shè)計(jì)的區(qū)別

      前端設(shè)計(jì)（Front-end Design）：聚焦于電路的邏輯功能實(shí)現(xiàn)。本質(zhì)上是在“紙上”設(shè)計(jì)電路，....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-16 14:56 ?549次閱讀

      詳細(xì)解讀三星的先進(jìn)封裝技術(shù)

      集成電路產(chǎn)業(yè)通常被分為芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測(cè)試三大領(lǐng)域。其中，芯片制造是集成電路產(chǎn)業(yè)門檻最高的行....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-15 16:50 ?849次閱讀
      詳細(xì)解讀三星的先進(jìn)封裝技術(shù)

      芯片前端設(shè)計(jì)中常用的軟件和工具

      前端設(shè)計(jì)是數(shù)字芯片開(kāi)發(fā)的初步階段，其核心目標(biāo)是從功能規(guī)格出發(fā)，最終獲得門級(jí)網(wǎng)表（Netlist）。這....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-15 16:48 ?614次閱讀

      為什么芯片需要低介電常數(shù)材料

      在現(xiàn)代芯片中，數(shù)十億晶體管通過(guò)金屬互連線連接成復(fù)雜電路。隨著制程進(jìn)入納米級(jí)，一個(gè)看似“隱形”的問(wèn)題逐....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-15 10:31 ?630次閱讀
      為什么芯片需要低介電常數(shù)材料

      電子顯微鏡中的磁透鏡設(shè)計(jì)

      十九世紀(jì)末，科學(xué)家首次觀察到軸對(duì)稱磁場(chǎng)對(duì)陰極射線示波器中電子束產(chǎn)生的聚焦作用，這種效應(yīng)與光學(xué)透鏡對(duì)可....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-15 09:38 ?1648次閱讀
      電子顯微鏡中的磁透鏡設(shè)計(jì)

      化學(xué)機(jī)械拋光液的基本組成

      化學(xué)機(jī)械拋光液是化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝中關(guān)鍵的功能性耗材，其本質(zhì)是一個(gè)多組分的液體復(fù)合體系，在拋....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-14 17:05 ?638次閱讀
      化學(xué)機(jī)械拋光液的基本組成

      芯片制造中的鎢栓塞與銅互連

      在指甲蓋大小的芯片上，數(shù)十億晶體管需要通過(guò)比頭發(fā)絲細(xì)千倍的金屬線連接。隨著制程進(jìn)入納米級(jí)，一個(gè)看似微....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-14 17:04 ?432次閱讀
      芯片制造中的鎢栓塞與銅互連

      宇航級(jí)封裝簡(jiǎn)介

      在現(xiàn)代電子工業(yè)領(lǐng)域，依據(jù)使用環(huán)境、性能參數(shù)及可靠性標(biāo)準(zhǔn)，電子器件可以被系統(tǒng)劃分為商業(yè)級(jí)、工業(yè)級(jí)、汽車....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-14 11:13 ?571次閱讀

      封裝工藝中的晶圓級(jí)封裝技術(shù)

      我們看下一個(gè)先進(jìn)封裝的關(guān)鍵概念——晶圓級(jí)封裝（Wafer Level Package，WLP）。
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-14 10:32 ?936次閱讀
      封裝工藝中的晶圓級(jí)封裝技術(shù)

      硅片不同晶向的區(qū)別

      簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)：晶向就是晶體內(nèi)部原子沿某種方向排列的“路徑”。晶向通常用方括號(hào) [hkl] 表示方向，用圓....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-14 10:31 ?1489次閱讀
      硅片不同晶向的區(qū)別

      詳解原子層沉積薄膜制備技術(shù)

      CVD 技術(shù)是一種在真空環(huán)境中通過(guò)襯底表面化學(xué)反應(yīng)來(lái)進(jìn)行薄膜生長(zhǎng)的過(guò)程，較短的工藝時(shí)間以及所制備薄膜....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-14 10:18 ?696次閱讀
      詳解原子層沉積薄膜制備技術(shù)

      淺談光纖激光器的工作原理

      光纖激光器是一種放大介質(zhì)為光纖的激光器。它是一個(gè)需要供電的有源模塊(就像電子產(chǎn)品中的有源電子元件)，....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-13 15:34 ?1061次閱讀
      淺談光纖激光器的工作原理

      芯片傳統(tǒng)封裝形式介紹

      微電子封裝技術(shù)每15年左右更新迭代一次。1955年起，晶體管外形（TO）封裝成為主流，主要用于封裝晶....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-13 10:10 ?1425次閱讀
      芯片傳統(tǒng)封裝形式介紹

      封裝工藝中的倒裝封裝技術(shù)

      業(yè)界普遍認(rèn)為，倒裝封裝是傳統(tǒng)封裝和先進(jìn)封裝的分界點(diǎn)。
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-13 10:01 ?878次閱讀
      封裝工藝中的倒裝封裝技術(shù)

      FPGA芯片的概念和結(jié)構(gòu)

      FPGA（Field Programmable Gate Array，現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列），是一種可在....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-12 09:30 ?1529次閱讀

      半導(dǎo)體芯片中的互連層次

      在半導(dǎo)體芯片中，數(shù)十億晶體管需要通過(guò)金屬互連線（Interconnect）連接成復(fù)雜電路。隨著制程進(jìn)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-12 09:29 ?1040次閱讀
      半導(dǎo)體芯片中的互連層次

      硅單晶片電阻率均勻性的影響因素

      直拉硅單晶生長(zhǎng)的過(guò)程是熔融的多晶硅逐漸結(jié)晶生長(zhǎng)為固態(tài)的單晶硅的過(guò)程，沒(méi)有雜質(zhì)的本征硅單晶的電阻率很高....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-09 13:58 ?632次閱讀
      硅單晶片電阻率均勻性的影響因素