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      中科院半導(dǎo)體所

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      離子注入技術(shù)的常見問題

      離子注入單晶靶材時，因靶體存在特定晶向，其對入射離子的阻滯作用不再如非晶材料般呈現(xiàn)各向同性。沿硅晶體....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-12 17:16 ?1166次閱讀
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      一文詳解TEM中的彈性散射

      彈性散射電子是TEM圖像襯度的主要來源，同時也產(chǎn)生衍射圖樣(DPs)的大部分強(qiáng)度，因此理解控制這一過....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-10 15:20 ?1055次閱讀
      一文詳解TEM中的彈性散射

      一文讀懂共聚焦拉曼顯微鏡

      拉曼散射通常是一種非常微弱的效應(yīng)，因為激發(fā)的光子與參與散射過程的分子之間存在非諧振的相互作用。因此，....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-09 09:50 ?604次閱讀
      一文讀懂共聚焦拉曼顯微鏡

      一文詳解空間輻射誘發(fā)單粒子效應(yīng)

      在空間輻射環(huán)境下，高能質(zhì)子與重離子的作用會誘發(fā)單粒子效應(yīng)。誘發(fā)這類單粒子效應(yīng)的空間輻射，主要來源于兩....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:57 ?621次閱讀
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      PDK在集成電路領(lǐng)域的定義、組成和作用

      PDK（Process Design Kit，工藝設(shè)計套件）是集成電路設(shè)計流程中的重要工具包，它為設(shè)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:56 ?775次閱讀

      TEM中散射和衍射的基本原理

      電子是低質(zhì)量、帶負(fù)電荷的粒子，經(jīng)過其他電子或原子核附近時易被庫侖相互作用偏轉(zhuǎn)。這種靜電作用引起的散射....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:52 ?919次閱讀
      TEM中散射和衍射的基本原理

      NAND Flash的基本原理和結(jié)構(gòu)

      NAND Flash是什么？NAND Flash（閃存）是一種非易失性存儲器技術(shù)，主要用于數(shù)據(jù)存儲。....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:51 ?4915次閱讀
      NAND Flash的基本原理和結(jié)構(gòu)

      一文詳解單粒子效應(yīng)的電荷收集

      在探討單粒子翻轉(zhuǎn)基本機(jī)理時，深入理解并掌握各類電荷收集過程及其作用機(jī)理至關(guān)重要，這些過程與機(jī)理對明確....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:50 ?478次閱讀
      一文詳解單粒子效應(yīng)的電荷收集

      一文詳解半導(dǎo)體器件中的單粒子效應(yīng)

      我們知道，帶電離子穿透半導(dǎo)體材料的過程中，會與靶材原子發(fā)生交互作用，沿離子運動軌跡生成電子 - 空穴....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:48 ?595次閱讀
      一文詳解半導(dǎo)體器件中的單粒子效應(yīng)

      LOCOS工藝中鳥喙效應(yīng)的形成原因和解決措施

      集成電路采用LOCOS（Local Oxidation of Silicon）工藝時會出現(xiàn)“鳥喙效應(yīng)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:42 ?436次閱讀
      LOCOS工藝中鳥喙效應(yīng)的形成原因和解決措施

      晶圓級MOSFET的直接漏極設(shè)計

      本文主要講述什么是晶圓級芯粒封裝中的分立式功率器件。 分立式功率器件作為電源管理系統(tǒng)的核心單元，涵蓋....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-05 09:45 ?2756次閱讀
      晶圓級MOSFET的直接漏極設(shè)計

      詳解超高密度互連的InFO封裝技術(shù)

      InFO-R作為基礎(chǔ)架構(gòu)，采用"芯片嵌入+RDL成型"的工藝路徑。芯片在晶圓級基板上完成精準(zhǔn)定位后，....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-01 16:10 ?2109次閱讀
      詳解超高密度互連的InFO封裝技術(shù)

      簡單認(rèn)識MEMS晶圓級電鍍技術(shù)

      MEMS晶圓級電鍍是一種在微機(jī)電系統(tǒng)制造過程中，整個硅晶圓表面通過電化學(xué)方法選擇性沉積金屬微結(jié)構(gòu)的關(guān)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-01 16:07 ?1568次閱讀
      簡單認(rèn)識MEMS晶圓級電鍍技術(shù)

      芯片封裝的功能、等級以及分類

      在摩爾定律趨近物理極限、功率器件制程仍停留在百納米節(jié)點的背景下，芯片“尺寸縮小”與“性能提升”之間的....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-28 13:50 ?1491次閱讀

      詳解WLCSP三維集成技術(shù)

      晶圓級芯片尺寸封裝（WLCSP）因其“裸片即封裝”的極致尺寸與成本優(yōu)勢，已成為移動、可穿戴及 IoT....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-28 13:46 ?2472次閱讀
      詳解WLCSP三維集成技術(shù)

      詳解SPICE器件模型的分類

      今天我們來聊聊工程師在仿真時比較關(guān)注的問題。眾多的器件模型，我在仿真的時候到底應(yīng)該怎么選擇一個器件的....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-28 13:42 ?659次閱讀
      詳解SPICE器件模型的分類

      金屬鉻在微機(jī)電系統(tǒng)中的應(yīng)用

      在微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）領(lǐng)域，金屬鉻（Cr）因其獨特的物理化學(xué)性質(zhì)和工藝兼容性而被廣泛應(yīng)用。其物理化....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-25 11:32 ?795次閱讀
      金屬鉻在微機(jī)電系統(tǒng)中的應(yīng)用

      芯片收縮對功率半導(dǎo)體器件封裝領(lǐng)域發(fā)展的影響

      在功率半導(dǎo)體邁向180-250 nm先進(jìn)節(jié)點、SoC與SiP并行演進(jìn)、扇入/扇出晶圓級封裝加速分化之....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-25 11:30 ?1152次閱讀

      詳解電力電子器件的芯片封裝技術(shù)

      電力電子器件作為現(xiàn)代能源轉(zhuǎn)換與功率控制的核心載體，正經(jīng)歷著從傳統(tǒng)硅基器件向SiC等寬禁帶半導(dǎo)體器件的....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-25 11:28 ?2185次閱讀
      詳解電力電子器件的芯片封裝技術(shù)

      從InFO-MS到InFO_SoW的先進(jìn)封裝技術(shù)

      在先進(jìn)封裝技術(shù)向超大型、晶圓級系統(tǒng)集成深化演進(jìn)的過程中，InFO 系列（InFO-MS、InFO-3....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-25 11:25 ?618次閱讀
      從InFO-MS到InFO_SoW的先進(jìn)封裝技術(shù)

      詳解芯片封裝的工藝步驟

      芯片封裝是半導(dǎo)體制造過程中至關(guān)重要的一步，它不僅保護(hù)了精密的硅芯片免受外界環(huán)境的影響，還提供了與外部....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-25 11:23 ?1567次閱讀
      詳解芯片封裝的工藝步驟

      汽車芯片的分類和認(rèn)證等級

      汽車半導(dǎo)體包括：主控芯片、功率器件、模擬芯片（信號鏈與接口芯片、電源管理芯片）、傳感器、存儲芯片等。....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-25 11:21 ?1188次閱讀
      汽車芯片的分類和認(rèn)證等級

      ?三維集成電路的TSV布局設(shè)計

      在三維集成電路設(shè)計中，TSV（硅通孔）技術(shù)通過垂直互連顯著提升了系統(tǒng)集成密度與性能，但其物理尺寸效應(yīng)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-25 11:20 ?1891次閱讀
      ?三維集成電路的TSV布局設(shè)計

      淺談3D封裝與CoWoS封裝

      自戈登·摩爾1965年提出晶體管數(shù)量每18-24個月翻倍的預(yù)言以來，摩爾定律已持續(xù)推動半導(dǎo)體技術(shù)跨越....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-21 10:48 ?1276次閱讀
      淺談3D封裝與CoWoS封裝

      晶圓制造中的Die是什么

      簡單來說，Die（發(fā)音為/da?/，中文常稱為裸片、裸晶、晶?；蚓┦侵笍囊徽瑘A形硅晶圓（Waf....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-21 10:46 ?1866次閱讀

      深入剖析單晶硅的生長方法

      科技進(jìn)步和對高效智能產(chǎn)品需求的增長進(jìn)一步奠定了集成電路產(chǎn)業(yè)在國家發(fā)展中的核心地位。而半導(dǎo)體硅單晶作為....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-21 10:43 ?705次閱讀
      深入剖析單晶硅的生長方法

      構(gòu)建適用于三維集成系統(tǒng)的互連線長分布模型

      在三維集成電路設(shè)計中，TSV技術(shù)通過垂直互連顯著優(yōu)化了互連線長分布特性?；趥愄囟傻慕?jīng)典分析框架，....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-21 10:41 ?592次閱讀
      構(gòu)建適用于三維集成系統(tǒng)的互連線長分布模型

      淺談數(shù)字芯片的常用術(shù)語

      解釋: 這是數(shù)字芯片設(shè)計永恒的“鐵三角”。Power指芯片功耗，越低越好；Performance通常....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-19 16:36 ?789次閱讀

      超聲波掃描電子顯微鏡介紹

      在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的精密制造與檢測體系中，超聲波掃描電子顯微鏡(SAT)設(shè)備作為一種核心的無損檢測工具，正....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-19 16:34 ?650次閱讀

      詳解塑封工藝的流程步驟

      塑封是微電子封裝中的核心環(huán)節(jié)，主要作用是保護(hù)封裝內(nèi)部的焊線、芯片、布線及其他組件免受外界熱量、水分、....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-19 16:31 ?2669次閱讀
      詳解塑封工藝的流程步驟