系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)解析
本文主要講述什么是系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)。 從封裝內(nèi)部的互連方式來(lái)看，主要包含引線鍵合、倒裝、硅通孔（TSV....
TSV技術(shù)的關(guān)鍵工藝和應(yīng)用領(lǐng)域
2.5D/3D封裝技術(shù)作為當(dāng)前前沿的先進(jìn)封裝工藝，實(shí)現(xiàn)方案豐富多樣，會(huì)根據(jù)不同應(yīng)用需求和技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài)....
先進(jìn)封裝轉(zhuǎn)接板的典型結(jié)構(gòu)和分類
摩爾定律精準(zhǔn)預(yù)言了近幾十年集成電路的發(fā)展。然而，逐漸逼近的物理極限、更高的性能需求和不再經(jīng)濟(jì)的工藝制....
MOSFET的噪聲模型解析
在無(wú)線通信中，接收器接收到的信號(hào)非常小，以至于系統(tǒng)中只能容忍有限的噪聲。因此，對(duì)于電路設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，....
集成電路傳統(tǒng)封裝技術(shù)的材料與工藝
集成電路傳統(tǒng)封裝技術(shù)主要依據(jù)材料與管腳形態(tài)劃分：材料上采用金屬、塑料或陶瓷管殼實(shí)現(xiàn)基礎(chǔ)封裝；管腳結(jié)構(gòu)....
芯片制造中的鍵合技術(shù)詳解
鍵合技術(shù)是通過(guò)溫度、壓力等外部條件調(diào)控材料表面分子間作用力或化學(xué)鍵，實(shí)現(xiàn)不同材料（如硅-硅、硅-玻璃....
傳統(tǒng)封裝與晶圓級(jí)封裝的區(qū)別
在芯片制造的最后環(huán)節(jié)，裸片（Die）需要穿上“防護(hù)鎧甲”——既要抵抗物理?yè)p傷和化學(xué)腐蝕，又要連接外部....
PCB中的Gerber文件是什么
Gerber 文件是用于電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)中，尤其是在印刷電路板(PCB)設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中，傳....
芯片制造中的對(duì)準(zhǔn)技術(shù)詳解
三維集成電路制造中，對(duì)準(zhǔn)技術(shù)是確保多層芯片鍵合精度、實(shí)現(xiàn)高密度TSV與金屬凸點(diǎn)正確互聯(lián)的核心技術(shù)，直....
TSV制造技術(shù)里的通孔刻蝕與絕緣層
相較于傳統(tǒng)CMOS工藝，TSV需應(yīng)對(duì)高深寬比結(jié)構(gòu)帶來(lái)的技術(shù)挑戰(zhàn)，從激光或深層離子反應(yīng)刻蝕形成盲孔開(kāi)始....
2.5D及3D集成技術(shù)的熱性能對(duì)比
在多芯片封裝趨勢(shì)下，一個(gè)封裝內(nèi)集成的高性能芯片日益增多，熱管理難題愈發(fā)凸顯?？諝饫鋮s應(yīng)對(duì)此類系統(tǒng)力不....
采用扇出晶圓級(jí)封裝的柔性混合電子
在柔性混合電子（FHE）系統(tǒng)中，柔性實(shí)現(xiàn)的難點(diǎn)在于異質(zhì)材料的協(xié)同工作。硅基芯片、金屬互連、聚合物基板....
MEMS制造中玻璃的刻蝕方法
在MEMS中，玻璃因具有良好的絕緣性、透光性、化學(xué)穩(wěn)定性及可鍵合性（如與硅陽(yáng)極鍵合），常被用作襯底、....
CMP工藝中的缺陷類型
CMP是半導(dǎo)體制造中關(guān)鍵的平坦化工藝，它通過(guò)機(jī)械磨削和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的方式，去除材料以實(shí)現(xiàn)平坦化。然....
晶圓制造中的WAT測(cè)試介紹
Wafer Acceptance Test (WAT) 是晶圓制造中確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性的關(guān)鍵步驟。....
鋁絲鍵合的具體步驟
鋁絲鍵合常借助超聲楔焊技術(shù)，通過(guò)超聲能量實(shí)現(xiàn)鋁絲與焊盤(pán)的直接鍵合。由于鍵合所用劈刀工具頭為楔形，使得....
工商網(wǎng)監(jiān)