簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)晶圓減薄技術(shù)
在半導(dǎo)體制造流程中,晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度,以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,避免彎曲變形....
半導(dǎo)體電鍍工藝介紹
Plating(電鍍)是一種電化學(xué)過程,通過此過程在基片(wafer)表面沉積金屬層。在微電子領(lǐng)域,....
詳談X射線光刻技術(shù)
隨著極紫外光刻(EUV)技術(shù)面臨光源功率和掩模缺陷挑戰(zhàn),X射線光刻技術(shù)憑借其固有優(yōu)勢(shì),在特定領(lǐng)域正形....

CPU Socket的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
CPU Socket是連接中央處理單元(CPU)與計(jì)算機(jī)主板之間的關(guān)鍵部件,它充當(dāng)著傳遞電信號(hào)、電源....
淺談光通信激光器的關(guān)鍵特性
當(dāng)激光器導(dǎo)通時(shí),開始產(chǎn)生自發(fā)輻射的光子直到載流子密度超過一個(gè)閾值。因而,產(chǎn)生受激輻射,也就是說,真實(shí)....

晶圓級(jí)封裝技術(shù)的概念和優(yōu)劣勢(shì)
圓片級(jí)封裝(WLP),也稱為晶圓級(jí)封裝,是一種直接在晶圓上完成大部分或全部封裝測(cè)試程序,再進(jìn)行切割制....

關(guān)鍵尺寸掃描電子顯微鏡技術(shù)解讀
計(jì)量學(xué)是推動(dòng)當(dāng)前及未來幾代半導(dǎo)體器件開發(fā)與制造的重要基石。隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)不斷縮小至100納米,甚至更小....

晶圓制備工藝與清洗工藝介紹
晶圓制備是材料科學(xué)、熱力學(xué)與精密控制的綜合體現(xiàn),每一環(huán)節(jié)均凝聚著工程技術(shù)的極致追求。而晶圓清洗本質(zhì)是....

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測(cè)試圖形技術(shù)解析
在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測(cè)試中,測(cè)試圖形(Test Pattern)是檢測(cè)故障、驗(yàn)證可靠性的核心工具。根據(jù)測(cè)試....

半導(dǎo)體選擇性外延生長(zhǎng)技術(shù)的發(fā)展歷史
選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)是當(dāng)今關(guān)鍵的前端工藝(FEOL)技術(shù)之一,已在CMOS器件制造中使用了20年....

晶圓揀選測(cè)試的具體過程和核心要點(diǎn)
在半導(dǎo)體制造流程中,晶圓揀選測(cè)試(Wafer Sort)堪稱芯片從“原材料”到“成品”的關(guān)鍵質(zhì)控節(jié)點(diǎn)....

FPGA芯片選型的核心原則
本文總結(jié)了FPGA選型的核心原則和流程,旨在為設(shè)計(jì)人員提供決策依據(jù),確保項(xiàng)目成功。
TSSG生產(chǎn)碳化硅的優(yōu)勢(shì)
微管是SiC晶體中極為有害的缺陷,哪怕數(shù)量極少,也會(huì)對(duì)SiC器件的性能產(chǎn)生毀滅性打擊。在傳統(tǒng)物理氣相....

芯片內(nèi)互聯(lián)鍵合與超聲波壓焊技術(shù)解析
裝片工序完成后,芯片雖已穩(wěn)固于載體(基板或框架)之上,但其表面預(yù)設(shè)的焊盤尚未與封裝體構(gòu)建電氣連接,因....

激光劃片的技術(shù)原理與核心優(yōu)勢(shì)
激光劃片作為新興材料加工技術(shù),近年來憑借非接觸式加工特性實(shí)現(xiàn)快速發(fā)展。其工作機(jī)制是將高峰值功率激光束....
TSSG法生長(zhǎng)SiC單晶的原理
SiC的物理特性決定了其生長(zhǎng)難度。在常壓環(huán)境下,SiC并無熔點(diǎn),一旦溫度攀升至2000℃以上,便會(huì)直....

CPU的各種指令和執(zhí)行流程
在集成電路設(shè)計(jì)中,CPU的指令是指計(jì)算機(jī)中央處理單元(CPU)用來執(zhí)行計(jì)算任務(wù)的基本操作指令集。這些....