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      中科院半導(dǎo)體所

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      MEMS制造中玻璃的刻蝕方法

      在MEMS中，玻璃因具有良好的絕緣性、透光性、化學(xué)穩(wěn)定性及可鍵合性（如與硅陽(yáng)極鍵合），常被用作襯底、....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-18 15:18 ?280次閱讀

      CMP工藝中的缺陷類型

      CMP是半導(dǎo)體制造中關(guān)鍵的平坦化工藝，它通過(guò)機(jī)械磨削和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的方式，去除材料以實(shí)現(xiàn)平坦化。然....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-18 15:14 ?467次閱讀

      晶圓制造中的WAT測(cè)試介紹

      Wafer Acceptance Test (WAT) 是晶圓制造中確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性的關(guān)鍵步驟。....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-17 11:43 ?546次閱讀

      詳解CSP封裝的類型與工藝

      1997年，富士通公司研發(fā)出一種名為芯片上引線（Lead On Chip，LOC）的封裝形式，稱作L....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-17 11:41 ?815次閱讀
      詳解CSP封裝的類型與工藝

      鋁絲鍵合的具體步驟

      鋁絲鍵合常借助超聲楔焊技術(shù)，通過(guò)超聲能量實(shí)現(xiàn)鋁絲與焊盤(pán)的直接鍵合。由于鍵合所用劈刀工具頭為楔形，使得....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-16 16:58 ?260次閱讀

      MEMS中的三種測(cè)溫方式

      在集成MEMS芯片的環(huán)境溫度測(cè)量領(lǐng)域，熱阻、熱電堆和PN結(jié)原理是三種主流技術(shù)。熱阻是利用熱敏電阻，如....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-16 13:58 ?428次閱讀
      MEMS中的三種測(cè)溫方式

      芯片制造的四大工藝介紹

      這一篇文章介紹幾種芯片加工工藝,在Fab里常見(jiàn)的加工工藝有四種類型,分別是圖形化技術(shù)（光刻）?摻雜技....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-16 13:52 ?972次閱讀
      芯片制造的四大工藝介紹

      一文詳解封裝缺陷分類

      在電子器件封裝過(guò)程中，會(huì)出現(xiàn)多種類型的封裝缺陷，主要涵蓋引線變形、底座偏移、翹曲、芯片破裂、分層、空....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-16 10:10 ?706次閱讀
      一文詳解封裝缺陷分類

      LED發(fā)光二極管的原理分析

      LED發(fā)光二極管，一種半導(dǎo)體元件，當(dāng)向其中注入電流時(shí)會(huì)發(fā)光。
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-16 10:08 ?355次閱讀
      LED發(fā)光二極管的原理分析

      半導(dǎo)體激光器的三種驅(qū)動(dòng)模式

      ACC（Automatic Current Control）是恒電流驅(qū)動(dòng)，通過(guò)電流采樣反饋為電流驅(qū)動(dòng)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-11 17:18 ?1050次閱讀
      半導(dǎo)體激光器的三種驅(qū)動(dòng)模式

      晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的原因

      在集成電路生產(chǎn)過(guò)程中，晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個(gè)常見(jiàn)但復(fù)雜的問(wèn)題。每個(gè)環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-09 09:43 ?169次閱讀

      淺談封裝材料失效分析

      在電子封裝領(lǐng)域，各類材料因特性與應(yīng)用場(chǎng)景不同，失效模式和分析檢測(cè)方法也各有差異。
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-09 09:40 ?485次閱讀

      銅對(duì)芯片制造中的重要作用

      在指甲蓋大小的芯片上，數(shù)百億晶體管需要通過(guò)比頭發(fā)絲細(xì)千倍的金屬線連接。當(dāng)制程進(jìn)入130納米節(jié)點(diǎn)時(shí)，傳....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-09 09:38 ?186次閱讀
      銅對(duì)芯片制造中的重要作用

      半導(dǎo)體分層工藝的簡(jiǎn)單介紹

      在指甲蓋大小的硅片上建造包含數(shù)百億晶體管的“納米城市”，需要極其精密的工程規(guī)劃。分層制造工藝如同建造....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-09 09:35 ?199次閱讀
      半導(dǎo)體分層工藝的簡(jiǎn)單介紹

      電子束曝光與顯影工藝解讀

      EBL就像是納米世界里的精密畫(huà)筆，能夠在極其微小的尺度上"畫(huà)"出任何你想要的二維圖案。
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-09 09:33 ?898次閱讀
      電子束曝光與顯影工藝解讀

      芯片封裝失效的典型現(xiàn)象

      本文介紹了芯片封裝失效的典型現(xiàn)象：金線偏移、芯片開(kāi)裂、界面開(kāi)裂、基板裂紋和再流焊缺陷。
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-09 09:31 ?473次閱讀

      晶體管架構(gòu)的演變過(guò)程

      芯片制程從微米級(jí)進(jìn)入2納米時(shí)代，晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-08 16:28 ?844次閱讀
      晶體管架構(gòu)的演變過(guò)程

      基于TSV的三維集成電路制造技術(shù)

      三維集成電路工藝技術(shù)因特征尺寸縮小與系統(tǒng)復(fù)雜度提升而發(fā)展，其核心目標(biāo)在于通過(guò)垂直堆疊芯片突破二維物理....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-08 09:53 ?837次閱讀
      基于TSV的三維集成電路制造技術(shù)

      多晶硅在芯片制造中的作用

      在芯片的納米世界中，多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡(jiǎn)稱Poly-Si） 。....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-08 09:48 ?644次閱讀
      多晶硅在芯片制造中的作用

      干法刻蝕的評(píng)價(jià)參數(shù)詳解

      在MEMS制造工藝中，干法刻蝕是通過(guò)等離子體、離子束等氣態(tài)物質(zhì)對(duì)薄膜材料或襯底進(jìn)行刻蝕的工藝，其評(píng)價(jià)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-07 11:21 ?419次閱讀
      干法刻蝕的評(píng)價(jià)參數(shù)詳解

      半導(dǎo)體的常見(jiàn)表征手段

      在半導(dǎo)體工藝研發(fā)與制造過(guò)程中，精確的表征技術(shù)是保障器件性能與良率的核心環(huán)節(jié)。
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-07 11:19 ?398次閱讀
      半導(dǎo)體的常見(jiàn)表征手段

      淺談無(wú)線通信的基本概念

      從工作頻段到信道的劃分，再到多址方式、雙工方式、調(diào)制方式、分集技術(shù)和MIMO，這些概念共同作用，使得....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-04 11:34 ?380次閱讀

      半導(dǎo)體摻雜濃度及圖形測(cè)量方法

      熱波系統(tǒng)通過(guò)激光誘導(dǎo)熱效應(yīng)與晶格缺陷的關(guān)聯(lián)性實(shí)現(xiàn)摻雜濃度評(píng)估。其核心機(jī)制為：氬泵浦激光經(jīng)雙面鏡聚焦于....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-04 11:32 ?1269次閱讀
      半導(dǎo)體摻雜濃度及圖形測(cè)量方法

      芯片制造中的暈環(huán)注入技術(shù)

      當(dāng)晶體管柵長(zhǎng)縮至20納米以下，源漏極間可能形成隱秘的電流通道，導(dǎo)致晶體管無(wú)法關(guān)閉。而暈環(huán)注入（Hal....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-03 16:13 ?614次閱讀
      芯片制造中的暈環(huán)注入技術(shù)

      深度解析芯片化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)

      化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing, 簡(jiǎn)稱 CMP）技術(shù)是一種....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-03 15:12 ?982次閱讀
      深度解析芯片化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)

      半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)過(guò)程中的常用摻雜技術(shù)

      在半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)過(guò)程中，精確調(diào)控材料的電阻率是實(shí)現(xiàn)器件功能的關(guān)鍵，而原位摻雜、擴(kuò)散和離子注入正是達(dá)成....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-02 10:17 ?263次閱讀
      半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)過(guò)程中的常用摻雜技術(shù)

      芯片制造中的薄膜測(cè)量方法

      在指甲蓋大小的芯片上集成數(shù)百億晶體管，需要經(jīng)歷數(shù)百道嚴(yán)苛工藝的淬煉。每一道工序的參數(shù)波動(dòng)，都可能引發(fā)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-02 10:14 ?866次閱讀
      芯片制造中的薄膜測(cè)量方法

      遠(yuǎn)程等離子體刻蝕技術(shù)介紹

      遠(yuǎn)程等離子體刻蝕技術(shù)通過(guò)非接觸式能量傳遞實(shí)現(xiàn)材料加工，其中熱輔助離子束刻蝕（TAIBE）作為前沿技術(shù)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 06-30 14:34 ?366次閱讀
      遠(yuǎn)程等離子體刻蝕技術(shù)介紹

      常見(jiàn)氣體傳感器的類型和工作原理

      在萬(wàn)物互聯(lián)的社會(huì)，氣體感知技術(shù)已成為各領(lǐng)域發(fā)展的 “隱形衛(wèi)士”。消費(fèi)場(chǎng)景中，守護(hù)家居空氣質(zhì)量；汽車領(lǐng)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 06-27 09:16 ?790次閱讀
      常見(jiàn)氣體傳感器的類型和工作原理

      電子衍射技術(shù)的原理與分類

      隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小和性能要求的日益提高，應(yīng)變工程半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)在現(xiàn)代電子器件中發(fā)揮著關(guān)鍵作....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 06-27 09:12 ?501次閱讀
      電子衍射技術(shù)的原理與分類