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      中科院半導(dǎo)體所

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      碳化硅材料有什么特點(diǎn)

      目前車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊主要采用硅基材料制作，與硅基半導(dǎo)體材料相比， 以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-29 10:44 ?2702次閱讀
      碳化硅材料有什么特點(diǎn)

      一文詳解SOI異質(zhì)結(jié)襯底

      SOI（silicon-on-insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)的核心設(shè)計(jì)，是在頂層硅與硅襯底....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-22 16:17 ?6364次閱讀
      一文詳解SOI異質(zhì)結(jié)襯底

      晶體管的基本結(jié)構(gòu)和發(fā)展歷程

      隨著集成電路科學(xué)與工程的持續(xù)發(fā)展，當(dāng)前集成電路已涵蓋二極管、晶體管、非易失性存儲(chǔ)器件、功率器件、光子....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-22 10:53 ?1413次閱讀
      晶體管的基本結(jié)構(gòu)和發(fā)展歷程

      集成電路制造中封裝失效的機(jī)理和分類

      隨著封裝技術(shù)向小型化、薄型化、輕量化演進(jìn)，封裝缺陷對(duì)可靠性的影響愈發(fā)凸顯，為提升封裝質(zhì)量需深入探究失....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-22 10:52 ?863次閱讀
      集成電路制造中封裝失效的機(jī)理和分類

      集成電路中場(chǎng)效應(yīng)晶體管的寄生參數(shù)提取方法

      柵極電阻的存在對(duì)電路性能的影響很大，會(huì)引入熱噪聲，增大電路的噪聲系數(shù)，影響器件的開關(guān)速度和最大振蕩頻....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-22 10:51 ?802次閱讀
      集成電路中場(chǎng)效應(yīng)晶體管的寄生參數(shù)提取方法

      HBM技術(shù)在CowoS封裝中的應(yīng)用

      HBM通過使用3D堆疊技術(shù)，將多個(gè)DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）芯片堆疊在一起，并通過硅通孔（TSV....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-22 10:47 ?1795次閱讀

      一文詳解BSIM-SOI模型

      隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入納米尺度，傳統(tǒng)體硅（Bulk CMOS）技術(shù)面臨寄生電容大、閂鎖效應(yīng)等瓶頸。SOI....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-22 10:41 ?1814次閱讀
      一文詳解BSIM-SOI模型

      一文詳解半導(dǎo)體與CMOS工藝

      天然沙子里富含二氧化硅（SiO?），人們能夠從沙子中提取高純度單晶硅，以此制造集成電路。單晶硅對(duì)純度....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-17 16:13 ?1085次閱讀
      一文詳解半導(dǎo)體與CMOS工藝

      拉曼光譜的基礎(chǔ)知識(shí)

      想象一下，如果我們能夠"聽見"分子的"聲音"，那會(huì)是什么樣的？拉曼光譜技術(shù)正是這樣一種神奇的工具，它....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-17 16:11 ?2418次閱讀
      拉曼光譜的基礎(chǔ)知識(shí)

      光伏電池的發(fā)展歷程和分類

      2025 光伏電池的研究起源可追溯至 1883 年，科學(xué)家 Charles Fritts 采用硒半導(dǎo)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-17 16:09 ?1386次閱讀
      光伏電池的發(fā)展歷程和分類

      電源管理芯片常見術(shù)語

      PMIC (Power Management Integrated Circuit)：電源管理集成電....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-17 16:07 ?1090次閱讀

      一文詳解TEM中的非彈性散射和電子束損傷

      為什么非彈性散射值得我們關(guān)注?因?yàn)檫@類散射過程產(chǎn)生了多種信號(hào)，每種信號(hào)都能提供比彈性電子更豐富的樣品....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-16 11:30 ?1708次閱讀
      一文詳解TEM中的非彈性散射和電子束損傷

      離子注入技術(shù)的常見問題

      離子注入單晶靶材時(shí)，因靶體存在特定晶向，其對(duì)入射離子的阻滯作用不再如非晶材料般呈現(xiàn)各向同性。沿硅晶體....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-12 17:16 ?2159次閱讀
      離子注入技術(shù)的常見問題

      一文詳解TEM中的彈性散射

      彈性散射電子是TEM圖像襯度的主要來源，同時(shí)也產(chǎn)生衍射圖樣(DPs)的大部分強(qiáng)度，因此理解控制這一過....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-10 15:20 ?2466次閱讀
      一文詳解TEM中的彈性散射

      一文讀懂共聚焦拉曼顯微鏡

      拉曼散射通常是一種非常微弱的效應(yīng)，因?yàn)榧ぐl(fā)的光子與參與散射過程的分子之間存在非諧振的相互作用。因此，....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-09 09:50 ?1221次閱讀
      一文讀懂共聚焦拉曼顯微鏡

      一文詳解空間輻射誘發(fā)單粒子效應(yīng)

      在空間輻射環(huán)境下，高能質(zhì)子與重離子的作用會(huì)誘發(fā)單粒子效應(yīng)。誘發(fā)這類單粒子效應(yīng)的空間輻射，主要來源于兩....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:57 ?1214次閱讀
      一文詳解空間輻射誘發(fā)單粒子效應(yīng)

      PDK在集成電路領(lǐng)域的定義、組成和作用

      PDK（Process Design Kit，工藝設(shè)計(jì)套件）是集成電路設(shè)計(jì)流程中的重要工具包，它為設(shè)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:56 ?1773次閱讀

      TEM中散射和衍射的基本原理

      電子是低質(zhì)量、帶負(fù)電荷的粒子，經(jīng)過其他電子或原子核附近時(shí)易被庫(kù)侖相互作用偏轉(zhuǎn)。這種靜電作用引起的散射....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:52 ?1781次閱讀
      TEM中散射和衍射的基本原理

      NAND Flash的基本原理和結(jié)構(gòu)

      NAND Flash是什么？NAND Flash（閃存）是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，主要用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:51 ?6537次閱讀
      NAND Flash的基本原理和結(jié)構(gòu)

      一文詳解單粒子效應(yīng)的電荷收集

      在探討單粒子翻轉(zhuǎn)基本機(jī)理時(shí)，深入理解并掌握各類電荷收集過程及其作用機(jī)理至關(guān)重要，這些過程與機(jī)理對(duì)明確....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:50 ?987次閱讀
      一文詳解單粒子效應(yīng)的電荷收集

      一文詳解半導(dǎo)體器件中的單粒子效應(yīng)

      我們知道，帶電離子穿透半導(dǎo)體材料的過程中，會(huì)與靶材原子發(fā)生交互作用，沿離子運(yùn)動(dòng)軌跡生成電子 - 空穴....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:48 ?1278次閱讀
      一文詳解半導(dǎo)體器件中的單粒子效應(yīng)

      LOCOS工藝中鳥喙效應(yīng)的形成原因和解決措施

      集成電路采用LOCOS（Local Oxidation of Silicon）工藝時(shí)會(huì)出現(xiàn)“鳥喙效應(yīng)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:42 ?992次閱讀
      LOCOS工藝中鳥喙效應(yīng)的形成原因和解決措施

      晶圓級(jí)MOSFET的直接漏極設(shè)計(jì)

      本文主要講述什么是晶圓級(jí)芯粒封裝中的分立式功率器件。 分立式功率器件作為電源管理系統(tǒng)的核心單元，涵蓋....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-05 09:45 ?3169次閱讀
      晶圓級(jí)MOSFET的直接漏極設(shè)計(jì)

      詳解超高密度互連的InFO封裝技術(shù)

      InFO-R作為基礎(chǔ)架構(gòu)，采用"芯片嵌入+RDL成型"的工藝路徑。芯片在晶圓級(jí)基板上完成精準(zhǔn)定位后，....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-01 16:10 ?2632次閱讀
      詳解超高密度互連的InFO封裝技術(shù)

      簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)MEMS晶圓級(jí)電鍍技術(shù)

      MEMS晶圓級(jí)電鍍是一種在微機(jī)電系統(tǒng)制造過程中，整個(gè)硅晶圓表面通過電化學(xué)方法選擇性沉積金屬微結(jié)構(gòu)的關(guān)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-01 16:07 ?2150次閱讀
      簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)MEMS晶圓級(jí)電鍍技術(shù)

      芯片封裝的功能、等級(jí)以及分類

      在摩爾定律趨近物理極限、功率器件制程仍停留在百納米節(jié)點(diǎn)的背景下，芯片“尺寸縮小”與“性能提升”之間的....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-28 13:50 ?1839次閱讀

      詳解WLCSP三維集成技術(shù)

      晶圓級(jí)芯片尺寸封裝（WLCSP）因其“裸片即封裝”的極致尺寸與成本優(yōu)勢(shì)，已成為移動(dòng)、可穿戴及 IoT....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-28 13:46 ?2989次閱讀
      詳解WLCSP三維集成技術(shù)

      詳解SPICE器件模型的分類

      今天我們來聊聊工程師在仿真時(shí)比較關(guān)注的問題。眾多的器件模型，我在仿真的時(shí)候到底應(yīng)該怎么選擇一個(gè)器件的....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-28 13:42 ?1269次閱讀
      詳解SPICE器件模型的分類

      金屬鉻在微機(jī)電系統(tǒng)中的應(yīng)用

      在微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）領(lǐng)域，金屬鉻（Cr）因其獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)和工藝兼容性而被廣泛應(yīng)用。其物理化....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-25 11:32 ?1253次閱讀
      金屬鉻在微機(jī)電系統(tǒng)中的應(yīng)用

      芯片收縮對(duì)功率半導(dǎo)體器件封裝領(lǐng)域發(fā)展的影響

      在功率半導(dǎo)體邁向180-250 nm先進(jìn)節(jié)點(diǎn)、SoC與SiP并行演進(jìn)、扇入/扇出晶圓級(jí)封裝加速分化之....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-25 11:30 ?1529次閱讀