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      中科院半導(dǎo)體所

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      宇航級封裝簡介

      在現(xiàn)代電子工業(yè)領(lǐng)域，依據(jù)使用環(huán)境、性能參數(shù)及可靠性標(biāo)準(zhǔn)，電子器件可以被系統(tǒng)劃分為商業(yè)級、工業(yè)級、汽車....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-14 11:13 ?747次閱讀

      封裝工藝中的晶圓級封裝技術(shù)

      我們看下一個先進(jìn)封裝的關(guān)鍵概念——晶圓級封裝（Wafer Level Package，WLP）。
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-14 10:32 ?1267次閱讀
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      硅片不同晶向的區(qū)別

      簡單來說：晶向就是晶體內(nèi)部原子沿某種方向排列的“路徑”。晶向通常用方括號 [hkl] 表示方向，用圓....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-14 10:31 ?2190次閱讀
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      詳解原子層沉積薄膜制備技術(shù)

      CVD 技術(shù)是一種在真空環(huán)境中通過襯底表面化學(xué)反應(yīng)來進(jìn)行薄膜生長的過程，較短的工藝時間以及所制備薄膜....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-14 10:18 ?908次閱讀
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      淺談光纖激光器的工作原理

      光纖激光器是一種放大介質(zhì)為光纖的激光器。它是一個需要供電的有源模塊(就像電子產(chǎn)品中的有源電子元件)，....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-13 15:34 ?1409次閱讀
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      芯片傳統(tǒng)封裝形式介紹

      微電子封裝技術(shù)每15年左右更新迭代一次。1955年起，晶體管外形（TO）封裝成為主流，主要用于封裝晶....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-13 10:10 ?2067次閱讀
      芯片傳統(tǒng)封裝形式介紹

      封裝工藝中的倒裝封裝技術(shù)

      業(yè)界普遍認(rèn)為，倒裝封裝是傳統(tǒng)封裝和先進(jìn)封裝的分界點。
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-13 10:01 ?1146次閱讀
      封裝工藝中的倒裝封裝技術(shù)

      FPGA芯片的概念和結(jié)構(gòu)

      FPGA（Field Programmable Gate Array，現(xiàn)場可編程門陣列），是一種可在....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-12 09:30 ?1952次閱讀

      半導(dǎo)體芯片中的互連層次

      在半導(dǎo)體芯片中，數(shù)十億晶體管需要通過金屬互連線（Interconnect）連接成復(fù)雜電路。隨著制程進(jìn)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-12 09:29 ?1380次閱讀
      半導(dǎo)體芯片中的互連層次

      硅單晶片電阻率均勻性的影響因素

      直拉硅單晶生長的過程是熔融的多晶硅逐漸結(jié)晶生長為固態(tài)的單晶硅的過程，沒有雜質(zhì)的本征硅單晶的電阻率很高....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-09 13:58 ?819次閱讀
      硅單晶片電阻率均勻性的影響因素

      簡單認(rèn)識晶圓減薄技術(shù)

      在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度，以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，避免彎曲變形....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-09 13:55 ?1265次閱讀

      半導(dǎo)體電鍍工藝介紹

      Plating(電鍍)是一種電化學(xué)過程，通過此過程在基片(wafer)表面沉積金屬層。在微電子領(lǐng)域，....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-09 10:22 ?1117次閱讀

      詳談X射線光刻技術(shù)

      隨著極紫外光刻（EUV）技術(shù)面臨光源功率和掩模缺陷挑戰(zhàn)，X射線光刻技術(shù)憑借其固有優(yōu)勢，在特定領(lǐng)域正形....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-09 10:08 ?966次閱讀
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      通過LPCVD制備氮化硅低應(yīng)力膜

      本文介紹了通過LPCVD制備氮化硅低應(yīng)力膜 氮化硅膜在MEMS中應(yīng)用十分廣泛，可作為支撐層、....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-09 10:07 ?763次閱讀
      通過LPCVD制備氮化硅低應(yīng)力膜

      CPU Socket的基本結(jié)構(gòu)和工作原理

      CPU Socket是連接中央處理單元（CPU）與計算機(jī)主板之間的關(guān)鍵部件，它充當(dāng)著傳遞電信號、電源....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-08 17:14 ?1415次閱讀

      半導(dǎo)體封裝工藝流程的主要步驟

      半導(dǎo)體的典型封裝工藝流程包括芯片減薄、芯片切割、芯片貼裝、芯片互連、成型固化、去飛邊毛刺、切筋成型、....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-08 15:15 ?3136次閱讀
      半導(dǎo)體封裝工藝流程的主要步驟

      淺談光通信激光器的關(guān)鍵特性

      當(dāng)激光器導(dǎo)通時，開始產(chǎn)生自發(fā)輻射的光子直到載流子密度超過一個閾值。因而，產(chǎn)生受激輻射，也就是說，真實....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-08 15:12 ?631次閱讀
      淺談光通信激光器的關(guān)鍵特性

      晶圓級封裝技術(shù)的概念和優(yōu)劣勢

      圓片級封裝（WLP），也稱為晶圓級封裝，是一種直接在晶圓上完成大部分或全部封裝測試程序，再進(jìn)行切割制....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-08 15:09 ?1303次閱讀
      晶圓級封裝技術(shù)的概念和優(yōu)劣勢

      關(guān)鍵尺寸掃描電子顯微鏡技術(shù)解讀

      計量學(xué)是推動當(dāng)前及未來幾代半導(dǎo)體器件開發(fā)與制造的重要基石。隨著技術(shù)節(jié)點不斷縮小至100納米，甚至更小....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-07 15:18 ?1349次閱讀
      關(guān)鍵尺寸掃描電子顯微鏡技術(shù)解讀

      晶圓制備工藝與清洗工藝介紹

      晶圓制備是材料科學(xué)、熱力學(xué)與精密控制的綜合體現(xiàn)，每一環(huán)節(jié)均凝聚著工程技術(shù)的極致追求。而晶圓清洗本質(zhì)是....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-07 15:12 ?1787次閱讀
      晶圓制備工藝與清洗工藝介紹

      半導(dǎo)體存儲器測試圖形技術(shù)解析

      在半導(dǎo)體存儲器測試中，測試圖形（Test Pattern）是檢測故障、驗證可靠性的核心工具。根據(jù)測試....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-07 09:33 ?776次閱讀
      半導(dǎo)體存儲器測試圖形技術(shù)解析

      芯片制造中的阻擋層沉積技術(shù)介紹

      本文介紹了在芯片銅互連工藝中需要阻擋層的原因以及關(guān)鍵工藝流程。
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-03 12:56 ?2237次閱讀
      芯片制造中的阻擋層沉積技術(shù)介紹

      半導(dǎo)體選擇性外延生長技術(shù)的發(fā)展歷史

      選擇性外延生長(SEG)是當(dāng)今關(guān)鍵的前端工藝(FEOL)技術(shù)之一，已在CMOS器件制造中使用了20年....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-03 12:51 ?3121次閱讀
      半導(dǎo)體選擇性外延生長技術(shù)的發(fā)展歷史

      晶圓揀選測試的具體過程和核心要點

      在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓揀選測試（Wafer Sort）堪稱芯片從“原材料”到“成品”的關(guān)鍵質(zhì)控節(jié)點....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-30 15:48 ?5284次閱讀
      晶圓揀選測試的具體過程和核心要點

      一文詳解電子束光刻技術(shù)

      本文系統(tǒng)梳理了直寫式、多電子束與投影式EBL的關(guān)鍵技術(shù)路徑，涵蓋掃描策略、束流整形、鄰近效應(yīng)校正與系....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-30 11:00 ?2804次閱讀
      一文詳解電子束光刻技術(shù)

      FPGA芯片選型的核心原則

      本文總結(jié)了FPGA選型的核心原則和流程，旨在為設(shè)計人員提供決策依據(jù)，確保項目成功。
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-30 10:58 ?944次閱讀

      光刻膠的類型及特性

      光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-29 13:59 ?5385次閱讀
      光刻膠的類型及特性

      TSSG生產(chǎn)碳化硅的優(yōu)勢

      微管是SiC晶體中極為有害的缺陷，哪怕數(shù)量極少，也會對SiC器件的性能產(chǎn)生毀滅性打擊。在傳統(tǒng)物理氣相....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-24 11:07 ?596次閱讀
      TSSG生產(chǎn)碳化硅的優(yōu)勢

      基于自由空間光學(xué)的通信非地面網(wǎng)絡(luò)

      本文介紹了6G技術(shù)的關(guān)鍵技術(shù)之一：通訊非地面網(wǎng)絡(luò)。
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-23 10:58 ?579次閱讀
      基于自由空間光學(xué)的通信非地面網(wǎng)絡(luò)

      芯片離子注入后退火會引入的工藝問題

      本文簡單介紹了芯片離子注入后退火會引入的工藝問題：射程末端（EOR）缺陷、硼離子注入退火問題和磷離子....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-23 10:54 ?1143次閱讀
      芯片離子注入后退火會引入的工藝問題