美國新澤西州普林斯頓 -- 新型功率半導體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布將推出四種新型SiC FET，其RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動汽車（EV）逆變器、高功率DC/DC轉(zhuǎn)換器、大電流電池充電器和固態(tài)斷路器等高功率應用。在這四款全新UF3C SiC FET器件中，一款產(chǎn)品額定電壓值為650V，RDS（on）為7 mΩ，另外三款電壓額定值為1200V，RDS（on）分別為9和16 mΩ。所有器件都采用通用型TO247封裝。

這些新型SiC FET整合高性能第三代SiC JFET和共源共柵（cascode）優(yōu)化的Si MOSFET，這種電路配置能夠以常見的封裝形式創(chuàng)建一種快速、高效的器件，但仍然可以用與Si IGBT、Si MOSFET和SiC MOSFET相同的柵極電壓驅(qū)動。此外，為了優(yōu)化高溫運行性能，燒結(jié)銀（sintered-silver）技術(shù)能夠為TO247封裝提供低熱阻安裝。

美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司工程副總裁Anup Bhalla解釋說：“真正重要的是，我們實現(xiàn)了同類產(chǎn)品中業(yè)界最低的RDS（ON）。除此之外，這些器件所具備的標準驅(qū)動特性和通用封裝意味著它們可以在各種應用中直接替代那些效率較低的器件，而只需極少或根本不需要額外的設計工作?！?/p>

UF3SC065007K4S的最大工作電壓為650V，漏極電流高達120A，RDS（ON）為6.7mΩ。UF3SC120009K4S的最大工作電壓為1200V，漏極電流高達120A，RDS（ON）為8.6mΩ。兩者均采用四引腳開爾文（Kelvin）封裝，可實現(xiàn)更清潔的驅(qū)動特性。

對于低功率設計，UnitedSiC可提供兩款產(chǎn)品，最大工作電壓為1200V，漏極電流高達77A，RDS（ON）為16mΩ。UF3SC120016K3S采用三引腳封裝，而UF3SC120016K4S則采用四引腳封裝。

這些器件的低RDS（ON）特性使得在逆變器設計中可以實現(xiàn)超過99％的效率，高效率的實現(xiàn)得益于其出色的反向恢復性能以及在續(xù)流（freewheeling）模式下的低導通壓降。

借助于這些器件，逆變器設計人員能夠使現(xiàn)有設計在相同的開關(guān)速度下達到更高功率，而無需重新設計其基本電路架構(gòu)，可以處理較高的電流，但不會產(chǎn)生過多的電阻發(fā)熱。

這些器件的低開關(guān)損耗可以使設計人員在更高頻率下運行逆變器，以產(chǎn)生更清晰的輸出電流波形。通過減少磁芯損耗，可以提高所驅(qū)動電機的效率。如果將逆變器設計為具有濾波功能的輸出，較高的運行頻率將允許使用較小的濾波器。

這些器件還能夠很好地并聯(lián)使用，以處理非常大的電流。經(jīng)過嚴格的損耗計算表明，使用六個UF3SC120009K4S SiC FET并聯(lián)構(gòu)建的200kW，8kHz逆變器，其開關(guān)損耗和傳導損耗的總和只有采用最先進IGBT/二極管模塊構(gòu)建的同類逆變器的約三分之一。

UF3C系列SiC FET的低RDS（ON）可實現(xiàn)超低傳導損耗，這意味著該器件還可以用作EV中的固態(tài)斷路器和電池斷開開關(guān)，這些器件可以非?？斓仃P(guān)閉非常大的電流，并且在用作斷路器時，具有自我限制特性，可控制流經(jīng)的峰值電流。該特性還可用于限制流入逆變器和電機的浪涌電流。

對于較低電池電壓的系統(tǒng)，UF3SC65007K4S能夠在充電電路中實現(xiàn)比IGBT效率高很多的系統(tǒng)。如果使用SiC FET來構(gòu)建同步整流器來代替次級側(cè)二極管，則可以大幅度降低損耗，從而減輕充電器的冷卻負擔。例如，在工作電流為100A，占空比為50％的情況下，一個JBS二極管的傳導損耗將近100W，而UF3SC065007K4S用作同步整流器，其傳導損耗僅為45W。

價格和供貨信息

以1000片最小批量計，這些器件的單價從UF3SC0120016K3S的35.77美元，到UF3SC120009K4S的59.98美元?，F(xiàn)在可提供樣片，預計2020年第二季度實現(xiàn)量產(chǎn)