(SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見(jiàn)于電動(dòng)汽車
2022-05-17 11:55:24
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?收購(gòu)）的UF4C和UF4SC?1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導(dǎo)通電阻特性，適用于主流800V總線架構(gòu)中的電源解決方案，如電動(dòng)汽車
2022-06-09 16:44:431659 
美國(guó)SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開(kāi)型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導(dǎo)通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時(shí)（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:012494 瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）系列新產(chǎn)品。新款I(lǐng)GBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款I(lǐng)GBT是將系統(tǒng)中的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功率半導(dǎo)體裝
2012-07-31 11:34:281650 為滿足電動(dòng)汽車市場(chǎng)的需求，英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產(chǎn)品經(jīng)過(guò)專門優(yōu)化，可以滿足電動(dòng)汽車應(yīng)用 （如車載充電器、HV-LV DC-DC 轉(zhuǎn)換器和輔助電源）的要求。
2020-05-31 09:15:361509 SiC FET由UnitedSiC率先制造，現(xiàn)已推出第四代產(chǎn)品。第四代產(chǎn)品改進(jìn)了單元密度以降低單位面積的導(dǎo)通電阻（RDS.A），運(yùn)用銀燒結(jié)粘接和晶圓減薄技術(shù)改進(jìn)了熱設(shè)計(jì)，從而盡量減小了到基片的熱阻。
2021-05-19 07:06:003205 
美國(guó)新澤西州普林斯頓 --- 新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布，在公司快速發(fā)展的650V SiC FET硬開(kāi)關(guān)UF3C FAST產(chǎn)品系列中新增兩種TO220-3L封裝選項(xiàng)。
2019-07-25 11:44:321578 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管（GaN）市場(chǎng)。
2019-11-22 15:16:321787 UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET，其RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動(dòng)汽車（EV）逆變器、高功率DC/DC轉(zhuǎn)換器、大電流電池充電器和固態(tài)斷路器等高功率應(yīng)用。
2019-12-10 13:45:241799 隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
2020-02-26 08:26:001315 科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列，為電動(dòng)汽車快速充電和太陽(yáng)能市場(chǎng)提供業(yè)界領(lǐng)先的效率。
2021-01-14 15:23:001319 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421942 
UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其內(nèi)部集成了一個(gè)SiC JFET并將之與一個(gè)硅MOSFET封裝在一起。
2021-09-14 14:47:19612 
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機(jī)因其體較小，操作方便，市場(chǎng)接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點(diǎn)，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。當(dāng)前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產(chǎn)品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開(kāi)發(fā)650V產(chǎn)品可支持達(dá)100A
2018-12-04 10:09:17
650V/10A。由圖可知，第3代產(chǎn)品在高溫時(shí)的VF-IF曲線坡度陡峭，相對(duì)同一IF，VF較低，已經(jīng)得到改善。當(dāng)前供應(yīng)的產(chǎn)品與開(kāi)發(fā)計(jì)劃下面是當(dāng)前供應(yīng)的第2代產(chǎn)品和第3代產(chǎn)品。兩者均在持續(xù)進(jìn)行機(jī)型擴(kuò)充中
2018-11-30 11:51:17
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高溫時(shí)功率損耗低.高溫工作性能（200C）.無(wú)恢復(fù)損耗的體二極管.驅(qū)動(dòng)方便.低柵極充電（SCT*N65G2V）了解更多信息，請(qǐng)關(guān)注英特洲電子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
），配備了1M的片上Flash和零等待指令執(zhí)行功能。所有 AGM32系列產(chǎn)品都提供從flash零等待指令執(zhí)行功能。
除此之外，AGM提供了一個(gè)重要的隱藏特性，在Pin2pin兼容的基礎(chǔ)上，所有管腳可以
2023-12-29 11:18:08
兼容產(chǎn)品系列已常年持續(xù)地服務(wù)于FPGA長(zhǎng)尾商業(yè)模式的近千個(gè)AGM客戶。AGM32產(chǎn)品系列對(duì)32位MCU的廣大客戶群提供國(guó)產(chǎn)替代和新智能應(yīng)用市場(chǎng)的開(kāi)拓。
此次AGM Micro發(fā)布的產(chǎn)品系列包括
2023-12-29 10:52:29
SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) ITA07N65650V 7A N溝道 MOS管 7N65，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷ITA07N657A 650V TO-220FN溝道 MOS管 /場(chǎng)效應(yīng)管
2021-03-24 10:35:56
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過(guò)100％雪崩測(cè)試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開(kāi)關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備。目前推出的650V耐壓產(chǎn)品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。＜內(nèi)置SiC二極管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
ROHM一直專注于功率元器件的開(kāi)發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件，可以更簡(jiǎn)單地設(shè)計(jì)各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM1Pxxx內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路，可承受650V電壓，有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
BM2P033 PWM AC / DC變換器的典型應(yīng)用電路。用于AC / DC的PWM型（BM2PXX3）為包含電源插座的所有產(chǎn)品提供了最佳系統(tǒng)。 BM2PXX3支持隔離和非隔離器件，可以更簡(jiǎn)單地設(shè)計(jì)各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM2PXX3內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路，可承受650V電壓，有助于實(shí)現(xiàn)低功耗
2020-06-05 09:15:07
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
，使得電路能夠達(dá)到±3%以內(nèi)的恒流精度，具有優(yōu)異的線型調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率，并且通過(guò)RADJ引腳外接電阻可以方便地控制LED開(kāi)路保護(hù)電壓。■SIC9654內(nèi)部集成了650V功率MOSFET，采用雙繞組原邊
2022-02-17 15:42:55
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
更進(jìn)一步。其中UF系列的最新產(chǎn)品在1200V和650V器件上的導(dǎo)通電阻達(dá)到了同類產(chǎn)品最低，分別小于9毫歐和7毫歐。這些器件具有低損耗體二極管效應(yīng)以及固有的抗過(guò)電壓和短路的能力，與Si-MOSFET或
2023-02-27 14:28:47
母線電路需設(shè)計(jì)極小寄生電感。因此，可選用具備軟開(kāi)關(guān)特性的專用IGBT，例如全新的650V IGBT4。如圖2所示， 600V IGBT3（快速）和650V IGBT4（軟度）在開(kāi)關(guān)性能方面差別明顯，采用
2018-12-07 10:16:11
描述 此設(shè)計(jì)采用帶 SiC-FET 的低成本初級(jí)側(cè)調(diào)整 (PSR) IC UCC28700，適用于 300VDC-800VDC 的輸入范圍。產(chǎn)生分別接地的四路輸出：25V/19W、25V/17W
2022-09-27 06:03:07
問(wèn)一下哪個(gè)產(chǎn)品或者產(chǎn)品系列的可以實(shí)現(xiàn)mesh network,多對(duì)多，全網(wǎng)絡(luò)拓?fù)?，可以跳頻？
2018-11-13 15:39:07
問(wèn)一下哪個(gè)產(chǎn)品或者產(chǎn)品系列的可以實(shí)現(xiàn)mesh network,多對(duì)多，全網(wǎng)絡(luò)拓?fù)洌梢蕴l？？
2018-11-13 15:41:45
電阻和高達(dá)650V的阻斷電壓。這種的器件還具備極低的反向恢復(fù)電荷和結(jié)實(shí)耐用的內(nèi)置體二極管。數(shù)據(jù)表規(guī)范中將提供全新的Qrr 和trr最大值。我們還評(píng)估了這種新器件在典型HID半橋電路應(yīng)用中的性能：省去4個(gè)
2018-12-03 13:43:55
微電子供應(yīng)svf7n65f場(chǎng)效應(yīng)管7a 650v mos管封裝TO-220F提供svf7n65f參數(shù)詳細(xì)參數(shù)、規(guī)格書(shū)等，是士蘭微MOS代理商，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料
2022-03-30 15:41:09
UF3C065080B7S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065080B7S 650 V、85 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開(kāi) SiC
2023-05-11 20:38:23
UF3SC065030B7S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3SC065030B7S 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開(kāi) SiC JFET
2023-05-12 14:35:49
UF3SC065040B7S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3SC065040B7S 650 V、42 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開(kāi) SiC JFET
2023-05-12 14:41:53
Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETUnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC是一款高性能系列產(chǎn)品，提供業(yè)界最佳
2024-02-26 19:40:31
UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封裝中的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC / Qorvo UF3C SiC FET
2024-02-26 19:57:09
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢(shì)（如低導(dǎo)通電阻和低容性開(kāi)關(guān)損耗）與輕松控制的開(kāi)關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261671 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結(jié)型肖特基勢(shì)壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371290 美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型（NPT）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）產(chǎn)品，備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT產(chǎn)品系列專為嚴(yán)苛環(huán)境工作而設(shè)計(jì)，尤其適用于太陽(yáng)能逆變器、焊接機(jī)和開(kāi)關(guān)電源等工業(yè)產(chǎn)品。
2013-08-19 16:08:18862 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC） 擴(kuò)展碳化硅（SiC）肖特基產(chǎn)品系列，推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列，新型二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)包括太陽(yáng)能逆變器的大功率工業(yè)應(yīng)用。
2013-10-30 16:09:57856 東芝公司旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過(guò)添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴(kuò)大其650V碳化硅（SiC）肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴(kuò)大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)。
2014-06-09 10:33:26731 
碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布擴(kuò)展UF3C FAST產(chǎn)品系列，并推出采用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅
2019-01-01 10:33:003613 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 2020年7月4日 華潤(rùn)微電子（CR MICRO）正式向市場(chǎng)投入1200V 和650V 工業(yè)級(jí)SiC肖特基二極管功率器件產(chǎn)品系列，與此同時(shí)宣布國(guó)內(nèi)首條6英寸商用SiC晶圓生產(chǎn)線正式量產(chǎn)。 華潤(rùn)微電子
2020-07-04 22:28:507770 為電源設(shè)計(jì)選擇初始半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)可能是一件繁雜的工作。UnitedSiC的新FET-Jet CalculatorTM可以簡(jiǎn)化這項(xiàng)工作并準(zhǔn)確預(yù)測(cè)系統(tǒng)性能。
2021-03-19 09:42:401891 前言背景： 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:202346 
UnitedSiC SiC FET用戶手冊(cè)
2021-09-07 18:00:13
17 TP650H070L系列650V，72m? 氮化鎵（GaN）FET是常關(guān)器件。它們結(jié)合了最先進(jìn)的技術(shù)高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技術(shù)。
2022-03-31 15:03:3510 2020年 750V第四代SiC FET 誕生時(shí)，它與650V第三代器件的比較結(jié)果令人吃驚，以 6毫歐 器件為例，品質(zhì)因數(shù)RDS?A降了近一半，由于體二極管反向恢復(fù)能量，動(dòng)態(tài)損耗也降了近一半。關(guān)閉
2022-05-23 17:31:29947 UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。
2022-06-06 09:33:573457 
650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場(chǎng)包括光伏和儲(chǔ)能、驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報(bào)告，電動(dòng)汽車充電市場(chǎng)的增長(zhǎng)將非常強(qiáng)勁，高達(dá)59%。
2022-08-02 15:06:55614 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 
UnitedSiC（現(xiàn)為Qorvo）擴(kuò)展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過(guò)采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝
2022-08-01 12:14:081068 表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被?Qorvo?收購(gòu)）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開(kāi)關(guān)損耗
2022-09-23 16:44:35576 
UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器讓為功率設(shè)計(jì)選擇SiC FET和SiC肖特基二極管變得輕而易舉。設(shè)計(jì)工程師只需：
2022-10-11 09:03:28556 UnitedSiC（現(xiàn)已被Qorvo收購(gòu)）750V UJ4C/SC SiC FET，采用D2PAK-7L封裝。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC FET），借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開(kāi)關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時(shí)提高系統(tǒng)功率密度。
2022-10-27 16:33:29739 Wolfspeed 新款車規(guī)級(jí) E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設(shè)計(jì)人員滿足 EV 車載充電機(jī)應(yīng)用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
2022-11-07 09:59:21917 比較SiC開(kāi)關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢(shì)，但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC FET相比，它的潛在損耗較高，整體效率低。
2022-11-14 09:05:17663 CleanWave200采用UnitedSiC共源共柵FET，能夠在100kHz的頻率下實(shí)現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效，且每個(gè)開(kāi)關(guān)位置并聯(lián)三個(gè)器件。
2022-12-12 09:25:09446 在電源轉(zhuǎn)換這一語(yǔ)境下，性能主要?dú)w結(jié)為兩個(gè)互為相關(guān)的值：效率和成本。仿真結(jié)果和應(yīng)用實(shí)例表明，SiC FET 可以顯著提升電源轉(zhuǎn)換器的性能。了解更多。 這篇博客文章最初由 United Silicon
2023-02-08 11:20:01403 ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速開(kāi)關(guān)型）”共21種機(jī)型，該系列產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的低傳導(dǎo)損耗和高速開(kāi)關(guān)特性，并大大減少了開(kāi)關(guān)時(shí)的過(guò)沖。
2023-02-09 10:19:25723 
ROHM一直專注于功率元器件的開(kāi)發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:05515 
ROHM一直專注于功率元器件的開(kāi)發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:05434 
采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:212 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020 采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:495 650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 比較SiC開(kāi)關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢(shì)，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。
2023-02-21 09:24:56592 
仿真器可以提供許多信息，但無(wú)法告知哪些功率晶體管可以優(yōu)化您的設(shè)計(jì)，也無(wú)法確定晶體管在特定應(yīng)力水平下是否會(huì)損壞。這就是在線 FET-Jet 計(jì)算器的優(yōu)勢(shì)所在。閱讀本博客，了解該軟件如何簡(jiǎn)化器件選擇以及
2023-05-17 12:05:02259 
進(jìn)行功率設(shè)計(jì)時(shí)，如何選擇合適的部件可能非常棘手，有時(shí)還讓人極度煩惱。對(duì)于 SiC FET 和 SiC 肖特基二極管，利用 FET-Jet 計(jì)算器（第 2 版）可以幫您免除盲目猜測(cè)的煩惱。閱讀
2023-05-19 13:45:02291 
Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:57300 Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
潤(rùn)新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34688 ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)來(lái)提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD
2023-06-19 15:09:18273 
新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應(yīng)加熱半橋評(píng)估板采用新一代650V逆導(dǎo)型R6系列IGBT和SOI技術(shù)的EiceDRIVERIGBT驅(qū)動(dòng)器，產(chǎn)品針對(duì)100kHz的諧振開(kāi)關(guān)應(yīng)用感應(yīng)
2022-03-01 09:32:40558 
圖騰柱功率系數(shù)校正電路一直是個(gè)構(gòu)想，許多工程師都在尋找能夠有效實(shí)現(xiàn)這一構(gòu)想的技術(shù)。如今，人們發(fā)現(xiàn) SiC FET 是能讓該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)發(fā)揮最大優(yōu)勢(shì)的理想開(kāi)關(guān)。了解應(yīng)對(duì)方式。 這篇博客文章最初
2023-06-21 09:10:02212 
圳市森國(guó)科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27521 
）—— “ TRSxxx65H 系列” 。首批12款產(chǎn)品（均為650V）中有7款產(chǎn)品采用TO-220-2L封裝，其余5款采用DFN8×8封裝，于今日開(kāi)始支持批量出貨。 新產(chǎn)品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種
2023-07-13 17:40:02184 
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國(guó)科正式對(duì)外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
Ω? ? 650V? ?? ? SOP7? ?? ?? ?? ?? ? SIC9773? ?? ?0.9? ?? ?? ?4.5Ω? ? 650V? ?? ? SOP7/DIP7
2023-08-24 09:53:37264 聯(lián)合SiC的FET-Jet計(jì)算器 — — 從SIC FET選擇中得出猜算結(jié)果
2023-09-27 15:15:17499 
額外的650和1200V SiC SBD型號(hào)滿足當(dāng)今交通、可再生能源和工業(yè)系統(tǒng)的功率密度要求。 Bourns宣布，它在現(xiàn)有的碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)產(chǎn)品系列中增加了十種新的變體
2023-10-13 17:06:38866 供應(yīng)SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS，提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-11-02 15:17:061 還沒(méi)使用SiC FET？快來(lái)看看本文，秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢(shì)！
2023-11-29 16:49:23277 
UnitedSiC SiC FET用戶指南
2023-12-06 15:32:24172 
近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過(guò)了嚴(yán)苛的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡(jiǎn)便，損耗更低的特點(diǎn)。
2024-01-16 10:16:24770 
3月8日，瞻芯電子開(kāi)發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38287 
近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過(guò)了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過(guò)了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07187 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:20:580
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