采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的,用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻,并提高M(jìn)OS管開關(guān)速度,基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
解決這些問題來的。這款600V、4A輸出的驅(qū)動(dòng)器,用更強(qiáng)的抗干擾、更高的效率以及更簡潔的高邊驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),能讓高壓驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)變得更省心、更可靠。它主要有哪些特點(diǎn)?
扛得住干擾,穩(wěn)得住高壓:能承受600V
2026-01-04 08:59:29
新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開關(guān)損耗與低通態(tài)電阻等優(yōu)勢(shì),同時(shí)有助于優(yōu)化系統(tǒng)成本。該系列400V
2025-12-31 09:05:13
326 
邊驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),以更少的元件實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定高效的高壓驅(qū)動(dòng)。核心特性
高集成度設(shè)計(jì):芯片內(nèi)部集成了自舉二極管,省去了外部添加該分立器件的需要,簡化了電路布局并提升了可靠性。
高壓耐受與強(qiáng)抗擾:支持最高600V
2025-12-31 08:22:18
終止(TrenchFSII)技術(shù)的600V、7AIGBT。該器件集低損耗、高開關(guān)頻率與良好的溫度穩(wěn)定性于一身,為各類中功率變頻與能源轉(zhuǎn)換應(yīng)用提供了優(yōu)質(zhì)解決方案。核
2025-12-25 16:57:49
685 
在工業(yè)自動(dòng)化升級(jí)浪潮下,變頻器作為核心控制設(shè)備,對(duì)關(guān)鍵元器件的穩(wěn)定性、適配性提出更高要求。其中,600V快恢復(fù)二極管作為變頻器整流、續(xù)流回路的核心器件,長期依賴進(jìn)口型號(hào),BYV26C便是該領(lǐng)域的傳統(tǒng)
2025-12-23 14:43:34
948 
在工業(yè)電機(jī)、新能源逆變器或大功率電源中,驅(qū)動(dòng)電路的可靠性直接決定整體性能。面對(duì)高壓環(huán)境下的噪聲干擾、開關(guān)損耗以及高邊驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)復(fù)雜等實(shí)際挑戰(zhàn),SiLM22868提供了一種扎實(shí)的解決方案。這款600V
2025-12-23 08:36:15
由于QDPAK封裝是英飛凌新一代大功率產(chǎn)品的表貼頂部散熱產(chǎn)品,其安裝方式有所不同,所以針對(duì)其安裝方式做一些詳細(xì)的介紹。如下圖,英飛凌針對(duì)600V以上高壓器件推出了HDSOP封裝系列(D-DPAK
2025-12-22 18:26:28
222 
探秘PROFET? Load Guard BTG7090 - 2EPL:智能高端功率開關(guān)的卓越表現(xiàn) 在電子設(shè)計(jì)的廣闊領(lǐng)域中,功率開關(guān)是不可或缺的關(guān)鍵組件。今天,我們將深入探討英飛凌的PROFET
2025-12-21 11:15:05
575 EiceDRIVER? Power 2EP1xxR:全橋變壓器驅(qū)動(dòng)家族的卓越之選 在電子工程領(lǐng)域,對(duì)于IGBT和SiC MOSFET等開關(guān)器件的柵極驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì),一直是追求高效、穩(wěn)定和安全的關(guān)鍵環(huán)節(jié)
2025-12-20 11:10:12
604 探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù):從原理到應(yīng)用 在電子工程領(lǐng)域,功率MOSFET技術(shù)的不斷創(chuàng)新推動(dòng)著各類電力電子設(shè)備向更高效率、更高功率密度和更高系統(tǒng)可靠性邁進(jìn)。英飛凌作為行業(yè)的領(lǐng)軍者
2025-12-20 10:35:06
517 BTS50007-1LUA:高性能12V智能高端功率開關(guān)的深度解析 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,功率開關(guān)的性能和可靠性對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性起著至關(guān)重要的作用。今天,我們要深入探討的是英飛凌(Infineon
2025-12-20 09:30:02
550 探索高電流功率分配開關(guān)單元(HC - PDU)參考設(shè)計(jì):從原理到應(yīng)用 在電子工程領(lǐng)域,高電流功率分配開關(guān)單元(HC - PDU)的設(shè)計(jì)與應(yīng)用一直是備受關(guān)注的焦點(diǎn)。今天,我們就來深入探討基于無芯霍爾
2025-12-19 16:50:15
500 英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開關(guān)板:技術(shù)解析與應(yīng)用前景 在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是不可或缺的關(guān)鍵元件。英飛凌推出的雙柵極MOSFET
2025-12-19 15:20:03
225 系統(tǒng)中MOS晶體管或IGBT等功率器件的全橋驅(qū)動(dòng)器,最大阻斷電壓可達(dá)+650V。該家族基于SOI(硅絕緣體)技術(shù),在瞬
2025-12-19 14:50:06
183 不久前推出的QDPAK封裝也是目前英飛凌量產(chǎn)的封裝中最大尺寸的頂部散熱產(chǎn)品。QDPAK封裝目前包含600V,650V,750V,1200V電壓等級(jí)的SiCMOSFE
2025-12-18 17:08:27
542 
探索英飛凌TLE4960x磁開關(guān):功能、特性與應(yīng)用詳解 作為一名資深電子工程師,在硬件設(shè)計(jì)開發(fā)的道路上,不斷探索和使用先進(jìn)的電子元件是提升設(shè)計(jì)水平的關(guān)鍵。今天,我們就來深入探討英飛凌
2025-12-18 15:40:09
184 ? 7優(yōu)化40V功率MOSFET.pdf 一、產(chǎn)品概述 英飛凌的OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET系列,采用了最新的電機(jī)驅(qū)動(dòng)優(yōu)化技術(shù)。該系列產(chǎn)品主要面
2025-12-18 14:30:06
185 600V、160 mΩ、18A 的 X2 - Class 功率 MOSFET,采用了 Co - Pack FRED 二極管升壓配置。它適用于多種應(yīng)用場景,如功率因數(shù)校正(PFC)、開關(guān)模式電源(SMPS)以及不間斷電源(
2025-12-16 10:15:06
146 ——DPF120C600HB,看看它有哪些獨(dú)特的特性和應(yīng)用場景。 文件下載: Littelfuse DPF120C600HB快速恢復(fù)二極管.pdf 一、產(chǎn)品概述 DPF120C600HB是一款耐壓600V、電流2
2025-12-15 17:20:02
352 高壓濾波車規(guī)電容在600V耐壓條件下的應(yīng)用與換電站接口電壓穩(wěn)定性保障 隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,換電模式作為重要的能源補(bǔ)給方式正獲得廣泛應(yīng)用。在換電站系統(tǒng)中,高壓濾波電容作為關(guān)鍵電子元件,其性能
2025-12-05 15:11:03
269 在工業(yè)電機(jī)、新能源逆變器等高功率應(yīng)用的設(shè)計(jì)中,你是否也在高壓驅(qū)動(dòng)的門檻前反復(fù)權(quán)衡?
如果你的電路需要在最高600V的母線電壓下工作,驅(qū)動(dòng)大功率MOSFET或IGBT,什么樣的門極驅(qū)動(dòng)器才能在高頻開關(guān)
2025-12-03 08:25:35
P6KE9.1A單向 TVS瞬態(tài)抑制二極管:600W峰值功率9.1V單向電壓參數(shù)規(guī)格介紹
2025-11-26 13:51:47
812 
11月25日,英飛凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模塊榮獲2025年全球電子成就獎(jiǎng)(WorldElectronicsAchievementAwards)年度功率半導(dǎo)體
2025-11-26 09:32:50
568 
鈞敏科技主推之一的PT5606/PT5607 600V 高壓柵極驅(qū)動(dòng) IC,憑借高耐壓、強(qiáng)驅(qū)動(dòng)、全保護(hù)的核心優(yōu)勢(shì),成為高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)選方案。
2025-11-24 15:55:20
1808 一、概述:高性能半橋驅(qū)動(dòng)SLM2181CA-DG是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器,具備獨(dú)立的高邊和低邊參考輸出通道。核心優(yōu)勢(shì)在于600V的高耐壓能力、450mA/950mA的非對(duì)稱
2025-11-21 08:35:25
與驅(qū)動(dòng)600V工作電壓,2.5A拉電流/3.5A灌電流
開關(guān)性能10ns上升/8ns下降時(shí)間,匹配傳輸延時(shí)
電源管理10V~20V驅(qū)動(dòng)電源,欠壓鎖定(UVLO)
邏輯兼容性3.3V/5V輸入邏輯
2025-11-20 08:47:23
Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和極快整流器將低導(dǎo)通和低開關(guān)損耗完美結(jié)合在一起。該整流器設(shè)計(jì)用于提高高頻轉(zhuǎn)換器和軟開關(guān)或諧振設(shè)計(jì)的效率。Gen 5 600V超快和極快整流器與采用SOT-227封裝的銅基板隔離,有助于構(gòu)建常見散熱片和緊湊型組件。
2025-11-14 17:12:22
1224 
2025年,“2000V”成為光伏與儲(chǔ)能領(lǐng)域的熱詞。繼600V、1000V、1500V之后,行業(yè)正加速邁向更高電壓平臺(tái)。隨著器件耐壓、絕緣與標(biāo)準(zhǔn)體系的完善,更高母線電壓正成為提升功率密度與系統(tǒng)經(jīng)濟(jì)性的關(guān)鍵方向。
2025-11-05 09:26:13
6221 
仁懋電子(MOT)推出的MOT65R600F是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性,廣泛適用于功率因數(shù)校正(PFC)、開關(guān)模式電源(SMPS
2025-10-31 17:28:48
199 
【2025年10月24日, 德國慕尼黑訊】 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)通過增加頂部散熱(TSC)的TOLT封裝
2025-10-31 11:00:59
297 STMicroelectronics STTH30RQ06L2超快高壓整流器采用HU3PAK封裝,是一款采用ST 600V技術(shù)的600V、30A器件。該器件具有高結(jié)溫能力和超快開關(guān)速度。STMicroelectronics STTH30RQ06L2非常適合用作二次側(cè)整流二極管的應(yīng)用。
2025-10-27 15:13:18
398 
CoolGaN汽車晶體管和雙向開關(guān)。 ? 英飛凌氮化鎵業(yè)務(wù)線負(fù)責(zé)人Johannes Schoiswohl表示:“我們的100V氮化鎵汽車晶體管解決方案以及即將擴(kuò)展到高壓范圍的產(chǎn)品組合是開發(fā)汽車應(yīng)用節(jié)能可靠功率
2025-10-24 09:12:11
9040 ? Cortex?-M0 + CPU的STM32G031x8x3 MCU。該器件還包括一個(gè)600V三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)smartSD比較器,用于快速過載和過流保護(hù)。該控制器集成了高壓自舉二極管、防交叉
2025-10-22 11:29:19
4442 
和IGBT器件的可靠驅(qū)動(dòng),助力高壓功率器件實(shí)現(xiàn)可靠且高效的運(yùn)行。
寬電壓耐受,驅(qū)動(dòng)更可靠
1. 600V母線電壓支持:適配工業(yè)開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高壓應(yīng)用場景,穩(wěn)定應(yīng)對(duì)高電壓波動(dòng)。
2. 20V VCC寬
2025-10-21 09:09:18
PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開關(guān)器件能夠提供增強(qiáng)的動(dòng)態(tài)均流功能,專為需要并聯(lián)多個(gè)匹配MOSFET的高功率48 V應(yīng)用設(shè)計(jì)。此類應(yīng)用涵蓋叉車、電動(dòng)滑板車、代步設(shè)備等電動(dòng)交通工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),或高功率工業(yè)電機(jī)。
2025-10-10 11:22:27
700 9 月 28 日消息,兩家重要功率半導(dǎo)體企業(yè)德國英飛凌 Infineon 和日本羅姆 ROHM 本月 25 宣布雙方就建立碳化硅 (SiC) 功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。 根據(jù)這份協(xié)議,雙方
2025-09-29 18:24:36
1709 
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)宣布,與英飛凌科技股份公司(總部位于德國諾伊比貝格,以下簡稱“英飛凌”)就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。雙方旨在對(duì)應(yīng)用于車載充電器、太陽能
2025-09-29 10:46:22
303 包括PSS30SF1F6(額定電流30A / 額定電壓600V)和PSS50SF1F6(額定電流50A / 額定電壓600V)。
2025-09-24 10:39:48
916 
【2025年9月18日,德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)與金風(fēng)科技股份有限公司近日宣布深化其合作,為風(fēng)力發(fā)電
2025-09-18 17:13:45
1151 
風(fēng)力發(fā)電實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的電力傳輸。英飛凌將為金風(fēng)科技提供搭載.XT技術(shù)的XHP? 2 1700 V IGBT5功率模塊,提升金風(fēng)科技GW 155-4.5 MW構(gòu)網(wǎng)型風(fēng)機(jī)的能源效率。英飛凌的功率模塊憑借其高功率密度、高可靠性和高穩(wěn)定性優(yōu)勢(shì),確保風(fēng)能系統(tǒng)長久運(yùn)行。通過優(yōu)化能源效率,這些模塊有助于
2025-09-18 16:42:53
858 
“超結(jié)”技術(shù)憑借其優(yōu)異的性能指標(biāo),長期主導(dǎo)著耐壓超過600V的功率MOSFET市場。本文闡述了工程師在應(yīng)用超結(jié)功率器件時(shí)需關(guān)注的關(guān)鍵問題,并提出了一種優(yōu)化解決方案,可顯著提升電源應(yīng)用的效率、功率密度及可靠性。
2025-09-11 16:21:51
44296 
SiLM2234 600V半橋門極驅(qū)動(dòng)器,支持290mA拉電流和600mA灌電流輸出能力,專為高壓、高功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),內(nèi)部集成自舉二極管,顯著簡化外部電路設(shè)計(jì),具備優(yōu)異的抗負(fù)向
2025-09-11 08:34:41
在工業(yè)電機(jī)控制、新能源逆變器及大功率開關(guān)電源等高壓應(yīng)用領(lǐng)域,系統(tǒng)設(shè)計(jì)長期面臨著高壓干擾、驅(qū)動(dòng)效率低下以及高邊驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)復(fù)雜的核心痛點(diǎn)。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),600V半橋門極驅(qū)動(dòng)芯片SiLM2285
2025-09-05 08:31:35
國硅集成NSG2153D 600V自振蕩半橋MOSFET/IGBT電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片一、概述NSG2153D是一款高壓、高速功率MOSFET自振蕩半橋驅(qū)動(dòng)芯片。NSG2153D其浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高低側(cè)N
2025-09-04 10:10:41
在工業(yè)高壓電源系統(tǒng)中,電解電容作為關(guān)鍵元器件,其性能直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。冠坤電解電容600V高耐壓系列憑借其卓越的性能和穩(wěn)定的表現(xiàn),成為高壓電路中的"扛把子",為工業(yè)高壓電源系統(tǒng)提供
2025-09-02 15:44:42
630 在跨國工業(yè)供電、數(shù)據(jù)中心及精密設(shè)備場景中,電壓不匹配與電網(wǎng)干擾是核心痛點(diǎn)——美國本土常見的600V級(jí)電網(wǎng)(480V線電壓)與全球通用的380V工業(yè)電機(jī)、208V服務(wù)器、220V精密儀器存在電壓壁壘
2025-08-27 10:42:19
799 
: SLM2184SCA-13GTR的核心價(jià)值在于其高集成度(SOP8小封裝)、高壓能力(600V)、強(qiáng)勁的驅(qū)動(dòng)電流(950mA) 以及內(nèi)置的智能保護(hù)功能(死區(qū)時(shí)間、UVLO、關(guān)斷引腳)。它為開發(fā)緊湊、可靠的高壓功率驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)提供了一個(gè)高效的單芯片解決方案。#SLM2184 #高壓半橋驅(qū)動(dòng) #半橋驅(qū)動(dòng) #門極驅(qū)動(dòng)
2025-08-26 09:15:40
逆變器、UPS不間斷電源
工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率驅(qū)動(dòng)部分
總結(jié)SiLM2186CA-DG (SOP8) 是一款在性能、可靠性和兼容性方面表現(xiàn)均衡的高壓半橋驅(qū)動(dòng)器,600V耐壓、3A灌電流能力
2025-08-23 09:36:06
600-650V功率器件是Si SJ MOS(又稱Si 超結(jié)MOS),SiC MOS和GaN HEMT競爭最為激烈的產(chǎn)品區(qū)間,其典型應(yīng)用為高頻高效高功率密度電力電子。通過對(duì)比分析Infineon
2025-08-16 16:29:14
3553 
升/下降時(shí)間及170ns典型傳播延遲,顯著降低開關(guān)損耗,提升高頻應(yīng)用下的轉(zhuǎn)換效率和功率密度。
高邊直驅(qū)設(shè)計(jì): 獨(dú)特的浮動(dòng)通道設(shè)計(jì),支持直接驅(qū)動(dòng)600V高邊N溝道MOSFET/IGBT,無需額外隔離電源
2025-08-08 08:46:25
:SLM21867CA-DG是一款高壓(600V)、高速的功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器,專為驅(qū)動(dòng)半橋或類似拓?fù)渲械母哌吅偷瓦?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)而設(shè)計(jì)。其最大亮點(diǎn)在于直接兼容替代IRS21867S,且封裝同為緊湊的SOP8
2025-07-29 08:46:54
、接觸器、電機(jī)控制器等多種場景,為電路提供可靠的保護(hù)。該產(chǎn)品具備快速響應(yīng)特性,能在電路出現(xiàn)過載或短路情況時(shí)迅速切斷電路,有效保障用電安全。其額定電壓為 600V A
2025-07-16 08:48:52
。該產(chǎn)品具備快速響應(yīng)特性,能在電路出現(xiàn)過載或短路情況時(shí)迅速切斷電路,有效保障用電安全。其額定電壓涵蓋 300V AC 和 600V AC,額定電流范圍覆蓋 1A-
2025-07-16 08:44:40
具備快速響應(yīng)特性,能在電路出現(xiàn)過載或短路情況時(shí)迅速切斷電路,有效保障用電安全。其額定電壓涵蓋 600V AC 和 600V DC,額定電流范圍為 0.1-30A,分
2025-07-14 11:34:41
大功率器件,有效降低關(guān)斷損耗,提升系統(tǒng)效率。
超低延遲與失真: 最大傳輸延遲僅120ns,器件間延遲匹配最大25ns,脈寬失真最大35ns。這確保了精準(zhǔn)的開關(guān)時(shí)序控制,對(duì)于高頻開關(guān)應(yīng)用和精確控制至關(guān)重要
2025-07-11 09:51:26
、驅(qū)動(dòng)效率以及高邊設(shè)計(jì)復(fù)雜度上捉襟見肘。SiLM2285 (SiLM228x系列) 600V/4A半橋門極驅(qū)動(dòng)器。讓我們一起拆解它的技術(shù)亮點(diǎn)和應(yīng)用價(jià)值。高壓高功率驅(qū)動(dòng)的三大核心痛點(diǎn):
抗干擾能力薄弱
2025-07-03 08:45:22
、 產(chǎn)生電壓尖峰
當(dāng)開關(guān)器件關(guān)斷時(shí),流經(jīng)開關(guān)器件的電流迅速下降,電流變化率di/dt很大。根據(jù):
其中,V為寄生電感產(chǎn)生的感應(yīng)電壓,L為寄生電感。
寄生電感會(huì)產(chǎn)生很高的感應(yīng)電壓,疊加在電源電壓上,導(dǎo)致
2025-07-02 11:22:49
600V/0.5A快恢復(fù)二極管
省去外部器件,BOM成本降低15%
負(fù)壓導(dǎo)致柵極擊穿
VS端耐受-7V瞬態(tài)電壓
電機(jī)堵轉(zhuǎn)時(shí)保護(hù)柵氧層完整性
地彈引起誤觸發(fā)
施密特觸發(fā)+ -5V邏輯容限
在焊接設(shè)備等強(qiáng)EMI
2025-06-25 08:34:07
英飛凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有業(yè)界領(lǐng)先的抗寄生導(dǎo)通能力和成熟的柵極氧化層技術(shù),可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬開關(guān)拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)卓越性能。
2025-06-20 14:44:26
970 捷捷微電其核心產(chǎn)品BTA16-600CW雙向可控硅成功應(yīng)用于徠芬新一代高速電吹風(fēng)SE02,成為該產(chǎn)品功率控制模塊的關(guān)鍵組件。該可控硅額定參數(shù)為16A/600V,采用TO-220封裝,具備高耐壓、強(qiáng)
2025-06-11 14:19:33
940 
? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 揚(yáng)杰科技近日推出了一款TO-220AB-1 600V 小功率可控硅產(chǎn)品。 核心優(yōu)勢(shì): 1.低導(dǎo)通壓降(VTM :減少功率損耗,提高能效,降低溫升
2025-06-04 12:05:44
46168 
,為什么要采用這種器件?答案是直截了當(dāng)?shù)模焊纳菩省T?b class="flag-6" style="color: red">器件在開關(guān)狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間間隔期間,既具有大電流,又具有高電壓;由于器件的工作速度更快,所以,所損耗的能量就較少。在許多應(yīng)用中,僅僅這個(gè)優(yōu)勢(shì)就足以補(bǔ)償較高
2025-06-03 15:39:43
? ? ? ?BDR6307B是一款耐壓600V的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片,內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸入處理電路、死區(qū)控制電路、電平位移電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路,用來驅(qū)動(dòng)雙 N型 MOS 半橋
2025-05-27 17:21:03
1 MOSFET高輸入阻抗與BJT低導(dǎo)通壓降,形成四層半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)(PNPN排列),支持600V以上高壓場景 ? 功能特性 ?:兼具高頻開關(guān)與高電流承載能力,導(dǎo)通功耗僅為傳統(tǒng)器件的1/5~1/10 ? SiC(碳化硅)功率器件 ? 第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的代表: ? 材料優(yōu)勢(shì) ?:禁帶寬度達(dá)3.3eV(硅的3倍)
2025-05-26 14:37:05
2284 內(nèi)容概要:HPD2606X是一款600V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù),能夠穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設(shè)計(jì)、抗dV/dt瞬態(tài)負(fù)電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:30
0 功率器件定義與核心特性 功率器件(Power Semiconductor Device)是電力電子領(lǐng)域的核心組件,特指直接處理電能的主電路器件,通過電壓、電流的變換與控制實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換、放大、開關(guān)
2025-05-19 09:43:18
1297 功率器件(MOSFET/IGBT) 是開關(guān)電源最核心的器件同時(shí)也是最容易損壞的器件之一。在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,功率器件的測試至關(guān)重要,主要包括開關(guān)損耗測試,Vds peak電壓測試以及Vgs驅(qū)動(dòng)波形測試
2025-05-14 09:03:01
1260 
,CoolSiC產(chǎn)品系列覆蓋了400V至3.3kV的電壓范圍,應(yīng)用領(lǐng)域包括汽車動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、光伏系統(tǒng)、儲(chǔ)能及高功率牽引逆變器等?,F(xiàn)在,英飛凌又憑借豐富的Si
2025-05-08 17:05:25
820 
在功率器件的世界里,開關(guān)損耗是一個(gè)繞不開的關(guān)鍵話題。
2025-05-07 13:55:18
1050 英飛凌憑借其高性能功率開關(guān)器件和EiceDRIVER列的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器而聞名,每個(gè)功率開關(guān)都需要驅(qū)動(dòng)器,對(duì)于驅(qū)動(dòng)器的選擇,英飛凌共有441個(gè)不同的型號(hào)(截止2025年1月16日),分別屬于非隔離型
2025-05-06 17:04:28
796 
?MOSFET器件以及EiceDRIVER?系列單通道磁隔離驅(qū)動(dòng)器等全套功率半導(dǎo)體解決方案,助力科士達(dá)大功率高頻UPS系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。英飛凌與科士達(dá)已共同攜手三十余年,
2025-04-16 10:26:26
826 
”(Super-Junction)結(jié)構(gòu),故又稱超結(jié)功率MOSFET。工作電壓600V~800V,通態(tài)電阻幾乎降低了一個(gè)數(shù)量級(jí),仍保持開關(guān)速度快的特點(diǎn),是一種有發(fā)展前途的高頻功率半導(dǎo)體器件。
IGBT剛出現(xiàn)時(shí),電壓、電流額定值
2025-04-09 15:02:01
新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列在600V等級(jí)中提供15A、20A和30A三個(gè)型號(hào),額定功率高達(dá)
2025-04-01 17:34:23
1257 
HPD2606X擁有配合自舉電路操作的浮動(dòng)通道設(shè)計(jì),可穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)的功率器件。HPD2606X能耐受負(fù)向瞬態(tài)電壓,抗dV/dt干擾。HPD2606X支持10V~20V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓,具備欠壓鎖定功能,可兼容3.3V、5V、15V邏輯電平。
2025-03-26 11:33:37
828 
隨著功率半導(dǎo)體IGBT,SiCMOSFET技術(shù)的發(fā)展和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)化,電平位移驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用場景越來越廣,電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅(qū)動(dòng)芯片電流可達(dá)+/-2.3A
2025-03-24 17:43:40
10957 
3月14日,?“2025?英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)”(ICIC?2025,以下同)在深圳舉行。本屆大會(huì)匯聚600多位業(yè)界精英,就AI、機(jī)器人、邊緣計(jì)算、氮化鎵應(yīng)用等話題展開了精彩探討,首次在
2025-03-17 16:08:17
529 
英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
2025-03-15 18:56:32
1135 擬選用的元器件規(guī)格:
MOS: 600V
輸出二極管耐壓:150V
開關(guān)頻率:100KHz
輸入輸出參數(shù)如下:
輸入:交流 185 - 265V
輸出: 12V 2A
2025-03-06 09:34:27
在工業(yè)生產(chǎn)和半導(dǎo)體設(shè)備運(yùn)行中,電網(wǎng)中的雜質(zhì)和諧波問題常常導(dǎo)致設(shè)備運(yùn)行不穩(wěn)定,甚至引發(fā)安全隱患。為了解決這一問題,卓爾凡電力科技有限公司推出600V變380V加拿大三相隔離變壓器,為您的設(shè)備提供高效
2025-03-05 08:58:06
577 
卓爾凡電力科技變壓器,當(dāng)進(jìn)口的加拿大380V半導(dǎo)體設(shè)備在國內(nèi)600V電網(wǎng)環(huán)境下運(yùn)行時(shí),電壓不匹配問題常常導(dǎo)致設(shè)備無法正常工作,甚至可能損壞設(shè)備。為解決這一難題,卓爾凡電力科技有限公司推出了600V變
2025-03-05 08:50:52
547 
## 600V變380V變壓器:CSA認(rèn)證,開啟工業(yè)設(shè)備出口新時(shí)代! 在全球化背景下,工業(yè)設(shè)備的出口已成為企業(yè)拓展國際市場的重要途徑。然而,不同國家的電壓標(biāo)準(zhǔn)差異一直是制約設(shè)備出口的關(guān)鍵因素之一
2025-03-03 15:30:41
698 
在工業(yè)電力系統(tǒng)中,變壓器的安全性和可靠性一直是核心關(guān)注點(diǎn)。隨著工業(yè)設(shè)備的國際化需求增加,電壓轉(zhuǎn)換設(shè)備的性能和安全性顯得尤為重要。卓爾凡電源推出的600V變380V無零線變壓器,憑借其創(chuàng)新的無零線
2025-03-03 15:25:48
674 
在全球化背景下,工業(yè)設(shè)備的國際化適配成為企業(yè)拓展海外市場的重要挑戰(zhàn)之一。尤其是在電力系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)差異顯著的地區(qū),如北美、歐洲和亞洲,電壓不匹配問題常常阻礙設(shè)備的順利出口。600V變380V變壓器憑借其
2025-03-03 15:23:03
628 
看英飛凌的OptiMOS 7系列產(chǎn)品。 ? 官網(wǎng)產(chǎn)品列表 來源:英飛凌 OptiMOS系列是英飛凌面向中低壓領(lǐng)域的產(chǎn)品,產(chǎn)品覆蓋10V到300V區(qū)間,主打一個(gè)高性能和高性價(jià)比。OptiMOS系列的特點(diǎn)包括極低的RDS(on)以及高效率和高功率密度,適合于較高開關(guān)頻率的應(yīng)用,像通信應(yīng)
2025-02-27 00:58:00
2676 
UCC27714 是一款 600V 高側(cè)、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 4A 灌電流能力,旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 或 IGBT。該器件由一個(gè)以地為參考的通道 (LO) 和一個(gè)浮動(dòng)通道
2025-02-26 10:52:53
1307 
。
輸入電流流經(jīng)內(nèi)部 1.8 mΩ 導(dǎo)體,該導(dǎo)體產(chǎn)生由集成霍爾效應(yīng)傳感器測量的磁場。這種結(jié)構(gòu)消除了外部集中器并簡化了設(shè)計(jì)。低導(dǎo)體電阻可最大限度地減少功率損耗和散熱。固有電流絕緣提供 600V 的終生
2025-02-25 16:24:09
1326 
的快速轉(zhuǎn)變率和高開關(guān)頻率能力中獲得顯著優(yōu)勢(shì),并由于其大的暴露熱墊而提高其熱性能,顯示出比其他流行的表面貼裝封裝(如to lead-Less和D2PAK)更好的功耗能力,這些封裝廣泛用于分立功率器件。通過
2025-02-25 10:36:39
1037 
近日,芯波微電子的50G線性突發(fā)模式跨阻放大器XB1251在客戶測試中得到業(yè)界一流性能。芯波微電子的突發(fā)模式跨阻放大器家族(XB12產(chǎn)品族)再添重要新成員!???
2025-02-24 17:21:48
1174 600V 變 380V 以及 600V 變 480V 的變壓器,憑借卓越性能與可靠品質(zhì),成為眾多行業(yè)的理想選擇。 CSA 認(rèn)證:品質(zhì)與安全的堅(jiān)實(shí)背書 CSA,即加拿大標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)認(rèn)證,在加拿大電氣設(shè)備市場擁有至高權(quán)威性。對(duì)于變壓器而言,獲得 CSA 認(rèn)證絕非易事。從設(shè)計(jì)
2025-02-21 14:56:40
797 
LMG342XEVM-04X具有兩個(gè)LMG342XR0X0 600-V GaN FET,采用半橋配置,具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,并具有所有所需的偏置電路和邏輯/功率電平轉(zhuǎn)換。基本的功率級(jí)和柵極驅(qū)動(dòng)
2025-02-21 11:10:42
822 
英飛凌FS03MR12A6MA1LB HybridPACK? Drive 是一款非常緊湊的六單元功率模塊 (1200V/400A),針對(duì)混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車進(jìn)行了優(yōu)化。
2025-02-20 18:07:18
2813 
英飛凌車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊FF300R08W2P2_B11A,這款750V模塊是英飛凌著名的“EasyPACK?”產(chǎn)品家族中的最新成員,它基于EDT2技術(shù),封裝形式為EasyPACK? 2B半橋
2025-02-20 17:52:39
2919 
BDR6307B 是一款耐壓 600V 的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片,內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸入處理電路、死區(qū)控制電路、電平位移電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路,用來驅(qū)動(dòng)雙 N 型 MOS 半橋。
BDR6307B 的邏輯
2025-02-20 10:22:03
英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計(jì)以及卓越的性能,榮獲2024年全球電子成就獎(jiǎng)
2025-02-08 11:24:57
891 
我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件,這相當(dāng)于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來了許多在普通5V或12V系統(tǒng)中不會(huì)出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。
2025-01-22 17:30:26
3078 
,將模塊打造得既美觀又實(shí)用。對(duì)稱的設(shè)計(jì),減少寄生電感,就像一對(duì)翅膀,讓模塊在開關(guān)過程中更加輕盈。M5 功率連接器,連接牢固可靠,就像一雙有力的手,為模塊提供了堅(jiān)實(shí)的
2025-01-17 18:01:21
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:48
1328 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)XD006H060CX1R3 (600V/6A) 芯達(dá)茂IBGT管,原裝現(xiàn)貨 XDM芯達(dá)茂 IGBT單管 - XD006H060CX1R3 (600V
2025-01-06 15:25:07
電壓范圍 : 150V、600V、1200V 電流范圍:達(dá)2000A 定電流、定電阻、定電壓及定功率操作模式 定電阻+定電流、定電阻+定電壓、定電流+定電壓等進(jìn)階操作模式 主/從并聯(lián)控制,并聯(lián)
2025-01-06 15:04:16
953 
評(píng)論