深入探討一下國際整流器公司（International Rectifier）推出的IR21592和IR21593這兩款調(diào)光鎮(zhèn)流器控制IC。 文件下載： IR21592PBF.pdf 一、產(chǎn)品概述
2025-12-30 17:25:19
422 （International IOR Rectifier）的IR2166系列芯片，看看它如何在PFC和鎮(zhèn)流器控制領(lǐng)域發(fā)揮獨(dú)特優(yōu)勢。 文件下載： IR2166PBF.pdf 一、芯片概述 IR2166是一款全面集成且具備
2025-12-24 17:25:09474 在工業(yè)自動化、新能源發(fā)電、電機(jī)驅(qū)動、開關(guān)電源等核心領(lǐng)域，平面MOSFET憑借其高頻特性、低導(dǎo)通損耗及高可靠性，成為功率轉(zhuǎn)換電路的核心器件。工業(yè)級應(yīng)用對電路效率、穩(wěn)定性及抗干擾能力的嚴(yán)苛要求，推動設(shè)計(jì)重點(diǎn)聚焦于低Rds(on)器件精準(zhǔn)匹配、高效散熱優(yōu)化及EMI（電磁干擾）抑制三大核心維度。
2025-12-24 10:12:08113 
PLN 系列平面變壓器：特性、規(guī)格與應(yīng)用解析 在電子工程領(lǐng)域，變壓器是眾多電路中不可或缺的關(guān)鍵組件。今天我們要深入探討的是 Bourns 公司的 PLN 系列平面變壓器，它在諸多應(yīng)用場景中展現(xiàn)出
2025-12-23 18:30:021035 25W平面DC - DC變壓器：PLR系列的卓越之選 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，電源轉(zhuǎn)換是一個(gè)核心問題，而變壓器作為電源轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵元件，其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。今天，我們就來深入了解一下
2025-12-23 14:25:02158 PLN0xx - ER20 系列平面變壓器：技術(shù)剖析與應(yīng)用指南 在電子工程領(lǐng)域，變壓器是不可或缺的重要元件，而今天我們要深入探討的是 Bourns 公司的 PLN0xx - ER20 系列平面變壓器
2025-12-23 13:55:13153 轉(zhuǎn)換效率也越高。從早期的平面結(jié)構(gòu)到如今的超結(jié)和屏蔽柵結(jié)構(gòu)，功率MOSFET的幾次結(jié)構(gòu)迭代，本質(zhì)上都是一場圍繞“提升開關(guān)頻率”的優(yōu)化革命。
2025-12-19 09:26:481436 
加快等。今天就結(jié)合我們25年的實(shí)操經(jīng)驗(yàn)，分享一些具體的方法，幫助大家做好這一步，確保裝配直線導(dǎo)軌時(shí)安裝面平面度符合公差要求。 首先，我們要明確HIWIN直線導(dǎo)軌對安裝面平面度的要求。不同系列的導(dǎo)軌，平面度公差不同：比如HG系列
2025-12-18 16:47:31161 
探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET：電機(jī)驅(qū)動的新突破 在電子工程師的日常工作中，為電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)挑選合適的MOSFET至關(guān)重要。英飛凌最新推出的OptiMOS? 7 40V N
2025-12-18 14:30:06185 ：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出 MMIX1T500N20X4 X4級超級結(jié)功率MOSFET。這款200 V、480 A
2025-12-12 11:40:40376 
Amphenol ICC MRD系列堅(jiān)固圓形鎖定連接器：工業(yè)應(yīng)用的理想之選 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，選擇合適的連接器至關(guān)重要。今天，我們就來詳細(xì)了解一下Amphenol ICC的MRD系列堅(jiān)固
2025-12-12 11:35:03338 RECOM 推出的 RACPRO1-RD40 是一款高性價(jià)比的新型 DIN 導(dǎo)軌冗余模塊，該模塊集成了一對 MOSFET 及其控制電路，構(gòu)造成高效門控二極管結(jié)構(gòu)。這使得 RECOM 的 DIN 導(dǎo)軌
2025-12-03 18:12:301161 在電力電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，IGBT和MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其驅(qū)動電路的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。今天，我們就來深入探討一下安森美（onsemi）推出的NCx57080y和NCx57081y系列高電流單通道IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器。
2025-12-01 14:29:16466 
Wolfspeed 宣布推出最新的車規(guī)級 1200 V E4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于業(yè)界領(lǐng)先的第四代 (Gen 4) 技術(shù)平臺開發(fā)， 為汽車車載充電器、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電子壓縮機(jī)和加熱與冷卻系統(tǒng)等應(yīng)用提供了優(yōu)異的性能。
2025-11-30 16:14:51658 Wolfspeed 宣布推出最新的工業(yè)級 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于業(yè)界領(lǐng)先的第四代 (Gen 4) 技術(shù)平臺開發(fā)，為硬開關(guān)應(yīng)用提供了優(yōu)異的性能。
2025-11-30 16:13:27564 說明？
回復(fù)：平面工藝和溝槽Trench工藝功率MOSFET管經(jīng)過放大區(qū)時(shí)都有負(fù)溫度系數(shù)特性，在完全導(dǎo)通的穩(wěn)態(tài)條件下，RDS(on)才是正溫度系數(shù)特性，可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)態(tài)的電流均流。但是，在在動態(tài)開通
2025-11-19 06:35:56
Vishay / Techno TR厚膜平面電阻器是一套通孔和高壓解決方案。這些電阻器具有3000V電壓和超低電壓系數(shù)，在惡劣條件下具有出色的穩(wěn)定性。Vishay / Techno TR厚膜平面電阻器非常適合用于需要在使用高電壓的環(huán)境下運(yùn)行的應(yīng)用。
2025-11-14 16:07:33370 
Vishay / Techno FHV徑向厚膜平面電阻器是一套通孔、徑向引線和高壓解決方案。這些電阻器采用無感設(shè)計(jì)，具有匹配組和比例分頻器。Vishay/Techno FHV徑向厚膜平面電阻器具有 ±200ppm/°C標(biāo)準(zhǔn)的低TCR和 ±10%、 ±5%、 ±2%或 ±1%的標(biāo)準(zhǔn)容差。
2025-11-14 15:52:07395 
為滿足嚴(yán)苛應(yīng)用需求，全新堅(jiān)固型電阻器提供廣泛的阻值范圍，并提供多款封裝尺寸及引腳配置選項(xiàng) 2025年1 1 月 5 日 - Bourns 全球知名電源、保護(hù)和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，推出
2025-11-05 15:39:277053 
工業(yè)自動化制造商現(xiàn)提供熱門氣動產(chǎn)品的CAD和 PDF即時(shí)在線訪問服務(wù)
氣動執(zhí)行器創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者M(jìn)otion Controls公司為其廣受歡迎的D系列氣缸推出了新的在線配置器，使工程師能夠立即訪問
2025-10-29 12:51:14
Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，為旗下不斷擴(kuò)充的應(yīng)用專用MOSFET (ASFET)產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品。ASFET系列的產(chǎn)品特性經(jīng)優(yōu)化調(diào)校，可滿足特定終端應(yīng)用的嚴(yán)苛需求。其中，80 V
2025-10-10 11:22:27700 基礎(chǔ)，將其定位為平面柵碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)的一次重要演進(jìn)，其目標(biāo)不僅在于追趕，更在于在特定性能維度上超越市場現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代（B3M）平臺概述 B3M系列是基本半導(dǎo)體推出的第三代
2025-10-08 13:12:22499 
Bourns 推出全新 Riedon 系列功率電阻。此系列采用緊湊型 TO-247 封裝，具備堅(jiān)固耐用、高功率的厚膜電阻特性，能在搭配散熱器時(shí)提供高達(dá) 100 W 的輸出功率，并可承受最高 700
2025-09-17 14:37:11678 基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎(chǔ)上，通過創(chuàng)新的模塊設(shè)計(jì)顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。
2025-09-15 16:53:03976 
平面以太網(wǎng)配線架(直口配線架)因其結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉和部署靈活等特點(diǎn)，在特定場景下具有顯著優(yōu)勢。以下是其主要優(yōu)點(diǎn)及詳細(xì)分析： 1. 成本效益顯著 采購成本低：平面配線架的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝相對簡單，無需
2025-09-15 10:04:24402 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日推出40-100 V汽車MOSFET產(chǎn)品組合，該系列采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)微引腳封裝，專為車身控制、信息娛樂、電池防反保護(hù)及LED照明應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-09-12 09:38:45630 推動著這一理念的發(fā)展。 有人可能認(rèn)為，堅(jiān)固型和嵌入式計(jì)算應(yīng)用不需要最小、最密或最快的互連。就數(shù)據(jù)中心224 Gbps PAM4（448 Gbps PAMx 即將推出）的前沿水平而言，這可能是正確的。然而，當(dāng)前運(yùn)行于PCIe 3.0（8 Gbps）或 PCIe 4.0（16 Gbps）的堅(jiān)固型應(yīng)
2025-09-10 11:36:491998 
1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401034 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1
2025-09-01 16:33:492081 
新潔能研發(fā)團(tuán)隊(duì)溝槽型工藝平臺推出耐壓30V 1mΩ級別增強(qiáng)型N溝道MOSFET 系列產(chǎn)品。
2025-08-22 18:02:351527 
在工業(yè)級USB傳輸應(yīng)用中，隨時(shí)能夠完成接口轉(zhuǎn)接十分必要。為了進(jìn)一步提升USB轉(zhuǎn)接的輕便度和耐用度，L-com諾通推出了一系列新型工業(yè)級USB 3.0轉(zhuǎn)接頭。
2025-08-13 16:00:55941 Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，專為嚴(yán)苛的汽車環(huán)境設(shè)計(jì)。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持續(xù)工作，助力動力總成系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)最大性能。
2025-08-11 16:54:232327 請問IR600系列路由器、IR700系列路由器、IR900系列路由器的恢復(fù)出廠設(shè)置分別是如何操作的？
2025-08-06 08:02:08
IR600 CLI 如何保存配置？
2025-08-06 07:51:09
現(xiàn)有多臺IR615路由器，希望將其配置為vpn客戶端，連接云服務(wù)器的vpn服務(wù)端
工程師遠(yuǎn)程連接云服務(wù)器對IR615進(jìn)行管理
在IR615中可以選用哪種vpn協(xié)議？如何進(jìn)行配置？
服務(wù)端搭建需要做哪些兼容配置？
2025-08-06 07:21:22
近日，派恩杰半導(dǎo)體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電壓平臺下，5mm × 5mm芯片尺寸產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)7mΩ，達(dá)到國際領(lǐng)先水平。相比
2025-08-05 15:19:011208 
基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
在D-Sub連接中，針對專屬應(yīng)用，許多客戶需要自己進(jìn)行裝配。為了進(jìn)一步降低安裝難度，提升連接自由度，L-com諾通推出了一系列新型組裝式D-Sub護(hù)罩套件。
2025-07-29 14:53:19703 隨著以太網(wǎng)線纜的持續(xù)升級，一部分帶有特別屬性的線纜，更能夠輕松應(yīng)對嚴(yán)苛工業(yè)環(huán)境中的連接考驗(yàn)。 為了進(jìn)一步完善應(yīng)用環(huán)境的以太網(wǎng)絡(luò)傳輸，L-com諾通推出了一系列新型超6類屏蔽型以太網(wǎng)線纜。這些新品可選多種護(hù)套和顏色，非常適合數(shù)據(jù)中心和企業(yè)通信。產(chǎn)品已備貨在庫，可隨時(shí)發(fā)貨。
2025-07-21 17:58:04844 Texas Instruments DP83867IR/DP83867CR以太網(wǎng)PHY收發(fā)器是堅(jiān)固耐用的全功能物理層 (PHY) 收發(fā)器，集成了PMD子層，支持1000BASE-T
2025-07-17 09:14:56749 
提升穩(wěn)定性、低損耗等性能。傳統(tǒng)平面型MOSFET中，源極和漏極區(qū)域是橫向布局的，柵極在源極和漏極區(qū)域的上方，形成一個(gè)平面結(jié)構(gòu)。 ? 溝槽MOSFET則是源極和漏極區(qū)域
2025-07-12 00:15:003191 圣邦微電子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用、電源負(fù)載開關(guān)、電池管理和無線充電器。
2025-07-10 17:21:522287 
以太網(wǎng)RJ45插座的用途十分廣泛，需要特別適配不同的連接環(huán)境。為了進(jìn)一步提升工業(yè)級以太網(wǎng)插座的專屬優(yōu)勢，L-com諾通推出了一系列新型超6類RJ45 Keystone IDC插座。
2025-07-09 11:36:10838 Wolfspeed 推出新型頂部散熱（TSC） 碳化硅 MOSFET 和肖特基二極管 優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗 Wolfspeed 正在擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基二極管分立
2025-07-09 10:50:321361 
英國比克全新推出9400A系列USB采樣器擴(kuò)展實(shí)時(shí)示波器新型號，本次同時(shí)擴(kuò)展了更低頻段的9404A-06（6GHz）/9404A-16（16GHz）和更高頻段的9404A-33（33GHz）的采樣器
2025-07-04 17:36:17881 
面對工業(yè)電源、BLDC電機(jī)驅(qū)動、新能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)對功率密度的極致追求，我們正式推出200V MOSFET Gen2.0全系列解決方案。賦能設(shè)備向小型化、高頻化、高可靠進(jìn)化!
2025-07-03 18:03:351094 
? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業(yè)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)效率和功率密度而設(shè)計(jì)。它提供一系列精細(xì)化的產(chǎn)品組合，在25°C時(shí)R?DS(on)?值
2025-07-02 15:00:301604 
納芯微推出MT652x系列汽車角度傳感器芯片，集成聚磁片并具備多平面角度與位移檢測能力，符合AEC-Q100 Grade-0與ISO26262 ASIL B標(biāo)準(zhǔn)，為汽車油門踏板、方向盤等部件提供精準(zhǔn)位置信息。其高精度、高可靠性及多重安全防護(hù)特性，適配多種車載應(yīng)用場景，助力提升駕駛安全與舒適性。
2025-06-27 16:29:27545 
揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，同時(shí)提升了MOSFET抗沖擊電流能力，非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。
2025-06-27 09:43:531352 
在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動化及新能源領(lǐng)域，MOSFET的導(dǎo)通損耗與動態(tài)響應(yīng)直接影響系統(tǒng)能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，結(jié)合屏蔽柵技術(shù)，突破傳統(tǒng)性能瓶頸。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低導(dǎo)通電阻與300A持續(xù)電流能力，在高功率應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)輸出。
2025-06-11 09:37:31754 
作為國內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新，正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列
2025-06-11 08:59:592500 
TE Connectivity(TE)推出的新型0.5mm鎖定式柔性印刷電路(FPC)連接器可提供牢固的固定，以防止在惡劣環(huán)境中使用時(shí)意外脫開。
這些FPC連接器的型號為2041215-1
2025-06-03 20:24:22
隨著高效能、緊湊型電源系統(tǒng)的需求日益增長，傳統(tǒng)平面MOSFET已逐漸難以滿足高壓低損耗的要求。
2025-06-03 15:56:281018 
隨著工業(yè)數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的連接要求日益提升，USB線纜需要具備多種優(yōu)勢屬性。為了帶給客戶更好的連接體驗(yàn)，L-com諾通推出了一系列新型USB 3.0屏蔽型線纜組件。
2025-05-26 15:14:44868 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C
2025-05-22 14:51:22901 
在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機(jī)驅(qū)動等場景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100 
工業(yè)4.0和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的聯(lián)網(wǎng)需求正在逐年加速，在工業(yè)環(huán)境中，確保有線和無線網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。為了進(jìn)一步提升嚴(yán)苛環(huán)境中連接產(chǎn)品的使用體驗(yàn)，L-com諾通發(fā)布新型工業(yè)連接解決方案，推出一系列堅(jiān)固耐用的連接產(chǎn)品組合，從多個(gè)需求角度出發(fā)，全面解決連接難題。
2025-05-17 13:48:381275 納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn)，以滿足最嚴(yán)苛汽車及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離，可滿足1200V以下應(yīng)用的IEC合規(guī)性。
2025-05-14 15:39:301341 近日，基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升，封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲能等
2025-05-09 11:45:401018 
近日，Nexperia宣布推出一系列高效且堅(jiān)固的汽車級碳化硅(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，SiCMOSFET)，這些新產(chǎn)品在RDS(on)額定值方面分別為30、40和60mΩ。這些產(chǎn)品在性能指標(biāo)
2025-05-08 11:09:50620 
為推動下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出了新型CoolSiCJFET產(chǎn)品系列。新系列產(chǎn)品擁有
2025-05-07 17:03:14629 
存在易燃易爆氣體、惡劣工況和極端溫度的工業(yè)環(huán)境—這是流程工業(yè)領(lǐng)域中人員和設(shè)備所面臨的應(yīng)用挑戰(zhàn)。為此，倍加福推出的BTC系列工業(yè)盒式瘦客戶端專為這些嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境而設(shè)計(jì)，并提供可靠堅(jiān)固的虛擬化解決方案。
2025-04-28 15:05:27771 。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設(shè)計(jì)，降低了用料成本。 圖源：英飛凌 ? 在功率晶體管中集成SBD的做法，此前在SiC MOSFET中，業(yè)界有不少的研究。三菱在2013年提出了集成SBD的SiC MOSFET相關(guān)專利，并在2023年推出采用這種新型器件的SiC功率模塊。 ? 為什么
2025-04-28 00:19:003055 
納微半導(dǎo)體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊，該模塊采用環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)及納微獨(dú)家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術(shù)，經(jīng)過嚴(yán)格設(shè)計(jì)和驗(yàn)證，適用于最嚴(yán)苛的高功率環(huán)境，重點(diǎn)確保可靠性與耐高溫
2025-04-22 17:06:39980 在高電壓和高效率應(yīng)用領(lǐng)域，SemiQ作為一家領(lǐng)先的設(shè)計(jì)和開發(fā)企業(yè)，近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創(chuàng)新模塊旨在支持更為緊湊且具有成本效益的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，以滿足
2025-04-17 11:23:54722 
在工業(yè)顯示設(shè)備中，對DVI等音視頻線纜的傳輸要求更高，需要具備更多適配屬性。為了更好提升客戶在工業(yè)顯示設(shè)備中的音視頻連接，L-com諾通推出了一系列新型特優(yōu)DVI-D雙鏈路帶磁環(huán)線纜組件。
2025-04-10 16:46:04851 Nexperia近日宣布推出一系列具有高信號完整性的雙向靜電放電(ESD)保護(hù)二極管，采用創(chuàng)新的倒裝芯片平面柵格陣列(FC-LGA)封裝。這項(xiàng)新型封裝技術(shù)經(jīng)過了專門優(yōu)化，旨在保護(hù)和過濾現(xiàn)代汽車中日
2025-04-09 17:31:23932 TXN 系列是 TRACO POWER 推出的新一代金屬封裝 AC/DC 電源，結(jié)構(gòu)緊湊、堅(jiān)固耐用，專為成本敏感型的工業(yè)應(yīng)用場景設(shè)計(jì)。
2025-04-08 16:59:591076 具備高柔和拖鏈級屬性的USB線纜，一直是工業(yè)數(shù)據(jù)傳輸環(huán)境中的必備產(chǎn)品。為了更好提升客戶的使用體驗(yàn)，L-com諾通推出了一系列新型USB 2.0高柔拖鏈級線纜組件。
2025-04-08 10:11:58832 伍爾特電子（Würth Elektronik）推出“REDCUBE PRESS-FIT for Automotive”全新車用壓接連接器系列，專為汽車應(yīng)用優(yōu)化了螺紋連接技術(shù)。這些堅(jiān)固耐用的元件可承載高達(dá) 250 A 的電流，并按照嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)制造。
2025-04-02 10:26:56863 特瑞仕半導(dǎo)體株式會社(東京都中央?yún)^(qū)，代表董事：木村岳史，以下簡稱特瑞仕)開發(fā)了工作溫度105℃的專為CV(恒定電壓)充電的二次電池設(shè)計(jì)的新型電壓檢測器——XC6142系列。
2025-04-02 09:32:30750 
氣隙設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。
目錄1 概述2 一種分段氣隙的CLLC平面變壓器設(shè)計(jì)3 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證4 參考文獻(xiàn)
1 概述學(xué)者們從LLC拓?fù)湓怼?b class="flag-6" style="color: red">新型器件、改進(jìn)拓?fù)?、先進(jìn)調(diào)制方法、諧振參數(shù)優(yōu)化方法、磁性器件設(shè)計(jì)方法
2025-03-27 13:57:27
VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新——第4.5代650VE系列電源MOSFET，型號為SiHK050N65E。該產(chǎn)品的推出旨在提升電信、工業(yè)
2025-03-27 11:49:46945 
飛兆半導(dǎo)體的IGBT器件FGP20N6S2 （屬于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（屬于SuperFET 產(chǎn)品族）。這些產(chǎn)品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC，代表了功率
2025-03-25 13:43:17
)與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)來提高電源轉(zhuǎn)換效率之外，新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44
Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001232 近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計(jì)。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進(jìn)的表面貼裝(SMD
2025-03-20 11:18:11963 
英飛凌(Infineon)近日宣布，擴(kuò)大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿足日益增長的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這一新產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53736 
使用以下命令將 ONNX* 模型轉(zhuǎn)換為 IR：mo --input_model model.onnx
該模型無法轉(zhuǎn)換為 IR v10，而是轉(zhuǎn)換為 IR v11。
2025-03-06 06:32:59
隨著市場對高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長，新潔能（NCE）產(chǎn)品研發(fā)部門推出HO系列MOSFET產(chǎn)品，優(yōu)化了SOA工作區(qū)間，可滿足熱插拔、緩啟動、電子保險(xiǎn)絲、電機(jī)驅(qū)動、BMS
2025-03-04 14:40:341237 
近日，卡特彼勒推出Cat（卡特）G3500K系列燃?xì)獍l(fā)電機(jī)組，以提供可靠、快速響應(yīng)且高效的電力解決方案。該系列燃?xì)獍l(fā)電機(jī)組適用于高要求的工作環(huán)境，并為多種應(yīng)用而設(shè)計(jì)，包括主用和持續(xù)功率。Cat
2025-03-03 16:09:041317
DLP4500固定在機(jī)構(gòu)件上是否有平面度要求，平面度是否影響影像?
2025-02-28 07:51:35
密集型布線對線纜要求更高，L-com諾通為了更好完善客戶高密度布線應(yīng)用，推出了新型6類屏蔽型超薄以太網(wǎng)線纜。
2025-02-21 09:36:36719 SiC MOSFET，如同一名敏捷的戰(zhàn)士，擁有高速開關(guān)能力，能夠快速響應(yīng)，高效轉(zhuǎn)換能量。而其低導(dǎo)通電阻，則像是堅(jiān)固的盾牌，保護(hù)著能量的損耗，讓效率得到最大化。SiC
2025-02-18 14:29:22
傾佳電子楊茜提供基于BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國產(chǎn)BTP2843DR與B2M600170H的1000V直流輸入反激輔助電源設(shè)計(jì)（反激驅(qū)動驅(qū)動電壓限制，無法最大化碳化硅MOSFET能力的情況下）,取代老舊的平面高壓硅MOSFET方案。
2025-02-15 07:17:581274 
RECOM 非常高興地宣布推出 RACPRO1-4SP 系列，這是一款具有先進(jìn)控制和保護(hù)功能的新型四通道電子斷路器。
2025-02-07 11:43:001207 納芯微正式推出具有隔離模擬采樣功能的智能隔離驅(qū)動 NSI67X0 系列，該系列適用于驅(qū)動 SiC、IGBT 和 MOSFET 等功率器件，兼具車規(guī)等級（滿足 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)）和工規(guī)等級，可廣泛適用于新能源汽車、空調(diào)、電源、光伏等應(yīng)用場景。
2025-01-24 15:44:06867 
近日，全球碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:58994 近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-01-22 11:03:221221 
緊湊型網(wǎng)絡(luò)布線環(huán)境，需要更高質(zhì)量的以太網(wǎng)線纜。為了更好完善客戶網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用環(huán)境，L-com諾通推出了一系列新型超6類直角彎頭線纜組件。
2025-01-16 17:15:12989 意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場景。
2025-01-16 13:28:271021 SimcenterSCADASRS堅(jiān)固型數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)提高惡劣環(huán)境中的多物理場測試效率，并實(shí)現(xiàn)可靠、靈活且高性能的數(shù)據(jù)采集和出眾的連通性。為何選擇SimcenterSCADASRS？設(shè)計(jì)堅(jiān)固，性能可靠
2025-01-15 14:42:33917 
近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場焦點(diǎn)。新型
2025-01-13 11:41:38957 
工業(yè)級專業(yè)領(lǐng)域USB數(shù)據(jù)傳輸時(shí)，可能會受到持續(xù)振動環(huán)境的困擾。為了更牢固的進(jìn)行USB連接，L-com諾通推出了一系列新型帶翼形螺絲的USB 3.0線纜組件。
2025-01-10 09:37:38790 “ ?本文探討了不同地平面情況下的電容耦合及電感耦合，并給出了 PCB 布線時(shí)的注意事項(xiàng)。 ? ” 普遍認(rèn)同的觀點(diǎn)是，地平面為電流提供了一個(gè)低電感和低電阻的返回路徑，并且能夠防止不同導(dǎo)線之間的串?dāng)_
2025-01-09 11:21:101611
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