采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高M(jìn)OS管開(kāi)關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
功率損失增大，進(jìn)而影響整個(gè)電路的效率和性能。本文MDD辰達(dá)半導(dǎo)體將探討MOSFET開(kāi)關(guān)速度不足導(dǎo)致功率損失的原因，并提供解決方案，以提高系統(tǒng)的性能和效率。一、MO
2026-01-04 10:54:34
42 
IR21592和IR21593是集調(diào)光鎮(zhèn)流器控制和600V半橋驅(qū)動(dòng)功能于一體的集成電路。其獨(dú)特的架構(gòu)采用了無(wú)變壓器的燈功率傳感和調(diào)節(jié)相位控制
2025-12-30 17:25:19422 （International IOR Rectifier）的IR2166系列芯片，看看它如何在PFC和鎮(zhèn)流器控制領(lǐng)域發(fā)揮獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。 文件下載： IR2166PBF.pdf 一、芯片概述 IR2166是一款全面集成且具備
2025-12-24 17:25:09474 （1）Rds（on）和導(dǎo)通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，功率MOSFET的導(dǎo)通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時(shí)正溫度系數(shù)，會(huì)隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù)：從原理到應(yīng)用 在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET技術(shù)的不斷創(chuàng)新推動(dòng)著各類電力電子設(shè)備向更高效率、更高功率密度和更高系統(tǒng)可靠性邁進(jìn)。英飛凌作為行業(yè)的領(lǐng)軍者
2025-12-20 10:35:06517 IRF150DM115 OptiMOS? 5 150V MOSFET.pdf 一、產(chǎn)品概述 IRF150DM115 屬于 OptiMOS? 5 系列，耐壓為 150V，采用 DirectFET? 封裝技術(shù)。這種 MOSFET 具備多種出色的特性，使其在
2025-12-20 10:15:02589 75V-100V車用MOSFET.pdf 產(chǎn)品概述 IAUTN08S5N012L 是一款專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET，屬于 N 溝道增強(qiáng)模式、正常電平類型。它不僅通過(guò)了 AEC - Q101 認(rèn)證，還進(jìn)行了額外的擴(kuò)展鑒
2025-12-19 10:20:16207 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們來(lái)詳細(xì)探討Onsemi公司的NTMFS3D2N10MD這款N溝道功率MOSFET，看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。
2025-12-08 16:38:38548 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件，它廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等眾多領(lǐng)域。今天就來(lái)詳細(xì)探討安森美（onsemi）推出的一款單通道N溝道功率MOSFET——NTMFS002N10MCL。
2025-12-08 14:53:47334 
芯源的只有A系列是車規(guī)級(jí)嗎？那照比F系列的消費(fèi)機(jī)，會(huì)價(jià)格高一些嗎？
2025-12-05 07:02:41
作為一名電子工程師，在為電動(dòng)汽車（xEV）應(yīng)用設(shè)計(jì) DC - DC 轉(zhuǎn)換器和車載充電器時(shí)，合適的功率 MOSFET 模塊至關(guān)重要。今天就為大家詳細(xì)解析 onsemi 的 SiC 功率 MOSFET 模塊 NVXK2PR80WXT2。
2025-12-03 16:13:24632 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，功率 MOSFET 是一種常見(jiàn)且關(guān)鍵的元件。今天，我們要詳細(xì)探討的是 onsemi 公司的 NTMFS5H663NL 這款 N 溝道功率 MOSFET，它具有諸多出色的特性，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-12-02 15:53:58337 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率 MOSFET 是不可或缺的關(guān)鍵元件，廣泛應(yīng)用于各類電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路中。今天，我們就來(lái)深入探討一下 ON Semiconductor 推出的 NTMFD5C672NL 雙 N 溝道功率 MOSFET。
2025-12-02 14:58:25273 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率 MOSFET 是至關(guān)重要的元件，它廣泛應(yīng)用于各類電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路中。今天，我們就來(lái)詳細(xì)剖析 onsemi 推出的 NVMFWS003N10MC 單通道 N 溝道功率 MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特之處。
2025-12-02 11:43:20466 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件，其性能和特性直接影響著整個(gè)電路的運(yùn)行效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)詳細(xì)剖析 onsemi 推出的 NVMFWS004N10MC 這款 100V、3.9mΩ、138A 的單 N 溝道功率 MOSFET。
2025-12-01 15:35:07232 
作為電子工程師，在設(shè)計(jì)過(guò)程中，選擇合適的功率MOSFET至關(guān)重要。今天就來(lái)詳細(xì)介紹onsemi推出的NVTYS020N08HL N溝道功率MOSFET，探討它的特性、參數(shù)以及在實(shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
2025-12-01 09:34:36356 
Wolfspeed 宣布推出最新的車規(guī)級(jí) 1200 V E4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于業(yè)界領(lǐng)先的第四代 (Gen 4) 技術(shù)平臺(tái)開(kāi)發(fā)， 為汽車車載充電器、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電子壓縮機(jī)和加熱與冷卻系統(tǒng)等應(yīng)用提供了優(yōu)異的性能。
2025-11-30 16:14:51658 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率MOSFET的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)深入剖析onsemi推出的NVMFWS002N10MCL這款N溝道功率MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特之處能滿足工程師們的設(shè)計(jì)需求。
2025-11-28 16:12:03422 
在汽車電子領(lǐng)域，功率 MOSFET 模塊扮演著至關(guān)重要的角色。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NXV08H350XT1 汽車功率 MOSFET 模塊，了解其特性、應(yīng)用、電氣參數(shù)等方面的內(nèi)容，為電子工程師們?cè)谠O(shè)計(jì)相關(guān)系統(tǒng)時(shí)提供參考。
2025-11-28 15:20:04237 
在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，功率MOSFET是至關(guān)重要的元件，它對(duì)設(shè)備的性能和效率有著深遠(yuǎn)的影響。今天，我們要深入探討的是ON Semiconductor推出的NVMYS3D8N04CL單N溝道功率MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特的特性和優(yōu)勢(shì)。
2025-11-28 14:03:45181 
用AC電源驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)品，由電子負(fù)載控制輸出功率，采用WT系列功率分析儀測(cè)量電流、電壓、功率等參數(shù)，電壓采用并聯(lián)的方式、電流采用100A額定的shunt采集，壓降由BNC線接入WT系列功率計(jì)的外部傳感器端子。
2025-11-27 18:15:361016 
電動(dòng)車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適
2025-11-24 17:23:08546 
電動(dòng)車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適
2025-11-24 17:04:20514 新系列發(fā)光二極管，這里，億光代理商南山電子介紹一下XI3030系列LED，這一全新力作實(shí)現(xiàn)了車用照明新標(biāo)桿。億光發(fā)光二極管XI3030系列以其高效率、高流明輸出以及多
2025-11-24 16:58:361141 
系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\
2025-11-19 15:21:04220 系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\
2025-11-19 15:15:00183 極、漏極管腳附近區(qū)域，可以布設(shè)更大面積銅皮，來(lái)保證散熱性能，如果是多層PCB板，源極、漏極對(duì)應(yīng)銅皮位置的每個(gè)層都敷設(shè)銅皮，用多個(gè)過(guò)孔連接。
問(wèn)題2：功率MOSFET管Qiss，Qg，Qrss
2025-11-19 06:35:56
選型手冊(cè)：MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高穩(wěn)定性及無(wú)鉛封裝特性，適用于
2025-11-18 16:08:14326 、輕型電動(dòng)車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：1
2025-11-18 16:04:11277 逆變器、輕型電動(dòng)車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)
2025-11-18 15:58:04228 系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\
2025-11-14 12:03:12167 Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET，采用PowerPAK ? 8 x 8LR封裝。該MOSFET可為
2025-11-14 10:32:18365 
逆變器、輕型電動(dòng)車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）
2025-11-10 16:01:46413 逆變器、輕型電動(dòng)車、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓大電
2025-11-10 15:50:16247 及260A超大電流承載能力，廣泛適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、電池管理系統(tǒng)（BMS）、無(wú)人機(jī)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：
2025-11-05 15:53:52207 、輕型電動(dòng)車、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開(kāi)說(shuō)明。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V
2025-11-05 15:28:39205 仁懋電子（MOT）推出的MOT15N50F是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高效開(kāi)關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源
2025-11-05 12:10:09283 仁懋電子（MOT）推出的MOT4N65F是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高輸入阻抗及RoHS合規(guī)性，廣泛適用于電子鎮(zhèn)流器、電子變壓器、開(kāi)關(guān)模式電源等領(lǐng)域
2025-11-04 15:59:03238 仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50D是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-04 15:22:12226 仁懋電子（MOT）推出的MOT90N03D是一款面向低壓大電流DC-DC轉(zhuǎn)換場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及優(yōu)異開(kāi)關(guān)特性，廣泛適用于高要求DC-DC轉(zhuǎn)換器、高效
2025-11-03 16:33:23497 仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50MD是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-03 15:26:33298 仁懋電子（MOT）推出的MOT50N02D是一款面向低壓大電流開(kāi)關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及50A大電流承載能力，廣泛適用于各類開(kāi)關(guān)應(yīng)用（如DC-DC轉(zhuǎn)換器
2025-10-31 17:36:09228 仁懋電子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借120V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及260A超大電流承載能力，廣泛適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、電池
2025-10-31 17:33:14177 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET，憑借700V級(jí)耐壓、超低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正（PFC）、開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS
2025-10-31 17:31:08179 仁懋電子（MOT）推出的MOT65R600F是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正（PFC）、開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS
2025-10-31 17:28:48199 N溝道功率MOSFET 美容儀加濕器專用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管
2025-10-31 09:35:26
仁懋電子（MOT）推出的MOT8N65MD是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、高開(kāi)關(guān)速度及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高效開(kāi)關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-10-30 15:44:09275 仁懋電子（MOT）推出的MOT5N65D是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開(kāi)關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-10-30 15:37:22324 仁懋電子（MOT）推出的MOT7N65AC是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、高開(kāi)關(guān)速度及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高效開(kāi)關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-10-30 15:30:12327 仁懋電子（MOT）推出的MOT4N65D是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開(kāi)關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-10-30 14:53:11280 仁懋電子（MOT）推出的MOT130N03D是一款面向低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及130A大電流承載能力，廣泛適用于適配器、充電器的功率開(kāi)關(guān)電路等領(lǐng)域
2025-10-30 14:47:55283 仁懋電子（MOT）推出的MOT5N65C是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開(kāi)關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-10-29 16:43:51591 仁懋電子（MOT）推出的MOT6525G是一款面向低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、30A大電流承載能力及緊湊貼片封裝，廣泛適用于便攜設(shè)備電源、筆記本功率管理、電池
2025-10-29 10:45:45151 仁懋電子（MOT）推出的MOT1514G是一款面向低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、大電流承載能力及緊湊封裝設(shè)計(jì)，廣泛適用于計(jì)算設(shè)備電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、無(wú)線
2025-10-29 10:22:59202 仁懋電子（MOT）推出的MOT4N70C是一款面向700V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借700V耐壓、快速開(kāi)關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-10-28 17:48:45783 仁懋電子（MOT）推出的MOT50N06D是一款面向低壓大電流開(kāi)關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借60V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及高速開(kāi)關(guān)特性，廣泛適用于各類開(kāi)關(guān)應(yīng)用（如DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)
2025-10-28 17:44:21762 仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50C是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借500V耐壓、快速開(kāi)關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-10-28 16:01:06430 仁懋電子（MOT）推出的MOT3140G是一款面向低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、超大電流承載能力及緊湊封裝設(shè)計(jì)，廣泛適用于便攜式設(shè)備電源、筆記本功率管理、電池
2025-10-27 17:30:03198 仁懋電子（MOT）推出的MOT7N70D是一款面向高壓開(kāi)關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高速開(kāi)關(guān)特性，廣泛適用于高效開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。以下從
2025-10-27 17:19:00190 STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高壓N溝道功率MOSFET，具有齊納保護(hù)功能和100%雪崩。該MOSFET還具
2025-10-27 14:24:41381 
在汽車電子的中低壓功率控制領(lǐng)域，從電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向（EPS）到智能水泵、風(fēng)機(jī)系統(tǒng)，對(duì)器件的可靠性、效率與電流承載能力提出了嚴(yán)苛要求。中科微電推出的車規(guī)級(jí)N溝道MOSFET——ZK60G270G，憑借
2025-10-27 14:18:15262 
STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET是一款汽車級(jí)N通道MDmesh DM6半橋拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">功率MOSFET，提供650V阻斷電壓。該功率MOSFET符合AQG
2025-10-24 09:17:32684 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，為旗下不斷擴(kuò)充的應(yīng)用專用MOSFET (ASFET)產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品。ASFET系列的產(chǎn)品特性經(jīng)優(yōu)化調(diào)校，可滿足特定終端應(yīng)用的嚴(yán)苛需求。其中，80 V
2025-10-10 11:22:27700 鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件，但是SiC MOSFET模塊的應(yīng)用正在加速。本文重點(diǎn)介紹三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)。
2025-09-23 09:26:332066 
Texas Instruments CSD16321Q5 N溝道NexFET功率MOSFET是25V 1.9mΩ 5mm × 6mm SON NexFET?功率MOSFET，設(shè)計(jì)用于最小化功率轉(zhuǎn)換損失，優(yōu)化用于5V柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
2025-09-22 15:43:41635 
新唐科技的車用 MCU 系列憑借卓越的可靠性、豐富的功能配置和汽車級(jí)認(rèn)證，成為車載電子應(yīng)用的理想選擇。其中 M0A23、NUC131U、M2A23 和 M481U 系列覆蓋了從基礎(chǔ)控制到高性能處理的全場(chǎng)景需求，為汽車電子系統(tǒng)提供全方位支持。
2025-09-02 11:44:152608 
TLM1211F-121LE是DELTA（臺(tái)達(dá)電子）推出的 TLM1211F 系列中的一款大功率貼片功率電感器。憑借其卓越的性能，廣泛應(yīng)用于顯卡、服務(wù)器以及消費(fèi)類電子主板等對(duì)電流和頻率要求極高
2025-08-11 09:20:57
請(qǐng)問(wèn)IR600系列路由器、IR700系列路由器、IR900系列路由器的恢復(fù)出廠設(shè)置分別是如何操作的？
2025-08-06 08:02:08
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，密封光隔離高速功率
2025-07-09 18:30:34
在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET和IGBT是兩種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn)，適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場(chǎng)景，能夠有效提高系統(tǒng)
2025-07-07 10:23:192435 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料
2025-07-03 18:34:35
電機(jī)。本文介紹純電動(dòng)汽車與混合動(dòng)力車用驅(qū)動(dòng)電機(jī)相同的設(shè)計(jì)思路，以及這兩者在外形、與之組合的部件、冷卻方式、定子鐵心外徑尺寸的差別:為解決低速運(yùn)轉(zhuǎn)的脈動(dòng)、高速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)噪聲與振動(dòng)的課題，重新設(shè)計(jì)了轉(zhuǎn)子總成
2025-06-12 13:55:50
作為國(guó)內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新，正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列
2025-06-11 08:59:592500 
什么是功率 MOSFET？
我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。此外，二極管作為開(kāi)關(guān)取決于信號(hào)流的方向；我們不能對(duì)其編程以通過(guò)或屏蔽一個(gè)信號(hào)
2025-06-03 15:39:43
CCG8 使用 GPIO 來(lái)控制 FET 柵極驅(qū)動(dòng)器的功率吸收路徑，
我可以使用 P-MOSFET 作為電源接收路徑嗎？
使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優(yōu)點(diǎn)？
2025-05-28 06:51:33
（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列產(chǎn)品，旨在為蓬勃發(fā)展的工業(yè)電源應(yīng)用市場(chǎng)提供更高能效解決方案。與AOS上一代產(chǎn)品相比，該系列產(chǎn)品在高負(fù)載條件下能夠保持較低導(dǎo)通損耗的同時(shí)，其開(kāi)關(guān)品質(zhì)因數(shù)
2025-05-07 10:56:10728 
這款 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18511KCS 40V N 溝道 NexFET 功率
2025-04-15 16:23:11772 
引言
隨著電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展[1-2]，已經(jīng)出現(xiàn)了各種各樣的全控型器件，最常用的有適用于大功率場(chǎng)合的大功率晶體管(GTR)、適用于中小功率場(chǎng)合但快速性較好的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)以及
2025-03-27 14:48:50
VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新——第4.5代650VE系列電源MOSFET，型號(hào)為SiHK050N65E。該產(chǎn)品的推出旨在提升電信、工業(yè)
2025-03-27 11:49:46945 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT9435ASQ P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-26 15:53:16
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8619SS共漏N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-25 18:22:240 飛兆半導(dǎo)體的IGBT器件FGP20N6S2 （屬于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（屬于SuperFET 產(chǎn)品族）。這些產(chǎn)品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC，代表了功率
2025-03-25 13:43:17
)與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)來(lái)提高電源轉(zhuǎn)換效率之外，新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡(jiǎn)述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTS7417TE N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-24 11:40:020 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTS7304FJDH N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-18 17:41:350 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTS7316TE N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-18 17:35:160 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTS7304FJB N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-18 17:34:210 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTS1010FL-X N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-12 17:31:020 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTS1008SQ N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-12 17:12:241 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTS1008FJ-Y N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-12 17:01:100 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTS4480FL-X N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-07 13:54:367 )與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)來(lái)提高電源轉(zhuǎn)換效率之外，新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡(jiǎn)述Power MOSFET
2025-03-06 15:59:14
隨著市場(chǎng)對(duì)高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長(zhǎng)，新潔能（NCE）產(chǎn)品研發(fā)部門(mén)推出HO系列MOSFET產(chǎn)品，優(yōu)化了SOA工作區(qū)間，可滿足熱插拔、緩啟動(dòng)、電子保險(xiǎn)絲、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS
2025-03-04 14:40:341237 
本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。
MOSFET開(kāi)關(guān)損耗
1 開(kāi)通
2025-02-26 14:41:53
制造供貨商，宣布推出全新 SRR6838A 系列屏蔽功率電感器。全新 AEC-Q200 認(rèn)證車規(guī)級(jí)電感為高可靠性消費(fèi)、工業(yè)和電信應(yīng)用提供更廣泛的電感選擇。 Bourns 全新功率電感采用鐵氧體芯和鐵氧體屏蔽設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)低磁場(chǎng)輻射，其先進(jìn)特性使其成為低噪聲環(huán)境應(yīng)用的卓越電源轉(zhuǎn)
2025-02-19 17:50:421013 
近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-01-22 11:03:221221 
*附件：國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
2025-01-20 14:19:40
近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，以其卓越的高電流開(kāi)關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場(chǎng)焦點(diǎn)。新型
2025-01-13 11:41:38957 
電源;PD快充、車充、無(wú)
線充電;鋰電池保護(hù)、電池化成;直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制、光伏逆變及新能源等應(yīng)用領(lǐng)域。
砹德曼MOS 在PD車充的重點(diǎn)推薦型號(hào)
◆DCDC用MOSFET
AD30N54D3: 30V
2025-01-10 17:45:43
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論