深入探討一下國(guó)際整流器公司（International Rectifier）推出的IR21592和IR21593這兩款調(diào)光鎮(zhèn)流器控制IC。 文件下載： IR21592PBF.pdf 一、產(chǎn)品概述
2025-12-30 17:25:19
422 深入剖析IR2520D(S)：自適應(yīng)鎮(zhèn)流器控制IC的卓越性能 作為一名電子工程師，在設(shè)計(jì)熒光燈照明電路時(shí)，一款合適的控制IC至關(guān)重要。今天，我將為大家詳細(xì)解讀IR2520D(S) (PbF)這款
2025-12-28 15:50:12404 （International IOR Rectifier）的IR2166系列芯片，看看它如何在PFC和鎮(zhèn)流器控制領(lǐng)域發(fā)揮獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。 文件下載： IR2166PBF.pdf 一、芯片概述 IR2166是一款全面集成且具備
2025-12-24 17:25:09474 WH3620是一款數(shù)字RGBW-IR顏色傳感器，集成了光電二極管、電流放大器、模擬電路和數(shù)字信號(hào)處理器，支持紅、綠、藍(lán)、白（RGBW）及紅外光（IR）的多通道并行傳感。
2025-12-24 10:04:11211 
IR2166：集成PFC與鎮(zhèn)流器控制的高性能IC深度解析 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，高效且可靠的鎮(zhèn)流器控制和功率因數(shù)校正（PFC）電路設(shè)計(jì)至關(guān)重要。今天，我們就來(lái)深入探討一款功能強(qiáng)大的集成電路
2025-12-23 17:45:15506 （1）產(chǎn)品的額定電壓是固定的，MOSFET的耐壓選取也就比較容易，由于BVdss具有正溫度系數(shù)，在實(shí)際的應(yīng)用中要結(jié)合這些因素綜合考慮。
（2）VDS中的最高尖峰電壓如果大于BVdss，即便這個(gè)尖峰
2025-12-23 08:37:26
（1）Id電流代表MOSFET能流過(guò)的最大電流，反映帶負(fù)載能力，超過(guò)這個(gè)值可能會(huì)因?yàn)槌?fù)荷導(dǎo)致MOSFET損壞。
（2）Id電流參數(shù)選擇時(shí)，需要考慮連續(xù)工作電流和電涌帶來(lái)的尖峰電流，確保
2025-12-23 08:22:48
（1）Rds（on）和導(dǎo)通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，功率MOSFET的導(dǎo)通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時(shí)正溫度系數(shù)，會(huì)隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET：電機(jī)驅(qū)動(dòng)的新突破 在電子工程師的日常工作中，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)挑選合適的MOSFET至關(guān)重要。英飛凌最新推出的OptiMOS? 7 40V N
2025-12-18 14:30:06185 安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)宣布推出采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車和工業(yè)應(yīng)用的電源封裝技術(shù)帶來(lái)突破。這款新品為電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能基礎(chǔ)設(shè)施及儲(chǔ)能系統(tǒng)等市場(chǎng)的高功率、高電壓應(yīng)用提供增強(qiáng)的散熱性能、可靠性和設(shè)計(jì)靈活性。
2025-12-11 17:48:49736 在電力電子領(lǐng)域，IGBT和MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件，其驅(qū)動(dòng)電路的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性起著至關(guān)重要的作用。今天，我們就來(lái)詳細(xì)探討一下安森美（onsemi）推出的NCx57090y, NCx57091y系列高電流單通道IGBT/MOSFET門驅(qū)動(dòng)器。
2025-12-09 09:37:551510 
在電力電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，IGBT和MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件，其驅(qū)動(dòng)電路的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。今天，我們就來(lái)深入探討一下安森美（onsemi）推出的NCx57080y和NCx57081y系列高電流單通道IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器。
2025-12-01 14:29:16466 
作為一名電子工程師，在設(shè)計(jì)電路時(shí)，選擇合適的 MOSFET 至關(guān)重要。今天我們就來(lái)詳細(xì)探討 ON Semiconductor 推出的 NVMFS024N06C 單通道 N 溝道 MOSFET，看看它有哪些特性和優(yōu)勢(shì)。
2025-12-01 14:02:46261 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET 是不可或缺的重要元件。今天，我們就來(lái)深入探討 onsemi 推出的 NVHL060N065SC1 N 溝道 MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特的性能和應(yīng)用特點(diǎn)。
2025-12-01 09:28:49379 
Wolfspeed 宣布推出最新的車規(guī)級(jí) 1200 V E4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于業(yè)界領(lǐng)先的第四代 (Gen 4) 技術(shù)平臺(tái)開(kāi)發(fā)， 為汽車車載充電器、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電子壓縮機(jī)和加熱與冷卻系統(tǒng)等應(yīng)用提供了優(yōu)異的性能。
2025-11-30 16:14:51658 Wolfspeed 宣布推出最新的工業(yè)級(jí) 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于業(yè)界領(lǐng)先的第四代 (Gen 4) 技術(shù)平臺(tái)開(kāi)發(fā)，為硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用提供了優(yōu)異的性能。
2025-11-30 16:13:27564 極、漏極管腳附近區(qū)域，可以布設(shè)更大面積銅皮，來(lái)保證散熱性能，如果是多層PCB板，源極、漏極對(duì)應(yīng)銅皮位置的每個(gè)層都敷設(shè)銅皮，用多個(gè)過(guò)孔連接。
問(wèn)題2：功率MOSFET管Qiss，Qg，Qrss
2025-11-19 06:35:56
納芯微今日宣布正式推出車規(guī)級(jí)8通道可配高低邊驅(qū)動(dòng)系列芯片——NSD56080、NSD56602、NSD56620與NSD56242，工作電壓范圍覆蓋4.5V~28V(輸出內(nèi)部鉗位39V)，每通道驅(qū)動(dòng)電流330mA(所有通道ON)，適合驅(qū)動(dòng)汽車電子的繼電器、LED、燈泡及電機(jī)等各類型感性容性負(fù)載。
2025-11-17 13:45:09509 
MOSFET的Drain（漏極）、Source（源極）、G（柵極）三個(gè)引腳，其兩兩之間都可以用TVS來(lái)做過(guò)壓保護(hù)。
2025-11-10 16:47:484948 
仁懋電子（MOT）推出的MOT15N50F是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高效開(kāi)關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源
2025-11-05 12:10:09283 
仁懋電子（MOT）推出的MOT4N65F是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高輸入阻抗及RoHS合規(guī)性，廣泛適用于電子鎮(zhèn)流器、電子變壓器、開(kāi)關(guān)模式電源等領(lǐng)域
2025-11-04 15:59:03238 仁懋電子（MOT）推出的MOT50N02D是一款面向低壓大電流開(kāi)關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及50A大電流承載能力，廣泛適用于各類開(kāi)關(guān)應(yīng)用（如DC-DC轉(zhuǎn)換器
2025-10-31 17:36:09228 中微愛(ài)芯推出AiP2004系列四路達(dá)林頓陣列，用一顆芯片解決多路驅(qū)動(dòng)痛點(diǎn)！
2025-10-28 16:04:40669 
仁懋電子（MOT）推出的MOT7N70D是一款面向高壓開(kāi)關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高速開(kāi)關(guān)特性，廣泛適用于高效開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。以下從
2025-10-27 17:19:00190 圣邦微電子推出 SGMNQ12340，一款 40V 耐壓、低導(dǎo)通電阻、輸入電容低、切換速度快、高性能的 N 溝道 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 VBUS 過(guò)壓保護(hù)開(kāi)關(guān)、AMOLED 顯示控制器、電池充放電開(kāi)關(guān)及 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
2025-10-14 17:34:482209 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，為旗下不斷擴(kuò)充的應(yīng)用專用MOSFET (ASFET)產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品。ASFET系列的產(chǎn)品特性經(jīng)優(yōu)化調(diào)校，可滿足特定終端應(yīng)用的嚴(yán)苛需求。其中，80 V
2025-10-10 11:22:27700 Toshiba推出了“TPH2R70AR5”——一款采用Toshiba最新一代工藝U-MOS11-H[1]制造的100V N溝道功率MOSFET。該MOSFET的目標(biāo)應(yīng)用包括數(shù)據(jù)中心和通信基站所用
2025-09-28 15:17:14499 基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，通過(guò)創(chuàng)新的模塊設(shè)計(jì)顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。
2025-09-15 16:53:03976 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日推出40-100 V汽車MOSFET產(chǎn)品組合，該系列采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)微引腳封裝，專為車身控制、信息娛樂(lè)、電池防反保護(hù)及LED照明應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-09-12 09:38:45630 1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401034 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1
2025-09-01 16:33:492081 
圣邦微電子推出 VCE275X 系列軸心磁編碼器芯片。器件基于各向異性磁阻（AMR）技術(shù)，結(jié)合優(yōu)化的 CMOS 精細(xì)調(diào)理電路，可實(shí)現(xiàn) 14 位有效分辨率的 360° 磁場(chǎng)角度檢測(cè)。該系列提供多種輸出
2025-08-25 09:24:484149 
新潔能研發(fā)團(tuán)隊(duì)溝槽型工藝平臺(tái)推出耐壓30V 1mΩ級(jí)別增強(qiáng)型N溝道MOSFET 系列產(chǎn)品。
2025-08-22 18:02:351527 
Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級(jí)碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，專為嚴(yán)苛的汽車環(huán)境設(shè)計(jì)。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持續(xù)工作，助力動(dòng)力總成系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)最大性能。
2025-08-11 16:54:232327 請(qǐng)問(wèn)IR600系列路由器、IR700系列路由器、IR900系列路由器的恢復(fù)出廠設(shè)置分別是如何操作的？
2025-08-06 08:02:08
IR600 CLI 如何保存配置？
2025-08-06 07:51:09
IR611S固件升級(jí)
2025-08-06 07:34:24
現(xiàn)有多臺(tái)IR615路由器，希望將其配置為vpn客戶端，連接云服務(wù)器的vpn服務(wù)端
工程師遠(yuǎn)程連接云服務(wù)器對(duì)IR615進(jìn)行管理
在IR615中可以選用哪種vpn協(xié)議？如何進(jìn)行配置？
服務(wù)端搭建需要做哪些兼容配置？
2025-08-06 07:21:22
IR615使用VPN連到云平臺(tái)，最近發(fā)現(xiàn)4G流量使用激增，估計(jì)其它設(shè)備在蹭網(wǎng)，怎么設(shè)置一下防止其它設(shè)備通過(guò)路由器訪問(wèn)外網(wǎng)，多謝
2025-08-06 06:31:10
近日，派恩杰半導(dǎo)體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電壓平臺(tái)下，5mm × 5mm芯片尺寸產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)7mΩ，達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。相比
2025-08-05 15:19:011208 
IR611如何恢復(fù)出廠設(shè)置，斷電按住RESET按鍵上電，也不行，還有別的方法恢復(fù)出廠設(shè)置嗎？謝謝
2025-08-05 07:12:28
基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 200V低壓MOSFET數(shù)據(jù)中心電源、BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，在低壓領(lǐng)域MOSFET，SGT MOSFET由于其性能優(yōu)勢(shì)，正在獲得快速增長(zhǎng)，逐步取代傳統(tǒng)
2025-07-12 00:15:003191 圣邦微電子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用、電源負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池管理和無(wú)線充電器。
2025-07-10 17:21:522287 
本文闡述了汽車電子架構(gòu)從分布式向集中化演進(jìn)的趨勢(shì)，黑芝麻智能分析了集中化帶來(lái)的安全隔離、實(shí)時(shí)性等關(guān)鍵挑戰(zhàn)，并指出車用虛擬化技術(shù)是實(shí)現(xiàn)域控融合的核心解決方案。該技術(shù)能夠優(yōu)化資源分配、保障功能安全，從而有效推動(dòng)汽車的智能化變革。
2025-07-05 16:14:251149 砹德曼半導(dǎo)體MOSFET代理
PC主板應(yīng)用 重點(diǎn)推薦MOSFET 規(guī)格
◆DCDC用MOSFET
AD30N25D3: 30V/N/PDFN3*3/14.5mohm Typ.(VGS=10V
2025-07-04 11:37:54
羅德與施瓦茨（以下簡(jiǎn)稱“R&S”）推出全新R&S UDS數(shù)字萬(wàn)用表系列。該緊湊型儀器系列可同步顯示三項(xiàng)測(cè)量結(jié)果，配備多樣化測(cè)量功能及多種遠(yuǎn)程控制接口。產(chǎn)品提供5?位和6?位兩種分辨率
2025-07-03 18:18:341406 面對(duì)工業(yè)電源、BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)對(duì)功率密度的極致追求，我們正式推出200V MOSFET Gen2.0全系列解決方案。賦能設(shè)備向小型化、高頻化、高可靠進(jìn)化!
2025-07-03 18:03:351094 
納芯微推出車規(guī)級(jí)雙向電流檢測(cè)放大器NSCSA240-Q1系列，針對(duì)汽車高壓PWM系統(tǒng)提供高可靠電流監(jiān)測(cè)方案。該系列具備抗瞬態(tài)干擾、高精度和靈活適配性，滿足AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)，適用于EPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景，助力提升汽車電子系統(tǒng)的性能與安全性。
2025-06-27 16:40:34546 
揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)提升了MOSFET抗沖擊電流能力，非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。
2025-06-27 09:43:531352 
今日，南芯科技（證券代碼：688484）宣布推出車規(guī)級(jí)升降壓轉(zhuǎn)換器 SC8748Q/SC8749Q，以及高邊開(kāi)關(guān) SC71420Q/SC71440Q，為 ADAS 系統(tǒng)提供從 ECU 到攝像頭模塊
2025-06-17 11:27:491429 
在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動(dòng)化及新能源領(lǐng)域，MOSFET的導(dǎo)通損耗與動(dòng)態(tài)響應(yīng)直接影響系統(tǒng)能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，結(jié)合屏蔽柵技術(shù)，突破傳統(tǒng)性能瓶頸。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低導(dǎo)通電阻與300A持續(xù)電流能力，在高功率應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)輸出。
2025-06-11 09:37:31754 
作為國(guó)內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新，正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列
2025-06-11 08:59:592500 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C
2025-05-22 14:51:22901 
在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100 
，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)近期推出領(lǐng)先行業(yè)的D2PAK-7封裝車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET，為電動(dòng)汽車行業(yè)注入強(qiáng)勁新動(dòng)能。
2025-05-14 17:55:021060 領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，推出兩款符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)全新車規(guī)級(jí) BVRA 多層壓敏電阻系列產(chǎn)品。Bourns 針對(duì)當(dāng)今日益精密的汽車電路，專門設(shè)計(jì)全新的?BVRA1210 與 BVRA1812? 系列
2025-05-14 14:00:051618 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分別為30、40和60 mΩ。這些器件
2025-05-09 19:42:5351531 圣邦微電子推出 SGMNQ36430，一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率負(fù)載開(kāi)關(guān)以及筆記本電池管理等領(lǐng)域。
2025-05-09 16:57:26971 
近日，基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升，封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲(chǔ)能等
2025-05-09 11:45:401018 
近日，Nexperia宣布推出一系列高效且堅(jiān)固的汽車級(jí)碳化硅(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，SiCMOSFET)，這些新產(chǎn)品在RDS(on)額定值方面分別為30、40和60mΩ。這些產(chǎn)品在性能指標(biāo)
2025-05-08 11:09:50620 
（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列產(chǎn)品，旨在為蓬勃發(fā)展的工業(yè)電源應(yīng)用市場(chǎng)提供更高能效解決方案。與AOS上一代產(chǎn)品相比，該系列產(chǎn)品在高負(fù)載條件下能夠保持較低導(dǎo)通損耗的同時(shí)，其開(kāi)關(guān)品質(zhì)因數(shù)
2025-05-07 10:56:10728 
MOSFET是一種常見(jiàn)的電壓型控制器件，具有開(kāi)關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛的應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制、電動(dòng)工具等
2025-05-06 17:13:58
南芯科技（證券代碼：688484）宣布推出車規(guī)級(jí)高速 CAN/CAN FD 收發(fā)器 SC25042Q，適用于 12V 和 24V 汽車系統(tǒng)，可直接連接 3V-5V 的微控制器，支持高達(dá) 5Mbit
2025-04-30 14:10:342173 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日英飛凌推出全球首款集成SBD（肖特基二極管）的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列CoolGaN G5，該產(chǎn)品系列通過(guò)減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率
2025-04-28 00:19:003055 
一、主要失效原因分類MOSFET 失效可分為外部應(yīng)力損傷、電路設(shè)計(jì)缺陷、制造工藝缺陷三大類，具體表現(xiàn)如下：1. 外部應(yīng)力損傷（1）靜電放電（ESD）擊穿· 成因· MOSFET 柵源極（G-S）間
2025-04-23 14:49:27
伍爾特電子（Würth Elektronik）推出“REDCUBE PRESS-FIT for Automotive”全新車用壓接連接器系列，專為汽車應(yīng)用優(yōu)化了螺紋連接技術(shù)。這些堅(jiān)固耐用的元件可承載高達(dá) 250 A 的電流，并按照嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)制造。
2025-04-02 10:26:56863 揚(yáng)杰科技于2024年推出了一系列用于汽車電子的N60V SGT MOSFET，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，可以支持更高頻率與動(dòng)態(tài)響應(yīng)。
2025-04-01 10:39:531036 
VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新——第4.5代650VE系列電源MOSFET，型號(hào)為SiHK050N65E。該產(chǎn)品的推出旨在提升電信、工業(yè)
2025-03-27 11:49:46945 
飛兆半導(dǎo)體的IGBT器件FGP20N6S2 （屬于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（屬于SuperFET 產(chǎn)品族）。這些產(chǎn)品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC，代表了功率
2025-03-25 13:43:17
)與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)來(lái)提高電源轉(zhuǎn)換效率之外，新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡(jiǎn)述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44
隨著交通運(yùn)輸行業(yè)的快速發(fā)展，以及《車載事故緊急呼叫系統(tǒng)》國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的頒布，對(duì)車輛安全管理的規(guī)范性需求顯著提升。博實(shí)結(jié)依托北斗導(dǎo)航、物聯(lián)網(wǎng)與云計(jì)算技術(shù)，推出車載智能安全解決方案，通過(guò)實(shí)時(shí)定位+車況監(jiān)測(cè)+緊急救援三位一體能力，為個(gè)人車主、企業(yè)車隊(duì)及行業(yè)管理者提供全鏈路安全管理服務(wù)。
2025-03-21 11:05:231085 Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001232 近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計(jì)。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進(jìn)的表面貼裝(SMD
2025-03-20 11:18:11963 
隨著汽車電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化趨勢(shì)的深化，車規(guī)級(jí)芯片需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)。作為全球汽車半導(dǎo)體龍頭，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)近期推出了一系列符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的車規(guī)級(jí)超低靜態(tài)電流通用低壓差（LDO
2025-03-18 14:15:501053 在智能汽車與新能源浪潮下，申矽凌推出車規(guī)級(jí)溫濕度傳感器芯片CHT8325-Q，以國(guó)產(chǎn)自主創(chuàng)新技術(shù)重新定義汽車環(huán)境感知標(biāo)準(zhǔn)，為座艙舒適、電池安全與智能駕駛提供可靠保障。
2025-03-11 16:43:392042 英飛凌(Infineon)近日宣布，擴(kuò)大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿足日益增長(zhǎng)的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這一新產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53736 
使用以下命令將 ONNX* 模型轉(zhuǎn)換為 IR：mo --input_model model.onnx
該模型無(wú)法轉(zhuǎn)換為 IR v10，而是轉(zhuǎn)換為 IR v11。
2025-03-06 06:32:59
執(zhí)行 Raspberry Pi 4 OpenVINO?工具套件示例來(lái)自RPI4_NCS2并遇到以下錯(cuò)誤：
DeprecationWarning：InferRequest 的“輸出”屬性被棄用。相反
2025-03-05 09:04:11
隨著市場(chǎng)對(duì)高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長(zhǎng)，新潔能（NCE）產(chǎn)品研發(fā)部門推出HO系列MOSFET產(chǎn)品，優(yōu)化了SOA工作區(qū)間，可滿足熱插拔、緩啟動(dòng)、電子保險(xiǎn)絲、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS
2025-03-04 14:40:341237 
近日，卡特彼勒推出Cat（卡特）G3500K系列燃?xì)獍l(fā)電機(jī)組，以提供可靠、快速響應(yīng)且高效的電力解決方案。該系列燃?xì)獍l(fā)電機(jī)組適用于高要求的工作環(huán)境，并為多種應(yīng)用而設(shè)計(jì)，包括主用和持續(xù)功率。Cat
2025-03-03 16:09:041317 在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，汽車行業(yè)的智能化與電氣化進(jìn)程不斷加速，對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)的需求也日益增長(zhǎng)。聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)近日宣布了一項(xiàng)重大創(chuàng)新——推出了一系列采用微型車規(guī)級(jí) MicroPak XSON5 無(wú)引腳
2025-02-27 18:10:361120 米勒平臺(tái)的時(shí)間t3為：
t3也可以用下面公式計(jì)算：
注意到了米勒平臺(tái)后，漏極電流達(dá)到系統(tǒng)最大電流ID，就保持在電路決定的恒定最大值ID，漏極電壓開(kāi)始下降，MOSFET固有的轉(zhuǎn)移特性使柵極電壓和漏
2025-02-26 14:41:53
公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758 
DIA58104/8是帝奧微最新推出的多通道半橋預(yù)驅(qū)系列，采用7mm x 7mm的QFN封裝，可控制多達(dá)8個(gè)半橋（最多16個(gè)n溝道MOSFET），為系統(tǒng)提供簡(jiǎn)單、緊湊且具成本效益的驅(qū)動(dòng)方案。其目標(biāo)應(yīng)用包括汽車直流電機(jī)，例如電動(dòng)座椅模塊、尾門模塊和車身系統(tǒng)電動(dòng)閉合模塊等。
2025-02-17 10:20:091492 
中微愛(ài)芯推出四款CBTLVD系列模擬開(kāi)關(guān)。
2025-02-12 14:21:301117 
納芯微正式推出具有隔離模擬采樣功能的智能隔離驅(qū)動(dòng) NSI67X0 系列，該系列適用于驅(qū)動(dòng) SiC、IGBT 和 MOSFET 等功率器件，兼具車規(guī)等級(jí)（滿足 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)）和工規(guī)等級(jí)，可廣泛適用于新能源汽車、空調(diào)、電源、光伏等應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-01-24 15:44:06867 
近日，全球碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:58994 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商瑞薩電子，近日宣布了一項(xiàng)重要技術(shù)創(chuàng)新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1，成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET：RBA300N10EANS
2025-01-22 17:04:06991 近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-01-22 11:03:221221 
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-01-16 13:28:271021 近日，“中國(guó)卓越IR年度評(píng)選”結(jié)果在“2025上市公司投資者關(guān)系創(chuàng)新峰會(huì)暨第八屆中國(guó)卓越IR頒獎(jiǎng)盛典”上隆重揭曉。成都華微電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“成都華微”）在該評(píng)選中榮膺“最佳年度新銳公司”。
2025-01-15 14:41:28866 近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，以其卓越的高電流開(kāi)關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場(chǎng)焦點(diǎn)。新型
2025-01-13 11:41:38957 
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