近日全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司(簡(jiǎn)稱(chēng)IR)推出針對(duì)感應(yīng)加熱、不間斷電源(UPS)太陽(yáng)能和焊接應(yīng)用而設(shè)計(jì)的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。
2011-09-07 09:24:54
2185 德國(guó)英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開(kāi)發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產(chǎn)品群”，并在2012年5月8日～10日于德國(guó)舉行的電源技術(shù)展會(huì)“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:482140 美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款產(chǎn)品。
2012-05-18 09:25:341103 
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR） 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT） 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)采用
2012-11-17 10:40:171973 富士電機(jī)直接水冷式車(chē)載IGBT模塊耐壓為1200V，電流為500A，面積為320mm×170mm。在海外，該模塊已被用于2012年底上市的混合動(dòng)力車(chē)（HEV），而在日本，將配備在預(yù)定2013年6月上市的HEV上。
2013-06-03 08:53:071818 業(yè)內(nèi)最受歡迎的適用于AEC-Q101高溫應(yīng)用的BAS16 / 21二極管和BC807 / 817晶體管。
2019-07-07 10:33:181394 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）最近，又有國(guó)內(nèi)GaN廠商成功突破1200V GaN器件技術(shù)。7月26日，宇騰科技在社交平臺(tái)上宣布公司自主研發(fā)生產(chǎn)的藍(lán)寶石基GaN功率器件工作電壓達(dá)到1200V，已進(jìn)入
2024-07-31 01:06:005182 （Gen3）1200V aSiC MOSFET系列產(chǎn)品，旨在為蓬勃發(fā)展的工業(yè)電源應(yīng)用市場(chǎng)提供更高能效解決方案。與AOS上一代產(chǎn)品相比，該系列產(chǎn)品在高負(fù)載條件下能夠保持較低導(dǎo)通損耗的同時(shí)，其開(kāi)關(guān)品質(zhì)因數(shù)
2025-05-07 10:56:10728 
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?！ ‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車(chē)載電源、新能源汽車(chē)電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?！ ?b class="flag-6" style="color: red">1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
電壓（600V、1200V、1700V）均對(duì)應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級(jí)?？紤]到過(guò)載，電網(wǎng)波動(dòng)，開(kāi)關(guān)過(guò)程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設(shè)備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收
2022-05-10 10:06:52
RD-354，參考設(shè)計(jì)使用FNA22512A 25A / 1200V，3.7 kW三相逆變器。該參考設(shè)計(jì)支持1200 V Motion SPM 2系列的設(shè)計(jì)
2020-07-18 12:23:30
RD-354，參考設(shè)計(jì)使用FNA23512A 35A / 1200V，5.5 kW三相逆變器。該參考設(shè)計(jì)支持1200 V Motion SPM 2系列的設(shè)計(jì)
2020-07-18 12:46:31
，1200V產(chǎn)品可支持50A的裸芯片。而且在進(jìn)行1700V高耐壓產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。下表為機(jī)型名中符號(hào)的意義及當(dāng)前供應(yīng)中的產(chǎn)品陣容一覽。此外，機(jī)型名的最后帶有HR的表示為支持車(chē)載產(chǎn)品，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)
2018-12-04 10:09:17
RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管的開(kāi)關(guān)特性參數(shù)RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的特點(diǎn)：·低集電極 - 發(fā)射極飽和壓降·短路耐受時(shí)間為8μs·符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)·內(nèi)置
2019-04-09 06:20:10
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車(chē)用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
對(duì)江蘇中科君芯科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)中科君芯)針對(duì)焊機(jī)領(lǐng)域開(kāi)發(fā)1200V系列產(chǎn)品性能、和國(guó)外主流器件的參數(shù)比對(duì)、實(shí)際焊機(jī)測(cè)試比對(duì)展開(kāi)討論。1電路拓?fù)涔I(yè)用焊接電源電路拓?fù)溆邪霕蚝腿珮?圖1,圖2)兩種
2014-08-13 09:01:33
），AEC-Q101，AEC-Q200為最常見(jiàn)。其中AEC-Q100是AEC的第一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，AEC-Q100于1994年6月首次發(fā)表，現(xiàn)經(jīng)過(guò)了十多年的發(fā)展，AEC-Q100已經(jīng)成為汽車(chē)電子系統(tǒng)的通用標(biāo)準(zhǔn)。對(duì)于車(chē)
2019-07-18 13:19:45
AEC-Q101認(rèn)證的車(chē)規(guī)級(jí)TVS管SM8ZXXA/CA系列，產(chǎn)品系列齊全，以滿足不同標(biāo)準(zhǔn)要求的客戶需求。特性：[size=14.0000pt]1、高可靠性、符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101認(rèn)證；[size
2019-03-28 10:45:32
，RGWxx65C系列在替換現(xiàn)有的IGBT時(shí)，基本不需要改變電路板或元器件常數(shù)等，因此可以輕松且高性價(jià)比地提高效率。符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車(chē)載級(jí)高可靠性IGBTRGWxx65C系列符合汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)
2022-07-27 10:27:04
2ED250E12-F_EVAL，2ED250E12-F評(píng)估驅(qū)動(dòng)板的開(kāi)發(fā)是為了在客戶使用1200V PrimePACK IGBT模塊進(jìn)行首次設(shè)計(jì)時(shí)為其提供支持。評(píng)估驅(qū)動(dòng)板是一個(gè)功能齊全的IGBT模塊驅(qū)動(dòng)器，其中兩個(gè)1ED020I12-F驅(qū)動(dòng)器IC過(guò)程控制和反饋信號(hào)并提供電流絕緣
2020-04-14 09:54:37
Bourns CDSOT23-T24CAN-Q CANbus保護(hù)器是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)器，適用于汽車(chē)應(yīng)用的CAN接口。CDSOT23-T24CAN-Q采用SOT23-3封裝，設(shè)有雙路
2021-01-27 10:11:12
)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED)、AEC-Q104(多芯片組件)、AEC-Q200(被動(dòng)組件)。其測(cè)試條件雖然比消費(fèi)型芯片規(guī)范嚴(yán)苛，但測(cè)試條件仍以JEDEC或
2018-09-06 17:05:17
AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn)廣電計(jì)量在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認(rèn)證上具有豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，為您提供專(zhuān)業(yè)可靠的AEC-Q101認(rèn)證服務(wù)，同時(shí)，我們也開(kāi)展了間歇工作壽命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
IR針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32955 華潤(rùn)上華已開(kāi)發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺(tái)，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場(chǎng)。
2011-03-31 09:23:061844 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR） 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 （IGBT） 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)利用IR新一代溝道閘極場(chǎng)截止技術(shù)，為工業(yè)及節(jié)能
2012-11-21 09:39:403388 賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證
2013-12-13 15:07:131158 賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 4 月13 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩顆用于汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用的經(jīng)AEC-Q101認(rèn)證的表面貼裝光傳感器---TCPT1600X01和TCUT1600X01。
2016-04-13 14:20:02935 驅(qū)動(dòng)IGBT 1200V模塊的輔助電源（3 W反激式），感興趣的可以看看。
2016-05-11 18:08:45
34 Vishay宣布，推出業(yè)內(nèi)首批通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的采用雙片不對(duì)稱(chēng)功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽車(chē)應(yīng)用的高效同步降壓
2016-07-11 14:33:171295 1200V溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT終端設(shè)計(jì)_陳天
2017-01-08 14:36:357 現(xiàn)已符合AEC-Q101資格，證明這些電子組件符合用于汽車(chē)市場(chǎng)的主要標(biāo)準(zhǔn)。美高森美的DQ二極管取得AEC-Q101資格，意味著汽車(chē)原始設(shè)備制造商（OEM）以及一級(jí)和其他供應(yīng)商能夠在各種車(chē)載應(yīng)用中使用這款產(chǎn)品。
2017-06-19 10:20:29979 Littelfuse， Inc.，作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，宣布新推符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)抑制二極管陣列系列，該系列產(chǎn)品經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可保護(hù)敏感的電信端口免因靜電放電 （ESD） 和雷擊
2018-05-03 17:59:001158 Littelfuse公司，近日宣布推出兩個(gè)符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)抑制二極管陣列（SPA?二極管）系列。 AQHV和AQHV-C系列旨在提供特快熔斷、高性能過(guò)電壓保護(hù)器件，最適合用于電源接口、乘客充電接口以及LED照明模塊和低速I(mǎi)/O。
2018-05-09 17:15:001442 新一代1200V TRENCHSTOP? IGBT6專(zhuān)門(mén)針對(duì)開(kāi)關(guān)頻率在15kHz以上的硬開(kāi)關(guān)和諧振拓?fù)涠O(shè)計(jì)，可滿足其對(duì)更高能效以及更低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗的要求.
2018-07-11 11:28:575622 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是AEC-Q101基于離散半導(dǎo)體元件應(yīng)力測(cè)試認(rèn)證的失效機(jī)理中文標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
2018-10-25 08:00:0039 視頻簡(jiǎn)介：這視頻介紹我們?nèi)碌?b class="flag-6" style="color: red">Q0和Q2系列功率模塊，應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器，額定功率超過(guò)100kVA。Q0PACK模塊包括一個(gè)T-NPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，具有65A / 1200V IGBT、60A
2019-03-14 06:12:006116 
ROHM新推出四款支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-13 18:30:571897 據(jù)外媒報(bào)道，最近，日本羅姆半導(dǎo)體公司（ROHM）宣布新增兩款車(chē)用級(jí)1200V耐壓絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），此類(lèi)晶體管非常適合用于電子壓縮機(jī)內(nèi)的逆變器，以及正溫度系數(shù)（PTC）加熱器中的開(kāi)關(guān)電路。
2019-05-27 08:41:501845 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）新推出四款支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-29 15:15:505922 電流流過(guò)PTC元件使之產(chǎn)生熱量。低溫時(shí)會(huì)流過(guò)大電流，產(chǎn)生大量熱量，隨著發(fā)熱量的增加，電阻值增大，電流受限，從而抑制發(fā)熱量。利用這些特性，可加熱空氣和水，并使之循環(huán)，從而成為制熱用的熱源。
2019-08-22 09:29:175782 AECQ101主要對(duì)汽車(chē)分立器件，元器件標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范要求，AECQ101認(rèn)證將會(huì)是汽車(chē)級(jí)半導(dǎo)體企業(yè)的首選。AEC-Q101認(rèn)證包含了離散半導(dǎo)體元件（如晶體管，二極管等）最低應(yīng)力測(cè)試要求的定義和參考測(cè)試條件，目的是要確定一種器件在應(yīng)用中能夠通過(guò)應(yīng)力測(cè)試以及被認(rèn)為能夠提供某種級(jí)別的品質(zhì)和可靠性。
2021-05-20 11:50:386819 – 現(xiàn)已通過(guò)AEC-Q101汽車(chē)級(jí)認(rèn)證。Qspeed硅二極管采用混合PIN技術(shù)，可在軟開(kāi)關(guān)和低反向恢復(fù)電荷（Qrr）之間提供獨(dú)特的平衡。該特性有助于降低EMI和輸出噪聲，這對(duì)于車(chē)載音響系統(tǒng)特別重要。
2019-09-16 10:23:003615 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）新推出四款支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC－Q101※1）的1200V耐壓IGBTRGS系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品非常適用于電動(dòng)壓縮機(jī)※2）的逆變器電路
2020-09-18 16:57:093104 ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)、且具有1200V和650V寬耐壓范圍的IGBT產(chǎn)品。該系列具有更低的傳導(dǎo)損耗，有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的效率并實(shí)現(xiàn)小型化，是電動(dòng)壓縮機(jī)的逆變器和高壓加熱器的更佳選擇。
2020-10-02 17:34:003421 
）今日宣布推出最新通過(guò)認(rèn)證的700和1200V碳化硅（SiC）肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）功率器件，為電動(dòng)汽車(chē)（EV）系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了符合嚴(yán)苛汽車(chē)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的解決方案，同時(shí)支持豐富的電壓、電流和封裝選項(xiàng)。 Microchip新推出的器件通過(guò)了AEC-Q101認(rèn)證，對(duì)于需要在提高系統(tǒng)效率的同時(shí)保持高質(zhì)
2020-11-05 10:20:352091 9月20日，廣州廣電計(jì)量檢測(cè)股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)：廣電計(jì)量）聯(lián)袂上海陸芯電子科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)：上海陸芯），于廣州順利舉行“廣電計(jì)量與上海陸芯合作交流會(huì)暨上海陸芯IGBT汽車(chē)級(jí)AEC-Q101驗(yàn)證報(bào)告頒發(fā)儀式”。
2022-09-22 14:54:252254 值得一提的是，這款TO247-4封裝的產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，同時(shí)表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也滿足車(chē)規(guī)級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金，如下圖，支持雙面散熱封裝，可進(jìn)一步突破傳統(tǒng)單面封裝的功率密度極限。
2022-11-08 14:45:161791 (Automotive Electronics Council，簡(jiǎn)稱(chēng)AEC)作為車(chē)規(guī)驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)，包括AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED
2023-01-29 11:04:434122 ROHM面向xEV車(chē)載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器，又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET，該系列產(chǎn)品“支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101”，而且共有13款型號(hào)，擁有業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容。
2023-02-09 10:19:241521 
白皮書(shū)：GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性 – 中文（650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率，以及 AEC-Q101 認(rèn)證所需的耐久性）-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:033 白皮書(shū)：GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 20:08:503 2022年11月，上海瞻芯電子開(kāi)發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過(guò)了車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101)，該產(chǎn)品為T(mén)O247-4封裝，最大電流(Ids)可達(dá)111A。
2023-03-22 16:47:333850 
。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官?CFO 伊野和英 （左） ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:511651 
℃ AEC-Q101認(rèn)證對(duì)象： 晶體管：BJT、MOSFET、IGBT、二極管、Diodes、Rectifier、Zeners、PIN、Varactors 光器件：LEDs、Optocoupler
2023-05-16 15:17:012333 
AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)是用于分立半導(dǎo)體器件的，標(biāo)準(zhǔn)全稱(chēng)：Failure Mechanism Based Stress Test Qualification For Discrete
2023-05-31 17:09:086304 
器件的標(biāo)準(zhǔn)為 [AEC-Q101],針對(duì)于LED的標(biāo)準(zhǔn)為 [AEC-Q102],針對(duì)于被動(dòng)元件設(shè)計(jì)為[AEC-Q200]，AEC-Q104(多芯
2023-06-16 14:32:533393 
Semiware推出符合AEC-Q101認(rèn)證的車(chē)規(guī)級(jí)TVS管TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列，防護(hù)產(chǎn)品系列齊全，以滿足高標(biāo)準(zhǔn)的客戶需求.
2021-12-08 11:41:131463 
3月11日，國(guó)際獨(dú)立第三方檢測(cè)檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)德國(guó)萊茵TV（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“TV萊茵”）向上海陸芯電子科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“上海陸芯”）的第三代IGBT產(chǎn)品頒發(fā)了AEC-Q101認(rèn)證證書(shū)。這是上海陸芯汽車(chē)
2022-06-21 09:18:392221 
AEC-Q100、AEC-Q101和AEC-Q200這三個(gè)標(biāo)準(zhǔn)是最早制訂的、也最常被引用的AEC-Q標(biāo)準(zhǔn)。在AEC網(wǎng)站上的“文檔”頁(yè)面列出了37個(gè)標(biāo)準(zhǔn)和子標(biāo)準(zhǔn)，其中七個(gè)被列為“新New”或“初始版本Initial release”
2022-07-01 09:27:552775 
是FAILUREMECHANISMBASEDSTRESSTESTQUALIFICATIONFORDISCRETESEMICONDUCTORSINAUTOMOTIVEAPPLICATIONS翻譯過(guò)來(lái)是基于失效機(jī)制對(duì)汽車(chē)領(lǐng)域應(yīng)用中分立半導(dǎo)體器件的認(rèn)證測(cè)試AEC-Q101最新的版本是Rev_E，發(fā)布于2021年3月
2023-01-13 10:00:294638 
USAEC-Q101認(rèn)證的概念AEC-Q101：車(chē)用分立半導(dǎo)體元器件的基于失效機(jī)理的應(yīng)力測(cè)試驗(yàn)證。半導(dǎo)體分立器件被廣泛應(yīng)用到消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)及外設(shè)、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車(chē)電子、LED顯示屏等領(lǐng)域，而汽車(chē)領(lǐng)域
2023-01-13 10:02:032195 瞻芯電子正式量產(chǎn)了一款TO263-7封裝的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品（IV1Q12160D7Z），該產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)格的車(chē)規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試認(rèn)證(AEC-Q101)。
2023-06-27 11:29:487870 
AEC其實(shí)是Automotive Electronics Council汽車(chē)電子協(xié)會(huì)的簡(jiǎn)稱(chēng)，并且AECQ標(biāo)準(zhǔn)包括以下幾個(gè)領(lǐng)域，對(duì)于不同領(lǐng)域的電子器件，適用于不同的標(biāo)準(zhǔn)。目前見(jiàn)到的比較多的是AEC-Q100、AEC-Q101、AEC-Q200。
2023-07-05 11:30:169221 
進(jìn)入汽車(chē)領(lǐng)域，打入各一級(jí)(Tier1)汽車(chē)電子大廠供應(yīng)鏈，必須取得兩張門(mén)票，一張是由北美汽車(chē)產(chǎn)業(yè)所推的AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(分立半導(dǎo)
2023-08-25 08:28:091727 AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)之TC解讀TC(TemperatureCycling)高溫循環(huán)測(cè)試意義在于證實(shí)極高溫度，極低溫度和高溫與低溫交替作用時(shí)，機(jī)械應(yīng)力對(duì)于器件焊接性能的作用，標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101-E中
2023-08-30 08:27:504157 安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證的全部測(cè)試。
2023-09-06 17:48:451376 功率循環(huán)測(cè)試-簡(jiǎn)介功率循環(huán)測(cè)試是一種功率半導(dǎo)體器件的可靠性測(cè)試方法，被列為AEC-Q101與AQG-324等車(chē)規(guī)級(jí)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)的必測(cè)項(xiàng)目。相對(duì)于溫度循環(huán)測(cè)試，功率循環(huán)通過(guò)在器件內(nèi)運(yùn)行的芯片發(fā)熱使器件
2023-09-10 08:27:592842 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn) 采用小型有引腳和無(wú)引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 15:36:081 是車(chē)規(guī)元器件重要的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)之一。對(duì)于1200V耐壓器件，AEC-Q101在H3TRB（高溫高濕反偏試驗(yàn)）考核標(biāo)準(zhǔn)中耐壓通常為100V。而在HV-H3TRB（高壓高溫高
2023-10-24 15:52:321851 繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證后
2023-10-25 18:28:101484 
近日，芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)（廣電計(jì)量）全套AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。包括之前通過(guò)測(cè)試認(rèn)證的650V
2023-12-06 14:04:491019 
蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯
2024-03-12 11:06:301587 蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核，同時(shí)通過(guò)了新能源行業(yè)頭部廠商的導(dǎo)入測(cè)試并量產(chǎn)交付。
2024-03-12 17:18:212547 
2024年3月22日， 國(guó)際公認(rèn)的測(cè)試、檢測(cè)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS為安芯電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“安芯電子”）及其子公司安徽安美半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“安美半導(dǎo)體”）頒發(fā)了AEC-Q101認(rèn)證證書(shū)。
2024-03-22 18:21:552151 近日，國(guó)際公認(rèn)的測(cè)試、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS（以下簡(jiǎn)稱(chēng)為“SGS”）為吉林華微電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)為“華微電子”）頒發(fā)AEC-Q101認(rèn)證證書(shū)。
2024-03-22 18:25:561834 近日，瞻芯電子正式推出一款車(chē)規(guī)級(jí)1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z，該模塊產(chǎn)品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。
2024-04-07 11:37:323562 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 15A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT15N120SE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 15:23:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 25A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT25N120SE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 16:59:080 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N120HE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 17:11:310 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N120SE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 17:14:080 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N120UE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 17:16:100 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 75A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT75N120HA數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 18:02:380 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 75A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT75N120SA數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 18:05:173 雷卯解析AEC-Q101與AEC-Q200
2024-06-12 08:02:582253 
近日，上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“瞻芯電子”）基于第三代工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品（IV3Q12013T4Z）通過(guò)了車(chē)規(guī)級(jí)可靠性(AEC-Q101)測(cè)試
2024-06-24 09:13:201944 
SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET，該系列產(chǎn)品“ 支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101 ”，而且共有13款型號(hào)，擁有業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容。 為了延長(zhǎng)xEV的續(xù)航距離，要求車(chē)載充
2024-08-25 23:30:22762 
近日，基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，產(chǎn)品性能和可靠性滿足汽車(chē)電子元器件在極端環(huán)境下的嚴(yán)苛要求，至此公司獲車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證的碳化硅功率器件產(chǎn)品家族再添一員。
2024-09-13 10:20:191572 
強(qiáng)茂車(chē)用產(chǎn)品目錄Q3,2024 PDF版本上線啰!內(nèi)含AEC-Q101認(rèn)證的分離式器件，為您的汽車(chē)應(yīng)用提供可靠性及最佳性能。
2024-09-29 10:27:041128 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車(chē)載電動(dòng)壓縮機(jī)、HV加熱器、工業(yè)設(shè)備用逆變器等應(yīng)用，開(kāi)發(fā)出符合汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101*1、1200V耐壓、實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。
2024-11-13 13:55:451374 
本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進(jìn)的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比，該模塊采用了分段式柵極溝槽（SDA）結(jié)構(gòu)，并通過(guò)可以控制
2024-11-14 14:59:192865 
)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q200(被動(dòng)組件)。而AEC-Q102(離散光電LED)、AEC-Q104(多芯片組件)為近期較新的汽車(chē)電子規(guī)范。AEC測(cè)試條件雖然
2024-11-21 16:41:561792 
森國(guó)科推出的1200V/25A IGBT(選型：KG025N120LD-R)適用于逆變焊機(jī)、不間斷電源和電磁加熱器等方面。新款IGBT的魯棒性和耐用性極強(qiáng)，當(dāng)實(shí)際電流是標(biāo)準(zhǔn)電流的四倍時(shí)無(wú)閂鎖效應(yīng)，短路時(shí)間極短，僅5μs，最大工作結(jié)溫?cái)U(kuò)大到175℃，有助于延長(zhǎng)產(chǎn)品的使用壽命。
2024-12-04 16:16:281122 
電子部件標(biāo)準(zhǔn)，其成員包括全球的汽車(chē)制造商、電子模塊生產(chǎn)商和元器件供應(yīng)商。AECQ101標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)述AECQ101標(biāo)準(zhǔn)是一套針對(duì)汽車(chē)用離散半導(dǎo)體元件的可靠性測(cè)試和認(rèn)證標(biāo)
2024-12-23 17:29:481190 
C-Q101-2021標(biāo)準(zhǔn)在汽車(chē)行業(yè)中，電子器件的可靠性直接關(guān)系到車(chē)輛的性能和乘客的安全。隨著汽車(chē)電子化程度的不斷提高，對(duì)電子器件的質(zhì)量和可靠性要求也越來(lái)越高。AEC-Q101-2021標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)運(yùn)而生
2025-01-09 11:04:301467 
在功率器件快速發(fā)展的當(dāng)下，如何實(shí)現(xiàn)更低的損耗、更強(qiáng)的可靠性與更寬的應(yīng)用覆蓋，成為行業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)。龍騰半導(dǎo)體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品，專(zhuān)為高頻應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。依托先進(jìn)工藝平臺(tái)與系統(tǒng)化設(shè)計(jì)能力，為工業(yè)逆變、UPS、新能源等場(chǎng)景注入高效驅(qū)動(dòng)力。
2025-04-29 14:43:471044 在全球新能源汽車(chē)加速普及的今天，續(xù)航短、充電慢成為行業(yè)發(fā)展瓶頸。為突破這兩大痛點(diǎn)，高功率電壓系統(tǒng)對(duì)1200V耐壓功率芯片的需求愈發(fā)迫切，1200V SiC功率器件成為行業(yè)競(jìng)相攻堅(jiān)的焦點(diǎn)。在這一趨勢(shì)下
2025-05-14 17:55:021063 新品針對(duì)車(chē)載充電和電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模塊英飛凌推出針對(duì)車(chē)載充電和電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用的EasyPACK2B模塊，采用六單元配置，通過(guò)AQG324認(rèn)證。一個(gè)模塊采用
2025-07-31 17:04:34837 
Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導(dǎo)通損耗，導(dǎo)通電
2025-09-18 18:19:141112 6ED2231S12T：1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器解析 在電力電子領(lǐng)域，柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件（如IGBT和SiC MOSFET）的關(guān)鍵組件。今天我們來(lái)詳細(xì)探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02658
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