1.三星發(fā)布首款3nm可穿戴設(shè)備芯片Exynos W1000 采用FOPLP封裝
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三星于7月3日發(fā)布其首款采用3nm GAA先進(jìn)工藝的可穿戴設(shè)備SoC芯片Exynos W1000，該產(chǎn)品應(yīng)用了先進(jìn)制造工藝和封裝方法，提高性能的同時有助于減小體積，從而為電池預(yù)留更大空間，為智能手表設(shè)計提高靈活性。
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Exynos W1000芯片全新的CPU架構(gòu)擁有1顆Cortex-A78 1.6GHz大核，以及4顆能效更高的Cortex-A55 1.5GHz小核心，采用LPDDR5內(nèi)存，提供流暢性能。與前作Exynos W930相比，Exynos W1000多核提升3.7倍。對于日常使用，這款芯片的加速功能可以保證用戶在啟動關(guān)鍵App時，速度提高2.7倍，并在多個應(yīng)用之間流暢平滑切換。此外，這款芯片集成Mali-G68 MP2 GPU核心，支持960x540、640×640顯示分辨率，整合32GB eMMC存儲。
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2.英偉達(dá)H200訂單Q3開始交付 預(yù)計B100明年上半年出貨
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據(jù)報道，英偉達(dá)AI GPU H200上游芯片端于Q2下旬起進(jìn)入量產(chǎn)期，預(yù)計在Q3以后大量交貨。但英偉達(dá)Blackwell平臺上市時程提前至少一到兩個季度，影響終端客戶采購H200的意愿。供應(yīng)鏈指出，目前待出貨的客戶端訂單仍多集中于HGX架構(gòu)的H100，H200比重有限，Q3將量產(chǎn)交貨的H200主要為英偉達(dá)DGX H200；至于B100則已有部分能見度，預(yù)計出貨時程落在明年上半年。
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H200作為H100 GPU的迭代升級產(chǎn)品，基于先進(jìn)的Hopper架構(gòu)，首次采用了HBM3e高帶寬內(nèi)存技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了更快的數(shù)據(jù)傳輸速度和更大的內(nèi)存容量，尤其針對大型語言模型應(yīng)用表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。根據(jù)英偉達(dá)官方發(fā)布的數(shù)據(jù)，在處理諸如Meta公司Llama2這樣的復(fù)雜大語言模型時，H200相較于H100在生成式AI輸出響應(yīng)速度上最高提升了45%。
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3. 三星NAND材料價值鏈生變 將引入鉬元素
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三星正在其第9代V-NAND的金屬化工藝過程中應(yīng)用鉬（Mo）。消息人士稱，三星已從泛林集團(tuán)引進(jìn)5臺鉬沉積機(jī)用于該工藝，并且計劃明年再引進(jìn)20臺此類設(shè)備。
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與六氟化鎢（WF6）不同的是，鉬前驅(qū)體是固體，需要使用這些設(shè)備將其加熱到600攝氏度，以轉(zhuǎn)化為氣體。在三星的第9代V-NAND生產(chǎn)中，一種應(yīng)用使用鎢（W），另一種應(yīng)用使用鉬。三星在氧化物-氮化物-氧化物（ONO）結(jié)構(gòu)中使用鉬代替鎢。
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4. FOPLP封裝導(dǎo)入AI GPU，預(yù)估2027年量產(chǎn)
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源自臺積電2016年發(fā)明的InFO（整合扇出型封裝）衍生出的FOWLP（扇出型晶圓級封裝）技術(shù)，伴隨AMD、英偉達(dá)等廠商積極洽談以FOPLP（扇出型面板級封裝）進(jìn)行晶片封裝，帶動市場對FOPLP技術(shù)關(guān)注。TrendForce集邦咨詢指出，該應(yīng)用將暫時止步于PMIC（電源管理IC）等制程成熟、成本敏感的產(chǎn)品，待技術(shù)成熟后才導(dǎo)入至主流消費(fèi)級IC產(chǎn)品，AI GPU則要到2027年才有望進(jìn)入量產(chǎn)。
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FOPLP技術(shù)目前有三種主要應(yīng)用模式，首先是OSAT（封裝測試）廠商將消費(fèi)級IC封裝從傳統(tǒng)方式轉(zhuǎn)換至FOPLP，其次是晶圓代工廠和OSAT將AI GPU的2.5D封裝從晶圓級轉(zhuǎn)換至面板級，另外是面板廠商跨足消費(fèi)IC封裝領(lǐng)域。這凸顯產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)對FOPLP技術(shù)的積極布局。
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5. 安森美宣布收購CQD傳感器技術(shù)公司SWIR Vision Systems
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安森美半導(dǎo)體（Onsemi）近日宣布已完成對SWIR Vision Systems的收購，后者是一家基于膠體量子點(diǎn)（CQD）的短波紅外（SWIR）技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商。此次收購旨在將SWIR Vision Systems的先進(jìn)技術(shù)集成到安森美的CMOS傳感器中，通過擴(kuò)展SWIR光譜來增強(qiáng)其捕捉更廣泛圖像的能力。
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據(jù)悉，CQD使用具有獨(dú)特光學(xué)和電子特性的納米粒子或晶體，這些納米粒子或晶體可以精確調(diào)整以吸收擴(kuò)展波長的光。該技術(shù)將系統(tǒng)的可見性和檢測范圍從標(biāo)準(zhǔn)CMOS傳感器的范圍擴(kuò)展到SWIR波長。迄今為止，由于傳統(tǒng)銦鎵砷（InGAas）工藝的高成本和制造復(fù)雜性，SWIR 技術(shù)的采用受到限制。
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6. 消息稱蘋果繼 AMD 后成為臺積電 SoIC 半導(dǎo)體封裝大客戶，最快明年用于 Mac
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據(jù)報道，在 AMD 之后，蘋果公司在 SoIC 封裝方案上已經(jīng)擴(kuò)大和臺積電的合作，預(yù)估在 2025 年使用該技術(shù)。
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臺積電正在積極提高 CoWoS 封裝產(chǎn)能的同時，也在積極推動下一代 SoIC 封裝方案落地投產(chǎn)。AMD 是臺積電 SoIC 的首發(fā)客戶，旗下的 MI300 加速卡就使用了 SoIC+CoWoS 封裝解決方案，可將不同尺寸、功能、節(jié)點(diǎn)的晶粒進(jìn)行異質(zhì)整合，目前在位于竹南的第五座封測廠 AP6 生產(chǎn)。蘋果對 SoIC 封裝也非常感興趣，將采取 SoIC 搭配 Hybrid molding（熱塑碳纖板復(fù)合成型技術(shù)），目前正小量試產(chǎn)，預(yù)計 2025~2026 年量產(chǎn)，計劃應(yīng)用在 Mac 上。
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