1. 保時捷或?qū)⒃谌A停售電動汽車，CEO放話：不會把小米當對手，太便宜
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4月28日消息，“我們將在未來兩到三年內(nèi)看到，保時捷是否作為一個電動品牌在這里存在，”保時捷CEO奧博穆（Oliver Blume）說。據(jù)報道，盡管面臨來自中國品牌（如小米）的激烈競爭，銷量連續(xù)三年斷崖式下滑，但在保時捷看來，他們依然有自己的“獨家優(yōu)勢”。
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奧博穆（Oliver Blume）在上海車展期間接受媒體采訪時，駁斥了對保時捷在中國銷量下滑的擔憂?！拔覀儾辉诤蹁N量，”奧博穆說，他更關(guān)心將價格保持在“適合保時捷”的水平。此外，奧博穆還否認保時捷與小米和仰望等中國品牌直接競爭：“它們是很酷的汽車，”他說，但它們?nèi)狈Ρr捷的“駕駛能力”，并且處于“低價細分市場”。????????
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2.阿里千問3登頂全球最強開源模型，參數(shù)僅為DeepSeek-R1三分之一
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4月29日凌晨，阿里巴巴開源新一代通義千問模型Qwen3（簡稱千問3），參數(shù)量僅為DeepSeek-R1的1/3，成本大幅下降，性能全面超越R1、OpenAI-o1等領(lǐng)先模型，登頂全球最強開源模型。千問3是國內(nèi)首個“混合推理模型”，將“快思考”與“慢思考”集成進同一個模型，大大節(jié)省算力消耗。據(jù)了解，千問3采用混合專家（MoE）架構(gòu)，總參數(shù)量235B，激活僅需22B。
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千問3預訓練數(shù)據(jù)量達36T tokens，并在后訓練階段經(jīng)過多輪強化學習，將非思考模式無縫整合到思考模型中。千問3在推理、指令遵循、工具調(diào)用、多語言能力等方面均大幅增強。性能大幅提升的同時，千問3的部署成本還大幅下降，僅需4張H20即可部署千問3滿血版，顯存占用僅為性能相近模型的三分之一。
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3. 傳英偉達考慮在華設立合資企業(yè) 未來或獨立中國業(yè)務
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2024年4月，英偉達創(chuàng)始人黃仁勛在北京參加了一場關(guān)鍵會議，這場會議將決定英偉達能否繼續(xù)在中國市場運營。黃仁勛在會議中反復強調(diào)公司與中國30年的關(guān)系，公開承認中國對英偉達的重要性。有傳言稱，黃仁勛正在悄然啟動“B計劃”，考慮在中國設立合資企業(yè)以維持CUDA生態(tài)系統(tǒng)，甚至可能將來會將中國業(yè)務獨立出來。
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2022年，美國對向中國出口AI芯片實施禁令，嚴重影響了英偉達。盡管黃仁勛迅速推出針對中國的降級版A800和H800芯片以規(guī)避限制，但2024年初新一輪禁令甚至連這些“特供版”也封鎖了。2025年，在特朗普2.0政策下，即使是最低端的H20芯片也受到美國商務部控制。
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4. 中國臺灣將實施“N-1”限制，禁止臺積電出口最先進制程技術(shù)
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中國臺灣計劃加強對先進制程技術(shù)出口以及對外半導體投資的管控。新的法律措施將強制執(zhí)行“N-1”技術(shù)限制，實質(zhì)上禁止臺積電出口其最新生產(chǎn)節(jié)點，并對違規(guī)行為處以罰款。然而，新規(guī)對臺積電而言存在重大變數(shù)。
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中國臺灣行政院負責人卓榮泰確認的“N-1”政策將適用于臺積電計劃在美國的生產(chǎn)。該政策限制了最先進制程技術(shù)的出口，只允許其將較先進的制程技術(shù)部署到海外。在此修訂之前，中國臺灣法規(guī)并未明確要求對半導體制造工藝進行此類管控。這些規(guī)定基于修訂后的《產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新法》第22條，預計將于2025年底生效。
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5. 傳索尼考慮分拆半導體部門 聚焦娛樂與成長領(lǐng)域
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知情人士消息報導，索尼集團 (Sony Group Corp.) 正考慮將旗下半導體業(yè)務 Sony Semiconductor Solutions Corp. 分拆并上市，借此簡化公司結(jié)構(gòu)、聚焦娛樂領(lǐng)域。
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消息人士指出，最快今年內(nèi)可能完成分拆計劃，索尼擬將大部分半導體業(yè)務股份分配給現(xiàn)有股東，并在分拆后保留少數(shù)股權(quán)。由于市場因美國總統(tǒng)特朗普關(guān)稅政策波動劇烈，分拆計劃仍在審議中，細節(jié)可能有所變動。對此，索尼及其半導體部門發(fā)言人均拒絕對市場傳聞置評。
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6. 三星電子計劃在1d nm傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)內(nèi)存后導入VCT DRAM技術(shù)
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據(jù)最新消息，三星電子已經(jīng)制定了在第7代10nm級DRAM內(nèi)存工藝1d nm后導入VCT垂直通道晶體管技術(shù)的路線圖。有望在未來2到3年內(nèi)，相關(guān)產(chǎn)品將面世。在這個過程中，三星電子曾經(jīng)在1d nm后的下一代DRAM工藝中，考慮過1e nm和VCT DRAM兩種選擇，最終選擇了后者。
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在選擇新的DRAM工藝方向上，三星電子進行了深入的研究和對比。在1e nm和VCT DRAM兩種選擇中，三星電子最終選擇了VCT DRAM技術(shù)。這是因為，相比1e nm，VCT DRAM技術(shù)在性能和效率上更具優(yōu)勢。為了加快VCT DRAM技術(shù)的研發(fā)進度，三星電子甚至將1e nm的先行研究組織合并到1d nm團隊中，以推進1d nm的開發(fā)。
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