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熱插拔設(shè)計(jì) - 基于LTC4350的并聯(lián)均流技術(shù)應(yīng)用研究

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2011-03-08 15:33:27112

LTC4350自主研究

文中分析了LTC4350自主法的工作原理和性能特點(diǎn),采用LTC4350制作了兩塊實(shí)驗(yàn)電源模塊,并讓其并聯(lián)工作,做和熱插拔實(shí)驗(yàn),達(dá)到了滿意的效果。
2011-08-17 15:48:332131

平面變壓器中并聯(lián)繞組的設(shè)計(jì)

本內(nèi)容介紹了平面變壓器中并聯(lián)繞組的設(shè)計(jì)
2011-11-10 17:04:1861

兩種常見(jiàn)流電路

如果母線是并聯(lián)模塊電流的平均值,則是平均值法;如果是并聯(lián)模塊電流的最大值,則是最大值法;如果母線是并聯(lián)模塊中的主模塊的電流,則就是主從法。
2011-11-21 14:24:359963

基于SVPWM并聯(lián)有源電力濾波的應(yīng)用研究及仿真

基于SVPWM并聯(lián)有源電力濾波的應(yīng)用研究及仿真
2016-04-18 10:13:4511

LCL型濾波器在并聯(lián)APF中的應(yīng)用研究_王紅艷

LCL型濾波器在并聯(lián)APF中的應(yīng)用研究_王紅艷
2016-12-30 15:05:075

ZigBee和GPRS技術(shù)在水文監(jiān)測(cè)系統(tǒng)中的應(yīng)用研究

ZigBee和GPRS技術(shù)在水文監(jiān)測(cè)系統(tǒng)中的應(yīng)用研究
2017-01-08 15:31:3510

并聯(lián)IGBT模塊靜動(dòng)態(tài)方法研究_肖雅偉

并聯(lián)IGBT模塊靜動(dòng)態(tài)方法研究_肖雅偉
2017-01-08 10:11:417

基于UWB無(wú)線通信技術(shù)在礦井中的應(yīng)用研究

基于UWB無(wú)線通信技術(shù)在礦井中的應(yīng)用研究
2020-11-18 09:41:0711

開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)技術(shù)

開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)技術(shù)
2017-02-07 15:27:3447

一種用于工作的結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)模型及應(yīng)用研究_胡飛虎

一種用于工作的結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)模型及應(yīng)用研究_胡飛虎
2017-03-19 11:45:570

基于開(kāi)關(guān)電源的并聯(lián)技術(shù)的工作原理及特點(diǎn)

的主要任務(wù)是:  ?。?)當(dāng)負(fù)載變化時(shí),每臺(tái)電源的輸出電壓變化相同。  ?。?)使每臺(tái)電源的輸出電流按功率份額均攤。
2017-08-31 09:25:2912

電源并聯(lián)的自動(dòng)技術(shù)及其應(yīng)用

電源并聯(lián)的自動(dòng)技術(shù)及其應(yīng)用
2017-09-14 09:11:1031

自動(dòng)技術(shù)及負(fù)載集成電路控制器

自動(dòng)技術(shù)及負(fù)載集成電路控制器
2017-09-18 10:33:4215

器件并聯(lián)匹配的問(wèn)題介紹

]和[6]還從系數(shù)的角度,給出了對(duì)器件的要求。然而從器件及其篩選匹配方面,我們認(rèn)為還有進(jìn)一步的探討和研究的必要。從事器件應(yīng)用的,注重器件的內(nèi)在性能;從事器件設(shè)計(jì)的,注重線路對(duì)器件的要求,兩方面的結(jié)合是提升器件性
2017-10-31 10:11:1311

什么是并聯(lián)技術(shù)

但是電源輸出參數(shù)的擴(kuò)展,僅僅通過(guò)簡(jiǎn)單的串、并聯(lián)方式還不能完全保證整個(gè)擴(kuò)展后的電源系統(tǒng)穩(wěn)定可靠的工作。不論電源模塊是擴(kuò)壓還是擴(kuò)存在一個(gè)“壓”、“”的問(wèn)題,而解決方法的不同,對(duì)整個(gè)電源擴(kuò)展系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性都有很大的影響。
2017-11-09 15:02:5714993

電源并聯(lián)技術(shù)在航天器測(cè)試中的應(yīng)用

針對(duì)單臺(tái)穩(wěn)壓電源功率無(wú)法滿足大型航天器測(cè)試供電的問(wèn)題,設(shè)計(jì)了一種多電源并聯(lián)的航天器測(cè)試供電系統(tǒng)。采用通用性強(qiáng)的VC#軟件編程實(shí)現(xiàn)了的自動(dòng)閉環(huán)控制,通過(guò)硬件架構(gòu)設(shè)計(jì)使得系統(tǒng)中各電源電氣獨(dú)立
2017-11-14 17:54:5612

并聯(lián)RC網(wǎng)絡(luò)電源的方法

主從法適用于電流型控制的并聯(lián)開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)中。這種系統(tǒng)中有電壓控制和電流控制,形成雙閉環(huán)控制系統(tǒng)。這種方法要求每個(gè)模塊問(wèn)有通訊,所以使系統(tǒng)復(fù)雜化,并且當(dāng)主模塊失效時(shí),整個(gè)電源系統(tǒng)便不能工作。
2018-07-05 07:06:005334

虛擬阻抗對(duì)UPS并聯(lián)系統(tǒng)控制

系統(tǒng)UPS之問(wèn)產(chǎn)生環(huán)流,降低UPS并聯(lián)系統(tǒng)的特性和穩(wěn)定性。為解決該問(wèn)題,在電壓電流雙閉環(huán)之外引入虛擬電阻環(huán)節(jié),虛擬阻抗的加入可減小UPS逆變器參數(shù)不同造成的輸出內(nèi)阻抗差異,提高控制精度。詳細(xì)介紹了虛擬阻抗對(duì)UPS并聯(lián)系統(tǒng)特性的影響。兩臺(tái)單套功率40 kVA的三相四線
2017-12-13 16:04:0922

大功率電源模塊并聯(lián)的設(shè)計(jì)方案

目前國(guó)內(nèi)大部分的模塊并聯(lián)輸出設(shè)計(jì),都使用了有源法。這種方法采用母線方式,各模塊之間存在相互關(guān)聯(lián),通過(guò)取樣各個(gè)模塊輸出電流進(jìn)行比較進(jìn)而調(diào)整各個(gè)模塊輸出電壓的辦法實(shí)現(xiàn),具有效率高的優(yōu)點(diǎn)。
2018-03-06 14:27:3413616

具準(zhǔn)確功能的多相同步降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓控制器LTC7851/LTC7851-1

LTC7851 / LTC7851-1 是四通道輸出、多相同步降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓控制器,其運(yùn)用了一種恒定頻率電壓模式架構(gòu)。當(dāng)與其內(nèi)部環(huán)路并聯(lián)時(shí),這兩款器件可在通道之間保持卓越的電流平衡。無(wú)損 DCR
2018-07-11 09:45:002299

整流二極管并聯(lián)的實(shí)現(xiàn)

整流二極管的并聯(lián)使用要實(shí)現(xiàn)是一個(gè)難題。最主要的原因是二極管是正溫度系數(shù)的器件。
2019-09-07 11:01:1915255

用基本的物理原理理解IGBT—并聯(lián)不簡(jiǎn)單

,沒(méi)有并聯(lián),就不是IGBT。 但是這里面就牽扯到并聯(lián)問(wèn)題。 2、芯片越大越好? 有些人感覺(jué)把IGBT芯片做大一點(diǎn),一顆頂兩顆,這樣就可以減少封裝中的并聯(lián)問(wèn)題了。事實(shí)顯然沒(méi)有那么簡(jiǎn)單。 首先,IGBT芯片是很多個(gè)元胞組成的,按15um的元胞寬度,方形
2022-11-15 17:18:004648

淺談技術(shù)

我們經(jīng)常使用的技術(shù)有 6 種,分別為: 1. 改變單元輸出內(nèi)阻法(斜率控制法); 改變單元輸出內(nèi)阻法有兩種方式:一是固定輸出電壓,然后改變斜率,另一個(gè)是固定斜率,然后改變輸出電壓 2. 主
2022-11-30 10:46:433438

三相全橋逆變器的并聯(lián)設(shè)計(jì)

的差異,導(dǎo)致IGBT并聯(lián)時(shí)電流不均衡。本文分析了帶輸出電抗器的三相三相全橋逆變器的并聯(lián)特性,設(shè)計(jì)了輸出電抗器參數(shù),給出了仿真和試驗(yàn)結(jié)果,試驗(yàn)結(jié)果表明了對(duì)并聯(lián)特性分析的合理性及有效性。
2021-04-12 15:23:3224

降壓方法的分析.設(shè)計(jì)與性能評(píng)估

分析了下垂電流的分配方法,并提出了一種提出了一般設(shè)計(jì)程序。 結(jié)果表明N + 1電源的精度是輸出電壓設(shè)定點(diǎn)精度,輸出電壓下降的斜率和控制環(huán)路的增益。 發(fā)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)精度為輸出電壓的10%并聯(lián)電源需要設(shè)置在0.35%以內(nèi)。 這設(shè)計(jì)程序的準(zhǔn)確性與三個(gè)并聯(lián)工作的電源的測(cè)量結(jié)果。
2021-04-16 09:46:468

LTC3860:具有功能的雙相多相降壓型DC/DC控制器

LTC3860:具有功能的雙相多相降壓型DC/DC控制器
2021-04-25 20:36:549

LTC3861-1:帶精確數(shù)據(jù)表的雙相多相降壓型DC/DC控制器

LTC3861-1:帶精確數(shù)據(jù)表的雙相多相降壓型DC/DC控制器
2021-04-27 10:27:539

LTC3861:雙相、多相降壓模式DC/DC控制器,具有精確的數(shù)據(jù)表

LTC3861:雙相、多相降壓模式DC/DC控制器,具有精確的數(shù)據(jù)表
2021-05-17 15:30:237

開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)技術(shù)

開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)技術(shù)(史上最牛電源技術(shù)總結(jié))-?開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)技術(shù)摘 要:大功率輸出和分布式電源是電源技術(shù)發(fā)展的方向,而并聯(lián)開(kāi)關(guān)變換器模塊間采用技術(shù),是實(shí)現(xiàn) 大功率電源和冗余電源的關(guān)鍵,本文
2021-09-27 09:21:2845

兩個(gè)開(kāi)關(guān)電源可以并聯(lián)使用嗎開(kāi)關(guān)電源有功能,只有開(kāi)關(guān)電源有功能的才可以并聯(lián)使用。沒(méi)有的切記不可并聯(lián)使用。電工之家百度快照課復(fù)制(可以把網(wǎng)址復(fù)制到百度搜索欄,不是http網(wǎng)址搜索欄)

兩個(gè)開(kāi)關(guān)電源可以并聯(lián)使用嗎時(shí)間:2018-08-07 08:46 來(lái)源:電工之家兩個(gè)開(kāi)關(guān)電源可以并聯(lián)使用嗎開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)使用,就是我們常說(shuō)的開(kāi)關(guān)電源有功能,只有開(kāi)關(guān)電源有功能的才可以并聯(lián)
2021-11-07 11:21:0417

如何通過(guò)設(shè)計(jì)確保IGBT并聯(lián)

由于并聯(lián)IGBT自身參數(shù)的不一致及電路布局不對(duì)稱等,必引起器件電流分配不均,嚴(yán)重時(shí)會(huì)使器件失效甚至損壞主電路,因此,IGBT并聯(lián)的重點(diǎn)是考慮如何通過(guò)設(shè)計(jì)確保。目前現(xiàn)有的一些IGBT并聯(lián)措施包括:降額法、柵極電阻匹配法、發(fā)射極電阻反饋法、外加電感平衡法等。
2022-02-18 11:11:334225

SiC MOSFET單管的并聯(lián)特性

關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問(wèn)題,英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料,幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境,分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的特性。
2022-08-01 09:51:153087

并聯(lián)MOSFET應(yīng)用中的技術(shù)

為了實(shí)現(xiàn)良好的并聯(lián)設(shè)計(jì),傳統(tǒng)上選擇 MOSFET——通過(guò)篩選——基于它們的閾值電壓相似,以確保它們同時(shí)導(dǎo)通。然而,屏蔽 MOSFET 會(huì)增加成本和復(fù)雜性,并且仍然容易受到溫度不穩(wěn)定性的影響。因此,考慮到上述問(wèn)題,專用 MOSFET 技術(shù)可以在并聯(lián)應(yīng)用中提供更好的解決方案,而無(wú)需額外的篩選過(guò)程。
2022-08-04 08:59:517058

求一種大功率電源模塊并聯(lián)的設(shè)計(jì)方案

目前國(guó)內(nèi)大部分的電源模塊并聯(lián)輸出設(shè)計(jì),都使用了有源法。這種方法采用母線方式,各模塊之間存在相互關(guān)聯(lián),通過(guò)取樣各個(gè)模塊輸出電流進(jìn)行比較進(jìn)而調(diào)整各個(gè)模塊輸出電壓的辦法實(shí)現(xiàn)
2023-05-02 14:57:001916

高壓放大器在微技術(shù)應(yīng)用研究

隨著微技術(shù)的不斷發(fā)展,其在生物醫(yī)學(xué)、環(huán)境監(jiān)測(cè)、化學(xué)分析等領(lǐng)域中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛,也對(duì)相關(guān)器件的性能提出了更高的要求。其中,高壓放大器作為一種電子元器件,在微技術(shù)中具有重要的作用。下面安泰電子將從高壓放大器在微技術(shù)中的應(yīng)用研究方面進(jìn)行介紹。
2023-06-05 17:45:001153

碳化硅(SiC)MOSFET并聯(lián)應(yīng)用控制技術(shù)的綜述

碳化硅(SiC)MOSFET并聯(lián)應(yīng)用控制技術(shù)的綜述,傾佳電子楊茜綜合了當(dāng)前研究進(jìn)展與關(guān)鍵技術(shù)方向。
2025-02-05 14:36:011509

MOS管的并聯(lián)使用:如何保證電流

。因此,如何保證并聯(lián)MOS管的電流,是設(shè)計(jì)中的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題。今天我們將從選型、布局和電路設(shè)計(jì)三個(gè)方面,探討實(shí)現(xiàn)電流的方法: 1. MOS管選型與匹配 1.1 選擇參數(shù)一致的MOS管 導(dǎo)通電阻(Rds(on)) :MOS管的導(dǎo)通電阻直接影響電流分配。選擇
2025-02-13 14:06:354244

MDD整流二極管的并聯(lián)與串聯(lián)應(yīng)用:如何與提高耐壓能力?

電力電子電路設(shè)計(jì),有時(shí)單個(gè)整流二極管的電流承載能力或耐壓能力無(wú)法滿足應(yīng)用需求,此時(shí)可以通過(guò)并聯(lián)或串聯(lián)方式來(lái)增強(qiáng)電流或耐壓能力。然而,并聯(lián)時(shí)需要解決問(wèn)題,串聯(lián)時(shí)要保證壓,否則會(huì)導(dǎo)致器件提前失效
2025-03-17 11:45:362478

并聯(lián)MOSFET設(shè)計(jì)指南:、寄生參數(shù)與熱平衡

的整體可靠性。然而,MOSFET并聯(lián)設(shè)計(jì)并非簡(jiǎn)單的“多加幾個(gè)”過(guò)程,必須考慮到、寄生參數(shù)與熱平衡等諸多因素。本文將探討如何在實(shí)際設(shè)計(jì)中有效應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),優(yōu)化并
2025-07-04 10:03:51670

快恢復(fù)二極管串聯(lián)與并聯(lián)設(shè)計(jì):與應(yīng)用挑戰(zhàn)

實(shí)現(xiàn)更高的耐壓或電流能力。然而,F(xiàn)RD在串并聯(lián)應(yīng)用中會(huì)面臨壓、以及熱穩(wěn)定性的挑戰(zhàn)。一、串聯(lián)應(yīng)用:提高耐壓能力問(wèn)題背景單顆快恢復(fù)二極管的反向耐壓(VRRM)通常
2025-07-23 09:56:29776

SiC MOSFET并聯(lián)及串?dāng)_抑制驅(qū)動(dòng)電路的研究

SiC MOSFET在并聯(lián)應(yīng)用中的安全性和穩(wěn)定性提出了挑戰(zhàn)當(dāng)SiC MOSFET應(yīng)用在橋式電路時(shí)高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作引發(fā)的串?dāng)_問(wèn)題嚴(yán)重影響了系統(tǒng)的可靠性.為了使SiC MOSFET在電路系統(tǒng)中穩(wěn)定運(yùn)行本文主要針對(duì)并聯(lián)和串?dāng)_抑制問(wèn)題展開(kāi)研究.第一部分首先對(duì)SiC MOSFET電氣特性
2025-08-18 15:36:271

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