TI 23 - mm 低頻玻璃封裝只讀應(yīng)答器：TRPGR30ATGA 深度解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，低頻應(yīng)答器是車(chē)輛識(shí)別、資產(chǎn)追蹤等應(yīng)用的重要組件。今天，我們將深入剖析德州儀器（TI）的 23 - mm
2026-01-05 16:50:25
33 探索TRPGP40ATGC 12 - mm低頻玻璃封裝應(yīng)答器 在電子設(shè)備的廣闊領(lǐng)域中，應(yīng)答器扮演著至關(guān)重要的角色。今天，我們將深入探討德州儀器（Texas Instruments
2026-01-05 16:25:0524 HK32F005是航順芯片推出的1mm2超小封裝32位MCU，憑借微型化、低功耗、高存儲(chǔ)密度與高性?xún)r(jià)比，廣泛應(yīng)用于醫(yī)療、物聯(lián)網(wǎng)、消費(fèi)電子、智能交通、智能安防、工業(yè)控制、汽車(chē)電子等領(lǐng)域。以下是具體
2026-01-05 10:46:53236 
2.0mm×1.25mm，是常見(jiàn)的貼片電阻封裝之一。其他常見(jiàn)尺寸還有0201(0.6mm×0.3mm)、0402(1.0mm×0.5mm)、06
2025-12-30 14:53:10106 
，提供了多種尺寸規(guī)格，包括2.0×1.6mm、2.5×2.0mm、3.2×2.5mm、5.0×3.2mm和7.0×5.0mm，能滿(mǎn)足不同汽車(chē)電子應(yīng)用
2025-12-30 10:10:1790 導(dǎo)熱吸波片2.0mm 熱傳導(dǎo)類(lèi)型吸波材 吸波散熱材料導(dǎo)熱吸波材料可直接應(yīng)用于散熱和金屬外殼之間，能有效將熱能導(dǎo)出。同時(shí)具有電磁屏蔽及電磁雜波吸收性能，為電子通信產(chǎn)品在導(dǎo)熱和電磁屏蔽提供
2025-12-25 15:15:46
據(jù)最新消息，美國(guó)總統(tǒng)特朗普已批準(zhǔn)英偉達(dá)向中國(guó)出口其H200人工智能芯片，但要求從銷(xiāo)售額中抽取25%作為分成。這意味著英偉達(dá)在游說(shuō)美國(guó)政府放寬對(duì)華芯片出口限制方面，取得了關(guān)鍵進(jìn)展。
此次批準(zhǔn)被視為
2025-12-09 17:58:201274 AM012535MM-EM-R是AMCOM公司生產(chǎn)的一款 GaAs MMIC 功率放大器，屬于 AM012535MM-XX-R 系列，憑借先進(jìn)的表面貼裝（SMT）陶瓷封裝工藝，不僅實(shí)現(xiàn)了緊湊的體積
2025-11-27 09:47:58
MR-16LED燈專(zhuān)用LED降壓型恒流驅(qū)動(dòng)器H5441B方案調(diào)光高輝度65536級(jí)
H5441B 為一款平均電流型 LED 恒流驅(qū)動(dòng)芯片，適配非隔離式 LED 驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景，輸入電壓適用范圍為
2025-11-25 09:11:03
電容 ： 封裝尺寸如0603(1.6mm×0.8mm)、0805(2.0mm×1.25mm)的電容，容量范圍可達(dá)1μF至10μF。這些電容在消
2025-11-20 14:48:00157 在嵌入式存儲(chǔ)應(yīng)用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)的代表，Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車(chē)電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41146 ：合粵貼片鋁電解電容22UF25V 45.4縮小體電容采用了小體積的SMD封裝，尺寸為45.4mm，相比傳統(tǒng)電容，體積顯著縮小，有助于節(jié)省PCB板空間。 電氣性能穩(wěn)定 ：該電容具有穩(wěn)定的電氣性能，容量為22UF，耐壓為25V，能夠滿(mǎn)足多種電子設(shè)備的需求。同時(shí)，其ESR（等效串聯(lián)電
2025-11-17 15:32:47262 
×8.0mm尺寸）封裝AI服務(wù)器用功率MOSFET“RY7P250BM”相比，可實(shí)現(xiàn)更高密度的安裝。 新產(chǎn)品在VDS=48V工作條件下，可確保脈沖寬度10ms時(shí)7.5A、1ms時(shí)25A的寬SOA范圍。同
2025-11-17 13:56:19199 
電容0805與0603是兩種常見(jiàn)的貼片電容封裝規(guī)格，它們?cè)诔叽纭㈦姎庑阅?、?yīng)用場(chǎng)景及成本等方面存在顯著差異。以下是詳細(xì)對(duì)比分析： 一、尺寸與體積差異 1、0805封裝 尺寸 ：長(zhǎng)2.0mm(0.08
2025-11-13 15:58:301035 
在需要高速數(shù)據(jù)讀寫(xiě)與高可靠性的現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)往往面臨寫(xiě)入速度慢、耐久性有限等挑戰(zhàn)。Everspin公司推出的MR25H256系列MRAM芯片，以其獨(dú)特的磁阻存儲(chǔ)技術(shù)，為工業(yè)控制、汽車(chē)
2025-11-13 11:23:46210 TE Connectivity (TE) 2.0mm信號(hào)GRACE INERTIA連接器采用緊湊、節(jié)省空間的設(shè)計(jì)，額定電壓為50V ~AC~ ，設(shè)有2至10位。這些連接器具有慣性鎖定機(jī)制（有助于防止
2025-11-09 15:12:51593 在制造業(yè)自動(dòng)化生產(chǎn)升級(jí)進(jìn)程中，自動(dòng)上料機(jī)作為物料傳輸?shù)年P(guān)鍵設(shè)備，其運(yùn)行穩(wěn)定性與控制精準(zhǔn)度直接影響整條生產(chǎn)線的效率。某電子元器件生產(chǎn)企業(yè)針對(duì)傳統(tǒng)自動(dòng)上料機(jī)引入MR30分布式IO模塊進(jìn)行控制系統(tǒng)改造
2025-10-30 14:05:17183 
，該公司在最新一代造型機(jī)生產(chǎn)線中引入明達(dá)技術(shù)MR30系列分布式I/O，通過(guò)分布式信號(hào)采集與控制，實(shí)現(xiàn)了造型機(jī)從部件加工到成品調(diào)試全流程的高效協(xié)同與精準(zhǔn)管控。 本期案例使用的MR30系列分布式I/O產(chǎn)品：MR30-FBC-PN（Profinet耦合器）、
2025-10-30 14:02:20452 
在某頭部鋰電池企業(yè)的生產(chǎn)線上，MR30分布式IO的應(yīng)用帶來(lái)了一系列令人矚目的成效。在效率提升方面，得益于其高速總線的實(shí)時(shí)響應(yīng)能力，涂布工序的速度提高了 30%，原本需要較長(zhǎng)時(shí)間完成的涂布任務(wù)，現(xiàn)在能夠在更短的時(shí)間內(nèi)高質(zhì)量交付。
2025-10-30 13:42:26528 
Qi2.0與Qi2.2在功率、兼容性和場(chǎng)景應(yīng)用上各有突破，Qi2.2提升功率至25W，支持跨品牌兼容，推動(dòng)無(wú)線充電技術(shù)發(fā)展。
2025-10-26 08:15:001215 
在需要高速數(shù)據(jù)寫(xiě)入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹(shù)立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)器，以高達(dá)35
2025-10-24 16:36:03532 型號(hào)：TPS82671、TPS82673：輸入電壓范圍2.7V-5.5V，輸出電流600mA，封裝尺寸2.5mm×2.0mm×1.1mm。TPS62209：輸入電壓2.5V-5.5V，輸出電流1.2A（需并聯(lián)或
2025-10-22 09:12:56
：0-30mm；
軋材直徑：0.1-25mm；
測(cè)量精度：±0.006/±0.003mm；
重復(fù)性：0.002/0.001mm；
測(cè)量頻率：500/2000Hz；
外形尺寸（L×W×H）：500×240
2025-10-15 14:46:45
振蕩器非常適合需要小尺寸、低功率和長(zhǎng)期可靠性的汽車(chē)應(yīng)用。該系列設(shè)備符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)，并采用超小型1.6mm x 1.2mm、2.0mm x 1.6mm和2.5mm x 2.0mm封裝，可以輕松替代標(biāo)準(zhǔn)4針CMOS石英晶體振蕩器。
2025-10-14 15:07:40505 
華邦W25Q128JVSIM作為常用的128Mbit SPI NOR Flash芯片，其兼容替代方案兆易創(chuàng)新GD25Q128ESIGR已獲得批量客戶(hù)的認(rèn)可及使用。
2025-10-13 09:33:00869 
KIOXIA鎧俠THGAMSG9T15BAIL eMMC 5.1嵌入式存儲(chǔ)器，提供64GB容量，采用緊湊的11.5x13.0x0.8mm BGA封裝。其2.7-3.6V寬電壓供電與-25℃至85℃的工作溫度范圍，兼顧能耗與工業(yè)級(jí)可靠性，為各類(lèi)嵌入式應(yīng)用提供穩(wěn)定存儲(chǔ)解決方案。
2025-09-26 09:58:001709 
GPS/北斗導(dǎo)航依賴(lài)高精度時(shí)序基準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)定位，日本電波NDK NT2520SB-26MHz溫補(bǔ)晶振以±0.5ppm穩(wěn)定性、2.5×2.0mm緊湊尺寸及寬溫域性能，為車(chē)載、消費(fèi)電子及工業(yè)設(shè)備提供可靠時(shí)鐘解決方案，顯著提升定位精度與可靠性。
2025-09-18 09:55:00405 
### K3520-01MR-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介K3520-01MR-VB 是一款高電壓?jiǎn)螛O N 型 MOSFET，采用 TO220F 封裝，專(zhuān)為高壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和良好的熱管
2025-09-11 17:16:58
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介K3518-01MR-VB是一款高壓?jiǎn)蜰通道MOSFET，采用TO220F封裝，專(zhuān)為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其650V的漏極-源極電壓和良好的電流承載能力使其在各種電源管理和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中表
2025-09-11 17:14:51
### K2020-01MR-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介K2020-01MR-VB是一款高電壓?jiǎn)蜰通道MOSFET，采用TO220F封裝，專(zhuān)為高壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓（VDS）可達(dá)到650V，使其適用于
2025-09-10 17:04:36
三環(huán)貼片電容0805封裝的尺寸為長(zhǎng)2.0mm、寬1.2mm（或1.25mm），厚度通常為0.5mm至0.8mm 。具體分析如下： 1、長(zhǎng)度與寬度 ： 0805封裝的命名源于其英制尺寸，即長(zhǎng)0.08
2025-09-08 15:25:371540 氧化鋁是生產(chǎn)金屬鋁的核心原料，廣泛用于陶瓷、耐火材料、催化劑等領(lǐng)域。其生產(chǎn)工藝以拜耳法為主，具體分為溶出、凈化、分解、焙燒、堿回收五大環(huán)節(jié)。MR30分布式IO配合西門(mén)子PLC，運(yùn)行穩(wěn)定可靠，助力
2025-09-05 11:30:00499 某裝備制造企業(yè)主要從事自動(dòng)化焊割、涂裝生產(chǎn)線的設(shè)計(jì)與制造，其中涂裝生產(chǎn)線涉及噴砂、噴漆、熱處理、廢氣處理等工藝。明達(dá)技術(shù)的MR30系列分布式I/O，性能穩(wěn)定，易上手，方便接線，助力企業(yè)提升產(chǎn)品
2025-08-27 15:38:19481 
FU33前蘇聯(lián)生產(chǎn)的金封裝ry-33b Viii 管腳定義及部分參數(shù)
ry-33b Viii 多了一個(gè)簾柵極，燈絲：6.3V 4.4-5.6A
2025-08-23 19:20:05
8 月 18 日消息，Infineon 英飛凌德國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間 15 日宣布完成對(duì) Marvell 美滿(mǎn)的汽車(chē)以太網(wǎng)業(yè)務(wù)的收購(gòu)。這筆交易于 2025 年 4 月宣布，已獲得所有必要的監(jiān)管批準(zhǔn)，價(jià)格為
2025-08-18 18:45:052670 噴繪機(jī)器人憑借高效、精確、穩(wěn)定、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)，在汽車(chē)、航空航天、電子等多個(gè)行業(yè)廣泛應(yīng)用。本文以 MR30分布式IO在噴繪機(jī)器人中的應(yīng)用為核心，介紹了噴繪機(jī)器人的生產(chǎn)工藝，分析了其在實(shí)際應(yīng)用中的需求痛點(diǎn)
2025-08-15 13:48:34610 
TPS543B25T降壓轉(zhuǎn)換器和兩個(gè)M2x0.4螺紋墊片的設(shè)計(jì)。TPS543B25TEVM評(píng)估模塊具有薄型外部組件和兩個(gè)螺紋孔，可將任何散熱器安裝在轉(zhuǎn)換器的頂部。TPS543B25TEVM利用其裸露
2025-08-07 10:14:40850 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()2.0-6.0 GHz GaAs SPDT 開(kāi)關(guān)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有2.0-6.0 GHz GaAs SPDT 開(kāi)關(guān)的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料
2025-08-06 18:33:21
基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
×0.8mm) 0805 ：0.08英寸×0.05英寸(2.0mm×1.25mm) 1206 ：0.12英寸×0.06英寸(3.2mm×1.6mm) 1210 ：0.12英寸×0.10英寸(3.2mm×2.5mm) 1812 ：0.18英寸×0.1
2025-07-28 17:24:401014 Texas Instruments TPSM828303PEVM-058評(píng)估模塊旨在快速、輕松地演示TPSM828303PVCB電源模塊。TPSM828303 3A同步、降壓、直流/直流電源模塊提供一個(gè)集成電感器，采用2.5mm x 2.6mm x 2.0mm MagPack? 封裝。
2025-07-28 10:06:37635 
新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）宣布，其擬議收購(gòu)Ansys（ANSYS, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：ANSS）的交易已獲得全部所需的監(jiān)管機(jī)構(gòu)批準(zhǔn)。在滿(mǎn)足或豁免
2025-07-15 09:25:282795 內(nèi)容概要：本文檔詳細(xì)介紹了FVT-6S系列電壓控制溫度補(bǔ)償晶體振蕩器（VCTCXO）的技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用特性。該振蕩器采用緊湊的2.0×1.6×0.7毫米陶瓷表面貼裝封裝，適用于自動(dòng)組裝工藝。其頻率范圍
2025-07-12 17:22:49
2 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《W25X16W25X32\W25X64 數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-07-10 16:10:594 內(nèi)容概要：本文檔詳細(xì)介紹了FVT-6S系列電壓控制溫度補(bǔ)償晶體振蕩器（VCTCXO）的技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用特性。該振蕩器采用緊湊的2.0×1.6×0.7毫米陶瓷表面貼裝封裝，適用于自動(dòng)組裝工藝。其頻率范圍
2025-06-25 13:45:470 隨著汽車(chē)電子化、智能化進(jìn)程不斷加速，車(chē)載系統(tǒng)對(duì)元器件的可靠性、小型化及熱管理能力提出了前所未有的嚴(yán)苛要求。在此背景下，東芝推出DFN2020B（WF）封裝，在2.0mm×2.0mm的小型體積下，實(shí)現(xiàn)了1.84W的高耗散功率，為車(chē)載功率器件提供了高密度集成與熱性能優(yōu)化的雙重解決方案。
2025-06-16 17:50:31901 
與數(shù)據(jù)中心平臺(tái)
FCO-7L-UJ 低抖動(dòng)版本
封裝：7.0×5.0 mm，抖動(dòng)低至50fs
應(yīng)用：PAM4高速平臺(tái)、CPO模塊主時(shí)鐘
典型應(yīng)用場(chǎng)景
25G/50G SFP28光模塊時(shí)鐘源
100G
2025-06-16 15:03:42
列出了不同電源電壓（如3.3V、2.5V、1.8V）下的電氣參數(shù)，包括輸出電平、轉(zhuǎn)換時(shí)間、相位噪聲、占空比等。此外，還提供了器件的物理尺寸（2.5×2.0毫米）以及
2025-06-11 13:40:500 TPS56623x 是簡(jiǎn)單易用、高效的 6A 同步降壓轉(zhuǎn)換器，采用 QFN 9 引腳 1.5mm × 2.0mm 封裝。
這些器件可在 3 V 至 18 V 的更寬電源輸入電壓范圍內(nèi)工作。采用 D-CAP3 控制模式，提供快速瞬態(tài)響應(yīng)、良好的線路和負(fù)載調(diào)節(jié)，無(wú)需外部補(bǔ)償，并支持低 ESR 輸出電容器。
2025-06-10 14:53:42749 
TPS56623x 是簡(jiǎn)單易用、高效的 6A 同步降壓轉(zhuǎn)換器，采用 QFN 9 引腳 1.5mm × 2.0mm 封裝。
這些器件可在 3 V 至 18 V 的更寬電源輸入電壓范圍內(nèi)工作。采用 D-CAP3 控制模式，提供快速瞬態(tài)響應(yīng)、良好的線路和負(fù)載調(diào)節(jié)，無(wú)需外部補(bǔ)償，并支持低 ESR 輸出電容器。
2025-06-10 14:37:44712 
、工業(yè)控制等環(huán)境多變的場(chǎng)景。3. 緊湊表面貼裝設(shè)計(jì)
封裝尺寸通常為2.0mm×1.6mm或更小，適合高密度PCB布局，滿(mǎn)足便攜式設(shè)備（如無(wú)人機(jī)、手持終端）對(duì)小型化的需求。應(yīng)用場(chǎng)景通信設(shè)備：如5G基站
2025-05-26 09:54:32
82nH±2% 0805型號(hào)的詳細(xì)參數(shù)及應(yīng)用場(chǎng)景。 ?一、型號(hào)及基本參數(shù) 這款順絡(luò)電感的具體型號(hào)為82nH±2% 0805.其電感值為82納亨(nH)，精度為±2%。封裝尺寸為0805.這是一種常見(jiàn)的表面貼裝封裝尺寸，適用于各種自動(dòng)化貼片工藝。0805封裝的具體尺寸為2.0mm×1.25mm，這
2025-05-21 15:52:37749 
電路。MUN3C1DR6-SB電源模塊系列可根據(jù)負(fù)載自動(dòng)運(yùn)行PWM模式和省電模式。其他功能包括遠(yuǎn)程啟用功能、內(nèi)部軟啟動(dòng)、非閉鎖過(guò)電流保護(hù)和輸入欠壓鎖定功能。低輪廓和緊湊尺寸的封裝（2.5mm×2.0mm x 1.1mm）適合通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝設(shè)備進(jìn)行自動(dòng)化組裝。MUN3C1DR6-SB電源模塊無(wú)鉛，符合RoHS
2025-05-17 16:56:440 電路。MUN3C1CR6-SB電源模塊系列可根據(jù)負(fù)載自動(dòng)運(yùn)行PWM模式和省電模式。其他功能包括遠(yuǎn)程啟用功能、內(nèi)部軟啟動(dòng)、非閉鎖過(guò)電流保護(hù)和輸入欠壓鎖定功能。低輪廓和緊湊尺寸的封裝（2.5mm×2.0mm x 1.1mm）適合通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝設(shè)備進(jìn)行自動(dòng)化組裝。MUN3C1CR6-SB電源模塊無(wú)鉛，符合RoHS
2025-05-17 16:54:420 電路。MUN3C1HR6-SB電源模塊系列可根據(jù)負(fù)載自動(dòng)運(yùn)行PWM模式和省電模式。其他功能包括遠(yuǎn)程啟用功能、內(nèi)部軟啟動(dòng)、非閉鎖過(guò)電流保護(hù)和輸入欠壓鎖定功能。低輪廓和緊湊尺寸的封裝（2.5mm×2.0mm x 1.1mm）適合通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝設(shè)備進(jìn)行自動(dòng)化組裝。MUN3C1HR6-SB電源模塊無(wú)鉛，符合RoHS
2025-05-16 16:08:080 功能包括遠(yuǎn)程啟用功能、內(nèi)部軟啟動(dòng)、非閉鎖過(guò)電流保護(hù)、短路保護(hù)和輸入欠壓鎖定功能。低輪廓和緊湊尺寸的封裝（2.5mm×2.0mm x 1.1mm（最大））適合通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝設(shè)備進(jìn)行自動(dòng)化組裝。該模塊無(wú)鉛，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。特征：? 高密度集成模塊? 1.0A輸出電流
2025-05-16 16:06:470 電路。MUN3C1BR6-SB電源模塊系列可根據(jù)負(fù)載自動(dòng)運(yùn)行PWM模式和省電模式。其他功能包括遠(yuǎn)程啟用功能、內(nèi)部軟啟動(dòng)、非閉鎖過(guò)電流保護(hù)和輸入欠壓鎖定功能。低輪廓和緊湊尺寸的封裝（2.5mm×2.0mm x 1.1mm）適合通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝設(shè)備進(jìn)行自動(dòng)化組裝。MUN3C1BR6-SB電源模塊無(wú)鉛，符合RoHS
2025-05-16 16:00:530 產(chǎn)品特性封裝尺寸：3.2×2.5mm陶瓷貼片封裝輸出格式：LVPECL/LVDS/HCSL頻率范圍：10MHz~250MHz電源電壓：1.8V/2.5V/3.3V頻率穩(wěn)定度：±25
2025-05-14 16:02:380 /DLN（3.2×2.5mm）、DLF（2.5×2.0mm）、DLX/DLR（2.0×1.6mm）、DLY（1.6×1.2mm） 電源系統(tǒng) - 板載電壓調(diào)節(jié)器生成1.8V/2.5V/3.3V- 支
2025-05-14 15:35:571264 FCO-2L-UJ低抖動(dòng)差分晶體振蕩器（2.5×2.0mm)產(chǎn)品特點(diǎn)封裝尺寸：2.5×2.0mm陶瓷SMD封裝輸出類(lèi)型：LVPECL/LVDS/HCSL頻率范圍：10MHz~250MHz相位抖動(dòng)
2025-05-14 15:26:340 /±25/±50 ppm
技術(shù)參數(shù)對(duì)比
型號(hào)封裝尺寸頻率范圍電壓支持相位抖動(dòng)最大功耗FCO-2P-PJ2.5×2.0 mm1~200 MHz1.8V/2.5V/3.3V0.8ps
2025-04-30 15:05:41
。尺寸優(yōu)勢(shì)：2.5mm×2.0mm×1.1mm 封裝，在空間受限應(yīng)用中更具競(jìng)爭(zhēng)力。成本優(yōu)勢(shì)：國(guó)產(chǎn)模塊在關(guān)稅、物流及品牌溢價(jià)方面更具成本優(yōu)勢(shì)，大批量采購(gòu)時(shí)成本差異可達(dá) 30%-50%。應(yīng)用場(chǎng)景直接替代場(chǎng)景
2025-04-25 10:25:26
全志科技機(jī)器人專(zhuān)用芯片MR527是八核高性能機(jī)器人專(zhuān)用芯片； MR527系列芯片集成了8核Arm??Cortex?-A55 CPU、NPU、-GPU、MCU等多個(gè)高性能計(jì)算單元，具有強(qiáng)大的硬件編碼
2025-04-24 14:58:263233 
封裝、±10ppm高頻穩(wěn)、多電壓平臺(tái)兼容 與 超低抖動(dòng)性能，成為高性能便攜式與無(wú)線設(shè)備的理想時(shí)鐘解決方案。一、產(chǎn)品核心特點(diǎn)超小封裝尺寸：2.5mm × 2.0mm
2025-04-23 10:49:510 電源良好、輸出過(guò)壓保護(hù)、短路保護(hù)、熱關(guān)機(jī)以及 100%占空比工作。該器件為8引腳2.0mm × 2.5mm × 1.3mm LGA 封裝，帶有裸露的焊盤(pán)，具備低熱阻特性。產(chǎn)品特性:輸入電壓： 2.5V
2025-04-19 14:39:53
和PressFIT針腳。還可提供預(yù)涂熱界面材料版本（FF1MR12MM1HP_B11）或基板背面的Wave波浪結(jié)構(gòu)，用于直接液體冷卻（FF1MR12MM1HW_B11）
2025-04-17 17:05:15804 
FCO-2C-UP 是 FCom 富士晶振專(zhuān)為低功耗嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的超低功耗振蕩器，采用 2.5×2.0mm 微型封裝，支持 0.9V、1.2V、1.5V 多電壓輸入，最大工作電流低于 3mA，待機(jī)
2025-04-17 10:07:101291 
形式：4-SMD模塊（尺寸2.5mm x 2.0mm x 1.1mm）功能特性：非隔離負(fù)載點(diǎn)（POL）電源模塊內(nèi)置電感，高集成度支持遠(yuǎn)程開(kāi)關(guān)和節(jié)能模式（PWM）內(nèi)置欠壓鎖定（UVLO）和過(guò)流保護(hù)
2025-04-11 10:04:34
。 封裝尺寸參數(shù) 0201貼片電容的封裝尺寸采用英制標(biāo)準(zhǔn)，具體參數(shù)為0.6mm×0.3mm(長(zhǎng)×寬)，這一尺寸使其成為目前市場(chǎng)上最小的貼片電容封裝形式之一。在公制單位換算中，0.6mm對(duì)應(yīng)約23.6mil(1mil=0.0254mm)，0.3mm對(duì)應(yīng)約11.8mil，該尺寸設(shè)計(jì)使電容能
2025-04-10 14:28:153856 
產(chǎn)品特點(diǎn)2.5×2.0mm小封裝，符合RoHS與無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn)支持低電壓輸入：0.9V / 1.2V / 1.5V頻率范圍：1MHz ~ 50MHz低功耗：低工作電流0.9mA，待機(jī)電流100μA單端輸出
2025-04-09 15:33:55
產(chǎn)品特點(diǎn)2.5×2.0mm小封裝，符合RoHS與無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn)支持低電壓輸入：0.9V/1.2V/1.5V頻率范圍：1MHz~50MHz低功耗：低工作電流0.9mA，待機(jī)電流100μA單端輸出：CMOS
2025-04-09 13:59:380 INA280 是一款電流檢測(cè)放大器，可在 2.7V 至 120V 的寬共模范圍內(nèi)測(cè)量分流電阻器上的壓降。它采用節(jié)省空間的 SC-70 封裝，PCB 的空間占用僅為 2.0mm × 2.1mm。該器件
2025-04-09 10:50:54927 
INA290-Q1 是一款超精密電流感應(yīng)放大器，可在 2.7V 至 120V 的寬共模范圍內(nèi)測(cè)量分流電阻器上的壓降。它采用節(jié)省空間的 SC-70 封裝，PCB 的空間占用僅為 2.0mm
2025-04-08 14:23:30765 
INA280-Q1 是一款電流檢測(cè)放大器，可在 2.7V 至 120V 的寬共模范圍內(nèi)測(cè)量分流電阻器上的壓降。它采用節(jié)省空間的 SC-70 封裝，PCB 的空間占用僅為 2.0mm × 2.1mm
2025-04-08 14:14:301062 
輕量化革新，定義標(biāo)準(zhǔn)焦段新標(biāo)桿隨著全畫(huà)幅微單市場(chǎng)的持續(xù)升溫，用戶(hù)對(duì)輕便高性能鏡頭的需求日益顯著。2025年4月2日，國(guó)產(chǎn)光學(xué)品牌Viltrox唯卓仕正式發(fā)布全新AF50mmF2.0AirFE/Z鏡頭
2025-04-02 14:58:392063 
推薦一款USB2.0 MTT 2.0HUBSL6243
SL6243目前封裝形式有5種，有些型號(hào)兼容市面上一些主流封裝。
以SL6243Q為例：
SL6243Q 是一顆高集成度,高性能,低功耗
2025-03-31 14:29:00
）可穿戴設(shè)備手表、醫(yī)療設(shè)備FCO-2K 32.768kHz 振蕩器 | 低功耗 | 2.5×2.0mm SMD封裝 | 適用于 RTC、IoT、智能手表、醫(yī)療設(shè)備
2025-03-25 14:18:24
特點(diǎn)典型 2.0×1.6mm SMD 封裝工作供電電壓：1.5V、1.8V低功耗符合 RoHS 和 REACH 認(rèn)證，無(wú)鉛（Pb-free）應(yīng)用實(shí)時(shí)時(shí)鐘（RTC）可穿戴設(shè)備、運(yùn)動(dòng)攝像機(jī)超小型
2025-03-25 14:14:28
）可穿戴設(shè)備手表、醫(yī)療設(shè)備參數(shù)詳情FCO-2K 32.768kHz 振蕩器 | 低功耗 | 2.5×2.0mm SMD封裝 | 適用于 RTC、IoT、智能手表、
2025-03-25 12:49:420 HMC342LC4是一款GaAs PHEMT MMIC低噪音放大器，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳4x4 mm SMT封裝。 該放大器的工作頻率范圍為13至25 GHz，采用+3V單電源時(shí)提供22
2025-03-20 09:21:54786 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)NNV25-05S05ANT相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有NNV25-05S05ANT的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，NNV25-05S05ANT真值表，NNV25-05S05ANT管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-19 18:36:00
ST25TV02K這款的芯片的尺寸是不是1.6mm X1.8mm？
2025-03-13 07:02:22
的2.5×2.0mm2封裝，兼具高性能與高可靠性。作為符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)的車(chē)規(guī)級(jí)器件，其核心特性完美契合智能汽車(chē)電子系統(tǒng)對(duì)時(shí)鐘源的嚴(yán)苛需求：
2025-03-11 15:03:20648 MG_MTS_MR 與施耐德M241的組態(tài)過(guò)程
2025-02-26 10:31:421021 
TMS-SCE-1/2-2.0-9電線標(biāo)簽是Raychem瑞侃生產(chǎn)的一種高性能、耐用的熱收縮電纜標(biāo)識(shí)產(chǎn)品，適用于各種電線和電纜的標(biāo)識(shí)需求。其白色聚烯烴材料、熱收縮特性以及廣泛的配套打印機(jī)選擇，使得
2025-02-24 09:43:13
）超薄ePOP4x，實(shí)現(xiàn)了更精簡(jiǎn)的穿戴物理布局。 超薄封裝、高集成度設(shè)計(jì) 穿戴設(shè)備更極致的空間利用 與標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)方案相比，ePOP4x采用了創(chuàng)新的封裝技術(shù)和高度集成設(shè)計(jì)。其最大厚度僅為0.6mm（max），相比上一代0.8mm厚度產(chǎn)品減少了近25%，是當(dāng)前市場(chǎng)上最薄的ePOP產(chǎn)品之一。
2025-02-21 11:09:32402 
龍?jiān)俅瓮瞥龃┐鞔鎯?chǔ)力作——0.6mm（max）超薄ePOP4x，實(shí)現(xiàn)了更精簡(jiǎn)的穿戴物理布局。 ? ? 超薄封裝、高集成度設(shè)計(jì) 穿戴設(shè)備更極致的空間利用 與標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)方案相比，ePOP4x采用了創(chuàng)新的封裝技術(shù)和高度集成設(shè)計(jì)。其最大厚度僅為0.6mm（max），相比上一代0.8mm厚度產(chǎn)品減少了近25%，是
2025-02-21 09:29:05673
? 內(nèi)建 PLL 電路
供電與復(fù)位
? 內(nèi)建 3.3V&1.2V LDO
? 內(nèi)建上電復(fù)位電路
封裝
? LQFP-48 塑封（7mm×7mm）
? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用場(chǎng)
2025-02-18 23:07:38
PTN78060W的封裝有兩種：EUW(R-PDSS-T7)和EUY(R-PDSS-B7)。兩種封裝性能上是一致的吧？?jī)煞N封裝市面上都容易買(mǎi)到？我考慮使用T7的封裝，是穿孔的，印制板厚度2mm
2025-02-14 06:55:48
滾柱直線導(dǎo)軌：如 MONORAIL MR 系列，適用于重載和高速運(yùn)動(dòng)場(chǎng)合，承載能力和穩(wěn)定性較高，規(guī)格有 MR25、MR35、MR45、MR55、MR65、MR100 等。導(dǎo)軌和滑塊的尺寸精度和幾何
2025-02-11 16:53:25
TMS-SCE-3/32-2.0-9電線標(biāo)簽現(xiàn)貨庫(kù)存Raychem瑞侃TMS-SCE-3/32-2.0-9電線標(biāo)簽是由Raychem瑞侃生產(chǎn)的一種熱縮電線標(biāo)簽，主要用于電線和電纜的標(biāo)識(shí)。產(chǎn)品特點(diǎn)材料
2025-02-10 09:24:34
三圍尺寸為70.5×146.9×7.2mm，重162克；Galaxy S25+三圍尺寸為75.8×158.4×7.3mm，重190克，是三星有史以來(lái)最纖薄的S系列機(jī)型。二者均采用大猩猩Armor 2
2025-01-23 16:59:122116 BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
G8020081302YEUPin Header 1.27mm*1.27mm Pitch STR DIP, 2x4Pin, G/F, NY6T, 2.8mm*2.5mm*2.0mm, BAG
2025-01-22 08:58:10
施耐德M241與MR20-MT-1616的組態(tài)過(guò)程
2025-01-14 12:00:381312 
一、系統(tǒng)概述 MR30分布式IO是一個(gè)高度靈活的可擴(kuò)展分布式 I/O 系統(tǒng)，MR30-FBC-MT用于通過(guò) Modbus TCP 總線將過(guò)程信號(hào)連接到上一級(jí)控制器。 具有以下特點(diǎn)： 結(jié)構(gòu)緊湊
2025-01-13 14:32:231121 
在當(dāng)今競(jìng)爭(zhēng)激烈的飲料生產(chǎn)行業(yè)，高效、精準(zhǔn)的生產(chǎn)控制是企業(yè)立足市場(chǎng)、贏得發(fā)展的關(guān)鍵所在。而MR30分布式 IO 模塊的應(yīng)用，正為飲料灌裝機(jī)產(chǎn)線帶來(lái)了前所未有的高效控制新局面，推動(dòng)著整個(gè)生產(chǎn)流程朝著更智能、更穩(wěn)定的方向大步邁進(jìn)。
2025-01-09 09:44:23752
0.5mm間距的bga封裝怎么處理呢？如果扇出的話(huà)要用4mil的過(guò)孔進(jìn)行激光打孔，價(jià)格十分昂貴。而如果在焊盤(pán)上打孔，孔徑和焊盤(pán)大小應(yīng)該怎么設(shè)置呢，一般機(jī)械鉆孔的話(huà)可能要大于8mil才行，否則還是需要激光打孔
2025-01-09 08:07:22
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