電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）近幾年，生成式AI引領(lǐng)行業(yè)變革，AI訓(xùn)練率先崛起，帶動高帶寬內(nèi)存HBM一飛沖天。但我們知道AI推理的廣泛應(yīng)用才能推動AI普惠大眾。在AI推理方面，業(yè)內(nèi)巨頭、初創(chuàng)公司等都
2025-03-03 08:51:57
2670 
語音合成LSI）的系統(tǒng)相比，因為具有節(jié)省實裝面積、減少開發(fā)工時和減少部件數(shù)量的優(yōu)點，所以越來越多的客戶正在采
2025-12-30 14:01:11151 
功能，就像給照明系統(tǒng)裝了雙重“安全盾”，能有效避免意外情況發(fā)生，用著更放心。而且它的外圍電路設(shè)計特別簡單，能幫廠商節(jié)省不少設(shè)計和物料成本，這也是它能成為各大廠商批量采購首選的重要原因之一。
可能有朋友
2025-12-29 15:01:45
SL3041高壓降壓芯片：100V寬壓輸入的高效能電源解決方案?
在工業(yè)電源、汽車電子和電池供電系統(tǒng)中，高壓、高效的電源管理一直是技術(shù)設(shè)計的核心挑戰(zhàn)。森利威爾原廠推出的 ?SL3041? 作為一款
2025-12-09 15:59:41
SRAM（靜態(tài)隨機存儲器）是一種在通電狀態(tài)下可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失的存儲器件，無需刷新即可持續(xù)工作，因此具有高速讀寫、響應(yīng)及時的特點，廣泛應(yīng)用于對實時性要求高的場景。
2025-12-08 16:51:57442 
，安全可靠
SL3160A集成了全面的保護功能，包括VCC欠壓鎖定、輸出過載保護、短路保護、過溫保護及開環(huán)保護等，確保系統(tǒng)在各種異常情況下都能安全運行。軟啟動功能有效防止了電感電流過沖，減少了器件應(yīng)力
2025-12-08 16:21:25
、受天氣影響大、細節(jié)識別能力有限等痛點。尤其在作物生長早期、品種混雜區(qū)域或地形復(fù)雜地區(qū)，傳統(tǒng)手段難以實現(xiàn)快速、精準(zhǔn)、大面積的動態(tài)監(jiān)測。 光譜成像技術(shù)的出現(xiàn)，為作物面積統(tǒng)計提供了革命性的解決方案。通過捕捉作物在
2025-12-05 10:44:08190 
rtos效率能有裸機的多少??？
2025-12-05 07:37:57
主題：求解疊層電容的高頻秘訣：其疊層工藝是如何實現(xiàn)極低ESL和高自諧振頻率的？
我們了解到超低ESR疊層固態(tài)電容能有效抑制MHz噪聲。其宣傳的疊層工藝是核心。
請問，這種疊層并聯(lián)結(jié)構(gòu)，在物理上是如何具體地實現(xiàn)“回路面積最小化”，從而將ESL降至傳統(tǒng)工藝難以企及的水平？能否用簡化的模型進行說明？
2025-12-04 09:19:48
的定位，仍是高性能計算場景下的重要基石。理解二者的根本差異，有助于我們在不同應(yīng)用場景中做出更合適的技術(shù)選型與優(yōu)化策略。接下來我們就來講講SRAM與DRAM具體有哪些區(qū)別。
2025-12-02 13:50:46868 存”的三合一架構(gòu)。這一高度集成的方案不僅能有效降低系統(tǒng)整體成本，還可顯著優(yōu)化PCB面積，幫助客戶在有限空間內(nèi)實現(xiàn)更高復(fù)雜度的功能集成，適用于各類對資源與尺寸敏感的應(yīng)用場景。
AG32 MCU系列搭載高達
2025-12-01 16:47:34
在各類電子設(shè)備與嵌入式系統(tǒng)中，存儲器的性能與功耗表現(xiàn)直接影響著整體設(shè)計的穩(wěn)定與效率。低功耗SRAM，特別是異步SRAM系列，憑借其出色的能效比與高可靠性，正成為越來越多工業(yè)控制、通信設(shè)備及便攜終端中的關(guān)鍵部件。
2025-11-25 15:42:56271 
在各類存儲設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機存儲器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機存儲器憑借其獨特的雙端口設(shè)計，在高帶寬和多任務(wù)場景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44272 APS54085 是一款 PWM 工作模式,高效率、內(nèi)置功率MOS管，適用于
5-100V輸入的高精度降壓 LED 恒流驅(qū)動芯片，最大電流2A。
可實現(xiàn)線性調(diào)光和 PWM 調(diào)光，線性調(diào)光有效電壓范圍
2025-11-21 14:10:16
在現(xiàn)代高性能電子系統(tǒng)中，存儲器的讀寫速度往往是影響整體性能的關(guān)鍵因素之一。同步SRAM（Synchronous Static Random Access Memory）正是在這一需求下發(fā)展起來的重要
2025-11-18 11:13:01242 推廣下設(shè)備看下有沒有合作的可能
在陶瓷芯片封裝行業(yè)，我們這款漏印基片除墨機堪稱行業(yè)新典范，相較于市面上的同類產(chǎn)品，具備諸多顯著優(yōu)勢。
在動力與吸力方面，它搭載了24V直流無刷馬達，能夠形成強勁的旋轉(zhuǎn)
2025-11-17 12:08:25
訪，客戶反饋機器很好，我回來后做了改進，重新設(shè)計制造了臺，想推廣但不知往哪推，第一次到這個論壇，看看可能有什么機會，一下是設(shè)備介紹：
在陶瓷芯片封裝行業(yè)，我們這款漏印基片除墨機堪稱行業(yè)新典范，相較于
2025-11-17 11:20:57
MCU、2.4G射頻、USB接口三大核心功能。傳統(tǒng)方案可能需要多顆芯片才能實現(xiàn)，而XL2417U單個芯片即可搞定，采用SOP8封裝，批量價不到一塊，顯著降低了BOM成本和PCB面積。XL2417U可應(yīng)用
2025-11-12 16:57:29
在處理器性能持續(xù)攀升的今天，存儲系統(tǒng)的速度已成為制約整體算力的關(guān)鍵瓶頸之一。作為最接近CPU核心的存儲單元，SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）承擔(dān)著高速緩存的重要角色，其性能直接影響數(shù)據(jù)處理效率。當(dāng)前
2025-11-12 13:58:08455 PSRAM（偽靜態(tài)隨機存儲器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲器。它既保留了SRAM無需復(fù)雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢。這種獨特的設(shè)計使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2025-11-11 11:39:04497 OLS600型號介紹： 今天我要向大家介紹的是 skyworks 的耦合器——OLS600。 它就像一個帶有緩沖區(qū)的門，能有效過濾掉那些微弱、抖動
2025-11-11 09:51:32
在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中，存儲器的選擇往往成為設(shè)計成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨有的錯誤校正（ECC）能力，為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲解決方案。
2025-11-05 16:21:39284 純電汽車EMC整改：預(yù)防性設(shè)計節(jié)省47%預(yù)算｜深圳南柯電子
2025-10-28 10:12:02288 非揮發(fā)性存儲器，如NAND、NOR Flash，數(shù)據(jù)在掉電后不會丟失。這類存儲器通常速度比較慢，可以做資料和大數(shù)據(jù)存儲。
2025-10-27 15:14:39310 遠大于串行接口。以一個簡單的4Mb SRAM為例，其與控制器連接最多可能需要43個引腳，這在追求緊湊設(shè)計的現(xiàn)代電子設(shè)備中成為了重要考量因素。 在芯片設(shè)計領(lǐng)域，嵌入式SRAM目前已經(jīng)占據(jù)了控制器空間的90%。更為重要的是，嵌入式SRAM的制程縮小速
2025-10-26 17:25:18835 本篇將詳細介紹如何利用Verilog HDL在FPGA上實現(xiàn)SRAM的讀寫測試。SRAM是一種非易失性存儲器，具有高速讀取和寫入的特點。在FPGA中實現(xiàn)SRAM讀寫測試，包括設(shè)計SRAM接口模塊
2025-10-22 17:21:384118 
Microchip Technology 23AA04M和23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM是隨機存取存儲器器件，可通過兼容串行外設(shè)接口 (SPI) 的串行總線訪問。SRAM
2025-10-09 11:16:59540 選擇語音芯片需根據(jù)具體應(yīng)用場景和性能需求進行綜合評估，以下是關(guān)鍵選型要點：
一、核心性能參數(shù)
1、采樣率與信噪比
高采樣率（如16位ADC）可減少聲音失真，信噪比≥75dB能有效降低背景噪聲
2025-09-24 18:24:05575 H8112A 是一款專為寬電壓場景設(shè)計的實地架構(gòu)降壓型 DC-DC 電源管理芯片，具備 140V 高耐壓性能，支持 2A 電流輸出，可廣泛適配多種高壓輸入場景。其搭載先進的自舉供電技術(shù)，能有效抑制
2025-09-10 14:08:45
H8112A 是一款專為寬電壓場景設(shè)計的實地架構(gòu)降壓型 DC-DC 電源管理芯片，具備 140V 高耐壓性能，支持 2A 電流輸出，可廣泛適配多種高壓輸入場景。其搭載先進的自舉供電技術(shù)，能有效抑制
2025-09-09 14:25:28
在此前的文章《SRAM PUF：為每顆芯片注入“不可復(fù)制的物理指紋”，守護芯片安全》中，我們探討了基于SRAM的物理不可克隆功能（PUF）的基本原理，并介紹了SRAM PUF作為一種安全可靠、經(jīng)濟
2025-09-05 10:46:161152 ISSI IS62WV51216BLL-55TLI是一款8Mb（512K×16）高速異步SRAM，采用55ns訪問速度、2.5V~3.6V寬電壓設(shè)計，支持-40℃~85℃工業(yè)級溫度范圍，適用于車載導(dǎo)航、工業(yè)控制及通信設(shè)備等高可靠性場景。
2025-09-04 10:00:00533 
H8013A 是一款專為寬電壓場景設(shè)計的實地架構(gòu)降壓型 DC-DC 電源管理芯片，憑借 100V 的高耐壓性能和 3A 的穩(wěn)定輸出能力，可廣泛適配多種高壓輸入場景。其采用先進的自舉供電設(shè)計，能有效
2025-09-01 16:52:30
上海埃誠攸微電子有限公司推出的IU5528D，是一款超微小型、超低功耗、高效率的升降壓一體 DC-DC 調(diào)整器，專為雙節(jié) / 三節(jié)干電池或單節(jié)鋰電池應(yīng)用場景設(shè)計，能有效延長電池使用時間，為各類
2025-08-27 09:54:50
如何保持SRAM的狀態(tài)，并在芯片復(fù)位時不初始化？
2025-08-25 06:09:44
如何保持SRAM的狀態(tài)，并在芯片復(fù)位時不初始化？
2025-08-21 07:17:17
解釋: 這是數(shù)字芯片設(shè)計永恒的“鐵三角”。Power指芯片功耗，越低越好；Performance通常指芯片能跑多快（頻率），越高越好；Area指芯片的面積，越小成本越低。
2025-08-19 16:36:241339 兩個總線能不能同時使用，用了華邦的SDRAM發(fā)現(xiàn)SDRAM數(shù)據(jù)高概率讀寫錯誤，但是用ISSI的沒問題。如果不對外部SRAM讀寫就正常。
2025-08-12 06:56:57
如今我們所生活的互聯(lián)世界依賴于數(shù)以億計的芯片。社會正常運轉(zhuǎn)所需的芯片數(shù)量之大，令人驚嘆，因此保護芯片安全的技術(shù)至關(guān)重要。
2025-08-11 16:18:131127 今天聊點有意思的，就是芯片行業(yè)那些梗。下面這些“梗”，只有在Fab、EDA、IP、SoC、驗證、后端、封測等各個細分崗位上摸爬滾打過的人，才能秒懂，外行聽了恐怕只會一臉黑人問號。1.DFT不是離散
2025-07-25 10:03:01602 
在微電子制造與光伏產(chǎn)業(yè)中，大面積薄膜的均勻性與質(zhì)量直接影響產(chǎn)品性能。傳統(tǒng)薄膜表征方法（如濺射深度剖析、橫截面顯微鏡觀察）雖能提供高精度數(shù)據(jù)，但測量范圍有限且效率較低，難以滿足工業(yè)級大面積表面的快速
2025-07-22 09:53:501277 
客戶要求Flash driver不能存儲在Flash中，需要在升級的時候，由CAN FBL發(fā)送到SRAM中，再運行SRAM中的Flash driver
我應(yīng)該如何實現(xiàn)這個要求？如何能把Flash driver分離成一個單獨的部分，再由CAN FBL加載到SRAM中?你們有相關(guān)的文檔和示例程序嗎？
2025-07-15 07:22:16
H5602L 是一款外圍電路簡單的非隔離式恒流 LED 驅(qū)動芯片，采用 VFPWM 連續(xù)工作模式，典型開關(guān)頻率固定為 130KHz。因采用固定 PWM 模式，應(yīng)用時可搭配小值電感，有效節(jié)省整機空間
2025-07-14 17:39:41
在高性能計算與AI芯片領(lǐng)域，基于SRAM的存算一體（Processing-In-Memory, PIM）架構(gòu)因兼具計算密度、能效和精度優(yōu)勢成為主流方案。隨著存算一體芯片性能的持續(xù)攀升，供電電壓降
2025-07-11 15:11:031052 
，典型開關(guān)頻率固定為 130KHz。因采用固定 PWM 工作模式，可使用較小值的電感，能有效節(jié)省整機空間。
輸入輸出參數(shù)：支持 8V-48V 寬電壓輸入，輸出電流最高可達 2.5A，高效率，最高可達 95
2025-07-09 09:52:25
醫(yī)療專用電源濾波器能有效抑制電源中的高頻電磁干擾，有效濾除電源中的諧波成分，保證設(shè)備的穩(wěn)定運行和數(shù)據(jù)的可靠性。在醫(yī)療設(shè)備中，醫(yī)療專用電源濾波器能有效屏蔽與電源相關(guān)的問題，保障患者生命安全和醫(yī)療質(zhì)量。
2025-07-07 17:12:46569 
隨著越來越多用戶選擇i.MX RT系列芯片制作產(chǎn)品，產(chǎn)品的需求以及芯片的用法也越來越多。本文將介紹在i.MX RT平臺中，如何創(chuàng)建LVGL項目并將其運行在內(nèi)部SRAM而非SDRAM上。本文檔包含4個
2025-07-01 09:33:192339 
在 1.2-2.5A 之間，可靈活適配不同設(shè)備的電力需求。
內(nèi)置耐壓 MOS：芯片內(nèi)置 18V 耐壓 MOS，提升了耐用性和穩(wěn)定性，能有效應(yīng)對復(fù)雜電路環(huán)境，減少因電壓波動或過載帶來的風(fēng)險。
待機功耗：待機功耗
2025-06-30 10:46:54
宣稱其定制版 2nm SRAM 設(shè)計相比標(biāo)準(zhǔn)片上 SRAM 可節(jié)約 15% 的面積、降低約 2/3 的待機功耗，同時能實現(xiàn) 3.75GHz 的工作頻率。 ? Marvell 高級副總裁兼定制云
2025-06-21 00:57:007264 同一套電源芯片方案，可直接應(yīng)用于不同的電壓輸出上，這不僅有效節(jié)省成本，更是大大縮短了開發(fā)時間，使項目收益最大化。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B，輸出可選5V、9V、12V，注重空間布局和兼容性問題，通過了認(rèn)證測試，低耗高效，值得推薦！
2025-06-16 15:40:171592 + PFM 模式，以獲得較高的轉(zhuǎn)換效率，最高可達 95%，能有效降低能量損耗，提高電源的使用效率。
多種保護功能：集成軟啟動功能，可大幅度減弱輸入打火時產(chǎn)生浪涌對芯片的損壞；同時集成熱保護、輸出短路
2025-06-12 10:59:51
設(shè)備在待機狀態(tài)下也能有效節(jié)省電量。
手持風(fēng)扇的完美搭檔?
對于手持風(fēng)扇而言，續(xù)航和風(fēng)力是用戶最為關(guān)注的兩大關(guān)鍵因素。HT7180 芯片的寬輸入電壓范圍為 2.7 - 12V，無論是單串鋰電池，還是多串
2025-06-11 16:08:05
長時間處于良好的工作狀態(tài),其穩(wěn)定性也得到了顯著的提升。嵌入式單片機在電機控制系統(tǒng)中的應(yīng)用可以分為軟件應(yīng)用和硬件應(yīng)用,硬件提供基本的物理框架支撐,軟件提供基本的信息、數(shù)據(jù)處理渠道,也只有這樣,才能有效
2025-06-11 15:07:24
在手表制造行業(yè)，手表外殼的氣密性檢測至關(guān)重要。一款優(yōu)質(zhì)的氣密性檢測儀能夠精準(zhǔn)判斷手表外殼的密封性能，確保手表在各種環(huán)境下正常運行。那么，怎樣才能有效提升手表外殼氣密性檢測儀的檢測效率與準(zhǔn)確性呢？選擇
2025-06-07 14:01:14
CS56404L 64Mb Quad-SPI Pseudo-SRAM 產(chǎn)品特點及核心優(yōu)勢：核心特點接口與模式支持 SPI（單線） 和 QPI（四線） 模式，默認(rèn)上電為 SPI 模式，可通過指令切換至
2025-06-06 15:01:36
深圳南柯電子｜儲能EMC整改：如何節(jié)省70%整改費用的實戰(zhàn)方法
2025-06-03 11:28:25823 
近期受晶圓廠委托， 季豐在執(zhí)行完SRAM芯片在中子輻射下SER測試后， 通過對SRAM芯片的深入研究，對測試失效數(shù)據(jù)的分析，將邏輯失效地址成功轉(zhuǎn)換為物理坐標(biāo)地址，最終在圖像上顯示失效位置，幫助客戶直觀地看到失效點分布位置。 通過多個失效芯片圖像的疊加，客戶可以看到多個芯片失效積累效果。
2025-06-03 10:08:45861 
我對 PMG1 閃光燈有疑問。
1.微控制器讀取閃存中的軟件信息時，軟件信息部署在哪里？ 是 SRAM 嗎？
2.微控制器加載軟件時，在部署之前是否檢查 SRAM 是否復(fù)位？
2025-05-23 06:22:31
你好。我是CYUSB3的初學(xué)者。
我想創(chuàng)建一個使用 CYUSB3KIT-003 使用 GPIO 訪問 SRAM 的應(yīng)用程序。
目前我已經(jīng)在我的電腦上安裝了SDK，但是有什么參考資料嗎？
2025-05-14 06:51:40
1.簡介原邊主芯片 FT8395KB2 是一款高度集成的原邊反饋控制芯片，包含了許多功能，這些功能有效地提高了小功率反激變換器性能。原邊反饋的拓撲結(jié)構(gòu)簡化了電路設(shè)計，降低了物料成本。通過
2025-04-21 11:28:50
時候可以通過修改線路，比如連接或者切割，長pad等等，改變芯片的功能，或者在流片以后發(fā)現(xiàn)芯片功能不符合要求，也可以做線路修改，這樣能節(jié)省流片時間和費用
2025-03-27 17:06:10
我在定制硬件中使用S32K312 IC （單核）。我已使用 RTD SDK 創(chuàng)建了該項目。
我看到有以下 RAM（大分區(qū)）可供我們使用（根據(jù)生成的鏈接器文件）：
int_dtcm
int_sram
2025-03-27 07:16:12
隨著 NVIDIA 推出 Aether 項目，通過采用 NVIDIA 加速的 Apache Spark 企業(yè)得以自動加速其數(shù)據(jù)中心規(guī)模的分析工作負載，從而節(jié)省數(shù)百萬美元。
2025-03-25 15:09:28990 
再次進入數(shù)據(jù)的“靜態(tài)”，其讀出/寫入示意圖如下圖所示。
動態(tài)隨機存儲器(DRAM)
動態(tài)隨機存儲器也是一種隨機存儲器，芯片再通電的情況下，其中的數(shù)據(jù)需要定時地不斷刷新才能保持不變。其存儲單元與SRAM
2025-03-23 09:47:39
在使用過程中穩(wěn)定工作。通過封裝，芯片與外部系統(tǒng)建立電氣互連和機械連接，同時要保證芯片能有效散熱。類比來說，封裝就像是芯片的“外殼”和“支架”，它不僅保護芯片免受外界環(huán)境的損
2025-03-14 10:07:411907 在選擇變頻串聯(lián)諧振耐壓試驗裝置的容量時，需要考慮電纜的長度和截面積，因為它們直接影響到試驗所需的電壓、電流以及設(shè)備的容量。以下是根據(jù)電纜長度和截面積選擇變頻串聯(lián)諧振耐壓試驗裝置容量的詳細步驟： 一
2025-03-14 09:39:111004 、0x60002004、0x60003004可讀可寫，而其他所有區(qū)域均是只讀的，但現(xiàn)在想要在這些只讀區(qū)域?qū)懭胄碌臄?shù)據(jù)。
是不是因為FPGA在完成配置后，就自動將這些內(nèi)部SRAM進行寫保護了？有無方法可以解除這個寫保護？
2025-03-12 07:59:54
兩塊SRAM分別位于不同的基地址，有什么方法可以使這兩塊區(qū)域SRAM當(dāng)成一塊使用
2025-03-07 08:59:10
，同時，穩(wěn)定輸出的 3.3 V 電壓能夠為低壓模塊提供穩(wěn)定的電壓；極大簡化電路的復(fù)雜性，也大大節(jié)省了版圖面積。2.本文設(shè)計了一個低溫漂振蕩器電路，在-40℃~140℃范圍內(nèi)最大偏差在± 1.21%，具有
2025-03-06 12:29:07
P1032BF1是一款基于ARM Cortex-M3的單片機，專為Wi-Fi /藍牙通信控制而設(shè)計；能夠?qū)崿F(xiàn)指紋的圖像采集、特征提取、特征比對，可應(yīng)用于智能鎖；支持大型程序代碼和擁有大型嵌入式SRAM，也可用于一般的MCU應(yīng)用。
2025-03-04 09:27:09759 芯片架構(gòu)設(shè)計的目標(biāo)是達到功能、性能、功耗、面積（FPA）的平衡。好的芯片架構(gòu)能有效提升系統(tǒng)的整體性能，優(yōu)化功耗，并確保在成本和時間的限制下完成設(shè)計任務(wù)。
2025-03-01 16:23:071604 了因電壓不穩(wěn)導(dǎo)致設(shè)備故障的風(fēng)險，為設(shè)備的穩(wěn)定運行提供了堅實保障。例如在一些工業(yè)自動化生產(chǎn)線，電壓時常會出現(xiàn)波動，使用 SL3037B 作為電源芯片，就能有效避免因電壓問題導(dǎo)致生產(chǎn)線停機等情況。
靈活
2025-02-27 15:45:22
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54819 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09949 
的封裝方式，結(jié)合標(biāo)準(zhǔn)外圍電路，能有效驅(qū)動控制市?上各種微孔霧化?；基于獨特的電路設(shè)計和軟件追頻技術(shù)，其在功耗以及成本上均具有明顯的優(yōu)勢。
（芯片）
（封裝尺寸圖）
（標(biāo)準(zhǔn)外部電路圖）
該技術(shù)方案的特點
2025-02-26 11:24:25
成功，但是主機dlpc3439的HOST_IRQ一直為高電平；ILLUM_SW也沒有電壓，只有1V的左右。
問：1.LED_ANODE提供給LED的電源如何才能有？
2.主機dlpc3439的HOST_IRQ一直為低，其他信號都在正常，還有哪些地方會造成初始化失??？
2025-02-24 07:47:15
在機器視覺高性能成像應(yīng)用領(lǐng)域，TeledyneDalsa的Falcon4-CLHS工業(yè)相機系列無疑是理想之選。它運用了TeledyneImaging的先進CMOS架構(gòu)，為大面積、高分辨率、高速
2025-02-21 17:05:001370 
#超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621展現(xiàn)低功耗特性#在全負載范圍內(nèi)，相比傳統(tǒng)功率器件，超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621能為用戶節(jié)省更多的電能。同時，在空載狀態(tài)下，U8621的低功耗特性得以
2025-02-20 16:37:581049 
圣邦微電子推出高精度三通道電源監(jiān)控芯片 SGM842。此款芯片以其卓越的精度和全面的功能為電源系統(tǒng)的數(shù)字監(jiān)控提供了強有力的支持。相較于傳統(tǒng)監(jiān)測器，SGM842 在節(jié)省了 PCB 面積和降低器件成本
2025-02-19 11:38:021528 
FP7153PDF規(guī)格說明書 遠翔推出創(chuàng)新超小封裝的FP7153芯片 采用DFN-10L封裝能夠使Flash在客戶產(chǎn)品的PCB占用面積縮小80%，節(jié)省材料成本。 審核編輯 黃宇
2025-02-18 11:01:001070 
同步整流芯片與主控配合，使整流元件與主開關(guān)管同步工作，避免了二極管反向恢復(fù)時間產(chǎn)生的電流諧波，能有效減少電磁干擾，使產(chǎn)品更易通過電磁兼容性測試。同步整流芯片U7612是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開關(guān)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。
2025-02-17 16:13:34939 這種基于開關(guān)鍵控（OOK）的調(diào)制策略，不僅能有效抵抗共模干擾，確保設(shè)備在高噪聲環(huán)境下穩(wěn)定可靠地運行，還具備低電磁輻射、響應(yīng)速度快與實現(xiàn)成本低等優(yōu)勢，使得采用容耦技術(shù)的隔離芯片成為了各類電子系統(tǒng)中保障低壓控制回路安全性的理想選擇。
2025-02-14 14:00:081243 
各位大俠，小弟求教：在包含Σ-Δ型ADC的電路中，在設(shè)計PCB時有哪些技巧可以降低電路噪聲，提高有效精度
2025-02-10 07:56:22
? 本文主要介紹軟件在芯片設(shè)計中的作用 在芯片設(shè)計中，軟件扮演著非常重要的角色，它不僅幫助芯片設(shè)計驗證和調(diào)試，還在芯片的實際應(yīng)用過程中提供了必不可少的支持。可以把芯片和軟件的關(guān)系比作是“硬件是汽車
2025-02-09 09:43:001581
專家您好：ADC的分辨率只有在理想情況下才等于有效位數(shù)，datasheet給出的只是分辨率位數(shù)而已，請問，ADC的在24位分辨率時的有效位數(shù)是多少呢？
2025-02-08 07:07:05
？影響是什么？ 哪些不會產(chǎn)生影響？
2，在工藝上除了緊密排列電子器件之外，是否還有別的辦法最大程度縮小面積？
關(guān)于模擬前段這部分電路，PCB板子是否可以控制在4CM*4CM以內(nèi) （包括ADS1298芯片和整個外圍電路)?
謝謝！
2025-02-07 06:29:12
根據(jù)TI的描述，ADS8568是ADI公司的AD7606的替代芯片，AD7606在數(shù)據(jù)手冊上明確指出可以在轉(zhuǎn)換期間也就是BUSY信號有效時讀取數(shù)據(jù)，但我未在ADS8568的數(shù)據(jù)手冊上看到是否能
2025-02-07 06:23:44
在電子電路和電源設(shè)計領(lǐng)域，電流紋波是一個不可忽視的重要因素。它不僅影響著電源的性能，還對整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性以及相關(guān)設(shè)備的使用壽命有著深遠的影響。
了解電流紋波，并掌握降低它的有效方法，對于保障
2025-01-20 18:11:28
在半導(dǎo)體和電子產(chǎn)品的制造中，封裝技術(shù)至關(guān)重要，它不僅關(guān)乎芯片的物理保護，還決定了其工作的長期穩(wěn)定性與可靠性。
2025-01-17 11:20:451214 
怎么操作才能云存儲在電腦。 ? ?在數(shù)字化時代，云存儲成為了一種高效、靈活的數(shù)據(jù)管理方式。通過將數(shù)據(jù)存儲在云端，用戶可以隨時隨地訪問和管理文件，同時享受數(shù)據(jù)備份和共享的便利。本文將詳細介紹如何將數(shù)據(jù)云存儲在電腦上，并提
2025-01-14 10:10:021229 
ADS1262 是一款32位的AD芯片，但是在手冊看到ENOB只有26位（還是2.5SPS下）
然而ADS1256 ADS1258等等 24位芯片，在手冊看到ENOB同在2.5SPS下，也是23
2025-01-10 10:17:18
（1）因為法規(guī)要求，需要給ADS1293的各導(dǎo)聯(lián)輸入口加上10V有效值的共模50hz工頻電壓，而ADs1293內(nèi)置最大輸入為VCC，也就是3.3V，如何才能接入10V有效值的共模電壓？
（2)心電各導(dǎo)聯(lián)的參考地是什么？如果接浮地的設(shè)備也應(yīng)該有一個參考的吧
以上請幫忙解答下，急用，謝謝
2025-01-09 06:41:50
的芯片都是用硅片生產(chǎn)的，而不是用今天熱門的碳化硅、砷化鎵、氮化鎵等材料生產(chǎn)。這是為什么？ 材料的選擇標(biāo)準(zhǔn) 在選擇用于生產(chǎn)芯片的材料時，需要考慮以下幾個主要因素： 電子特性：材料必須具備良好的半導(dǎo)體特性，能有效控制電子
2025-01-06 10:40:402391 
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