高密度模塊 方法：將原有低密度光纖適配器模塊(如12芯或24芯)替換為高密度模塊(如48芯、72芯甚至144芯)。 優(yōu)勢(shì)：直接提升單位空間內(nèi)的端口密度，減少架體占用。 注意：需確認(rèn)模塊與現(xiàn)有ODF架的兼容性(如尺寸、接口類(lèi)型)，避免物理干涉。
2026-01-05 10:46:46
56 人類(lèi)指尖分布著高密度的觸覺(jué)感受器使得人類(lèi)能夠精確感知物體的紋理、大小和形狀等觸覺(jué)信息。近年來(lái)，人工電子皮膚（觸覺(jué)傳感器陣列）在機(jī)器人領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。例如，在Optimus-Gen 2等機(jī)器人
2025-12-30 18:16:1760 
、電氣性能優(yōu)異、環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)等特點(diǎn)，以滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備高密度、高性能的要求。這些性能確保了指示燈在SMT生產(chǎn)過(guò)程中的高效性和實(shí)際應(yīng)用中的可靠性。
2025-12-30 10:44:28
0 、電氣性能優(yōu)異、環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)等特點(diǎn)，以滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備高密度、高性能的要求。這些性能確保了指示燈在SMT生產(chǎn)過(guò)程中的高效性和實(shí)際應(yīng)用中的可靠性。
2025-12-30 10:37:460 燒結(jié)銀：3D封裝中高功率密度和高密度互連的核心材料
2025-12-29 11:16:01110 隨著筆記本電腦、平板、智能穿戴設(shè)備等消費(fèi)電子產(chǎn)品對(duì)輕薄、高速和可靠性要求的不斷提升，連接技術(shù)的設(shè)計(jì)也愈發(fā)關(guān)鍵。其中線(xiàn)束組件作為信號(hào)與電力連接的核心部分，不僅影響產(chǎn)品性能，也決定了終端產(chǎn)品的穩(wěn)定性與用戶(hù)體驗(yàn)。
2025-12-26 15:32:2173 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，Kioxia鎧俠公司宣布開(kāi)發(fā)出高性能晶體管技術(shù)，該技術(shù)將使得高密度、低功耗 3D DRAM 的實(shí)現(xiàn)成為可能。這項(xiàng)技術(shù)在 12月 10 日于美國(guó)舊金山舉行的電子器件會(huì)議
2025-12-19 09:36:061903 
XCede HD高密度背板連接器：小尺寸大作為 在電子設(shè)備不斷向小型化、高性能發(fā)展的今天，背板連接器的性能和尺寸成為了設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素。XCede HD高密度背板連接器憑借其獨(dú)特的設(shè)計(jì)和出色的性能
2025-12-18 11:25:06164 全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)Kioxia Corporation今日宣布，已研發(fā)出具備高堆疊性的氧化物半導(dǎo)體溝道晶體管技術(shù)，該技術(shù)將推動(dòng)高密度、低功耗3D DRAM的實(shí)際應(yīng)用。這項(xiàng)技術(shù)已于12月
2025-12-16 16:40:501027 HDI線(xiàn)路板憑借高密度、高可靠性的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于通信、軍事設(shè)備、消費(fèi)電子、汽車(chē)電子及航空航天等領(lǐng)域。以下是具體應(yīng)用場(chǎng)景： 通信設(shè)備 HDI板用于5G基站、路由器、交換機(jī)等，支持高頻信號(hào)傳輸和高速
2025-12-16 16:05:52306 在存儲(chǔ)技術(shù)快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）以其獨(dú)特的性能，逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，兼具高速、耐用與非易失性特點(diǎn)。
2025-12-15 14:39:04242 基于開(kāi)放計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)（OCP OAI/OAM）設(shè)計(jì)的高密度AI加速器組，通過(guò)模塊化集成，在單一節(jié)點(diǎn)內(nèi)聚合高達(dá)1 PFLOPS（FP16）與2 POPS（INT8）的峰值算力。其配備大容量GDDR6內(nèi)存
2025-12-14 13:15:111123 
Amphenol ICC 3000W EnergyEdge? X-treme 卡邊連接器：高功率與高密度的完美結(jié)合 在電子設(shè)備不斷向高功率、高密度方向發(fā)展的今天，連接器的性能和設(shè)計(jì)顯得尤為重要
2025-12-12 13:55:06195 的DDR5 SO - DIMM連接器，以其卓越的高速和高密度特性，成為眾多電子設(shè)備的理想選擇。 文件下載： Amphenol FCI DDR5 SO-DIMM連接器.pdf 一、DDR5 SO
2025-12-12 11:15:12314 TF-047 微同軸電纜：高密度應(yīng)用的理想之選 在電子工程師的日常工作中，選擇合適的電纜是確保項(xiàng)目成功的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。今天給大家介紹一款出色的微同軸電纜——TF - 047，它非常適合高密度應(yīng)用場(chǎng)
2025-12-11 15:15:02233 Amphenol FCI Basics DensiStak? 板對(duì)板連接器：高速高密度連接解決方案 在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中，板對(duì)板連接器的性能對(duì)于設(shè)備的整體性能和穩(wěn)定性起著至關(guān)重要的作用。今天，我們來(lái)深入
2025-12-11 09:40:15346 把時(shí)間撥回到上世紀(jì)80年代，個(gè)人PC的興起對(duì)存儲(chǔ)技術(shù)提出了全新要求，也預(yù)示著一場(chǎng)深刻變革的到來(lái)。當(dāng)時(shí)間演進(jìn)至1988年，在存儲(chǔ)技術(shù)的關(guān)鍵分水嶺上，“高密度非易失性存儲(chǔ)”正從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)化的前沿。也
2025-12-11 08:58:591394 
的品質(zhì)與壽命。工程師們?cè)谶x型時(shí)，常常面臨一個(gè)核心矛盾：如何在追求更高密度的同時(shí)，確保連接的長(zhǎng)久穩(wěn)定與生產(chǎn)的高效可靠？近期，一款在內(nèi)部結(jié)構(gòu)、插拔體驗(yàn)和安全防護(hù)上
2025-12-09 16:52:201971 
在AI芯片與高速通信芯片飛速發(fā)展的今天，先進(jìn)封裝技術(shù)已成為提升算力與系統(tǒng)性能的關(guān)鍵路徑。然而，伴隨芯片集成度的躍升，高密度互連線(xiàn)帶來(lái)的信號(hào)延遲、功耗上升、波形畸變、信號(hào)串?dāng)_以及電源噪聲等問(wèn)題日益凸顯，傳統(tǒng)設(shè)計(jì)方法在應(yīng)對(duì)這些復(fù)雜挑戰(zhàn)時(shí)已面臨多重瓶頸。
2025-12-08 10:42:442632 在內(nèi)存技術(shù)持續(xù)革新的今天，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）依然是計(jì)算系統(tǒng)中最核心的存儲(chǔ)組件。盡管出現(xiàn)了MRAM、ReRAM等新興存儲(chǔ)方案，但二者憑借成熟的設(shè)計(jì)與明確
2025-12-02 13:50:46868 的空間，提供高速數(shù)據(jù)傳輸并加速企業(yè)的數(shù)字化進(jìn)程。 什么是高密度光纖布線(xiàn)? 高密度光纖布線(xiàn)旨在提供最大的容量和性能，特別是在空間有限的數(shù)據(jù)中心等環(huán)境中。與標(biāo)準(zhǔn)光纖布線(xiàn)相比，這些系統(tǒng)可容納更多的纖芯，從而允許在同
2025-12-02 10:28:03292 2025年11月，英國(guó)濱海克拉克頓：高性能舌簧繼電器全球領(lǐng)導(dǎo)者Pickering Electronics擴(kuò)展了超高密度舌簧繼電器125系列。該系列提供業(yè)界最小的2 Form A 雙刀單擲(DPST)舌簧
2025-11-24 09:28:50350 
固態(tài)疊層高分子電容（MLPC）作為替代MLCC的車(chē)載PCB高密度布局方案，具有體積小、容量大、ESR低、高頻特性好、安全性高等優(yōu)勢(shì)，適用于高功耗芯片供電、車(chē)載充電機(jī)（OBC）、電池管理系統(tǒng)（BMS
2025-11-21 17:29:47760 
全球連接與傳感領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)TE Connectivity (TE)近日宣布推出的高密度(HD)+ 金手指電源連接器是市場(chǎng)上可實(shí)現(xiàn)最高電流密度的金手指電源連接器，能夠支持高達(dá)3千瓦的電源功率，從而
2025-11-20 16:33:20
Molex EMI濾波高密度D-Sub連接器為要求苛刻的電子系統(tǒng)中的電磁干擾 (EMI) 集成提供了可靠的解決方案。該高效系列采用標(biāo)準(zhǔn)、高密度和混合布局連接器，可增強(qiáng)信號(hào)完整性 (SI) 并符合監(jiān)管
2025-11-18 10:45:35367 Molex MMC線(xiàn)纜組件有助于數(shù)據(jù)中心優(yōu)化空間和密度，以滿(mǎn)足AI驅(qū)動(dòng)的要求，并采用超小尺寸 (VSFF) 設(shè)計(jì)，在相同占位面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高密度。106292系列線(xiàn)纜組件每個(gè)連接器有16或24根光纖
2025-11-17 11:23:41584 免工具可抽取式硬盤(pán)托盤(pán)設(shè)計(jì)，助力高密度存儲(chǔ)ICYDOCKExpressCageMB326SP-1B是一款6盤(pán)位2.5英寸SATA/SAS機(jī)械硬盤(pán)/固態(tài)硬盤(pán)硬盤(pán)抽取盒，可安裝于標(biāo)準(zhǔn)5.25英寸光驅(qū)位
2025-11-14 14:25:50614 
英康仕ESU-1B-838機(jī)架式工控機(jī)，正是針對(duì)這類(lèi)高密度接入場(chǎng)景的專(zhuān)業(yè)解決方案。本款工控機(jī)憑借16個(gè)串口與10路AI/DI+4路DO的硬件配置，在標(biāo)準(zhǔn)1U機(jī)箱內(nèi)實(shí)現(xiàn)了前所未有的接口密度，為數(shù)據(jù)采集與設(shè)備控制建立了優(yōu)勢(shì)。
2025-11-12 10:15:52618 
PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲(chǔ)器。它既保留了SRAM無(wú)需復(fù)雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢(shì)。這種獨(dú)特的設(shè)計(jì)使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2025-11-11 11:39:04497 根據(jù)參考信息，?沉金工藝（ENIG）? 是更適合高密度PCB的表面處理工藝?。以下是具體原因： 平整度優(yōu)勢(shì) 高密度PCB（如使用BGA、QFN等封裝）的焊盤(pán)多且密集，對(duì)表面平整度要求極高。噴錫工藝
2025-11-06 10:16:33359 TE Connectivity VITA 87高密度圓形MT連接器可在較小空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)下一代加固系統(tǒng)所需的高速度和帶寬。與傳統(tǒng)的Mil圓形38999光纖相比，這些Mil圓形光纖連接器具有更高的密度選項(xiàng)
2025-11-04 09:25:28582 
在當(dāng)前電子設(shè)備設(shè)計(jì)中，PCB高度與布線(xiàn)密度的矛盾日益突出。傳統(tǒng)電解電容因體積臃腫，難以滿(mǎn)足緊湊布局需求，尤其在多層板、高電流應(yīng)用中，其ESR高、壽命短、空間占用大等問(wèn)題凸顯。永銘固態(tài)電容通過(guò)采用高
2025-10-27 09:20:43361 
MRAM是一種利用電子的自旋磁性來(lái)存儲(chǔ)信息的非易失性存儲(chǔ)器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫(xiě)特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時(shí)具備無(wú)限次擦寫(xiě)、無(wú)磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實(shí)現(xiàn)了高速、可靠與長(zhǎng)壽命的統(tǒng)一，是存儲(chǔ)技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44411 STMicroelectronics PWD5T60三相高密度功率驅(qū)動(dòng)器具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器和六個(gè)N溝道功率MOSFET。STMicroelectronics PWD5T60驅(qū)動(dòng)器非常適合用于風(fēng)扇、泵
2025-10-20 13:55:53348 
用戶(hù)采用先進(jìn)的微納工藝從事太赫茲集成器件科研和開(kāi)發(fā)。在研發(fā)中經(jīng)常需要進(jìn)行繁復(fù)的高密度多物理量測(cè)量。用戶(hù)采用傳統(tǒng)分立儀器測(cè)試的困難在于高度依賴(lài)實(shí)驗(yàn)人員經(jīng)驗(yàn)，缺乏標(biāo)準(zhǔn)化、自動(dòng)化試驗(yàn)平臺(tái)。
2025-10-18 11:22:311220 
高密度配線(xiàn)架和中密度配線(xiàn)架的核心區(qū)別在于端口密度、空間利用率、應(yīng)用場(chǎng)景及管理效率，具體對(duì)比如下： 一、核心區(qū)別：端口密度與空間占用 示例： 高密度配線(xiàn)架：1U高度可容納96個(gè)LC雙工光纖端口(48芯
2025-10-11 09:56:16263 
BCM56064A0KFSBG高密度端口支持： 通常支持大量高速端口（具體數(shù)量和速率取決于設(shè)計(jì)）。線(xiàn)速轉(zhuǎn)發(fā)： 在所有端口上實(shí)現(xiàn)無(wú)阻塞的線(xiàn)速L2/L3數(shù)據(jù)包轉(zhuǎn)發(fā)。高級(jí)交換特性： 支持豐富的二層（L2
2025-09-08 16:51:59
本文解析平尚科技高密度MLCC與功率電感集成方案，通過(guò)超薄堆疊MLCC、非晶磁粉電感及共腔封裝技術(shù)，在8×8mm空間實(shí)現(xiàn)100μF+22μH的超緊湊設(shè)計(jì)。結(jié)合關(guān)節(jié)模組實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，展示體積縮減78%、紋波降低76%的突破，并闡述激光微孔與真空焊接工藝對(duì)可靠性的保障。
2025-09-08 15:31:37489 
InFO-R作為基礎(chǔ)架構(gòu)，采用"芯片嵌入+RDL成型"的工藝路徑。芯片在晶圓級(jí)基板上完成精準(zhǔn)定位后，通過(guò)光刻工藝直接在芯片表面構(gòu)建多層銅重布線(xiàn)層（RDL），線(xiàn)寬/線(xiàn)距（L/S）可壓縮至2μm/2μm級(jí)別。
2025-09-01 16:10:582542 
大功率電源市場(chǎng)前景經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展和工業(yè)化進(jìn)程加速，特別是新興科技領(lǐng)域如數(shù)據(jù)中心、通信基站、新能源汽車(chē)、工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備等對(duì)大功率電源的需求持續(xù)增長(zhǎng)。永銘液態(tài)引線(xiàn)鋁電解電容作用由于具有大容量和高功率密度
2025-09-01 10:08:38439 
富視智通推出的視耀T1 MINI編解碼器是一款具備低延時(shí)、高密度集成及全場(chǎng)景兼容性等優(yōu)質(zhì)特性的明星產(chǎn)品。該設(shè)備支持4路獨(dú)立4Kp60 H.265/HEVC編解碼，1路AVC 1080p編解碼功能
2025-08-28 13:43:50
問(wèn)問(wèn)你的智能設(shè)備們：組網(wǎng)時(shí)最怕什么？——信號(hào)搶不過(guò)！位置太邊緣！同伴太多擠炸頻道！是不是像極了社恐人誤入大型派對(duì)現(xiàn)場(chǎng)？但今天要安利的這塊啟明云端WTP4MINI-GAT擴(kuò)展板，簡(jiǎn)直就是設(shè)備界的「社交
2025-08-21 18:04:20603 
如何使用 SPI 閃存作為 USB MSC 設(shè)備？
2025-08-20 07:44:31
革新電源設(shè)計(jì)：B3M040065R SiC MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET，賦能高效高密度電源系統(tǒng) ——傾佳電子助力OBC、AI算力電源、服務(wù)器及通信電源升級(jí) 引言：功率器件的代際革命 在
2025-08-15 09:52:38609 
高速編程（寫(xiě)入）和讀取操作，尤其適合大塊數(shù)據(jù)連續(xù)傳輸。 擦除與寫(xiě)入管理：以“塊”（Block）為單位進(jìn)行擦除，以“頁(yè)”（Page）為單位寫(xiě)入，需專(zhuān)用控制器管理磨損均衡。 2. 關(guān)鍵特性 非易失性：無(wú)需持續(xù)供電即可保留數(shù)據(jù)。 高密度低成本：
2025-08-11 10:43:441645 ，科華數(shù)據(jù)與沐曦股份聯(lián)合推出的高密度液冷算力POD首次亮相，吸引了大量參會(huì)者駐足交流。該產(chǎn)品是科華數(shù)據(jù)專(zhuān)為沐曦高性能GPU服務(wù)器集群自主研發(fā)的新一代基礎(chǔ)設(shè)施微環(huán)境
2025-07-29 15:57:38828 
壓接技術(shù)正在革新現(xiàn)代電子制造工藝，它在印刷電路板與元器件引腳之間提供了一種可靠的無(wú)焊連接方式。該技術(shù)不需要高溫焊接，非常適用于汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心和工業(yè)系統(tǒng)等，對(duì)可靠性要求極高的應(yīng)用領(lǐng)域。
2025-07-25 17:00:13619 
：連接服務(wù)器、交換機(jī)、存儲(chǔ)設(shè)備等，支持40G/100G/400G/800G等高速網(wǎng)絡(luò)傳輸。例如，400G光模塊對(duì)應(yīng)12芯MPO，800G用16芯或雙排12芯，1.6T用雙排16芯/24芯。 高密度布線(xiàn)：通過(guò)多芯并行傳輸減少線(xiàn)纜數(shù)量，節(jié)省機(jī)柜空間，提升散熱效率。例如，24芯M
2025-07-25 10:26:50931 在科技飛速發(fā)展的今天，電子設(shè)備正以前所未有的速度迭代更新，從尖端工業(yè)控制系統(tǒng)到精密醫(yī)療成像設(shè)備，從高速通信基站到航空航天器，每一個(gè)領(lǐng)域都對(duì)電子設(shè)備的性能、可靠性和集成度提出了更高的要求。而在這些電子設(shè)備的背后，有一種核心組件正發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，那就是高密度互連線(xiàn)路板（HDI）。
2025-07-17 14:43:01865 的蜂鳴噪聲，適用于對(duì)噪聲敏感的設(shè)備（如音頻設(shè)備或醫(yī)療設(shè)備）。微型化與高密度安裝貼片式封裝（尺寸滿(mǎn)足行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)）兼容自動(dòng)化回流焊工藝，適用于高密度PCB布局，滿(mǎn)足便攜式電子設(shè)備對(duì)輕薄化的需求。典型應(yīng)用電
2025-07-17 09:27:58
先進(jìn)溝槽工藝技術(shù)?高密度單元設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻
2025-07-10 14:20:540 先進(jìn)溝槽工藝技術(shù)?面向超低導(dǎo)通電阻的高密度單元設(shè)計(jì)
2025-07-10 14:11:550 先進(jìn)溝槽工藝技術(shù)?高密度單元設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻
2025-07-10 14:02:310 先進(jìn)溝槽工藝技術(shù)高密度單元設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻
2025-07-09 16:56:410 ），QLC/PLC追求更高密度和更低成本，PCIe 5.0/6.0 NVMe 提升接口速度，QLC/PLC應(yīng)用拓展（需要更強(qiáng)糾錯(cuò)和磨損均衡）。
新興存儲(chǔ)器：MRAM (磁阻)、PCM (相變)、ReRAM
2025-06-24 09:09:39
感器2000次/秒的超高速采樣，支持多臺(tái)設(shè)備同時(shí)接入。
實(shí)時(shí)性、低延時(shí)：平臺(tái)數(shù)據(jù)采集、分析、控制實(shí)時(shí)性。實(shí)現(xiàn)采樣數(shù)據(jù)無(wú)卡頓、無(wú)丟失，微秒級(jí)轉(zhuǎn)發(fā)、既時(shí)存儲(chǔ)、實(shí)時(shí)呈現(xiàn)。
高密度數(shù)據(jù)采集的突破性能力
海量數(shù)據(jù)
2025-06-19 14:51:40
Analog Devices Inc. ADGS2414D高密度開(kāi)關(guān)是八個(gè)獨(dú)立的單刀單擲（SPST）開(kāi)關(guān)，采用4mmx5mm、30引腳LGA封裝。這些開(kāi)關(guān)可在印刷電路板空間受限或現(xiàn)有系統(tǒng)外形尺寸限制
2025-06-16 10:51:13671 
高度)可集成數(shù)百個(gè)光纖或銅纜端口(如MPO高密度配線(xiàn)架支持1U/96芯以上)。 空間利用率：通過(guò)模塊化設(shè)計(jì)(如MPO連接器集成多芯光纖)和緊湊結(jié)構(gòu)，顯著提升機(jī)柜空間利用率，適合數(shù)據(jù)中心等對(duì)空間敏感的場(chǎng)景。 中密度配線(xiàn)架 端口密度：每單位空間
2025-06-13 10:18:58697 %無(wú)凝結(jié))符合設(shè)備要求。 檢查機(jī)柜或機(jī)架的承重能力，確保能承載配線(xiàn)架及線(xiàn)纜重量。 清理安裝區(qū)域，確保無(wú)灰塵、金屬碎屑等可能影響光纖性能的雜質(zhì)。 工具與材料準(zhǔn)備 工具：螺絲刀、扳手、剝線(xiàn)鉗、光纖清潔工具、光纖熔接機(jī)(如需現(xiàn)場(chǎng)熔接)。 材料：MPO高密度光
2025-06-12 10:22:42791 高密度ARM服務(wù)器的散熱設(shè)計(jì)融合了硬件創(chuàng)新與系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化技術(shù)，以應(yīng)對(duì)高集成度下的散熱挑戰(zhàn)，具體方案如下： 一、核心散熱技術(shù)方案 高效散熱架構(gòu)? 液冷技術(shù)主導(dǎo)?：冷板式液冷方案通過(guò)直接接觸CPU/GPU
2025-06-09 09:19:38660 
在組裝復(fù)雜的服務(wù)器主板時(shí)，Paladin 系列高密度、高性能連接器早已成為標(biāo)準(zhǔn)配置，廣泛應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通信、電信設(shè)備及數(shù)據(jù)中心設(shè)備。
2025-05-16 13:45:51956 
。提升供電網(wǎng)絡(luò)（PDN）才能滿(mǎn)足這些飆升的需求。穩(wěn)健的供電不僅僅是配電，還包括系統(tǒng)的效率、尺寸和熱性能。Vicor的高功率密度模塊是具有頂級(jí)性能的DC-DC轉(zhuǎn)換器，易于配置，可以串聯(lián)使用，以快速擴(kuò)展適應(yīng)更高的功率需求。 不要錯(cuò)過(guò)Vicor在Mouser “
2025-05-16 13:34:01909 產(chǎn)品集成11顆芯片，58個(gè)無(wú)源元件，采用雙面陶瓷管殼作為載體，進(jìn)行雙層芯片疊裝和組裝，實(shí)現(xiàn)高密度集成。殼體工藝采用高溫多層陶瓷共燒工藝，可以最大限度地增加布線(xiàn)密度和縮短互連線(xiàn)長(zhǎng)度，從而提高組件密度
2025-05-14 10:49:47921 
超緊湊型且輕量級(jí)設(shè)計(jì)，適用于高密度PCB安裝，非常適合高密度市場(chǎng)需求
2025-05-09 13:16:351 高密度表面貼裝，具有出色的屏蔽性能和7GHz的射頻性能。
2025-05-09 12:04:381 隨著萬(wàn)物互聯(lián)時(shí)代的加速到來(lái)，無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)面臨前所未有的挑戰(zhàn)！高密度設(shè)備接入、低時(shí)延交互需求（如元宇宙、8K流媒體）、復(fù)雜電磁環(huán)境下的穩(wěn)定性要求等，驅(qū)動(dòng)著WiFi技術(shù)的持續(xù)革新。作為IEEE
2025-05-06 15:44:151419 
在人工智能（AI）驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)業(yè)革命浪潮中，數(shù)據(jù)中心正迎來(lái)深刻變革。面對(duì)迅猛增長(zhǎng)的人工智能算力需求，部署高密度AI集群已成為數(shù)據(jù)中心發(fā)展的必然選擇。
2025-04-19 16:54:131355 
本文聚焦高密度系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)，闡述其定義、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用場(chǎng)景及技術(shù)發(fā)展，分析該技術(shù)在熱應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力、電磁干擾下的可靠性問(wèn)題及失效機(jī)理，探討可靠性提升策略，并展望其未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)，旨在為該領(lǐng)域的研究與應(yīng)用提供參考。
2025-04-14 13:49:36910 
、模塊化、以及便捷的跳纖操作，適用于數(shù)據(jù)中心、電信網(wǎng)絡(luò)、企業(yè)網(wǎng)絡(luò)等需要大規(guī)模光纖管理的場(chǎng)景。 高密度ODF的特點(diǎn) 高密度設(shè)計(jì) 節(jié)省空間：高密度ODF支持大量光纖的集中管理，減少了設(shè)備占地面積，適用于機(jī)房空間有限的場(chǎng)景。 模塊化結(jié)構(gòu)：采用模塊化設(shè)計(jì)，方便安裝、維
2025-04-14 11:08:001582 二次回流工藝因高密度封裝需求、混合元件焊接剛需及制造經(jīng)濟(jì)性提升而普及，主要應(yīng)用于消費(fèi)電子芯片堆疊、服務(wù)器多 Die 整合、汽車(chē)電子混合焊接、大尺寸背光模組、陶瓷 LED 與制冷芯片等場(chǎng)景。專(zhuān)用錫膏
2025-04-11 11:41:04855 
的巨大挑戰(zhàn)。趨勢(shì)表明：高密算力負(fù)載對(duì)數(shù)據(jù)中心的影響日益加大，當(dāng)GPU逐漸取代CPU，AI機(jī)柜需要配備更高功率密度的UPS系統(tǒng)、電池組、配電以及開(kāi)關(guān)設(shè)備，以應(yīng)對(duì)AI負(fù)
2025-04-03 11:01:291082 
關(guān)于 Cat.1（LTE Category 1） 是否會(huì)取代NB-IoT（Narrowband IoT） ，需要從技術(shù)特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景、市場(chǎng)趨勢(shì)等多個(gè)維度分析。目前來(lái)看， Cat.1 和 NB-IoT
2025-04-03 08:46:29
在AI與云計(jì)算的深度融合中，高密度、低功耗特性正成為技術(shù)創(chuàng)新的核心驅(qū)動(dòng)力，主要體現(xiàn)在以下方面： 一、云計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施的能效優(yōu)化 存儲(chǔ)與計(jì)算密度提升? 華為新一代OceanStor Pacific全閃
2025-04-01 08:25:05913 
一、核心定義與技術(shù)原理 MPO(Multi-fiber Push On)高密度光纖配線(xiàn)架是一種專(zhuān)為多芯光纖連接設(shè)計(jì)的配線(xiàn)設(shè)備，通過(guò)單個(gè)連接器集成多根光纖(如12芯、24芯)，實(shí)現(xiàn)高密度、高效率的光纖
2025-03-26 10:11:001437 ）照明。LED相比于傳統(tǒng)的熒光燈和白熾燈，具有節(jié)能環(huán)保、亮度高、色域廣及壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于室內(nèi)照明、顯示屏及交通信號(hào)燈等低功率照明和顯示領(lǐng)域。但在高功率密度下， LED存在難以解決的“效率下降”難題。與LED相比，LD不僅
2025-03-25 11:22:53539 
、阻抗不匹配、電磁干擾（EMI）成為關(guān)鍵。捷多邦采用高密度互連（HDI）**工藝，通過(guò)精密布線(xiàn)設(shè)計(jì)，減少信號(hào)干擾，提升PCB的電氣性能。 1. 高密度布線(xiàn)（HDI）如何減少串?dāng)_？ 串?dāng)_（Crosstalk）是指相鄰信號(hào)線(xiàn)之間的電磁干擾，可能導(dǎo)致信號(hào)畸變。捷多
2025-03-21 17:33:46781 1U 144芯高密度光纖配線(xiàn)架是專(zhuān)為數(shù)據(jù)中心、電信機(jī)房等高密度布線(xiàn)場(chǎng)景設(shè)計(jì)的緊湊型光纖管理解決方案。其核心特點(diǎn)在于超小空間(1U)與高容量(144芯)的平衡，以下為詳細(xì)說(shuō)明： 核心特性 空間效率
2025-03-21 09:57:30776 日晟萬(wàn)欣產(chǎn)品均采用了高品質(zhì)材料及精密制造工藝，可確保連接器的穩(wěn)定性及高可靠性，同時(shí)也能滿(mǎn)足各種惡劣環(huán)境下使用及現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速度的要求。那么微型化與高密度化連接器在生產(chǎn)過(guò)程中會(huì)面臨哪些技術(shù)
2025-03-17 18:44:46598 
。 應(yīng)用：廣泛應(yīng)用于高密度光纖配線(xiàn)架和設(shè)備中，如數(shù)據(jù)中心和機(jī)房等需要高密度光纖連接的場(chǎng)合。 二、SC接頭 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型接頭，采用2.5mm直徑的方形插頭，具有簡(jiǎn)單易用、成本較低的特點(diǎn)。 應(yīng)用：適用于數(shù)據(jù)中心、局域網(wǎng)和電信應(yīng)用等多種場(chǎng)景
2025-03-17 10:18:553715 新一代無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)芯片的差分輸入輸出部分，支持 DCS、PCS、UMTS 和 CDMA 等通信標(biāo)準(zhǔn)。
射頻電路：用于射頻前端設(shè)計(jì)，如濾波器、混頻器、推挽放大器等。
高密度 PCB 設(shè)計(jì)：表面貼裝封裝形式適合現(xiàn)代半導(dǎo)體芯片的高密度布局。
2025-03-11 09:31:20
在現(xiàn)代電子設(shè)備中，PCB芯片封裝技術(shù)如同一位精巧的建筑師，在方寸之間搭建起芯片與外部世界的橋梁。捷多邦小編認(rèn)為，這項(xiàng)技術(shù)不僅關(guān)乎電子產(chǎn)品的性能，更直接影響著設(shè)備的可靠性和成本。 芯片封裝是將裸露
2025-03-10 15:06:51683 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，萊迪思宣布在FPGA設(shè)計(jì)上前瞻性的布局，使其能夠結(jié)合MRAM技術(shù)，推出了包括Certus-NX、CertusPro-NX和Avant等多款創(chuàng)新產(chǎn)品。這些FPGA器件采用
2025-03-08 00:10:001803 高密度封裝技術(shù)在近些年迅猛發(fā)展，同時(shí)也給失效分析過(guò)程帶來(lái)新的挑戰(zhàn)。常規(guī)的失效分析手段難以滿(mǎn)足結(jié)構(gòu)復(fù)雜、線(xiàn)寬微小的高密度封裝分析需求，需要針對(duì)具體分析對(duì)象對(duì)分析手法進(jìn)行調(diào)整和改進(jìn)。
2025-03-05 11:07:531288 
隨著超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的迅速崛起，其復(fù)雜性與日俱增。高密度光連接器逐漸成為提升整體資源效率的核心關(guān)鍵，旨在助力實(shí)現(xiàn)更快部署、優(yōu)化運(yùn)營(yíng)并確?；A(chǔ)設(shè)施在未來(lái)繼續(xù)保持領(lǐng)先。 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Synergy
2025-02-25 11:57:031432 UCC28782 是一款用于 USB Type C? PD 應(yīng)用的高密度有源鉗位反激式 （ACF） 控制器，通過(guò)在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)恢復(fù)漏感能量和自適應(yīng) ZVS 跟蹤，效率超過(guò) 93%。
最大頻率
2025-02-25 09:24:491207 
此參考設(shè)計(jì)是一款適用于 USB Type-C 應(yīng)用的高密度 60W 115VAC 輸入電源，使用 UCC28782 有源鉗位反激式控制器、LMG2610集成 GaN 半橋和 UCC24612 同步
2025-02-24 16:14:57866 
作為SANYU表面貼裝式繼電器的標(biāo)準(zhǔn)，M系列已廣泛被自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）、電信和儀表市場(chǎng)所接受。生產(chǎn)了多種封裝樣式，如軸向、鷗翼型和J型引腳，以最好地滿(mǎn)足您的應(yīng)用需求。 – 頻射性能高達(dá)6GHz– 阻抗50Ω– UL認(rèn)證
2025-02-17 13:53:08
MFS系列干簧繼電器是一種超緊湊型且輕量級(jí)的設(shè)計(jì)，適用于高密度PCB安裝。它可以輕松安裝在狹窄空間內(nèi)，非常適合高密度市場(chǎng)需求。MFS系列提供1 Form A, 2 Form A, and 1
2025-02-17 13:44:29
MF系列干簧繼電器具備超高密度，其表面尺寸在SANYU產(chǎn)品線(xiàn)中是最小的，僅為4.35mm x 4.35mm。這種尺寸允許您滿(mǎn)足集成電路行業(yè)的KGD需求：通過(guò)在8英寸板上安裝500個(gè)繼電器和在12英寸
2025-02-17 13:40:48
C系列采用 1A形式，具有出色的屏蔽性能和7GHz的射頻性能。與M系列相比，C系列產(chǎn)品的安裝面積縮小了30%，同時(shí)保持了同樣出色的可靠性，擁有長(zhǎng)久的產(chǎn)品壽命，被廣泛應(yīng)用于自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）、電信和無(wú)線(xiàn)通信等領(lǐng)域。
2025-02-17 13:35:13
存儲(chǔ)正在進(jìn)行著哪些變革。 上期我們對(duì)QLC SSD、TLC SSD以及HDD分別進(jìn)行了優(yōu)勢(shì)對(duì)比，并得出了成本分析。本期將重點(diǎn)介紹QLC SSD在設(shè)計(jì)上存在的諸多挑戰(zhàn)及解決之道。 更大的內(nèi)部扇區(qū)尺寸 從硬件設(shè)計(jì)及成本上考慮，高密度QLC SSD存儲(chǔ)容量增加時(shí)，其配置的DRAM容量通
2025-02-17 11:35:22846 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，芯片集成度和性能要求日益提升。傳統(tǒng)的二維封裝技術(shù)已經(jīng)難以滿(mǎn)足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的需求，因此，高密度3-D封裝技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。3-D封裝技術(shù)通過(guò)垂直堆疊多個(gè)芯片或芯片層，實(shí)現(xiàn)前所未有的集成密度和性能提升，成為半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。
2025-02-13 11:34:381613 
近日，根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出截然不同的表現(xiàn)。 在DRAM方面，消費(fèi)者需求在春節(jié)過(guò)后依然沒(méi)有顯著回暖，市場(chǎng)呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢(shì)
2025-02-07 17:08:291017 近日，據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢(xún)最新發(fā)布的報(bào)告指出，DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場(chǎng)近期均呈現(xiàn)出低迷的走勢(shì)。 特別是在DRAM市場(chǎng)方面，春節(jié)長(zhǎng)假過(guò)后，消費(fèi)者對(duì)于DRAM的需求并未如預(yù)期
2025-02-06 14:47:47930 景。NO.1產(chǎn)品特點(diǎn)密度高作為目前公司密度最高的連接器，F(xiàn)3具有很多優(yōu)點(diǎn)，其中最引人注目的是其高密度信號(hào)連接能力，單個(gè)模塊可以提供多達(dá)168個(gè)信號(hào)點(diǎn)的連接。尺寸小在
2025-02-06 09:15:04805 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高密度400W DC/DC電源模塊，集成平面變壓器和半橋GaN IC.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-22 15:39:5312 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AI革命的高密度電源.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-22 15:03:321 高密度互連（HDI）PCB因其細(xì)線(xiàn)、更緊密的空間和更密集的布線(xiàn)等特點(diǎn)，在現(xiàn)代電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。 一、HDI PCB具有以下顯著優(yōu)勢(shì)： 細(xì)線(xiàn)和高密度布線(xiàn)：允許更快的電氣連接，同時(shí)減少了PCB
2025-01-10 17:00:001532 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN77-適用于大電流應(yīng)用的高效率、高密度多相轉(zhuǎn)換器.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-08 14:26:180
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