顯卡的顯存這一路走來都是GDDR，但是這兩年HBM成了大明星，最新的HBM2E顯存也在去年8月首次提出規(guī)格。

由于三星等公司的努力，HBM在過去幾年來逐漸展現(xiàn)穩(wěn)步成長。例如三星上半年發(fā)布了稱為“Flashbolt”的第三代16GB HBM2E，在HBM2E封裝上的緩沖芯片頂部垂直堆棧8層10nm級(jí)(1y)16Gb DRAM芯片，使其前一代的“Aquabolt”容量提高了一倍。其HBM2E封裝以40,000多個(gè)TSV微凸塊排列方式互連，同時(shí)提供3.2Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速度，每堆棧內(nèi)存帶寬為410Gbps。

HBM持續(xù)進(jìn)展離不開IP共同生態(tài)

HBM作為開放標(biāo)準(zhǔn)，任何人都可用于開發(fā)產(chǎn)品，而且也開始在超大規(guī)模業(yè)者與AI應(yīng)用中探索更多需求，而不僅僅是最初的HPC和高階繪圖系統(tǒng)。它帶來了比DDR更高速的連接方式，顯然已經(jīng)成為AI的首選內(nèi)存。后期還將持續(xù)進(jìn)展以滿足高帶寬的需求，但這也離不開IP等合作伙伴共同發(fā)展生態(tài)系統(tǒng)。

國內(nèi)就已有IP供應(yīng)商在HBM技術(shù)上與多家Foundry建立了合作生態(tài)，例如芯動(dòng)科技，在先進(jìn)技術(shù)上緊跟國際潮流，加快追趕步伐。是目前國內(nèi)唯一與六大頂尖半導(dǎo)體廠建立合作生態(tài)的IP供應(yīng)商，其推出的HBM2E滿足國際通用標(biāo)準(zhǔn)，看齊國際最先進(jìn)水平。

價(jià)格昂貴的HBM終將迎來規(guī)模化需求

即使AI和超大規(guī)模業(yè)者開啟了HBM需求之門，相對(duì)而言仍算是小量制造。這并不至于讓其大量普及，因?yàn)樗匀皇且环N價(jià)格非常昂貴的解決方案。但是隨著量更大以及更多應(yīng)用導(dǎo)入，規(guī)模經(jīng)濟(jì)也會(huì)顯現(xiàn)，畢竟HBM的帶寬吞吐量是無與倫比的。

三星自2016年推出Flarebolt迭代以及接著在2018年推出第二代HBM2——即Aquabolt以來，一直在穩(wěn)定地逐步改善其HBM產(chǎn)品。以其最新的HBM2E產(chǎn)品來看，速度基本上可以提高到75%，并較上一代產(chǎn)品的容量增加了1倍。此外，HBM可說是目前最快的DRAM形式，對(duì)于為AI和機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用尋找理想解決方案的客戶而言極具吸引力。此外，自動(dòng)駕駛應(yīng)用也著眼于導(dǎo)入這項(xiàng)技術(shù)，以支持所需的實(shí)時(shí)決策。

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