英尚代理的恒爍半導(dǎo)體NOR FLASH存儲(chǔ)器，具備通用SPI接口，覆蓋廣泛的工作電壓與容量選項(xiàng)，為各類嵌入式系統(tǒng)提供可靠的非易失性存儲(chǔ)支持。該系列包括適用于1.8V低電壓環(huán)境的ZB25LD
2026-01-05 16:11:01
34 藝的 1 - Mbit 非易失性存儲(chǔ)器，邏輯上組織為 128K × 8。它結(jié)合了鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（F - RAM）的優(yōu)勢(shì)，既具備非易失性，又能像 RAM 一樣快
2026-01-04 17:25:09367 ——FM25L04B 4-Kbit串行F-RAM。 文件下載： FM25L04B-GTR.pdf 產(chǎn)品概述 FM25L04B是一款由Cypress（現(xiàn)屬英飛凌）開發(fā)的4-Kbit非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
2025-12-31 16:05:1886 eMMC全稱為 embedded Multi Media Card，主要用于非易失性存儲(chǔ)，它彌補(bǔ)了 FPGA 芯片自身存儲(chǔ)能力的不足，為 FPGA 提供一個(gè)高集成度、大容量、低成本、且易于使用的“硬盤”或“固態(tài)硬盤”解決方案。
2025-12-23 14:19:283972 
在存儲(chǔ)技術(shù)快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）以其獨(dú)特的性能，逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，兼具高速、耐用與非易失性特點(diǎn)。
2025-12-15 14:39:04242 鐵電工藝的4 - Kbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（F - RAM）具有非易失性，讀寫操作類似于RAM，能提供長(zhǎng)達(dá)151年的數(shù)據(jù)保留時(shí)
2025-12-10 17:15:021628 
SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）是一種在通電狀態(tài)下可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)器件，無(wú)需刷新即可持續(xù)工作，因此具有高速讀寫、響應(yīng)及時(shí)的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于對(duì)實(shí)時(shí)性要求高的場(chǎng)景。
2025-12-08 16:51:57442 
在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器扮演著數(shù)據(jù)臨時(shí)存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品，更憑借其高效傳輸機(jī)制，廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44293 在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是一個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)，EEPROM（電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器）因其非易失性和可重復(fù)編程的特性，成為了眾多應(yīng)用的理想選擇。今天，我們就來(lái)深入探討 ON Semiconductor
2025-12-05 15:12:42438 
CW32的22 字節(jié) OTP 存儲(chǔ)器一般都怎么使用？
2025-12-02 06:39:44
在當(dāng)今高速發(fā)展的3C領(lǐng)域（計(jì)算機(jī)外設(shè)、通信及消費(fèi)電子），對(duì)存儲(chǔ)器的性能與功耗提出了更高要求。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器作為核心存儲(chǔ)部件，其性能表現(xiàn)直接影響設(shè)備整體效能。Etron憑借其活緩沖DRAM
2025-12-01 13:42:00253 在各類存儲(chǔ)設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì)，在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44272 在存儲(chǔ)技術(shù)快速演進(jìn)的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的新型非易失存儲(chǔ)器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過(guò)“自旋電流”技術(shù)實(shí)現(xiàn)了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35244 型號(hào)：FZH120
廠商：深圳市方中禾科技有限公司（Premier Chip Limited）FZH120是一種存儲(chǔ)器交換LED顯示控制的驅(qū)動(dòng)芯片，可以選擇多重的ROW/COM模式（32ROW
2025-11-20 11:40:44
在嵌入式存儲(chǔ)應(yīng)用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)的代表，Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41146 Ω。
TPL0102配備非易失性存儲(chǔ)器（EEPROM），可用于存儲(chǔ)擦刷 位置。這很有好處，因?yàn)橛晁⑽恢眉词乖跀嚯姇r(shí)也會(huì)被存儲(chǔ)，且 開機(jī)后會(huì)自動(dòng)恢復(fù)?？梢栽L問(wèn)TPL0102的內(nèi)部寄存器 使用 I^2^C接口。
2025-11-19 11:33:38623 
，都屬于集成電路里的核心成員。要是按“斷電后數(shù)據(jù)能不能留在器件里”來(lái)分，存儲(chǔ)芯片能分成易失性和非易失性兩種。易失性存儲(chǔ)芯片就像電腦的內(nèi)存（像SRAM、DRAM這類
2025-11-17 16:35:402722 
EEPROM是一項(xiàng)成熟的非易失性存儲(chǔ)（NVM）技術(shù)，其特性對(duì)當(dāng)今尖端應(yīng)用的發(fā)展具有非常重要的意義。意法半導(dǎo)體（ST）是全球EEPROM芯片知名廠商和存儲(chǔ)器產(chǎn)品和工藝創(chuàng)新名企之一，其連接安全產(chǎn)品部綜合
2025-11-17 09:30:101633 在需要高速數(shù)據(jù)讀寫與高可靠性的現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)往往面臨寫入速度慢、耐久性有限等挑戰(zhàn)。Everspin公司推出的MR25H256系列MRAM芯片，以其獨(dú)特的磁阻存儲(chǔ)技術(shù)，為工業(yè)控制、汽車
2025-11-13 11:23:46210 片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成：主FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。
●● 主 FLASH 存儲(chǔ)器，共 64KB，地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-11-12 07:34:35
PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲(chǔ)器。它既保留了SRAM無(wú)需復(fù)雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢(shì)。這種獨(dú)特的設(shè)計(jì)使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2025-11-11 11:39:04497 在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的選擇往往成為設(shè)計(jì)成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨(dú)有的錯(cuò)誤校正（ECC）能力，為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計(jì)算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲(chǔ)解決方案。
2025-11-05 16:21:39284 、BBSRAM、NVSRAM及NOR存儲(chǔ)器件，專為應(yīng)對(duì)工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式系統(tǒng)及高性能存儲(chǔ)應(yīng)用的嚴(yán)苛需求而設(shè)計(jì)。旨在通過(guò)其高性能、高可靠性及廣泛的適用性，為下一代存儲(chǔ)架構(gòu)提供支撐。
2025-11-05 15:31:48285 在當(dāng)今對(duì)數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲(chǔ)器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，成為眾多高性能存儲(chǔ)解決方案中的亮點(diǎn)。
2025-11-05 14:34:28280 創(chuàng)飛芯作為國(guó)內(nèi)一站式非易失存儲(chǔ) IP 供應(yīng)商 ，獨(dú)立開發(fā)存儲(chǔ) IP 及 IC ，為客戶提供一站式定制服務(wù)，擁有多項(xiàng)國(guó)內(nèi)外發(fā)明專利。
2025-10-30 16:51:43807 在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)器，以高達(dá)35
2025-10-24 16:36:03532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來(lái)存儲(chǔ)信息的非易失性存儲(chǔ)器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時(shí)具備無(wú)限次擦寫、無(wú)磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實(shí)現(xiàn)了高速、可靠與長(zhǎng)壽命的統(tǒng)一，是存儲(chǔ)技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44411 作為磁阻存儲(chǔ)器領(lǐng)域的重要分支，SOT-MRAM因其獨(dú)特的寫入機(jī)制與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，正成為高性能MRAM研發(fā)的熱點(diǎn)方向。該技術(shù)利用具有強(qiáng)自旋軌道耦合效應(yīng)的材料層，通過(guò)自旋軌道力矩驅(qū)動(dòng)磁性隧道結(jié)中納米磁體的確定性翻轉(zhuǎn)，從而實(shí)現(xiàn)高效、可控的數(shù)據(jù)寫入與擦除操作。
2025-10-24 14:46:24338 QSPI PSRAM是一種集成了QSPI接口與PSRAM存儲(chǔ)功能的高效芯片。QSPI（四線串行外設(shè)接口）是一種高速串行通信接口，用于連接外部設(shè)備；而PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）則結(jié)合了快速隨機(jī)訪問(wèn)與動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)的特性。
2025-10-23 15:40:17379 一次性可編程（OTP）非易失性存儲(chǔ)器問(wèn)世已久。與其他非易失性存儲(chǔ)技術(shù)相比，OTP的占用面積更小，且無(wú)需額外的制造工序，因此成為存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門選擇。盡管聽(tīng)起來(lái)簡(jiǎn)單，但隨著人工智能（AI）的大規(guī)模部署和對(duì)更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增長(zhǎng)，平衡OTP的各項(xiàng)需求變得極具挑戰(zhàn)性。
2025-10-21 10:38:111440 
隨機(jī)數(shù)在當(dāng)前程序運(yùn)行環(huán)境中是一種常用參數(shù)，目前主要分為兩種，偽隨機(jī)數(shù)和真隨機(jī)數(shù)，本期我們就來(lái)講一下二者的區(qū)別。
2025-08-27 17:46:522185 隨著工業(yè)自動(dòng)化技術(shù)的快速發(fā)展，伺服電機(jī)作為核心執(zhí)行元件，其位置檢測(cè)精度和可靠性直接影響系統(tǒng)性能。傳統(tǒng)光電編碼器存在易受污染、抗震性差等固有缺陷，而磁性編碼器憑借非接觸式測(cè)量、抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，正
2025-08-16 14:15:311124 NAND閃存芯片是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中。以下是其核心功能、特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景的詳細(xì)分析： 1. 核心功能 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)：以電信號(hào)形式長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)，斷電后數(shù)據(jù)不丟失。 快速讀寫：支持
2025-08-11 10:43:441645 隨著全球二氧化碳減排的推進(jìn)，可再生能源，尤其是太陽(yáng)能發(fā)電的重要性日益凸顯。光伏逆變器又稱功率調(diào)節(jié)器可將太陽(yáng)能板產(chǎn)生的電壓轉(zhuǎn)換成正確的電流及電壓波形并入電網(wǎng)。由于需要連接到電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施，因此對(duì)可靠性、易維護(hù)性和使用壽命有所要求，F(xiàn)eRAM(鐵電體存儲(chǔ)器)的優(yōu)異特性得以發(fā)揮。
2025-08-08 14:41:061506 
HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲(chǔ)器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。其核心設(shè)計(jì)是通過(guò)硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122949 ”。閃存則是一種非易失性（ Non-Volatile ）內(nèi)存，在沒(méi)有電流供應(yīng)的條件下也能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù)，其存儲(chǔ)特性相當(dāng)于硬盤，這項(xiàng)特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì)的基礎(chǔ)。
各類 DDR
2025-07-03 14:33:09
近日，紫光國(guó)芯自主研發(fā)的PSRAM（低功耗偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）芯片系列產(chǎn)品正式發(fā)布，并同步上線天貓官方旗艦店。此次上新的PSRAM產(chǎn)品兼容業(yè)界主流接口協(xié)議Xccela，容量覆蓋32Mb，64Mb
2025-07-01 16:42:501443 。 ? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按照斷電后數(shù)據(jù)是否繼續(xù)保存，可分為易失性(Volatile)存儲(chǔ)和非易失性(Non-Volatile)存儲(chǔ)。利基型DRAM屬于易失性存儲(chǔ)，NOR?Flash、SLC?NAND?Flash屬于非
2025-06-29 06:43:001768 
/FeRAM (阻變/鐵電) 等，目標(biāo)是結(jié)合DRAM的速度和Flash的非易失性（存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存），部分已在特定領(lǐng)域應(yīng)用（如MRAM做緩存），是未來(lái)重要方向。
CXL：一種新的高速互連協(xié)議，旨在更高效地連接
2025-06-24 09:09:39
磁性傳感器作為一種基于磁場(chǎng)感應(yīng)原理的檢測(cè)裝置，通過(guò)將磁場(chǎng)、電流、應(yīng)力應(yīng)變等物理量轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)非磁學(xué)量的非接觸式測(cè)量。其技術(shù)特點(diǎn)包括高靈敏度、非接觸測(cè)量、抗干擾性強(qiáng)、溫度穩(wěn)定性好等，廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、醫(yī)療、消費(fèi)電子、航空航天等領(lǐng)域。
2025-06-19 16:39:011057 國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的一站式存儲(chǔ)NVM IP供應(yīng)商創(chuàng)飛芯在非易失性存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域取得的一項(xiàng)重要成果 —— 基于130nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺(tái)開發(fā)，為客戶定制開發(fā)的EEPROM IP，已順利通過(guò)客戶全流程的PVT測(cè)試
2025-06-12 17:42:071062 14FLASHFLASH的工作原理與應(yīng)用OWEIS1什么是FLASH?Flash閃存是一種非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，它結(jié)合了ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器）的優(yōu)點(diǎn)，具有電子可擦除和可編程
2025-05-27 13:10:411722 
DS4520是9位非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有通過(guò)I2C兼容的串行接口控制的64字節(jié)NV用戶存貯器。與用來(lái)控制數(shù)字邏輯節(jié)點(diǎn)的硬件跳線和機(jī)械開關(guān)相比，DS4520為用戶提供了數(shù)字可編程的替代方案
2025-05-26 15:41:31457 
DS4510是CPU監(jiān)控電路，具有內(nèi)部集成的64字節(jié)EEPROM存儲(chǔ)器和四個(gè)可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)I2C接口，使用快速模式(400kbps)或標(biāo)準(zhǔn)模式(100kbps
2025-05-26 10:13:41748 
DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲(chǔ)器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機(jī)械開關(guān)，實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)
2025-05-26 09:50:50683 
(SHA-256)的加密、雙向、質(zhì)詢-響應(yīng)安全認(rèn)證功能以及小型信息摘要加密功能。3Kb用戶可編程EEPROM陣列為應(yīng)用數(shù)據(jù)提供非易失存儲(chǔ)，附加的保護(hù)存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)SHA-256操作的一組讀保護(hù)密鑰以及用戶存儲(chǔ)器
2025-05-14 11:28:35866 
DS3911是一款4通道、10位Σ-Δ輸出、非易失(NV)控制器，內(nèi)置溫度傳感器和相應(yīng)的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。集成溫度傳感器提供分辨率為2°C的NV查找表(LUT)索引，溫度范圍為-40°C至
2025-05-12 09:41:29713 
? ? ? ?MCU的存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)通過(guò)整合不同性能與功能的存儲(chǔ)單元，優(yōu)化系統(tǒng)效率并滿足多樣化場(chǎng)景需求。其核心架構(gòu)可分為以下層次： 一、寄存器層（最高速） 定位?：集成于CPU內(nèi)核中，直接參與運(yùn)算
2025-05-09 10:21:09618 在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測(cè)試中，測(cè)試圖形（Test Pattern）是檢測(cè)故障、驗(yàn)證可靠性的核心工具。根據(jù)測(cè)試序列長(zhǎng)度與存儲(chǔ)單元數(shù)N的關(guān)系，測(cè)試圖形可分為N型、N2型和N3/?型三大類。
2025-05-07 09:33:371223 
磁性編碼器是一種用于測(cè)量角度和線性位置的傳感器。它使用磁性信號(hào)來(lái)監(jiān)測(cè)旋轉(zhuǎn)或線性位置的變化，并把這些變化轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)。磁性編碼器可用于各種應(yīng)用中，比如機(jī)器人、汽車、數(shù)控機(jī)床等領(lǐng)域
2025-04-27 17:18:11841 3.3 存儲(chǔ)器映射 前文所述，寄存器與RAM、FLASH一樣都是芯片內(nèi)部的一種存儲(chǔ)設(shè)備。那么，當(dāng)我們需要訪問(wèn)它們的時(shí)候，我們需要知道它們的存儲(chǔ)地址。 3.3.1 存儲(chǔ)器映射表 如下圖所示為RA6M5
2025-04-16 15:52:091375 
eMMC（Embedded Multi Media Card）是一種專為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的非易失性存儲(chǔ)解決方案，它將NAND閃存、主控芯片和接口協(xié)議封裝在一個(gè)BGA（Ball Grid Array
2025-04-14 00:00:004126 
非易失性存儲(chǔ)器（NVM）芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中，從智能手機(jī)、個(gè)人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng)，都是不可或缺的關(guān)鍵組件，它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，還極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。此外，為了滿足
2025-04-10 14:02:241333 單片機(jī)與存儲(chǔ)器的關(guān)系像什么？單片機(jī)里的存儲(chǔ)都是一樣的嗎？為什么有的單片機(jī)既有EEPROM又有Flash？
2025-04-10 10:06:011434 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，RRAM（阻變存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)是一種新興的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，它基于材料的電阻變化來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。其存儲(chǔ)單元通常由兩個(gè)電極和中間的阻變材料組成。當(dāng)在電極上施加一定的電壓脈沖時(shí)，阻變材料
2025-04-10 00:07:002088 芯片燒錄領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型號(hào)。在此次更新中，恒爍半導(dǎo)體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ16CS已被昂科燒錄程序芯片燒錄設(shè)備
2025-04-09 15:22:11735 
人工智能與高性能計(jì)算（HPC）正以空前的速度發(fā)展，將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時(shí)代日益增長(zhǎng)的需求，業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)的新興存儲(chǔ)技術(shù)。
2025-04-03 09:40:411709 氣隙設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。
目錄1 概述2 一種分段氣隙的CLLC平面變壓器設(shè)計(jì)3 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證4 參考文獻(xiàn)
1 概述學(xué)者們從LLC拓?fù)湓?、新型器件、改進(jìn)拓?fù)?、先進(jìn)調(diào)制方法、諧振參數(shù)優(yōu)化方法、磁性器件設(shè)計(jì)方法
2025-03-27 13:57:27
，又可再對(duì)它寫入，為可讀/寫存儲(chǔ)器， 或隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器。? 易失性
p 若存儲(chǔ)器在斷電之后，仍能保存其中的內(nèi)容，則稱為非易失性存儲(chǔ)器；否則，為易失性存儲(chǔ)器；
p 只讀存儲(chǔ)器（ROM）是非易失性的，隨機(jī)
2025-03-26 11:12:24
為設(shè)計(jì)一種低成本、抗干擾、穩(wěn)定可靠的 AGV，提出一種基于磁帶導(dǎo)航的 AGV 系統(tǒng)。采用 Megawin 公司的80C51單片機(jī)為控制核心，以并排對(duì)稱設(shè)計(jì)的霍爾傳感器實(shí)現(xiàn)循跡和糾偏，紅外光電傳感器
2025-03-25 15:10:23
)、電擦除可編程ROM(EEPROM)等類型。
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器是一種隨機(jī)存儲(chǔ)器，只要芯片保持通電，它里面的數(shù)據(jù)就一直保持不變，直至它接收到數(shù)據(jù)寫入命令，里面的數(shù)據(jù)被改寫后，才
2025-03-23 09:47:39
特性64 千比特鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（F - RAM），邏輯上組織為 8K×8高達(dá) 100 萬(wàn)億次（\(10^{14}\)）讀 / 寫耐久性151 年的數(shù)據(jù)保存期限（詳見(jiàn) “數(shù)據(jù)保存期限和耐久性表
2025-03-19 11:35:49
非易失存儲(chǔ)：斷電后數(shù)據(jù)不丟失 可重復(fù)編程：支持擦寫操作（需先擦除后寫入） 二進(jìn)制操作：擦除后全為 1，寫操作將 1 變?yōu)?0 核心差異 一、物理結(jié)構(gòu)對(duì)比 NOR 特性 獨(dú)立存儲(chǔ)單元并聯(lián)架構(gòu) 支持隨機(jī)
2025-03-18 12:06:501167 保證非接觸式定位? 和近程檢測(cè)的 靈活性和可靠性 ? 磁性近程傳感器為多種應(yīng)用中的非接觸式定位和近程檢測(cè)提供了可靠而靈活的可選方案。這類傳感器能夠通過(guò)多種非磁性表面可靠地檢測(cè)磁場(chǎng)。磁性近程傳感器
2025-03-17 11:53:241113 
NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲(chǔ)中，具有高速讀寫和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。
2025-03-12 10:21:145317 
優(yōu)化的架構(gòu)設(shè)計(jì)和成熟的制程技術(shù)，具備內(nèi)置的硬擦除器、錯(cuò)誤檢測(cè)和校正機(jī)制，為用戶提供了可靠的開發(fā)環(huán)境。用戶可利用最新的Radiant工具，直接實(shí)現(xiàn)MRAM的編程接口，支持多種存儲(chǔ)容量和數(shù)據(jù)速率。利用這些FPGA器件，用戶可以受益于低功耗FPGA架構(gòu)和快速安全的位流配置/重新配置。 ? 為
2025-03-08 00:10:001803 比特的用戶閃存模塊（UFM）用于非易失性存儲(chǔ)多電壓核心使能，可將外部電源電壓設(shè)為 3.3V、2.5V 或 1.8V多電壓 I/O 接口，支持 3.3V、2.5V、1
2025-03-07 15:19:03
性鐵電存儲(chǔ)器SF24C64/FM24C64/MB85RC64性能及應(yīng)用介紹
2025-03-06 10:06:581473 
存儲(chǔ)和保管磁性開關(guān)時(shí)，需要注意存儲(chǔ)環(huán)境、保管方法和相關(guān)注意事項(xiàng)。通過(guò)遵循這些建議，可以確保磁性開關(guān)的性能穩(wěn)定性和延長(zhǎng)使用壽命。
2025-03-04 09:20:30712 MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標(biāo)準(zhǔn)（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器。它還會(huì)持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時(shí)提供RAM寫保護(hù)。當(dāng)電源開始出現(xiàn)故障時(shí)，RAM受到寫保護(hù)，并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16917 
信息。對(duì)于少于31天的月份，該月的最后一天會(huì)自動(dòng)調(diào)整，包括閏年更正。該計(jì)時(shí)器以兩種格式之一運(yùn)行：24小時(shí)模式或帶AM/PM指示器的12小時(shí)模式。非易失性控制器提供了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器所需的所有支持電路。DS1315可以與RAM或ROM進(jìn)行接口，而不會(huì)在存儲(chǔ)器中留下空隙。
2025-02-28 10:23:08769 
帶鋰電池監(jiān)控器的DS1321靈活非易失性控制器是一款CMOS電路，解決了將CMOS SRAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問(wèn)題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測(cè)到這種情況時(shí)，芯片使能輸出會(huì)被
2025-02-28 10:00:43985 
帶電池監(jiān)控器的DS1314非易失性控制器是一個(gè)CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問(wèn)題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測(cè)到這種情況時(shí)，芯片使能會(huì)被禁止以實(shí)現(xiàn)
2025-02-28 09:53:17806 
帶電池監(jiān)控器的DS1312非易失性控制器是一個(gè)CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問(wèn)題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測(cè)到這種情況時(shí)，芯片使能會(huì)被禁止以實(shí)現(xiàn)
2025-02-28 09:48:45743 
DS1557是一款全功能、符合-2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和512k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1557內(nèi)所有
2025-02-27 17:11:32932 
DS1554是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和32k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1554內(nèi)所有
2025-02-27 16:54:351041 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54819 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09949 
DS1992/DS1993內(nèi)存iButtons（以下簡(jiǎn)稱DS199x）是堅(jiān)固的讀/寫數(shù)據(jù)載體，充當(dāng)本地化數(shù)據(jù)庫(kù)，易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲(chǔ)器和可選的計(jì)時(shí)功能為存儲(chǔ)和檢索與iButton所連接
2025-02-26 10:39:06821 
的對(duì)象相關(guān)的重要信息提供了一種簡(jiǎn)單的解決方案。數(shù)據(jù)通過(guò)1-Wire協(xié)議串行傳輸，該協(xié)議只需要一根數(shù)據(jù)線和一個(gè)接地回路。草稿行是一個(gè)額外的頁(yè)面，在寫入內(nèi)存時(shí)充當(dāng)緩沖區(qū)。數(shù)據(jù)首先被寫入草稿行，在那里可以被讀回。驗(yàn)證數(shù)據(jù)后，復(fù)制草稿行命令將數(shù)據(jù)傳輸?shù)絻?nèi)存。此過(guò)程可確保修改內(nèi)存時(shí)的數(shù)據(jù)完整性。
2025-02-26 10:32:24881 
DS1996 Memory iButton是一種堅(jiān)固的讀/寫數(shù)據(jù)載體，可作為本地化的數(shù)據(jù)庫(kù)，使用最少的硬件即可輕松訪問(wèn)。非易失性存儲(chǔ)器為存儲(chǔ)和檢索與iButton所連接的對(duì)象相關(guān)的重要信息提供了一種
2025-02-26 10:17:41871 
一種獨(dú)特的人類特質(zhì)。最近，來(lái)自康奈爾大學(xué)探討了大語(yǔ)言模型（LLMs）在隨機(jī)性方面的表現(xiàn)。他們通過(guò)一個(gè)經(jīng)典的實(shí)驗(yàn)——生成二進(jìn)制隨機(jī)序列，來(lái)觀察這些模型是否能像人類一
2025-02-20 13:11:191163 
未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。 DRAM 介紹 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，縮寫為 DRAM）是一種易失性存儲(chǔ)設(shè)備。這意味著，一旦停止供電，它所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。DRAM 的工作原理依賴于電容器來(lái)保存電荷，以此記錄數(shù)據(jù)。然而，電容器中的電荷會(huì)
2025-02-14 10:24:401444 
MTFC32GASAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:45:22
? ? 非易失性存儲(chǔ)器是一種應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲(chǔ)裝置（存儲(chǔ)器），在沒(méi)有外部電源提供的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。 現(xiàn)今的計(jì)算機(jī)中央處理器（CPU：Central Processing Unit）中，直接、高速處理的數(shù)據(jù)通常保存在易失性存儲(chǔ)器中（
2025-02-13 12:42:142470 
數(shù)顯千分表的數(shù)據(jù)如何用存儲(chǔ)器進(jìn)行接收
2025-02-11 06:01:54
半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出的一款高性能 EEPROM 存儲(chǔ)器，具有 16 Kbit 的存儲(chǔ)容量，專為需要非易失性存儲(chǔ)的應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款器件采
2025-02-10 07:41:41
產(chǎn)品概述 Korchip DCS5R5334H 是一款高性能的低功耗 SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），專為高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理而設(shè)計(jì)。該器件具有快速的訪問(wèn)時(shí)間和較高的數(shù)據(jù)傳輸速率，廣泛應(yīng)用
2025-02-09 22:38:10
初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲(chǔ)器分類。按照存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)功能劃分，可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:513961 
新高度的關(guān)鍵力量。 精準(zhǔn)定位，無(wú)界探索 磁性編碼器，作為一種非接觸式的位置檢測(cè)裝置，以其高精度、高可靠性和長(zhǎng)壽命的特點(diǎn)，在眾多工業(yè)應(yīng)用中大放異彩。相較于傳統(tǒng)光學(xué)編碼器，磁性編碼器不受灰塵、油污等惡劣環(huán)境影響，能
2025-02-08 08:35:34760 
來(lái)自斯坦福大學(xué)和韓國(guó)Ajou大學(xué)的科學(xué)家們?cè)凇禨cience》雜志上發(fā)表了一項(xiàng)開創(chuàng)性的研究成果。他們發(fā)現(xiàn)了一種新型的非晶態(tài)NbP半金屬薄膜，其電阻率隨著薄膜厚度的減小而顯著降低，這一現(xiàn)象與傳統(tǒng)金屬
2025-02-07 10:08:541261 
在數(shù)字存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展中，閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory）以其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了連接隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）與只讀存儲(chǔ)器（ROM）之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲(chǔ)器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:001683 本文旨在深入探討閃速存儲(chǔ)器的歸屬問(wèn)題，即它是否屬于RAM或ROM，同時(shí)詳細(xì)闡述閃速存儲(chǔ)器的功能與作用。
2025-01-29 15:21:001590 閃速存儲(chǔ)器之所以得名“閃速”，主要源于其擦除操作的高效性。傳統(tǒng)的EPROM（可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器）和EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器）在擦除數(shù)據(jù)時(shí)，往往需要較長(zhǎng)的時(shí)間，且操作相對(duì)繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:001378 在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天，閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的重要成員。而U盤，作為閃速存儲(chǔ)器的一種常見(jiàn)應(yīng)用形式，更是憑借其便攜性和易用性，在
2025-01-29 15:12:001449 高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache）是內(nèi)存的一種特殊形式，但它與通常所說(shuō)的主存儲(chǔ)器（RAM）有所不同。在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體系中，Cache位于CPU和主存儲(chǔ)器之間，用于存儲(chǔ)CPU近期訪問(wèn)過(guò)的數(shù)據(jù)或指令，以加快數(shù)據(jù)的訪問(wèn)速度。
2025-01-29 11:48:003395 隨著AI技術(shù)的快速發(fā)展，特別是大規(guī)模語(yǔ)言模型（如ChatGPT和Sora）的出現(xiàn)，對(duì)數(shù)據(jù)處理能力和存儲(chǔ)技術(shù)提出了全新的需求。傳統(tǒng)存儲(chǔ)器架構(gòu)在能效比和計(jì)算效率上的限制，逐漸成為瓶頸。如何實(shí)現(xiàn)更高
2025-01-23 17:30:312078 
在此次更新中，恒爍半導(dǎo)體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ32DS已被昂科的程序燒錄專業(yè)芯片燒錄設(shè)備AP8000所支持。昂科技術(shù)自主研發(fā)的AP8000萬(wàn)用燒錄器，支持包括一拖一及一拖八配置
2025-01-17 09:30:20872 
特點(diǎn)16-Kbit 鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM)為 2 K × 8 ? 高耐久性 100 萬(wàn)億次（1014）讀/寫 ? 151 年數(shù)據(jù)保留期（請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)保留期
2025-01-16 14:14:37
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