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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>64Kbit非易失性鐵電存儲(chǔ)器FM25640B的功能及特征

64Kbit非易失性鐵電存儲(chǔ)器FM25640B的功能及特征

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2025-05-09 10:21:09618

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測試圖形技術(shù)解析

在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測試中,測試圖形(Test Pattern)是檢測故障、驗(yàn)證可靠的核心工具。根據(jù)測試序列長度與存儲(chǔ)單元數(shù)N的關(guān)系,測試圖形可分為N型、N2型和N3/?型三大類。
2025-05-07 09:33:371223

多軸控制可使用國產(chǎn)存儲(chǔ)器SF25C20(MB85RS2MT)

多軸控制可使用國產(chǎn)存儲(chǔ)器SF25C20(MB85RS2MT)
2025-05-06 09:47:26585

替換MB85RS128和FM25V01,舜銘存儲(chǔ)存儲(chǔ)器SF25C128電壓檢測儀應(yīng)用方案

替換MB85RS128和FM25V01,舜銘存儲(chǔ)存儲(chǔ)器SF25C128電壓檢測儀應(yīng)用方案
2025-04-14 09:46:36719

非易失性存儲(chǔ)器芯片的可靠測試要求

非易失性存儲(chǔ)器(NVM)芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中,從智能手機(jī)、個(gè)人電腦到服務(wù)和工業(yè)控制系統(tǒng),都是不可或缺的關(guān)鍵組件,它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全和可靠,還極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。此外,為了滿足
2025-04-10 14:02:241333

昂科燒錄支持Zbit恒爍半導(dǎo)體的閃存ZB25VQ16CS

芯片燒錄領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代,并公布了一系列新增兼容芯片型號(hào)。在此次更新中,恒爍半導(dǎo)體(Zbit)推出的閃存ZB25VQ16CS已被昂科燒錄程序芯片燒錄設(shè)備
2025-04-09 15:22:11735

便攜式醫(yī)療存儲(chǔ)器SF25C20(FM25V20A)的替換方案

便攜式醫(yī)療存儲(chǔ)器SF25C20(FM25V20A)的替換方案
2025-04-07 09:46:03626

替換FM25V20A醫(yī)療物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備可使用存儲(chǔ)器SF25C20

替換FM25V20A醫(yī)療物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備可使用存儲(chǔ)器SF25C20
2025-03-28 10:31:41717

嵌入式硬件基礎(chǔ)知識(shí)匯總(附帶與硬件密切相關(guān)的軟件介紹)

,又可再對它寫入,為可讀/寫存儲(chǔ)器, 或隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器。? p 若存儲(chǔ)器在斷電之后,仍能保存其中的內(nèi)容,則稱為非易失性存儲(chǔ)器;否則,為存儲(chǔ)器; p 只讀存儲(chǔ)器(ROM)是非的,隨機(jī)
2025-03-26 11:12:24

兼容FM25V20A/MB85RS2MT,國產(chǎn)存儲(chǔ)器SF25C20助聽器應(yīng)用方案

兼容FM25V20A/MB85RS2MT,國產(chǎn)存儲(chǔ)器SF25C20助聽器應(yīng)用方案
2025-03-20 09:55:16676

FM25CL64B-GTR 絲印FM25CL64BG SOP8 64Kbit存儲(chǔ)器

特性64 千比特隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F - RAM),邏輯上組織為 8K×8高達(dá) 100 萬億次(\(10^{14}\))讀 / 寫耐久151 年的數(shù)據(jù)保存期限(詳見 “數(shù)據(jù)保存期限和耐久
2025-03-19 11:35:49

存儲(chǔ)器SF25C20/SF25C512在人工智能邊緣計(jì)算中應(yīng)用

存儲(chǔ)器SF25C20/SF25C512在人工智能邊緣計(jì)算中應(yīng)用
2025-03-13 09:46:30774

NAND閃存的工作原理和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

NAND閃存是一種存儲(chǔ)技術(shù),廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲(chǔ)中,具有高速讀寫和耐用強(qiáng)的特點(diǎn)。
2025-03-12 10:21:145319

EPM1270T144C5N TQFP-144 0℃~+85℃ 可編程邏輯芯片

比特的用戶閃存模塊(UFM)用于存儲(chǔ)多電壓核心使能,可將外部電源電壓設(shè)為 3.3V、2.5V 或 1.8V多電壓 I/O 接口,支持 3.3V、2.5V、1
2025-03-07 15:19:03

存儲(chǔ)器SF24C64/FM24C64/MB85RC64能及應(yīng)用介紹

存儲(chǔ)器SF24C64/FM24C64/MB85RC64能及應(yīng)用介紹
2025-03-06 10:06:581473

存儲(chǔ)器SF24C64對標(biāo)FM24C64性能、應(yīng)用和成本分析

存儲(chǔ)器SF24C64對標(biāo)FM24C64性能、應(yīng)用和成本分析
2025-03-03 10:25:451304

FM24C64 64KB的串行存儲(chǔ)器中文手冊

AT24C64是一款串行可擦除編程只讀存儲(chǔ)器 (EEPROM),存儲(chǔ)容量為8192字節(jié),分為256頁,每頁32字節(jié)。 具有低功耗CMOS技術(shù),自定時(shí)編程周期,支持SOP-8和DIP-8封裝。 適用于智能儀器儀表、筆記本電腦、計(jì)算機(jī)、家用電器、汽車電子、通信設(shè)備和工業(yè)控制
2025-02-28 15:48:093

FM24C32A/64A二線制串行EEPROM技術(shù)手冊

AT24C64是一款串行可擦除編程只讀存儲(chǔ)器 (EEPROM),存儲(chǔ)容量為8192字節(jié),分為256頁,每頁32字節(jié)。 具有低功耗CMOS技術(shù),自定時(shí)編程周期,支持SOP-8和DIP-8封裝。 適用于智能儀器儀表、筆記本電腦、計(jì)算機(jī)、家用電器、汽車電子、通信設(shè)備和工業(yè)控制
2025-02-28 15:45:430

MXD1210RAM控制技術(shù)手冊

MXD1210RAM控制是一款超低功耗CMOS電路,可將標(biāo)準(zhǔn)()CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器。它還會(huì)持續(xù)監(jiān)控電源,以在RAM的電源處于邊際(超出容限)條件時(shí)提供RAM寫保護(hù)。當(dāng)電源開始出現(xiàn)故障時(shí),RAM受到寫保護(hù),并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16917

DS1243 64k NV SRAM,帶有隱含時(shí)鐘技術(shù)手冊

帶幻象時(shí)鐘的DS1243Y 64K NV SRAM是一款內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘、完全靜態(tài)的RAM(結(jié)構(gòu)為8192個(gè)字x 8位)。DS1243Y具有獨(dú)立的鋰能源和控制電路,可持續(xù)監(jiān)控VCC是否發(fā)生超出容
2025-02-28 10:31:43995

DS1321靈活的失控制,帶有鋰電池技術(shù)手冊

帶鋰電池監(jiān)控的DS1321靈活控制是一款CMOS電路,解決了將CMOS SRAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測到這種情況時(shí),芯片使能輸出會(huì)被
2025-02-28 10:00:43986

DS1314 3V、失控制,帶有鋰電池監(jiān)測技術(shù)手冊

帶電池監(jiān)控的DS1314控制是一個(gè)CMOS電路,解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測到這種情況時(shí),芯片使能會(huì)被禁止以實(shí)現(xiàn)
2025-02-28 09:53:17807

DS1312失控制,帶有鋰電池監(jiān)測技術(shù)手冊

帶電池監(jiān)控的DS1312控制是一個(gè)CMOS電路,解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測到這種情況時(shí),芯片使能會(huì)被禁止以實(shí)現(xiàn)
2025-02-28 09:48:45745

DS1557 4M、Y2K兼容時(shí)鐘RAM技術(shù)手冊

DS1557是一款全功能、符合-2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC),具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)、上電復(fù)位、電池監(jiān)控和512k x 8靜態(tài)RAM。用戶對DS1557內(nèi)所有
2025-02-27 17:11:32932

DS1554 256k、Y2K兼容時(shí)鐘RAM技術(shù)手冊

DS1554是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC),具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)、上電復(fù)位、電池監(jiān)控和32k x 8靜態(tài)RAM。用戶對DS1554內(nèi)所有
2025-02-27 16:54:351041

DS1265AB 8MSRAM技術(shù)手冊

DS1265 8MSRAM為8,388,608位、全靜態(tài)SRAM,按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54820

DS1249AB 2048kSRAM技術(shù)手冊

DS1249 2048k(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)SRAM,按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09951

DS1996 iButton 64K位存儲(chǔ)器技術(shù)手冊

命令將數(shù)據(jù)傳送到存儲(chǔ)器。該過程確保了修改存儲(chǔ)器時(shí)的數(shù)據(jù)完整。每個(gè)DS1996都有一個(gè)48位的工廠激光序列號(hào),以提供一個(gè)有保證的唯一標(biāo)識(shí),從而實(shí)現(xiàn)絕對的可追溯。耐用的MicroCan封裝具有很強(qiáng)的抗
2025-02-26 10:17:41871

存儲(chǔ)器SF24C64對標(biāo)MB85RC64性能、應(yīng)用深度分析

存儲(chǔ)器SF24C64對標(biāo)MB85RC64性能、應(yīng)用深度分析
2025-02-25 09:40:591103

旋轉(zhuǎn)編碼選用國產(chǎn)存儲(chǔ)器(?SF24C512)的5個(gè)理由

旋轉(zhuǎn)編碼選用國產(chǎn)存儲(chǔ)器(?SF24C512)的5個(gè)理由
2025-02-20 09:42:03906

M95320-DRMN3TP/K產(chǎn)品概述

M95320-DRMN3TP/K是一款高性能的串行EEPROM,采用SPI接口,具有32Kbit存儲(chǔ)容量。該器件專為需要存儲(chǔ)的應(yīng)用設(shè)計(jì),能夠在斷電后保持?jǐn)?shù)據(jù)
2025-02-18 21:57:03

STT-MRAM新型磁隨機(jī)存儲(chǔ)器

2025-02-14 13:49:27

存儲(chǔ)器工藝概覽:常見類型介紹

未來發(fā)展趨勢。 DRAM 介紹 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory,縮寫為 DRAM)是一種存儲(chǔ)設(shè)備。這意味著,一旦停止供電,它所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。DRAM 的工作原理依賴于電容器來保存電荷,以此記錄數(shù)據(jù)。然而,電容器中的電荷會(huì)
2025-02-14 10:24:401444

MTFC64GAZAQHD-AAT存儲(chǔ)器

MTFC64GAZAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效,適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:46:05

FM/復(fù)旦微 FM24C16D-SO-T-G SOP8存儲(chǔ)器芯片

特點(diǎn)FM24C16D提供16384位串行可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM),組織為2048個(gè)8字每個(gè)位,具有128位UID和16字節(jié)安全部門。該設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化,可用于多種場合工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用低
2025-02-13 14:49:06

揭秘非易失性存儲(chǔ)器:從原理到應(yīng)用的深入探索

? ? 非易失性存儲(chǔ)器是一種應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲(chǔ)裝置(存儲(chǔ)器),在沒有外部電源提供的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。 現(xiàn)今的計(jì)算機(jī)中央處理(CPU:Central Processing Unit)中,直接、高速處理的數(shù)據(jù)通常保存在存儲(chǔ)器中(
2025-02-13 12:42:142470

舜銘存儲(chǔ)存儲(chǔ)器SF25C20:替換FM25V20A/MB85RS2MT

舜銘存儲(chǔ)存儲(chǔ)器SF25C20:替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:091169

FM/復(fù)旦微 FM24C256E-SO-T-G SOP8存儲(chǔ)器芯片

特點(diǎn)FM24C256E提供262144位串行可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM),由32768個(gè)8字組成每個(gè)位,具有128位UID和64字節(jié)安全部門,大大提高了可靠內(nèi)部ECC邏輯。該設(shè)備
2025-02-11 14:34:13

M24C16-DRDW3TP/K

半導(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的一款高性能 EEPROM 存儲(chǔ)器,具有 16 Kbit存儲(chǔ)容量,專為需要存儲(chǔ)的應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款器件采
2025-02-10 07:41:41

存儲(chǔ)器的分類及其區(qū)別

初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲(chǔ)器分類。按照存儲(chǔ)器存儲(chǔ)功能劃分,可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:513961

存儲(chǔ)器SF24C512替換MB85RS512/FM25V512優(yōu)勢顯著

存儲(chǔ)器SF24C512替換MB85RS512/FM25V512優(yōu)勢顯著
2025-02-07 09:29:33907

增強(qiáng)反材料能量存儲(chǔ)性能的反極化調(diào)控策略

忽略的剩余極化和在場致態(tài)中的高最大極化,在高性能儲(chǔ)能方面具有重要的意義。然而,低反-相變場和伴隨的大磁滯損耗會(huì)降低能量密度和可靠。
2025-02-06 10:52:381131

閃速存儲(chǔ)器屬于RAM還是ROM,閃速存儲(chǔ)器一般用來做什么的

在數(shù)字存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展中,閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為了連接隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)與只讀存儲(chǔ)器(ROM)之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲(chǔ)器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:001683

閃速存儲(chǔ)器屬于RAM還是ROM,閃速存儲(chǔ)器有哪些功能和作用

本文旨在深入探討閃速存儲(chǔ)器的歸屬問題,即它是否屬于RAM或ROM,同時(shí)詳細(xì)闡述閃速存儲(chǔ)器功能與作用。
2025-01-29 15:21:001590

閃速存儲(chǔ)器的閃速是指什么,閃速存儲(chǔ)器的速度比內(nèi)存快嗎

閃速存儲(chǔ)器之所以得名“閃速”,主要源于其擦除操作的高效。傳統(tǒng)的EPROM(可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)和EEPROM(可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)在擦除數(shù)據(jù)時(shí),往往需要較長的時(shí)間,且操作相對繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:001378

閃速存儲(chǔ)器是u盤嗎,閃速存儲(chǔ)器一般用來做什么的

在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天,閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其高速度、大容量和的特性,成為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的重要成員。而U盤,作為閃速存儲(chǔ)器的一種常見應(yīng)用形式,更是憑借其便攜和易用,在
2025-01-29 15:12:001452

高速緩沖存儲(chǔ)器是內(nèi)存還是外存,高速緩沖存儲(chǔ)器是為了解決什么

高速緩沖存儲(chǔ)器(Cache)是內(nèi)存的一種特殊形式,但它與通常所說的主存儲(chǔ)器(RAM)有所不同。在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體系中,Cache位于CPU和主存儲(chǔ)器之間,用于存儲(chǔ)CPU近期訪問過的數(shù)據(jù)或指令,以加快數(shù)據(jù)的訪問速度。
2025-01-29 11:48:003395

詳解高耐久氧化鉿基存儲(chǔ)器

效的存儲(chǔ)技術(shù),以滿足大數(shù)據(jù)、AI推理與訓(xùn)練的實(shí)時(shí)和能效需求,是后摩爾時(shí)代存儲(chǔ)技術(shù)的核心課題。在這種背景下,以氧化鉿基材料為代表的新型存儲(chǔ)技術(shù)正逐步成為學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的研究焦點(diǎn)。
2025-01-23 17:30:312078

舜銘存儲(chǔ)存儲(chǔ)器SF25C20能否替換賽普拉斯FM25V20A

舜銘存儲(chǔ)存儲(chǔ)器SF25C20能否替換賽普拉斯FM25V20A
2025-01-23 09:03:29953

昂科燒錄支持Zbit恒爍半導(dǎo)體的閃存ZB25VQ32DS

在此次更新中,恒爍半導(dǎo)體(Zbit)推出的閃存ZB25VQ32DS已被昂科的程序燒錄專業(yè)芯片燒錄設(shè)備AP8000所支持。昂科技術(shù)自主研發(fā)的AP8000萬用燒錄,支持包括一拖一及一拖八配置
2025-01-17 09:30:20872

FM24C16B-GTR SOIC-8 16Kbit I2C接口 存儲(chǔ)器

 特點(diǎn)16-Kbit 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM)為 2 K × 8 ? 高耐久 100 萬億次(1014)讀/寫 ? 151 年數(shù)據(jù)保留期(請參閱數(shù)據(jù)保留期
2025-01-16 14:14:37

舜銘存儲(chǔ)存儲(chǔ)器SF25C20替換FM25V20A參數(shù)分析及應(yīng)用

舜銘存儲(chǔ)存儲(chǔ)器SF25C20替換FM25V20A參數(shù)分析及應(yīng)用
2025-01-16 10:17:061232

TPL0501-100上后,它的抽頭到一端的電阻是多少?

有人用過數(shù)字電位TPL0501-100么?器件比較中說它采用的是存儲(chǔ)介質(zhì),但是datasheet中關(guān)于這點(diǎn)只字未提,不知道上后,它的抽頭到一端的電阻是多少?
2025-01-14 08:37:07

舜銘存儲(chǔ)存儲(chǔ)器SF25C20替換MB85RS2MT性能及應(yīng)用優(yōu)勢有哪些?

舜銘存儲(chǔ)存儲(chǔ)器SF25C20替換MB85RS2MT性能及應(yīng)用優(yōu)勢有哪些?
2025-01-10 09:12:15902

ATA-67100高壓放大器在材料極化測試中的應(yīng)用

滯回線和參數(shù)是人們愈來愈關(guān)心的問題之一。材料的最顯著特征之一是能夠通過施加電場來改變其自發(fā)極化狀態(tài)。為了進(jìn)行材料的極化實(shí)驗(yàn),需要使用高壓放大器提供足夠強(qiáng)度的電場。高壓放大器可以將低電壓信號(hào)放大為
2025-01-09 12:00:22762

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