MOS管，全稱(chēng)?金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管?（MOSFET），是一種通過(guò)柵極電壓控制源極與漏極之間電流的半導(dǎo)體器件。它屬于電壓控制型器件，輸入阻抗極高（可達(dá)1012Ω以上），具有低噪聲、低功耗
2026-01-05 11:42:09
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、Source，簡(jiǎn)稱(chēng)G、D、S。
我們把單片機(jī)的一個(gè)IO口接到MOS管的Gate端口，就可以控制這個(gè)燈泡的亮滅。當(dāng)單片機(jī)的IO口輸出為高時(shí)，NMOS等效被閉合的開(kāi)關(guān)，燈光被打開(kāi)；輸出為低時(shí)，NMOS等效開(kāi)關(guān)
2026-01-04 07:59:13
在電力電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)直接決定了器件的開(kāi)關(guān)效率與可靠性。工程師們對(duì)快速關(guān)斷的關(guān)注遠(yuǎn)超開(kāi)通速度，這一設(shè)計(jì)傾向并非偶然，它源于MOS管的固有特性與實(shí)際應(yīng)用需求的深度耦合。本文將從電路
2025-12-29 09:30:37147 
在電力電子電路設(shè)計(jì)中，Simplis仿真是工程師驗(yàn)證方案可行性的重要工具。然而，不少工程師遇到過(guò)這樣的困惑：當(dāng)MOS管輸出端接的電阻超過(guò)2Ω時(shí)，軟件就會(huì)報(bào)錯(cuò)。電阻1Ω時(shí)電路正常，2Ω及以上就觸發(fā)
2025-12-29 09:27:36273 
在功率器件國(guó)產(chǎn)化浪潮之下，MOS管（MOSFET）作為能量轉(zhuǎn)化的“核心開(kāi)關(guān)”，其自主可控與性能提升尤為重要。隨著電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)4.0、光伏儲(chǔ)能及高端消費(fèi)電子的飛速發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)于高可靠性、高效率
2025-12-27 10:33:49474 不間斷電源（UPS）電路中，MOS管因其高開(kāi)關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和易于驅(qū)動(dòng)的特性，被廣泛應(yīng)用于需要高效電能轉(zhuǎn)換和快速控制的關(guān)鍵位置。本期UPS選型專(zhuān)題，MOS管廠家推薦的這一款產(chǎn)品是100A、80V的場(chǎng)效應(yīng)管。
2025-12-22 16:28:43352 
LMH1226低功耗雙路輸出12G超高清時(shí)鐘恢復(fù)器詳解 在當(dāng)今的超高清視頻領(lǐng)域，時(shí)鐘恢復(fù)器扮演著至關(guān)重要的角色，它能夠確保信號(hào)的穩(wěn)定傳輸和高質(zhì)量處理。LMH1226作為一款低功耗雙路輸出12G超高
2025-12-19 14:45:06172 TCA39306-Q1 雙路雙向 I3C、I2C 總線(xiàn)和 SMBus 電壓電平轉(zhuǎn)換器：特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn) 在電子工程師的日常工作中，總線(xiàn)和接口的電壓電平轉(zhuǎn)換是一個(gè)常見(jiàn)且關(guān)鍵
2025-12-16 15:30:29221 TUSB2E221 USB 2.0-eUSB2 雙路中繼器：設(shè)計(jì)與應(yīng)用全解析 在電子設(shè)備飛速發(fā)展的今天，USB接口的應(yīng)用無(wú)處不在。TUSB2E221作為一款雙路eUSB2轉(zhuǎn)USB 2.0中繼器，在
2025-12-15 17:05:06846 近期使用MOS管進(jìn)行電路開(kāi)發(fā)，需要MOS管快速的電路開(kāi)合，應(yīng)該注意哪些事項(xiàng)？
2025-12-05 06:21:06
在高頻開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)中，很多工程師都會(huì)遇到這樣的問(wèn)題，明明給MOS管柵極加了足夠的電壓，MOS管卻要延遲一段時(shí)間才能完全導(dǎo)通，甚至出現(xiàn)柵極電壓停滯的情況。這其實(shí)和MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管特有的米勒平臺(tái)有關(guān)
2025-12-03 16:15:531146 
在汽車(chē)電子以及其他對(duì)可靠性和性能要求較高的應(yīng)用領(lǐng)域，高端驅(qū)動(dòng)器扮演著至關(guān)重要的角色。今天我們要深入探討的是安森美（onsemi）推出的一款汽車(chē)級(jí)四路高端驅(qū)動(dòng)器——NCV760040，它具備眾多出色的特性和功能，能滿(mǎn)足多種復(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2025-11-28 10:42:05262 
在電力電子領(lǐng)域，高壓功率器件的選擇直接影響系統(tǒng)的效率、成本與可靠性。對(duì)于工程師來(lái)說(shuō)，超結(jié)MOS管與碳化硅MOS管的博弈始終是設(shè)計(jì)中的核心議題，兩者基于不同的材料與結(jié)構(gòu)，在性能、成本與應(yīng)用場(chǎng)景中各有千秋，如何平衡成為關(guān)鍵。
2025-11-26 09:50:51557 安森美 NCV8406DD雙路自保護(hù)低側(cè)驅(qū)動(dòng)器是一款雙路保護(hù)的低側(cè)智能分立器件，具有 溫度和電流限制功能。保護(hù)特性包括過(guò)流、過(guò)熱、ESD，以及集成的進(jìn)行過(guò)壓保護(hù)的漏極至柵極的鉗位功能。該器件提供了保護(hù)，適合用于惡劣的汽車(chē)環(huán)境。
2025-11-26 09:49:33325 
安森美 NL27WZ32雙路2輸入或門(mén)是高性能雙路2輸入或門(mén)，工作采用1.65V至5.5V的電源，工作在-55°C至+125°C的寬溫度范圍內(nèi)。這些器件具有幾乎為零的靜態(tài)供電電流，降低了系統(tǒng)的功率要求。安森美NL27WZ32雙路緩沖器提供可靠的邏輯運(yùn)算，使得該器件在諸多電子設(shè)計(jì)中成為關(guān)鍵元件。
2025-11-25 11:15:59327 
1、最大漏源電壓（V（BR）DSSQ）：這是MOS管在關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，漏極和源極之間所能承受的最大電壓。選擇的MOS管的V（BR）DSS應(yīng)該高于電路中可能出現(xiàn)的最大電壓，通常需要留有一定的裕量。
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2025-11-20 08:26:30
高速風(fēng)筒作為高頻使用的家電產(chǎn)品，其電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路及輔助回路對(duì)MOS管的性能要求差異顯著。合科泰針對(duì)高速風(fēng)筒的電路特性，推出5N50ER慢恢復(fù)MOS管與5N50ES快恢復(fù)MOS管，通過(guò)針對(duì)性的性能設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)不同電路場(chǎng)景下的精準(zhǔn)適配，平衡性能與成本。
2025-11-17 14:44:51616 
在工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及照明系統(tǒng)等高壓應(yīng)用場(chǎng)景中，功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。合科泰電子推出的高壓MOS管 HKTD7N65，憑借650V耐壓、7A電流與低至1.08Ω的導(dǎo)通電阻，為工程師提供了一款兼具高性能與高可靠性的國(guó)產(chǎn)功率器件新選擇。
2025-11-07 17:46:101414 在功率半導(dǎo)體器件的迭代浪潮中，N溝槽MOS管憑借其優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性與電流控制能力，成為高功率電子系統(tǒng)的核心組成部分。當(dāng)市場(chǎng)對(duì)器件的耐壓等級(jí)、電流承載能力提出更高要求時(shí)，一款兼具150V高耐壓、200A
2025-11-06 13:44:04202 
在各類(lèi)電子設(shè)備的功率控制核心中，PWM驅(qū)動(dòng)功率MOS管技術(shù)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。這項(xiàng)技術(shù)通過(guò)脈沖寬度調(diào)制信號(hào)精確控制功率MOS管的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)高效的功率放大和能量轉(zhuǎn)換。其基本原理是通過(guò)調(diào)節(jié)
2025-11-04 15:38:00551 MOS管作為開(kāi)關(guān)電源、智能家電、通信設(shè)備等高頻電路中的核心器件，其工作狀態(tài)直接影響系統(tǒng)的可靠性與壽命。在導(dǎo)通與關(guān)斷的瞬間，MOS管常經(jīng)歷短暫的電壓與電流交疊過(guò)程，這一過(guò)程產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗是發(fā)熱的主要
2025-11-04 15:29:34585 壓MOS管以其低導(dǎo)通損耗、快速開(kāi)關(guān)特性與緊湊封裝，成為實(shí)現(xiàn)電能高效轉(zhuǎn)換、簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)的核心“開(kāi)關(guān)”，支撐著現(xiàn)代電子設(shè)備向小型化、低功耗、高可靠性方向發(fā)展。
2025-10-20 10:53:53964 
半導(dǎo)體在先進(jìn)工藝領(lǐng)域的突破能力，更以實(shí)際應(yīng)用推動(dòng)著“雙碳”目標(biāo)下的能效升級(jí)。隨著SGT工藝的進(jìn)一步成熟，這類(lèi)高性能MOS管將在更多場(chǎng)景實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代，為電子產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)
2025-10-14 16:53:22714 
工程師們?cè)陔娮釉O(shè)備電路設(shè)計(jì)時(shí)，是不是常常被MOS管選型搞得頭大?電壓、電流、封裝需求五花八門(mén)，封裝不匹配安裝難，溝道類(lèi)型或參數(shù)不對(duì)影響整機(jī)性能，而MOS管選得好不好直接關(guān)系到產(chǎn)品性能和可靠性。別愁啦
2025-10-11 13:55:06590 中科微電車(chē)規(guī)MOS管ZK60G270G：汽車(chē)核心系統(tǒng)的高效功率控制解決方案
2025-09-30 13:50:55684 
在便攜式電子、物聯(lián)網(wǎng)、小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)等中小功率場(chǎng)景中，兼具低功耗、快速響應(yīng)與高可靠性的MOS管成為核心器件。ZK60N20DQ作為一款高性能N溝道增強(qiáng)型MOS管，憑借 “高耐壓、大電流、微型封裝
2025-09-29 17:45:06696 
MOS 管作為電壓控制型半導(dǎo)體器件，憑借輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、功耗低等特性，已成為現(xiàn)代電子系統(tǒng)中不可或缺的核心元件。從微型傳感器到大型電力設(shè)備，其應(yīng)用范圍之廣遠(yuǎn)超其他功率器件。本文將系統(tǒng)梳理 MOS 管的主要應(yīng)用領(lǐng)域，解析其在不同場(chǎng)景中的工作原理與設(shè)計(jì)要點(diǎn)。
2025-09-27 15:08:021039 
在掌握MOS管的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)、原理與分類(lèi)后，實(shí)際工程應(yīng)用中更需關(guān)注選型匹配、故障排查及驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化三大核心環(huán)節(jié)。本文將結(jié)合工業(yè)與消費(fèi)電子場(chǎng)景，拆解MOS管應(yīng)用中的關(guān)鍵技術(shù)要點(diǎn)，幫助工程師規(guī)避常見(jiàn)風(fēng)險(xiǎn)，提升電路可靠性與性能。
2025-09-26 11:25:101600 
MOS管作為汽車(chē)電子系統(tǒng)中電能轉(zhuǎn)換與精準(zhǔn)控制的核心樞紐，在汽車(chē)電動(dòng)化、智能化轉(zhuǎn)型中扮演著不可替代的角色。其憑借電壓控制特性帶來(lái)的快速開(kāi)關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻、高輸入阻抗等優(yōu)勢(shì)，深度適配汽車(chē)復(fù)雜工況需求
2025-09-25 10:53:35567 
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，MOS管（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為核心器件，承擔(dān)著電能轉(zhuǎn)換、信號(hào)放大與電路控制的關(guān)鍵作用。中科微電作為國(guó)內(nèi)專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)的企業(yè)，其推出的MOS管憑借高可靠性、低功耗等優(yōu)勢(shì)，在多個(gè)行業(yè)實(shí)現(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用，成為國(guó)產(chǎn)功率器件替代進(jìn)程中的重要力量。
2025-09-22 13:59:47500 
在電子電路的設(shè)計(jì)中，MOS管是一種極為重要的分立器件，它廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等眾多領(lǐng)域。而在MOS管的規(guī)格書(shū)中，連續(xù)電流ID這個(gè)參數(shù)備受關(guān)注。那么，MOS的規(guī)格書(shū)上的連續(xù)電流ID究竟是怎么計(jì)算出來(lái)的呢?今天我們就來(lái)解析其背后的計(jì)算邏輯。
2025-09-22 11:04:371141 
在開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和新能源逆變器等應(yīng)用中，MOS管的開(kāi)關(guān)速度和電路效率直接影響整體性能和能耗。而MOS管的開(kāi)關(guān)速度與電路效率，它們之間有著怎樣的關(guān)聯(lián)，合科泰又是如何通過(guò)多項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新對(duì)MOS管進(jìn)行優(yōu)化的呢?提升MOS管的這兩個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)，助力工程師實(shí)現(xiàn)更高能效的設(shè)計(jì)。
2025-09-22 11:03:06756 MOS管，即金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是現(xiàn)代電子電路中至關(guān)重要的核心器件之一。
2025-09-19 17:41:515042 
一款高性能的工頻逆變器離不開(kāi)優(yōu)質(zhì)功率器件的支持，尤其是作為核心開(kāi)關(guān)元件的MOS管。在工頻逆變器設(shè)計(jì)中，選擇一款能夠高效替代IRFB4310PBF、具備低導(dǎo)通損耗和高耐壓特性的MOS管，對(duì)提升整機(jī)效率與可靠性尤為關(guān)鍵。
2025-09-12 17:38:143056 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()2.4 A / 2 A 雙路獨(dú)立閃光燈 LED 驅(qū)動(dòng)器，帶 TrueFlash?相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有2.4 A / 2 A 雙路獨(dú)立閃光燈 LED 驅(qū)動(dòng)器，帶
2025-07-30 18:30:00
高頻開(kāi)關(guān)動(dòng)作將直流電轉(zhuǎn)換為高頻交流電，驅(qū)動(dòng)發(fā)射線(xiàn)圈產(chǎn)生交變磁場(chǎng)。其低導(dǎo)通電阻(RDS(on))特性可減少能量損耗，提升傳輸效率。 電流調(diào)節(jié)與穩(wěn)定性保障 MOS管通過(guò)PWM調(diào)制技術(shù)動(dòng)態(tài)調(diào)整電流大小，確保能量傳輸?shù)姆€(wěn)定性。在全橋/半橋逆變電路中
2025-07-24 14:54:39623 
Texas Instruments SN74AC139-Q1雙路2對(duì)4線(xiàn)路解碼器/多路復(fù)用器包含雙路2對(duì)4解碼器，具有一個(gè)有源低輸出選通 (G)。當(dāng)一個(gè)通道的輸出被選通輸入（G=高電平）限制
2025-07-05 14:43:38651 
當(dāng)MOS管的源極與柵極意外短接時(shí)，可能導(dǎo)致電路失控，產(chǎn)生電流暴走、靜電隱形殺手等問(wèn)題。因此，必須嚴(yán)格遵守MOS管的操作規(guī)范，避免短接事故的發(fā)生。
2025-06-26 09:14:001936 
在電力電子系統(tǒng)中，MOS管并聯(lián)能有效提升電流承載能力，但需要精準(zhǔn)匹配參數(shù)，如導(dǎo)通電阻與閾值電壓。應(yīng)選擇熱特性相近的器件進(jìn)行組配，并采用門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片配合RC延時(shí)電路。優(yōu)化布局設(shè)計(jì)遵循電流高速公路法則，避免電壓尖峰差異過(guò)大。
2025-06-24 09:10:00890 
耗盡型MOS的特點(diǎn)讓其應(yīng)用極少，而PMOS的高成本和大電阻也讓人望而卻步。而綜合開(kāi)關(guān)特性和成本型號(hào)優(yōu)勢(shì)的增強(qiáng)型NMOS成為最優(yōu)選擇。合科泰作為電子元器件專(zhuān)業(yè)制造商，可以提供各種種類(lèi)豐富、型號(hào)齊全
2025-06-20 15:38:421228 
本文主要探討了MOS管驅(qū)動(dòng)電路的幾種常見(jiàn)方案，包括電源IC直接驅(qū)動(dòng)、推挽電路協(xié)同加速、隔離型驅(qū)動(dòng)等。電源IC直接驅(qū)動(dòng)的簡(jiǎn)約哲學(xué)適合小容量MOS管，但需要關(guān)注電源芯片的最大驅(qū)動(dòng)峰值電流和MOS管的寄生電容值。
2025-06-19 09:22:00996 
ON Semiconductor 的NLVHC4538ADTR2G雙路精密單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器的參數(shù)特性與EDA模型 數(shù)據(jù)手冊(cè)等資料。
2025-06-17 16:46:501111 
上一篇我們介紹了英飛凌CoolSiCMOSFETG2的產(chǎn)品特性（參考文章：CoolSiCMOSFETG2性能綜述）。那么在實(shí)際應(yīng)用中，G2如何進(jìn)行正確的選型呢？接下來(lái)兩篇文章會(huì)和大家仔細(xì)探討這個(gè)
2025-06-16 17:34:51711 
在電力電子系統(tǒng)中，可控硅（晶閘管）與MOS管（場(chǎng)效應(yīng)管）均屬于關(guān)鍵開(kāi)關(guān)器件。針對(duì)工程師常提出的"是否可用可控硅直接替換MOS管"這一問(wèn)題，答案是否定的。雖然二者均具備電流通斷能力
2025-06-11 18:05:001471 
MOS管因其高效、可靠的開(kāi)關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于電子電路設(shè)計(jì)中。N-MOS和P-MOS的導(dǎo)電載流子類(lèi)型和電壓極性需求不同，控制負(fù)極和正極需分別采用N-MOS和P-MOS。
2025-06-09 09:02:002435 
在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，經(jīng)常會(huì)用到MOS管做開(kāi)關(guān)電路，而在驅(qū)動(dòng)一些大功率負(fù)載時(shí)，主控芯片并不會(huì)直接驅(qū)動(dòng)大功率MOS管，而是在MCU和大功率MOS管之間加入柵極驅(qū)動(dòng)器芯片。
2025-06-06 10:27:162888 
ON Semiconductor MC14013BDTR2G 雙D型觸發(fā)器參數(shù)特性 EDA模型 數(shù)據(jù)手冊(cè)
2025-05-29 14:41:181192 
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是現(xiàn)代電子設(shè)備中最常用的半導(dǎo)體器件之一。它通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的導(dǎo)通與截止，廣泛應(yīng)用于放大、開(kāi)關(guān)和信號(hào)處理等電路中。MOS管根據(jù)溝道類(lèi)型的不同，主要分為N溝道
2025-05-09 15:14:572336 驅(qū)動(dòng)電流是指用于控制MOS管開(kāi)關(guān)過(guò)程的電流。在MOS管的驅(qū)動(dòng)過(guò)程中，需要將足夠的電荷注入或抽出MOS管的柵極，以改變MOS管的導(dǎo)通狀態(tài)。驅(qū)動(dòng)電流的大小與MOS管的輸入電容、開(kāi)關(guān)速度以及應(yīng)用中所需的切換速度等因素有關(guān)。較大的驅(qū)動(dòng)電流通?？梢蕴岣?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的開(kāi)關(guān)速度。
2025-05-08 17:39:423450 
此電路分主電路(完成功能)和保護(hù)功能電路。MOS管驅(qū)動(dòng)相關(guān)知識(shí)：1、跟雙極性晶體管相比,一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流,只要GS電壓(Vbe類(lèi)似)高于一定的值,就可以了。MOS管和晶體管向比較c
2025-05-06 19:34:351676 
通常是沒(méi)有的。
2，MOS管導(dǎo)通特性
導(dǎo)通的意思是作為開(kāi)關(guān)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只要柵極電壓達(dá)到 4V或 10V
2025-04-16 13:59:28
MAX9392/MAX9393雙2 x 2交叉點(diǎn)開(kāi)關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)高速、低功耗、低噪聲信號(hào)切換。MAX9392/MAX9393將兩路差分輸入中的一路復(fù)用到一路或兩路低壓差分信號(hào)(LVDS)輸出。獨(dú)立的使能輸入對(duì)每路差分信號(hào)進(jìn)行通、斷控制。
2025-04-15 15:55:071644 
MAX9392/MAX9393雙2 x 2交叉點(diǎn)開(kāi)關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)高速、低功耗、低噪聲信號(hào)切換。MAX9392/MAX9393將兩路差分輸入中的一路復(fù)用到一路或兩路低壓差分信號(hào)(LVDS)輸出。獨(dú)立的使能輸入對(duì)每路差分信號(hào)進(jìn)行通、斷控制。
2025-04-15 15:36:471375 
1.外圍電路1.1.柵極電阻R51的柵極電阻可以控制MOS管的GS結(jié)電容的充放電速度。對(duì)于MOS管而言，開(kāi)通速度越快，開(kāi)通損耗越小。但是速度太快容易引起震蕩，震蕩波形（GS之間，這個(gè)震蕩與MOS管
2025-04-09 19:33:021693 
MOS時(shí)，Vg_drive接GND，柵極電壓大于Vg_drive，因此二極管導(dǎo)通，相當(dāng)于柵極通過(guò)Rs_off并聯(lián)Rs_on進(jìn)行放電（嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，這里面還有一個(gè)二極管的導(dǎo)通壓降，并不是很?chē)?yán)謹(jǐn)）。我們知道，2個(gè)
2025-04-08 11:35:28
指的是，從驅(qū)動(dòng)器開(kāi)始輸出驅(qū)動(dòng)電壓Vg_drive開(kāi)始，到MOS的G和S極之間電壓被充到Vgs(th)。這個(gè)過(guò)程中，MOS管始終不導(dǎo)通，沒(méi)有電流流過(guò)，因此Ids始終為0，Vds維持不變。 t2階段：此
2025-03-31 10:34:07
MOS管的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)是確保其穩(wěn)定工作和延長(zhǎng)使用壽命的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是對(duì)MOS管功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)的詳細(xì)分析： 一、MOS管的功耗計(jì)算 MOS管的功耗主要包括驅(qū)動(dòng)損耗、開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗
2025-03-27 14:57:231517 示波器測(cè)量GS電壓，可以看到在電壓上升過(guò)程中有一個(gè)平臺(tái)或凹坑，這就是米勒平臺(tái)。 米勒效應(yīng)指在MOS管開(kāi)通過(guò)程會(huì)產(chǎn)生米勒平臺(tái)，原理如下。理論上驅(qū)動(dòng)電路在G級(jí)和S級(jí)之間加足夠大的電容可以消除米勒效應(yīng)。但此時(shí)
2025-03-25 13:37:58
onsemi NCV84090DR2G為汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的可靠負(fù)載開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器
2025-03-19 16:50:461597 
MOS管在電路設(shè)計(jì)中是比較常見(jiàn)的，按照驅(qū)動(dòng)方式來(lái)分的話(huà)，有兩種，即：N-MOS管和P-MOS管。MOS管跟三極管的驅(qū)動(dòng)方式有點(diǎn)類(lèi)似，但又不完全相同，那么今天筆者將會(huì)給大家簡(jiǎn)單介紹一下N-MOS管
2025-03-14 19:33:508049 
HMC8402是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)、低噪聲放大器，工作頻率范圍為2 GHz至30 GHz。該放大器提供13.5 dB增益、2
2025-03-12 09:56:11861 
儲(chǔ)存和運(yùn)輸過(guò)程中使用封閉的導(dǎo)電容器，以減少靜電積聚和放電的可能性。 2、靜電控制工作站 ：在靜電控制工作站內(nèi)處理MOS管，并確保工作站接地。工作人員在處理MOS管時(shí)也應(yīng)穿戴防靜電服，并保持接地狀態(tài)。 3、環(huán)境控制 ：處理MOS管的工作區(qū)域應(yīng)鋪設(shè)接地
2025-03-10 15:05:211321 場(chǎng)效應(yīng)管mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分
2025-03-07 09:20:47
0 的 mos 管波形在各拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的波形都會(huì)不一樣，對(duì)與 PFC 來(lái)說(shuō)，我們的 MOS 管波形見(jiàn) 圖 2這是因?yàn)槲覀兊墓ぷ髟诹?CCM 模式下的 PFC MOS 管波形，可
2025-03-06 13:36:091 目錄1）防止柵極di/dt過(guò)高：2）防止柵源極間過(guò)電壓:3）防護(hù)漏源極之間過(guò)電壓:4）電流采樣保護(hù)電路功率MOS管自身?yè)碛斜姸鄡?yōu)點(diǎn)，但是MOS管具有較脆弱的承受短時(shí)過(guò)載能力，特別是在高頻的應(yīng)用場(chǎng)
2025-02-27 19:35:312014 
根據(jù)電路需求選擇合適的MOS管是一個(gè)綜合考慮多個(gè)因素的過(guò)程，以下是一些關(guān)鍵步驟和注意事項(xiàng)： ? 一、明確電路需求 首先，需要明確電路的具體需求，包括所需的功率、開(kāi)關(guān)速度、工作溫度范圍、負(fù)載類(lèi)型等
2025-02-24 15:20:42984 NCV7710DQR2G 產(chǎn)品概述NCV7710DQR2G 是一款由半導(dǎo)體組件公司（Semiconductor Components）推出的高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)為汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具有多種
2025-02-18 22:56:40
NCV7420D25R2G 組件詳解產(chǎn)品概述NCV7420D25R2G 是一款高性能的雙通道運(yùn)算放大器，專(zhuān)為汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該組件具有出色的線(xiàn)性性能和低功耗特性，非常適合用于信號(hào)放大、濾波和數(shù)
2025-02-18 22:51:57
NCV4264-2CST33T3G是一款由ON Semiconductor生產(chǎn)的低壓線(xiàn)性穩(wěn)壓器，當(dāng)前市場(chǎng)上數(shù)量為499,545個(gè)。產(chǎn)品概述NCV4264-2CST33T3G是一款高性能的線(xiàn)性穩(wěn)壓器
2025-02-18 21:58:43
MOS管選型需考慮溝道類(lèi)型（NMOS或PMOS）、電壓、電流、熱要求、開(kāi)關(guān)性能及封裝，同時(shí)需結(jié)合電路設(shè)計(jì)、工作環(huán)境及成本，避免混淆NMOS和PMOS?！安恢?b class="flag-6" style="color: red">MOS管要怎么選。” ? “這個(gè)需要
2025-02-17 10:50:251545 
在數(shù)字電路和功率電子中，MOS管（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)元件，廣泛應(yīng)用于各種開(kāi)關(guān)電源、驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)處理電路中。MOS管不僅在電源管理和信號(hào)放大中扮演重要角色，還在實(shí)現(xiàn)邏輯功能中有著廣泛
2025-02-14 11:54:051859 
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2025-02-13 17:14:461 在功率電子電路中，為了滿(mǎn)足大電流需求，常常需要將多個(gè)MOS管并聯(lián)使用。然而，由于MOS管參數(shù)的離散性以及電路布局的影響，并聯(lián)的MOS管之間可能會(huì)出現(xiàn)電流分配不均的問(wèn)題，導(dǎo)致部分MOS管過(guò)載甚至損壞
2025-02-13 14:06:354243 
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2025-02-11 14:12:570 ，應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。①查看電源IC手冊(cè)的最大驅(qū)動(dòng)峰值電流，因?yàn)椴煌酒?，?qū)動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的。②了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這
2025-02-11 10:39:401779 
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2025-02-10 14:06:220 TOLL封裝MOS管廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、電子游戲、汽車(chē)電子控制系統(tǒng)等領(lǐng)域。由于其高集成度、低功耗和穩(wěn)定性好的特點(diǎn)，TOLL封裝MOS管在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中扮演著重要的角色。
2025-02-07 17:14:041924 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)與應(yīng)用中，MOS管（場(chǎng)效應(yīng)管）作為一種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)元件廣泛應(yīng)用于各種電路中。然而，有時(shí)候即使電流不大，MOS管也會(huì)出現(xiàn)發(fā)熱現(xiàn)象，這不僅會(huì)影響其性能，還可能導(dǎo)致設(shè)備的長(zhǎng)期穩(wěn)定性問(wèn)題。本文
2025-02-07 10:07:171390 
4路等差信號(hào)的輸入與輸出分別接連接器的輸入輸出；ADDR_EQ=0；EN=1；RSET=1；其余AUX、HPD、CAD均沒(méi)有連接，是否可以完成 5.4G的數(shù)據(jù)通信，如果硬件是允許這樣操作，軟件是如何配置的？？
2025-01-13 06:02:19
MOS管的正確選擇涉及多個(gè)步驟和參數(shù)考量，以下是一個(gè)詳細(xì)的指南： 一、確定溝道類(lèi)型 N溝道MOS管：適用于低壓側(cè)開(kāi)關(guān)，當(dāng)一個(gè)MOS管接地，而負(fù)載連接到干線(xiàn)電壓上時(shí)，該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在
2025-01-10 15:57:581797
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